JPH03180056A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子を搭載するリードフレームに関する
ものである。

［従来の技術］ 例えば半導体装置の一つであるＤＲＡＭをパッケージソ
ゲする場合、　１Ｍバイト以下のＤ　ＲＡ　Ｍのパッケ
ージング形態は、現在、ＤＩＰおよびＳＯＪが主流とな
っている。

第７図は１６に〜ＩＭバイトの種々のメモリ容量のＤ　
ＲＡ　Ｍ　ａを示した図であり、図中、　ａｌは半導体
素子、ａ２はモールド部である。

このようＩｔ　Ｄ　ＲＡ　Ｍ　ａにあっては、パッケー
ジサイズが標準化されているために、パンケージ幅ｄ２
が半導体素子ａのメモリ容量によらず一定に設定されて
いる。

また、このパッケージ構造においては、　一般にリード
フレームのダイパッド部に半導体素子を載せ、このダイ
パッド部にほぼ等しい平面内にインナーリードを配置し
た構造となっている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、パッケージ幅ｄ２を半導体装置であるＤ
　ＲＡ　Ｍ　ａのメモリ容量によらず一定に設定すると
、メモリー容量が増加して半導体素子ａ１の幅ｄ、が大
きくなった場合、半導体素子ａ１のまわりを封止するモ
ールド部ａ２の領域の幅（（ｄ２−ｄ＋）／２１が狭く
なってしまう。

また、ダイパッド部にほぼ等しい平面内にインナーリー
ドを配置した構造にすると、メモリー容量が増加した半
導体素子に対応できるようにするためダイパッド部を拡
げようとしても、リードフレームの製造上インナーリー
ド部とダイパッド部との間隙を小さくするのには限度が
あるので、ダイパッド部をあまり拡げることはできなく
、モールド部領域のインナーリードの配線の引き廻しが
困難となってしまう。このため、インナーリードを長く
とることができなくなり１例えば従来のリードフレーム
を用いて３００および３５０ミルのＤＩＰおよびＳＯＪ
により、　１Ｍバイトを越えるような大容量メモリー半
導体素子をパッケージングする場合においては、パッケ
ージの幅（短辺）方向のモールド領域が狭くなって、　
リードの抜けや水の侵入に対する信頼性の低下を生じ易
くなるという問題があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、　３００ミルおよび３５０ミル規格の
ＤＩＰおよびＳＯＪ等によっても、大容量メモリーの半
導体素子を確実にパッケージングできるリードフレーム
を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明は、インナーリード
が、その先端が前記半導体素子の辺の少なくとも一辺に
沿って配置されるように折りｄｉｌげられた折曲部を有
し、このインナーリードの折曲部と他の部分との間に第
１絶縁層を介設し、さらに、前記インナーリードの折曲
部上の前記半導体素子が搭載される位置に第２絶縁層を
設けることを特徴としている。

［作用コ このように構成された本発明のリードフレームによれば
、インナーリードを半導体素子の大きさに関係なくモー
ルド領域において奥深くまで引き廻すことができる。ま
た、これによりインナーリードを長くとることができ、
リードの抜けの防止及び水の侵入の防止対策も十分とな
る。

［実施例コ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図〜第４図は、本発明にかかるリードフレームの一
実施例を示す図である。図中、　■はリードフレーム、
　３はアウターリード訊　４はインナーリード＠５は第
１絶縁フイルム、６は第２絶縁フイルム、７は半導体素
子の電極、８は半導体素子、９はワイヤーである。

第１図に示すように、　リードフレーム１は、上下両端
のレール２に支持されたアウターリード部３と、斜線で
示すインナーリード部４とを備えている。第２図に示す
ように、インナーリード部４は、多数のインナーリード
４ａ、４ａ、　　・・・、第１絶縁フイルム５及び第２
絶縁フイルム６を備えている。インナーリード部４の各
インナーリード４ａ、４ａ、　　・・・は、４２アロイ
、銅合金などを共材として用いケミカルエツチングによ
って形成されている。その場合の基材の厚みは、所定厚
さ（例えば約１２５μｍ）にされている。また、第３図
に示すように上下に位置する各インナーリード４ａの先
端４ｂは交互にかつ左右方向に重合するように配置され
ている。

そして、金型を用いて、インナーリード先端４ｂを含む
各インナーリード４ａ、４ａ、　　・・・の所定領域を
傾きがほぼ４５°の破線ａ、　　ｂ、　　ｃ、　　ｄに
沿って１８０度折り曲げることにより、第２図（ｂ）及
び第４図に示すように各インナーリード４ａ、４ａ、　
　・・・には折曲部４ｃ、４ｃ、　　・・・が形成され
る。その場合、同図に示すようにインナーリード先端４
ｂは左右方向、すなわち半導体素子８の短辺に沿う方向
に向くように形成されている。各インナーリード４ａの
折曲部４　ｃ、　、４　ｃ、　　・・・とインナーリー
ド４ａの他の部分との間には第１絶縁フィルム５が介在
しており、この第１絶縁フイルム５によりインナーリー
ド先端４ｂとインナーリード４ａが互いに干渉しないよ
うにしている。この第１絶縁フイルム５は、ポリイミド
等の樹脂を成分とした１００μｍ厚の絶縁性両面接着フ
ィルムである。

第１図から明らかなように、第１絶縁フイルム５を介し
折り曲げたインナーリード折曲部４ｃ。

４ｃ、　　・・・の上に、第２絶縁フイルム６を積層し
、かつ接合する。この第２絶縁フイルム６は、ポリイミ
ド等の樹脂を成分とした１００μｍ厚の片面接着剤付絶
縁フィルムである。また第２絶縁フイルム６の上に、左
右両側端に沿って所定数のポンディングパッド７．７．
・・・を有する半導体素子８を銀ペーストの接着剤によ
り接着することにより搭載する。接着剤としては、銀ペ
ースト以外に。

熱膨張係数が第２絶縁フイルム６（ポリイミド樹脂：２
０ｐｐ讃／　’Ｃ）と半導体素子８（シリコン２゜８ｐ
ｐｍ／’Ｃ）との間にあるような熱可塑性樹脂または、
金、胤　ペースト等でもよい。

そして、各インナーリード先端４ｂ、４ｂ、　　・・・
と対応するポンディングパッド７．７．・・・とをワイ
ヤー９によりボンディングする。

このように構成された本実施例と前述の従来のリードフ
レームとを比較検討する。第５図において、　（ａ）で
示される本実施例と（ｂ）で示される従来例とを比較す
ると、本実施例の場合には、第１及び第２絶縁フィルム
５．６を介して、インナーリード４ａを１８０度折り曲
げ、インナーリード先端４ｂを半導体素子８の短辺方向
に沿って配置することにより、インナーリード４ａのリ
ード長を長くとることができるので、モールド領域内で
リードをしっかりと保持することができるようになる。

また、これによってリードの抜けや水の浸入が確実に防
止されるようになる。これに対して、従来のリードフレ
ームでは、モールド領域でのインナーリードの引き回し
ができなく、前述のような問題が生じてしまうことは容
易に理解することができる。

さらに、第５図から明らかなように、本発明のリードフ
レーム１は、従来例のリードフレームに比べて、　リー
ド部先端４ｂが半導体素子８のポンディングパッド７の
近くまできているので、ワイヤー９も短くて済へ　半導
体素子８のエツジとワイヤー９とのショート（ワイヤー
ショート）等のトラブルも回避することができる。

なお、本発明は、前述の実施例に限定されるものではな
く１種々の設計変更が可能である。

例えば前述の実施例では、第１及び第２絶縁フィルム５
．６としてポリイミド樹脂のフィルムを用いるものとし
ているが、第６図に示すように、本発明は、第１及び第
２絶縁フイルムに熱硬化性ポリイミド１０の液状樹脂の
熱硬化からなる絶縁フィルムを用いることもできる。そ
の場合、半導体素子８の接着方法は前述のリードフレー
ムの場合と同様であると共に、その作用効果も前述のリ
ードフレームと同様である。

［発明の効果］ 以上、本発明によれば、゛モールド領域内でのインナー
リードのリード長を長く設けることができるので、モー
ルド領域内でリード部をしっかり保持して、確実な封止
を実現することができる。したがって、　リードの抜け
や水の侵入等の問題を確実に防止することができるよう
になり、　リードフレームの信頼性が大幅に向上する。

さらに、リード部先端と半導体素子上のポンディングパ
ッドとの距離が短くなるので、その分ワイヤーも短くて
済へ　トランスファーモールド時における半導体素子の
エツジとワイヤとのショートやワイヤの流れ等のトラブ
ルも確実に回避することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るリードフレームの一実施例を示
す平面図、第２図はそのリードフレームのインナーリー
ド部を部分的に示し、　（ａ）はその部分拡大平面図、
　（ｂ）は（ａ）におけるｎｂ−ｎｂに沿う断面図、第
３図はインナーリードの先端を示す図、第４図は間に絶
縁フィルムを介在させてインナーリードを折曲げた状態
を示す図、第５図は本発明のリードフレームと従来のリ
ードフレームとの比較を説明する図、第６図は本発明の
リードフレームの変形例を示し、　（ａ）はその部分拡
大平面図、　（ｂ）は（ａ）におけるｖｔｂ−■ｂ線に
沿う断面図、第７図はそれぞれのメモリ容量の半導体素
子を搭載した従来のリードフレームを示す図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）搭載する半導体素子の電極に接続されるインナー
   リードを少なくとも備えたリードフレームにおいて、 前記インナーリードは、その先端が前記半導体素子の辺
   の少なくとも一辺に沿って配置されるように折り曲げら
   れた折曲部を有し、このインナーリードの折曲部と他の
   部分との間に第１絶縁層を介設し、さらに前記インナー
   リードの折曲部上の前記半導体素子が搭載される位置に
   第２絶縁層を設けることを特徴とするリードフレーム。
2. （２）前記第１及び第２絶縁層は、それぞれポリイミド
   を主成分とする樹脂フィルムから形成されていることを
   特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
3. （３）前記第１及び第２絶縁層は、それぞれ熱硬化性ポ
   リイミドを主成分とする液体樹脂の熱硬化層から形成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
   ム。