JPH029157A - 半導体装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止された半導体装置に係り、特にリ
ードの構造を改良した半導体装置に関するものである。
ードの構造を改良した半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置として例えば第７図に示すようなもの
が知られている６図において、半導体装置は半導体チッ
プ（１）、リードフレーム（２）、金属ａ線（３）及び
モールド樹脂（４）から形成されている。リードフレー
ム（２）は、Ｆｅ−Ｎｉ合金あるいはリン青銅等の金属
箔から形成され、一つのダイパッド（２１）とこのダイ
パッド（２１）の周囲に配置された複数のリード（２２
）とを有し、ダイパッド（２１）上に半導体チップ（１
）が固着されている。
が知られている６図において、半導体装置は半導体チッ
プ（１）、リードフレーム（２）、金属ａ線（３）及び
モールド樹脂（４）から形成されている。リードフレー
ム（２）は、Ｆｅ−Ｎｉ合金あるいはリン青銅等の金属
箔から形成され、一つのダイパッド（２１）とこのダイ
パッド（２１）の周囲に配置された複数のリード（２２
）とを有し、ダイパッド（２１）上に半導体チップ（１
）が固着されている。
半導体チップ（１）の各電極（１１）はそれぞれリード
（２２）の先端のワイヤボンド部（２３〉に＾Ｕや＾Ｉ
等の金属細線（３）により電気的に接続されている。
（２２）の先端のワイヤボンド部（２３〉に＾Ｕや＾Ｉ
等の金属細線（３）により電気的に接続されている。
これら半導体チップ（１）、ダイパッド〈２１）、金属
細線（３）及びリード（２２）の一部が第８図に示すよ
うにエポキシ樹脂等のモールド樹脂（４）内に１４止さ
れている。
細線（３）及びリード（２２）の一部が第８図に示すよ
うにエポキシ樹脂等のモールド樹脂（４）内に１４止さ
れている。
このような半導体装置は次のようにして製造されていた
。
。
まず、第９Ａ図のようにダイパッド（２１）及び複数の
リード（２２）を形成すべく打ち抜かれたリードフレー
ム（２）のダイパッド（２１）上に、第９Ｂ図に示すよ
うに半導体チップ（１）の下面を接着剤またはハンダ等
により固着する０次に、半導体チップ（１）の上面に形
成されている各電極（１１）と各リード（２２）のワイ
ヤボンド部（２３）とを金属細線（３）を用いて電気的
に接続する。その後、第９Ｃ図に示すように半導体チッ
プ（１）、ダイパッド（２１）、金属細線（３）及びリ
ード（２２）のインナーリード部（２５）をモールド樹
脂（４）で封止し、これらを外気から保護する。さらに
、モールド樹脂（４）から露出したリード（２２）のア
ウターリード部（２６）を適当な形状に折り曲げた後、
ダイパッド（２１）を支持していたダイパッド支え部（
２４）を切断する。
リード（２２）を形成すべく打ち抜かれたリードフレー
ム（２）のダイパッド（２１）上に、第９Ｂ図に示すよ
うに半導体チップ（１）の下面を接着剤またはハンダ等
により固着する０次に、半導体チップ（１）の上面に形
成されている各電極（１１）と各リード（２２）のワイ
ヤボンド部（２３）とを金属細線（３）を用いて電気的
に接続する。その後、第９Ｃ図に示すように半導体チッ
プ（１）、ダイパッド（２１）、金属細線（３）及びリ
ード（２２）のインナーリード部（２５）をモールド樹
脂（４）で封止し、これらを外気から保護する。さらに
、モールド樹脂（４）から露出したリード（２２）のア
ウターリード部（２６）を適当な形状に折り曲げた後、
ダイパッド（２１）を支持していたダイパッド支え部（
２４）を切断する。
近年の半導体装置では、外寸法の小型化が要求される反
面、モールド樹脂（４）で封止される半導体チップ（１
）はダイナミックＲＡＭ等を始めとして大型化が進めら
れている。
面、モールド樹脂（４）で封止される半導体チップ（１
）はダイナミックＲＡＭ等を始めとして大型化が進めら
れている。
しかしながら従来の半導体装置に用いられるリードフレ
ーム（２）では、第９Ａ図に示すように各リード（２２
）先端のワイヤボンド部（２３）がダイパッド（２１）
周縁の近傍に位置していた。従って、第８（２Ｉにおい
てモールド樹脂（４）内に埋め込まれるリード（２２）
のインナーリード部（２５）の長さ（埋め込み長さ）Ｌ
は短くせざるを得なかった。このインナーリード部（２
５）の埋め込み長さしを短くすると、アウターリード部
（２６）の折り曲げ時にリード（２２）のワイヤボンド
部（２３）とモールド樹脂（４）との境界面に応力か集
中してこれらワイヤボンド部（２３）とモールド樹脂（
４）との密着強度の低下と来し、リード（２２）とモー
ルド樹脂（４）の境界部から大気中の水分が侵入しやす
くなり、半導体装置の信頼性が損なわれるという問題点
があった。
ーム（２）では、第９Ａ図に示すように各リード（２２
）先端のワイヤボンド部（２３）がダイパッド（２１）
周縁の近傍に位置していた。従って、第８（２Ｉにおい
てモールド樹脂（４）内に埋め込まれるリード（２２）
のインナーリード部（２５）の長さ（埋め込み長さ）Ｌ
は短くせざるを得なかった。このインナーリード部（２
５）の埋め込み長さしを短くすると、アウターリード部
（２６）の折り曲げ時にリード（２２）のワイヤボンド
部（２３）とモールド樹脂（４）との境界面に応力か集
中してこれらワイヤボンド部（２３）とモールド樹脂（
４）との密着強度の低下と来し、リード（２２）とモー
ルド樹脂（４）の境界部から大気中の水分が侵入しやす
くなり、半導体装置の信頼性が損なわれるという問題点
があった。
また、特開昭６２−１３４９４４号公報には、上述した
ような問題に対処するために、インナーリード部を半導
体チップ側へ延出させると共にＬ字形に屈曲させ、その
屈曲部の上に絶縁層を介して半導体チップを載置し、延
出されたインナーリード部の先端と半導体チップの電極
とを金属細線で接続する構造の半導体装置が開示されて
いる。このような構造とすれば、リードとモールド樹脂
との密着強度は増加し、半導体装置の信頼性は向上する
。
ような問題に対処するために、インナーリード部を半導
体チップ側へ延出させると共にＬ字形に屈曲させ、その
屈曲部の上に絶縁層を介して半導体チップを載置し、延
出されたインナーリード部の先端と半導体チップの電極
とを金属細線で接続する構造の半導体装置が開示されて
いる。このような構造とすれば、リードとモールド樹脂
との密着強度は増加し、半導体装置の信頼性は向上する
。
しかしながら、通常ＩＣ等の半導体装置は、その幅が規
格化され制限されるので、高密度且つ大容量の半導体チ
ップは必然的に縦に細長い形状を有する。そして、各リ
ードのアウターリード部は半導体チップの長辺側に配列
されることとなるが、インナーリード部を半導体チップ
の下でＬ字形に屈曲させてその先端部で電極とのワイヤ
ボンディングを行うと、多数のリードのワイヤボンド部
が全て半導体チップの短辺側に集中するため、隣接する
リード間の短絡の恐れを生じるという問題点がある。
格化され制限されるので、高密度且つ大容量の半導体チ
ップは必然的に縦に細長い形状を有する。そして、各リ
ードのアウターリード部は半導体チップの長辺側に配列
されることとなるが、インナーリード部を半導体チップ
の下でＬ字形に屈曲させてその先端部で電極とのワイヤ
ボンディングを行うと、多数のリードのワイヤボンド部
が全て半導体チップの短辺側に集中するため、隣接する
リード間の短絡の恐れを生じるという問題点がある。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、大型の半導体チップを搭載した場合でらリード
とモールド樹脂との間の密着強度が高く、優れた信頼性
を有する半導体装置を得ることを目的とする。
もので、大型の半導体チップを搭載した場合でらリード
とモールド樹脂との間の密着強度が高く、優れた信頼性
を有する半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係るや導体装置は、互いに対向する第１及び
第２の面を有すると共に第１の面上に電極が形成された
半導体チップと、 前記半導体チップの第２の面に沿って設けられると共に
その両端部が前記第２の面の互いに対向する一対の辺か
らそれぞれ外方に延出するり一ドと、 前記リードの一端部と前記半導体チップの電険とを電気
的に接続する金属ａ線と、 前記リードの池端部を露出させつつ前記半導体チップ、
前記リードの前記一端部及び前記金属細線を封止するモ
ールド樹脂とを備えたものである。
第２の面を有すると共に第１の面上に電極が形成された
半導体チップと、 前記半導体チップの第２の面に沿って設けられると共に
その両端部が前記第２の面の互いに対向する一対の辺か
らそれぞれ外方に延出するり一ドと、 前記リードの一端部と前記半導体チップの電険とを電気
的に接続する金属ａ線と、 前記リードの池端部を露出させつつ前記半導体チップ、
前記リードの前記一端部及び前記金属細線を封止するモ
ールド樹脂とを備えたものである。
この発明においては、リードが半導体チップの第２の面
を横切り、このリードの一端部が半導体チップの電極に
電気的に接続され、池端部がアウターリード部としてモ
ールド樹脂から露出する。
を横切り、このリードの一端部が半導体チップの電極に
電気的に接続され、池端部がアウターリード部としてモ
ールド樹脂から露出する。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置を示す透
視図である。第１図において、半導体装置は半導体チッ
プ（１）、リードフレーム（２）、金属細線（３）及び
モールド樹脂（４）から形成されている。半導体チッフ
責１）は互いに対向し且つ長方形状の第１の面（１２）
及び第２の面（１３）を有し、第１の而（１２）上に複
数の電１ｆ（１１）が形成されている。
視図である。第１図において、半導体装置は半導体チッ
プ（１）、リードフレーム（２）、金属細線（３）及び
モールド樹脂（４）から形成されている。半導体チッフ
責１）は互いに対向し且つ長方形状の第１の面（１２）
及び第２の面（１３）を有し、第１の而（１２）上に複
数の電１ｆ（１１）が形成されている。
リードフレーム（２）は、Ｆｅ−Ｎｉ合金あるいはリン
青銅等の金属箔から形成され、はぼ平行な複数のリード
（２２）を有している。各リード（２２）はモールド樹
脂（４）内に封止されるインナーリード部（２５）とモ
ールド（Ｍ脂（４）から露出するアウターリード部（２
６）とからなり、インナーリード部（２５）は互いに隣
接して平行に配置されるのに対し、アウターリード部（
２６）は交互に反対向きにインナーリード部く２５）に
連結されている。これらリード（２２）のインナーリー
ド部（２５）上に半導体チップ（１）が固着されている
。このとき、半導体チップ（１）の下に位置す°るリー
ド（２２）のインナーリード部（２５）の先端は半導体
チップ（１）の第２の面（１３）の一方の長辺がら外方
に延出しており、ワイヤボンド部（２３）を形成する。
青銅等の金属箔から形成され、はぼ平行な複数のリード
（２２）を有している。各リード（２２）はモールド樹
脂（４）内に封止されるインナーリード部（２５）とモ
ールド（Ｍ脂（４）から露出するアウターリード部（２
６）とからなり、インナーリード部（２５）は互いに隣
接して平行に配置されるのに対し、アウターリード部（
２６）は交互に反対向きにインナーリード部く２５）に
連結されている。これらリード（２２）のインナーリー
ド部（２５）上に半導体チップ（１）が固着されている
。このとき、半導体チップ（１）の下に位置す°るリー
ド（２２）のインナーリード部（２５）の先端は半導体
チップ（１）の第２の面（１３）の一方の長辺がら外方
に延出しており、ワイヤボンド部（２３）を形成する。
一方、インナーリード部（２５）の他端は半導体チップ
（１）の第２の面（１３）の他方の長辺から外方に延出
し、アウターリード部（２６）に連結している。
（１）の第２の面（１３）の他方の長辺から外方に延出
し、アウターリード部（２６）に連結している。
各リード（２２）のワイヤボンド部（２３）はそれぞれ
対応する半導体チップ（１）の電極（１１）に＾Ｕや＾
１等の金属細線〈３）により電気的に接続されている。
対応する半導体チップ（１）の電極（１１）に＾Ｕや＾
１等の金属細線〈３）により電気的に接続されている。
また、これら半導体チップ（１）、インナーリード部（
２５）及び金属細線（３）が第２図に示すようにエポキ
シ樹脂等のモールド樹脂（４）内に封止されている。
２５）及び金属細線（３）が第２図に示すようにエポキ
シ樹脂等のモールド樹脂（４）内に封止されている。
次に、このような半導体装置を製造する方法を述べる。
まず、第３Ａ図のように互いに平行な複数のり一ドく２
２）を形成すべく打ち抜かれたり一ドフレーム（２）の
インナーリード部（２５）上に、第３Ｂ図に示すように
半導体チップ（１）の第２の面（１３）を絶縁性の接着
剤により固着する０次に、半導体チップ（１）の第１の
而（１２）上に形成されている各電極（１１）と対応す
るインナーリード部（２５）先端のワイヤボンド部（２
３）とを金属細線（３）を用いて電気的に接続する。
２）を形成すべく打ち抜かれたり一ドフレーム（２）の
インナーリード部（２５）上に、第３Ｂ図に示すように
半導体チップ（１）の第２の面（１３）を絶縁性の接着
剤により固着する０次に、半導体チップ（１）の第１の
而（１２）上に形成されている各電極（１１）と対応す
るインナーリード部（２５）先端のワイヤボンド部（２
３）とを金属細線（３）を用いて電気的に接続する。
その１＆、第３Ｃ図に示すように半導体チップ゛（１）
、インナーリード部（２５）及び金属細線（３）念モー
ルド樹脂（４）で封止し、これらを外気から作護する。
、インナーリード部（２５）及び金属細線（３）念モー
ルド樹脂（４）で封止し、これらを外気から作護する。
さらに、モールド樹脂（４）から露出しなアウターリー
ド部（２６）’ｊ１ｍ当な形状に折り曲番Ｊる。
ド部（２６）’ｊ１ｍ当な形状に折り曲番Ｊる。
このようにして製造された半導体装置では、リード（２
２）のモールド樹脂（４）内への埋め込み長さか長いの
で、リード（２２）とモールド樹脂（４）との密庁強度
が高く、アウターリード部（２６）の折り曲げ時にリー
ド（２２）とモールド樹脂く４）との境界部に隙間やク
ランクを生じる恐れが少なくなる。また、各リード（２
２）においてアウターリード部（２６）からワイヤボン
ド部（２３）までの距飛が長いので、リード（２２）に
沿ってモールド樹脂（４）内に侵入する水分の影響が少
なく、耐湿性が向上する。
２）のモールド樹脂（４）内への埋め込み長さか長いの
で、リード（２２）とモールド樹脂（４）との密庁強度
が高く、アウターリード部（２６）の折り曲げ時にリー
ド（２２）とモールド樹脂く４）との境界部に隙間やク
ランクを生じる恐れが少なくなる。また、各リード（２
２）においてアウターリード部（２６）からワイヤボン
ド部（２３）までの距飛が長いので、リード（２２）に
沿ってモールド樹脂（４）内に侵入する水分の影響が少
なく、耐湿性が向上する。
さらに、リード（２２）が半導体チップ（１）の−対の
長辺を横切り、リード（２２）のワイヤボンド部（２３
）が半導体チップ（１）の長辺の４１−Ｍに位置するた
め、半導体チップ（１）が大型で多数のリード（２２）
を要する場合ても、隣接するり一ド（２２）間の短絡の
恐れが少なく、ワイヤホンディングの作業性が向上する
。
長辺を横切り、リード（２２）のワイヤボンド部（２３
）が半導体チップ（１）の長辺の４１−Ｍに位置するた
め、半導体チップ（１）が大型で多数のリード（２２）
を要する場合ても、隣接するり一ド（２２）間の短絡の
恐れが少なく、ワイヤホンディングの作業性が向上する
。
尚、第３Ａ〜３Ｃ図では、半導体チップ（１）と重なら
ずに半導体チップ（１〉の短辺側に位置するり−１・（
２２ａ）が示されているが、必要に応じてこのようなリ
ードを配することもできる。これらのリード（２２ａ）
の位置は半導体チップ（１）の長辺からずれているため
、モールド樹脂（４）内の埋め込み長さを容易に大きく
とることができる。
ずに半導体チップ（１〉の短辺側に位置するり−１・（
２２ａ）が示されているが、必要に応じてこのようなリ
ードを配することもできる。これらのリード（２２ａ）
の位置は半導体チップ（１）の長辺からずれているため
、モールド樹脂（４）内の埋め込み長さを容易に大きく
とることができる。
半導体チップ（１）として、第１の面（１２）のみなら
ず第２の面（１３）にも電極が形成されたちのがある、
このような半導体チップ（１）を搭載する場合には、第
４図に示すように、一つのリード（２２ｂ）のインナー
リード部（２５ｂ）の面積を大きくし、このインナーリ
ード部（２５ｂ）にハンダ等により半導体チップ（１）
の第２の面（１３）の電極を電気的に接続することがで
きる。
ず第２の面（１３）にも電極が形成されたちのがある、
このような半導体チップ（１）を搭載する場合には、第
４図に示すように、一つのリード（２２ｂ）のインナー
リード部（２５ｂ）の面積を大きくし、このインナーリ
ード部（２５ｂ）にハンダ等により半導体チップ（１）
の第２の面（１３）の電極を電気的に接続することがで
きる。
尚、半導体チップ（１）の第２の面（１３）全面に電極
が形成されている場合には、絶縁膜等によりこの電極と
他のリード（２２）とを電気的に絶縁する必要がある。
が形成されている場合には、絶縁膜等によりこの電極と
他のリード（２２）とを電気的に絶縁する必要がある。
また、半導体チップ（１）の第２の面（１３）に複数の
電極が形成されている場合には、その電極の数に対応し
て面積の大きなインナーリード部（２５ｂ）を有するリ
ード（２２ｂ）を複数設けることらできる。
電極が形成されている場合には、その電極の数に対応し
て面積の大きなインナーリード部（２５ｂ）を有するリ
ード（２２ｂ）を複数設けることらできる。
第５図にさらに他の実施例を示す。
この実施例では、半導体チップ（１）の一方の長辺（Ｉ
Ｃ）側にアウターリード部（２６ｃ）が延出するリード
（２２ｅ）のみが、半導体チップ（１）の第２の面（１
３）を横切り、他方の長辺（１ｄ）の近傍にワイヤボン
ド部（２３ｃ）を位置させている。半導体チップ（１）
の他方の長辺（１ｄ）側にアウターリード部（２６ｄ）
が延出するリード（２２ｄ）のインナーリード部（２５
ｄ）は半導体チップ（１）に重なることなく、長辺（１
ｄ）の近傍にワイヤボンド部（２３ｄ）を位置させてい
る。この場合、半導体チップ（１）の長辺（１ｃ）側に
はワイヤボンド部（２３ｃ）及び（２３ｄ）が存在しな
いので、半導体チップ（１）をモールド樹脂（４）の中
心線上に配置する必要はなく、アウターリード部（２６
ｃ）が延出するモールド樹脂（４）の−側部（４ｃ）側
に偏向させて配置することができる。これにより、半導
体チップ（１）を横切らないリード（２２ｄ）のインナ
ーリード部（２５ｄ）の埋め込み長さを大きくとること
が可能となる。
Ｃ）側にアウターリード部（２６ｃ）が延出するリード
（２２ｅ）のみが、半導体チップ（１）の第２の面（１
３）を横切り、他方の長辺（１ｄ）の近傍にワイヤボン
ド部（２３ｃ）を位置させている。半導体チップ（１）
の他方の長辺（１ｄ）側にアウターリード部（２６ｄ）
が延出するリード（２２ｄ）のインナーリード部（２５
ｄ）は半導体チップ（１）に重なることなく、長辺（１
ｄ）の近傍にワイヤボンド部（２３ｄ）を位置させてい
る。この場合、半導体チップ（１）の長辺（１ｃ）側に
はワイヤボンド部（２３ｃ）及び（２３ｄ）が存在しな
いので、半導体チップ（１）をモールド樹脂（４）の中
心線上に配置する必要はなく、アウターリード部（２６
ｃ）が延出するモールド樹脂（４）の−側部（４ｃ）側
に偏向させて配置することができる。これにより、半導
体チップ（１）を横切らないリード（２２ｄ）のインナ
ーリード部（２５ｄ）の埋め込み長さを大きくとること
が可能となる。
また、第６図に示すように、半導体チッフ責１）の長辺
（１ｄ）側にアウターリード部（２６ｄ）が延出するリ
ード（２２ｄ）のインナーリード部（２５ｄ）の先端部
を長辺（１ｃ）側に延ばして半導体チップ（１）の第２
の面く１３）の下に位置させてもよい、このようにする
ことにより、さらにインナーリード部（２５ｄ）の埋め
込み長さを大きく設定することができる。
（１ｄ）側にアウターリード部（２６ｄ）が延出するリ
ード（２２ｄ）のインナーリード部（２５ｄ）の先端部
を長辺（１ｃ）側に延ばして半導体チップ（１）の第２
の面く１３）の下に位置させてもよい、このようにする
ことにより、さらにインナーリード部（２５ｄ）の埋め
込み長さを大きく設定することができる。
尚、上記の各実施例を示す図面にはＤＩＰ型の半導体装
置が示されているが、これに限るものではなく、この発
明は種々のタイプの半導体装置に適用することができる
。
置が示されているが、これに限るものではなく、この発
明は種々のタイプの半導体装置に適用することができる
。
以上説明したようにこの発明の半導体装置は、互いに対
向する第１及び第２の面を有すると共に第１の面上に電
極が形成された半導体チップと、この半導体チップの第
２の面に沿って設けられると共にその両端部が第２の面
の互いに対向する一対の辺からそれぞれ外方に延出する
リードと、このリードの一端部と半導体チップの電極と
を電気的に接続する金属細線と、リードの他端部を露出
させつつ半導体チップ、リードの前記一端部及び金属細
線を封止するモールド樹脂とを備えているので、大型の
半導体チップを搭載した場合でもリードとモールド樹脂
との間に優れた密着強度を有し、半導体装置としての信
頼性が向上する。
向する第１及び第２の面を有すると共に第１の面上に電
極が形成された半導体チップと、この半導体チップの第
２の面に沿って設けられると共にその両端部が第２の面
の互いに対向する一対の辺からそれぞれ外方に延出する
リードと、このリードの一端部と半導体チップの電極と
を電気的に接続する金属細線と、リードの他端部を露出
させつつ半導体チップ、リードの前記一端部及び金属細
線を封止するモールド樹脂とを備えているので、大型の
半導体チップを搭載した場合でもリードとモールド樹脂
との間に優れた密着強度を有し、半導体装置としての信
頼性が向上する。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置を示す透
視図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３Ａ〜３０
図は実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示す平面
図、第４図ないし第６図はそれぞれ他の実施例を示す平
面図、第７図は従来の半導体装置を示す透視図、第８図
は第７図の■■線断面図、第９Ａ〜９０図は従来の半導
体装置の製造方法を工程順に示す平面図である。 図において、（１）は半導体チップ、（３）は金属細線
、（１１）はモールド樹脂、（１１〉は電極、（１２）
は第１の面、（１３）は第２の面、（２２）はリードで
ある。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 １１１ｔ′桧 １２ 悲１１１面 昂２図 扇４図 、ｖ５Ｓ図 悠７図 昂８図
視図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３Ａ〜３０
図は実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示す平面
図、第４図ないし第６図はそれぞれ他の実施例を示す平
面図、第７図は従来の半導体装置を示す透視図、第８図
は第７図の■■線断面図、第９Ａ〜９０図は従来の半導
体装置の製造方法を工程順に示す平面図である。 図において、（１）は半導体チップ、（３）は金属細線
、（１１）はモールド樹脂、（１１〉は電極、（１２）
は第１の面、（１３）は第２の面、（２２）はリードで
ある。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 １１１ｔ′桧 １２ 悲１１１面 昂２図 扇４図 、ｖ５Ｓ図 悠７図 昂８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに対向する第１及び第２の面を有すると共に第１の
面上に電極が形成された半導体チップと、前記半導体チ
ップの第２の面に沿って設けられると共にその両端部が
前記第２の面の互いに対向する一対の辺からそれぞれ外
方に延出するリードと、 前記リードの一端部と前記半導体チップの電極とを電気
的に接続する金属細線と、 前記リードの他端部を露出させつつ前記半導体チップ、
前記リードの前記一端部及び前記金属細線を封止するモ
ールド樹脂と を備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15806688A JPH029157A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
| US07/273,557 US4937656A (en) | 1988-04-22 | 1988-11-21 | Semiconductor device |
| DE3913221A DE3913221C2 (de) | 1988-04-22 | 1989-04-21 | Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen und Formharzgehäuse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15806688A JPH029157A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029157A true JPH029157A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15663554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15806688A Pending JPH029157A (ja) | 1988-04-22 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029157A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224362A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-08-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子素子用リードフレーム・パッケージ |
| JP2008140914A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2009200253A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Powertech Technology Inc | 半導体装置 |
| JP2010219567A (ja) * | 2010-07-06 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP15806688A patent/JPH029157A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224362A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-08-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子素子用リードフレーム・パッケージ |
| JP2008140914A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP4745205B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2009200253A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Powertech Technology Inc | 半導体装置 |
| JP2010219567A (ja) * | 2010-07-06 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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