JPH0661371A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0661371A JPH0661371A JP21426092A JP21426092A JPH0661371A JP H0661371 A JPH0661371 A JP H0661371A JP 21426092 A JP21426092 A JP 21426092A JP 21426092 A JP21426092 A JP 21426092A JP H0661371 A JPH0661371 A JP H0661371A
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、熱ストレスによるイオン性物質
の発生を抑え、リーク電流を低減して信頼性の高い半導
体装置を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレーム２のインナーリード４は、半
導体チップ１の電極と相対するように複数本形成され、
熱硬化性エポキシ樹脂からなる固定テープ８により互い
に固定されている。これらのインナーリード４と半導体
チップ１の電極とは金線６により電気的に接続され、さ
らに熱硬化性エポキシ樹脂によりモールドされ、樹脂モ
ールド部７内に密封封止されている。
の発生を抑え、リーク電流を低減して信頼性の高い半導
体装置を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレーム２のインナーリード４は、半
導体チップ１の電極と相対するように複数本形成され、
熱硬化性エポキシ樹脂からなる固定テープ８により互い
に固定されている。これらのインナーリード４と半導体
チップ１の電極とは金線６により電気的に接続され、さ
らに熱硬化性エポキシ樹脂によりモールドされ、樹脂モ
ールド部７内に密封封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを樹脂
モールドしてなる半導体装置のパッケージ構造に関する
ものである。
モールドしてなる半導体装置のパッケージ構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置の一例を示す模
式断面図であり、図において１は半導体チップ、２は電
気的信号の入出力用のリードフレーム、３はリードフレ
ーム２のインナーリード４同士を固定する固定テープで
あり、この固定テープ３は、図７に示すように、ポリイ
ミド樹脂からなる基材３ａと接着用のペースト３ｂとの
二層構造となっている。５は半導体チップ１を搭載する
ダイパッド、６は半導体チップ１の電極とインナーリー
ド４とを接続する金線、７は絶縁性樹脂、例えば熱硬化
性エポキシ樹脂により半導体チップ１およびインナーリ
ード４をモールドした樹脂モールド部である。
式断面図であり、図において１は半導体チップ、２は電
気的信号の入出力用のリードフレーム、３はリードフレ
ーム２のインナーリード４同士を固定する固定テープで
あり、この固定テープ３は、図７に示すように、ポリイ
ミド樹脂からなる基材３ａと接着用のペースト３ｂとの
二層構造となっている。５は半導体チップ１を搭載する
ダイパッド、６は半導体チップ１の電極とインナーリー
ド４とを接続する金線、７は絶縁性樹脂、例えば熱硬化
性エポキシ樹脂により半導体チップ１およびインナーリ
ード４をモールドした樹脂モールド部である。
【０００３】このように構成された従来の半導体装置を
組み立てるには、まず鉄ニッケル、銅合金等の材料から
なる例えば０．１〜０．２５ｍｍ厚の薄板をパターン成
形して、図６に示すようなリードフレーム２を作製す
る。ここで、リードフレーム２のインナーリード４は、
半導体チップ１の電極に電気的に接続するために微小ピ
ッチで作製される。ついで、薄く細く形成されたインナ
ーリード４の変形を防止するために１ｍｍ幅の固定テー
プ３によりインナーリード４同士を固定する。
組み立てるには、まず鉄ニッケル、銅合金等の材料から
なる例えば０．１〜０．２５ｍｍ厚の薄板をパターン成
形して、図６に示すようなリードフレーム２を作製す
る。ここで、リードフレーム２のインナーリード４は、
半導体チップ１の電極に電気的に接続するために微小ピ
ッチで作製される。ついで、薄く細く形成されたインナ
ーリード４の変形を防止するために１ｍｍ幅の固定テー
プ３によりインナーリード４同士を固定する。
【０００４】つぎに、半導体チップ１をダイパッド５上
に接着固定し、半導体チップ１の電極とインナーリード
４とを金線６を用いてワイヤーボンディングする。その
後、熱硬化性エポキシ樹脂を用いて半導体チップ１およ
びインナーリード４をモールドして、樹脂モールド部７
内に半導体チップ１を密封封止している。
に接着固定し、半導体チップ１の電極とインナーリード
４とを金線６を用いてワイヤーボンディングする。その
後、熱硬化性エポキシ樹脂を用いて半導体チップ１およ
びインナーリード４をモールドして、樹脂モールド部７
内に半導体チップ１を密封封止している。
【０００５】ここで、インナーリード４は、説明の便宜
上図６では片側４本の例を示している。しかし、半導体
チップ１のピン数が、例えば２００ピンと多くなると半
導体チップ１の四辺にそれぞれ５０の電極を配置してお
り、インナーリード４は半導体チップ１の各辺に相対す
るように、例えば０．２５ｍｍ幅、０．５ｍｍピッチ
で、各側５０本づつ形成することになる。
上図６では片側４本の例を示している。しかし、半導体
チップ１のピン数が、例えば２００ピンと多くなると半
導体チップ１の四辺にそれぞれ５０の電極を配置してお
り、インナーリード４は半導体チップ１の各辺に相対す
るように、例えば０．２５ｍｍ幅、０．５ｍｍピッチ
で、各側５０本づつ形成することになる。
【０００６】このように、半導体装置の集積化、薄形化
にともない、リードフレーム２の微細化が進み、取り扱
い上リードフレーム２の変形が生じやすく、このリード
フレーム２の変形は、ワイヤボンド工程、モールド工程
での金線６の断線や、金線６とダイパッド５または半導
体チップ１とのショート等の発生の要因となる。従来の
半導体装置では、固定テープ３によりリードフレーム２
のインナーリード４同士を固定し、リードフレーム２の
変形を防止している。
にともない、リードフレーム２の微細化が進み、取り扱
い上リードフレーム２の変形が生じやすく、このリード
フレーム２の変形は、ワイヤボンド工程、モールド工程
での金線６の断線や、金線６とダイパッド５または半導
体チップ１とのショート等の発生の要因となる。従来の
半導体装置では、固定テープ３によりリードフレーム２
のインナーリード４同士を固定し、リードフレーム２の
変形を防止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように、固定テープ３の基材３ａをポリイミド樹脂
で構成しているので、モールド工程が完了した製品の後
工程における熱ストレスにより、基材３ａからイオン性
物質が発生してしまい、信頼性テストであるプレッシャ
ークッカーテストでリーク電流が増大するという課題が
あった。
上のように、固定テープ３の基材３ａをポリイミド樹脂
で構成しているので、モールド工程が完了した製品の後
工程における熱ストレスにより、基材３ａからイオン性
物質が発生してしまい、信頼性テストであるプレッシャ
ークッカーテストでリーク電流が増大するという課題が
あった。
【０００８】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、熱ストレスによる固定テープか
らのイオン性物質の発生を抑え、信頼性テストでのリー
ク電流の増大を抑えることができる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、熱ストレスによる固定テープか
らのイオン性物質の発生を抑え、信頼性テストでのリー
ク電流の増大を抑えることができる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明
は、固定テープにより互いに固定されたリードフレーム
のインナーリードと、半導体チップの電極とを金属細線
により電気的に接続するとともに、インナーリードおよ
び半導体チップを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半
導体装置において、固定テープをインナーリードおよび
半導体チップをモールドする絶縁性樹脂で構成するもの
である。
は、固定テープにより互いに固定されたリードフレーム
のインナーリードと、半導体チップの電極とを金属細線
により電気的に接続するとともに、インナーリードおよ
び半導体チップを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半
導体装置において、固定テープをインナーリードおよび
半導体チップをモールドする絶縁性樹脂で構成するもの
である。
【００１０】また、この発明の第２の発明は、固定テー
プにより互いに固定されたリードフレームのインナーリ
ードと、半導体チップの電極とを金属細線により電気的
に接続するとともに、インナーリードおよび半導体チッ
プを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装置にお
いて、固定テープを絶縁性無機材料で構成するものであ
る。
プにより互いに固定されたリードフレームのインナーリ
ードと、半導体チップの電極とを金属細線により電気的
に接続するとともに、インナーリードおよび半導体チッ
プを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装置にお
いて、固定テープを絶縁性無機材料で構成するものであ
る。
【００１１】
【作用】この発明の第１の発明においては、固定テープ
がモールド材の絶縁性樹脂で構成されているので、モー
ルド工程後に熱ストレスが加わっても、固定テープから
のイオン性物質の発生が抑制される。
がモールド材の絶縁性樹脂で構成されているので、モー
ルド工程後に熱ストレスが加わっても、固定テープから
のイオン性物質の発生が抑制される。
【００１２】また、この発明の第２の発明においては、
固定テープが絶縁性無機材料で構成されているので、モ
ールド工程後に熱ストレスが加わっても、固定テープか
らのイオン性物質の発生が抑制される。
固定テープが絶縁性無機材料で構成されているので、モ
ールド工程後に熱ストレスが加わっても、固定テープか
らのイオン性物質の発生が抑制される。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．この実施例１は、この発明の第１の発明に係
る一実施例である。図１はこの発明の実施例１を示す半
導体装置の模式断面図、図２はこの発明の実施例１を示
す半導体装置におけるリードフレームの平面図、図３は
この発明の実施例１を示す半導体装置における固定テー
プの斜視図であり、図において図５乃至図７に示した従
来の半導体装置と同一または相当部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。
る。 実施例１．この実施例１は、この発明の第１の発明に係
る一実施例である。図１はこの発明の実施例１を示す半
導体装置の模式断面図、図２はこの発明の実施例１を示
す半導体装置におけるリードフレームの平面図、図３は
この発明の実施例１を示す半導体装置における固定テー
プの斜視図であり、図において図５乃至図７に示した従
来の半導体装置と同一または相当部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。
【００１４】図において、８は固定テープであり、この
固定テープ８は、樹脂モールド部７と同じ熱硬化性エポ
キシ樹脂からなる基材８ａとエポキシ系接着剤からなる
ペースト８ｂとの二層構造となっている。
固定テープ８は、樹脂モールド部７と同じ熱硬化性エポ
キシ樹脂からなる基材８ａとエポキシ系接着剤からなる
ペースト８ｂとの二層構造となっている。
【００１５】ここで、上記実施例１による半導体装置
は、リードフレーム２のインナーリード４の変形を防止
するために、熱硬化性エポキシ樹脂を基材８ａとする固
定テープ８によりリードフレーム２のインナーリード４
同士を互いに固定している以外は、上記従来の半導体装
置と同じ構成となっている。
は、リードフレーム２のインナーリード４の変形を防止
するために、熱硬化性エポキシ樹脂を基材８ａとする固
定テープ８によりリードフレーム２のインナーリード４
同士を互いに固定している以外は、上記従来の半導体装
置と同じ構成となっている。
【００１６】つぎに、上記実施例１による半導体装置の
プレッシャークッカーテストを行い、その結果を、従来
の半導体装置のテスト結果とともに図４に示す。なお、
図４において、Ａは実施例１を、Ｂは従来の半導体装置
を表している。
プレッシャークッカーテストを行い、その結果を、従来
の半導体装置のテスト結果とともに図４に示す。なお、
図４において、Ａは実施例１を、Ｂは従来の半導体装置
を表している。
【００１７】図４から、実施例１による半導体装置は、
５００時間経過後も、リーク電流が少ないが、従来の半
導体装置では、その約６倍のリーク電流が流れる結果が
得られている。このことは、固定テープの基材を構成す
る熱硬化性エポキシ樹脂とポリイミド樹脂との熱ストレ
スにともなうイオン性物質の発生量の差に基づくものと
考えられる。
５００時間経過後も、リーク電流が少ないが、従来の半
導体装置では、その約６倍のリーク電流が流れる結果が
得られている。このことは、固定テープの基材を構成す
る熱硬化性エポキシ樹脂とポリイミド樹脂との熱ストレ
スにともなうイオン性物質の発生量の差に基づくものと
考えられる。
【００１８】このように、上記実施例１によれば、固定
テープ８の基材８ａを樹脂モールド部７と同じ熱硬化性
エポキシ樹脂で構成しているので、熱ストレスによるイ
オン性物質の発生量が抑えられ、信頼性を向上できると
いう効果がある。
テープ８の基材８ａを樹脂モールド部７と同じ熱硬化性
エポキシ樹脂で構成しているので、熱ストレスによるイ
オン性物質の発生量が抑えられ、信頼性を向上できると
いう効果がある。
【００１９】実施例２．この実施例２は、この発明の第
２の発明に係る一実施例である。上記実施例１では、固
定テープ８の基材８ａを樹脂モールド部７と同じ熱硬化
性エポキシ樹脂で構成するものとしているが、この実施
例２では、基材８ａを絶縁性無機材料であるアルミナか
らなる薄板で構成するものとしている。
２の発明に係る一実施例である。上記実施例１では、固
定テープ８の基材８ａを樹脂モールド部７と同じ熱硬化
性エポキシ樹脂で構成するものとしているが、この実施
例２では、基材８ａを絶縁性無機材料であるアルミナか
らなる薄板で構成するものとしている。
【００２０】この実施例２による半導体装置のプレッシ
ャークッカーテストを行ったところ、上記実施例１と同
等の結果が得られており、信頼性を向上できる。
ャークッカーテストを行ったところ、上記実施例１と同
等の結果が得られており、信頼性を向上できる。
【００２１】なお、上記実施例２では、基材８ａとして
アルミナからなる薄板を用いるものとして説明している
が、アルミナ以外のセラミックでも、雲母でも、同様の
効果を奏する。
アルミナからなる薄板を用いるものとして説明している
が、アルミナ以外のセラミックでも、雲母でも、同様の
効果を奏する。
【００２２】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２３】この発明の第１の発明によれば、固定テー
プにより互いに固定されたリードフレームのインナーリ
ードと、半導体チップの電極とを金属細線により電気的
に接続するとともに、インナーリードおよび半導体チッ
プを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装置にお
いて、固定テープをインナーリードおよび半導体チップ
をモールドする絶縁性樹脂で構成しているので、熱スト
レスによる固定テープからのイオン性物質の発生が抑制
され、信頼性を向上できる。
プにより互いに固定されたリードフレームのインナーリ
ードと、半導体チップの電極とを金属細線により電気的
に接続するとともに、インナーリードおよび半導体チッ
プを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装置にお
いて、固定テープをインナーリードおよび半導体チップ
をモールドする絶縁性樹脂で構成しているので、熱スト
レスによる固定テープからのイオン性物質の発生が抑制
され、信頼性を向上できる。
【００２４】また、この発明の第２の発明によれば、固
定テープにより互いに固定されたリードフレームのイン
ナーリードと、半導体チップの電極とを金属細線により
電気的に接続するとともに、インナーリードおよび半導
体チップを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装
置において、固定テープを絶縁性無機材料で構成してい
るので、熱ストレスによる固定テープからのイオン性物
質の発生が抑制され、信頼性を向上できる。
定テープにより互いに固定されたリードフレームのイン
ナーリードと、半導体チップの電極とを金属細線により
電気的に接続するとともに、インナーリードおよび半導
体チップを絶縁性樹脂によりモールドしてなる半導体装
置において、固定テープを絶縁性無機材料で構成してい
るので、熱ストレスによる固定テープからのイオン性物
質の発生が抑制され、信頼性を向上できる。
【図１】この発明の実施例１を示す半導体装置の模式断
面図である。
面図である。
【図２】この発明の実施例１を示す半導体装置における
リードフレームの平面図である。
リードフレームの平面図である。
【図３】この発明の実施例１を示す半導体装置における
固定テープの斜視図である。
固定テープの斜視図である。
【図４】半導体装置のプレッシャークッカーテストにお
けるリーク電流とテスト時間との関係を示すグラフであ
る。
けるリーク電流とテスト時間との関係を示すグラフであ
る。
【図５】従来の半導体装置の一例を示す模式断面図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体装置におけるリードフレームの平
面図である。
面図である。
【図７】従来の半導体装置における固定テープの斜視図
である。
である。
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ４ インナーリード ６ 金線（金属細線） ７ 樹脂モールド部 ８ 固定テープ
Claims (2)
- 【請求項１】 固定テープにより互いに固定されたリー
ドフレームのインナーリードと、半導体チップの電極と
を金属細線により電気的に接続するとともに、前記イン
ナーリードおよび前記半導体チップを絶縁性樹脂により
モールドしてなる半導体装置において、前記固定テープ
を前記インナーリードおよび前記半導体チップをモール
ドする前記絶縁性樹脂で構成したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 固定テープにより互いに固定されたリー
ドフレームのインナーリードと、半導体チップの電極と
を金属細線により電気的に接続するとともに、前記イン
ナーリードおよび前記半導体チップとを絶縁性樹脂によ
りモールドしてなる半導体装置において、前記固定テー
プを絶縁性無機材料で構成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21426092A JPH0661371A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21426092A JPH0661371A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661371A true JPH0661371A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16652808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21426092A Pending JPH0661371A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3636533A1 (de) * | 1985-10-28 | 1987-04-30 | Toyota Motor Co Ltd | Vierradlenkung fuer ein kraftfahrzeug |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21426092A patent/JPH0661371A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3636533A1 (de) * | 1985-10-28 | 1987-04-30 | Toyota Motor Co Ltd | Vierradlenkung fuer ein kraftfahrzeug |
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