JPH0574831A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0574831A
JPH0574831A JP3231308A JP23130891A JPH0574831A JP H0574831 A JPH0574831 A JP H0574831A JP 3231308 A JP3231308 A JP 3231308A JP 23130891 A JP23130891 A JP 23130891A JP H0574831 A JPH0574831 A JP H0574831A
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JP
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semiconductor element
lead frame
wires
semiconductor device
wire
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Kazuhiko Ono
一彦 大野
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体素子とリードフレームとをワイヤボンデ
ィングにて接続する半導体装置において、接続ワイヤの
増加及び狭ピッチ化による短絡障害を防止することによ
り、製品歩留りの向上をはかる。 【構成】半導体素子２とリードフレーム１とをワイヤ３
により電気的に接続した後、ワイヤ３の表面にポリイミ
ド前駆体を塗布し、それに熱処理を施してポリイミド樹
脂絶縁膜４を形成する。そして、最後に全体を熱可塑性
樹脂５にて封止する。これにより、封止時に熱可塑性樹
脂５の流れによってワイヤ３が互いに接触しても電気的
に短絡するのを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に半導体素子とリードフレームをワイヤボンディングに
て接続する半導体装置において、高密度化を実現するた
め接続ワイヤの増加及び狭ピッチ化に対応する半導体装
置に関する。
【０００２】
【共通技術】一般に半導体装置では、半導体素子に形成
された回路の信号及び電源を外部回路と結線接合する必
要がある。
【０００３】ここで、半導体素子とは、シリコン等の半
導体金属に集積回路を形成したチップであり、本形態の
ままで使用は、取扱や信頼性等の理由から通常行われな
い。そこで、本チップを外部入出力端子を有し、かつチ
ップ担体を重ねたリードフレームに接合し、これを樹脂
もしくはセラミックにて封止使用する形態をとってい
る。
【０００４】近年、半導体素子の高集積度化は著しく、
チップ単体の機能向上に伴い半導体装置としての入出力
点数の増加が必要となってきている。しかしながら、半
導体装置のパッケージは、いわゆる軽薄短小化が要望さ
れており、この結果、半導体素子とリードフレームとを
接続するワイヤの長ループ化及び挟ピッチ化が必須とさ
れている。
【０００５】
【従来の技術】従来の半導体装置は、リードフレーム
と、このリードフレームのアイランド部にダイボンドさ
れた半導体素子と、半導体素子とリードフレームのイン
ナーリード部とを接続する導電性のワイヤと、半導体素
子，リードフレームのインナーリード部及び前記ワイヤ
の全体を封止する熱可塑性樹脂とを含んで構成される。
【０００６】次に、従来の半導体装置について図面を参
照して説明する。
【０００７】図２は従来の半導体装置を示す断面図であ
る。従来の半導体装置は、リードフレーム１と、リード
フレーム１のアイランド部（図示せず）にダイボンドさ
れた半導体素子２と、半導体素子２とリードフレーム１
のインナーリード部（図示せず）とを接続する導電性の
ワイヤ３と、半導体素子２とリードフレーム１のインナ
ーリード部及びワイヤ３の全体を封止する熱可塑性樹脂
５とを含んで構成される。
【０００８】リードフレーム１は、一般に銅合金、コバ
ール等の金属板材を打ち抜き、もしくはエッチング等に
より加工したものであり、中央部に形成されたアイラン
ドと、このアイランドの周辺４方向もしくは２方向に形
成された串状のインナーリードと、インナーリードを繋
ぐよう形成されたタイバ部（図示せず）と、タイバ部の
外部にインナーリードと同一のピッチにて形成されアウ
ターリード（図示せず）とにより構成される。
【０００９】半導体素子２は、一般にシリコン等の半導
体金属の上面に露光，現像，拡散等の処理を行って形成
した集積回路と、外部と信号および電源と入出力を行う
パッドとにより構成される。
【００１０】導電性のワイヤ３は、一般に金，アルミニ
ウム，銅等の金属により製造され、その線径は約５０μ
ｍの裸線材である。
【００１１】熱可塑性樹脂５は、耐湿性，耐熱性，絶縁
性を備えた熱可塑性の樹脂である。
【００１２】そして、従来の半導体装置を製造する場合
には、半導体素子２は、銀ペースト等を用いてリードフ
レーム１のアイランドの上面に固定される。ワイヤボン
ディング装置により半導体素子２とリードフレーム１の
インナーリードとワイヤ３にて接続する。その後に、リ
ードフレーム１をインジェクション・モールル成形装置
を用いて熱可塑性樹脂５を半導体素子２，インナーリー
ド部及びワイヤ３の全体に充填して封止を行い半導体装
置とする。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、半導体素子とリードフレームの接続に導電性の
ワイヤを使用しているため、半導体素子の高集積度化が
進み接続ワイヤの増加，長ループ化，挟ピッチ化が進む
につれて隣接ワイヤ間の距離が減少し、本半導体装置を
樹脂封止する際の樹脂の流れによって隣接したワイヤが
互いに接触して電気的に短絡し製品歩留りが低下すると
いう欠点があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子
と、この半導体素子を搭載すると共にリード端子を有す
るリードフレームと、前記半導体素子と前記リードフレ
ームの前記リード端子とを電気的に接続するワイヤと、
前記半導体素子，前記ワイヤ及び前記リード端子との接
続部を封止する熱可塑性樹脂とを含む半導体装置におい
て、前記ワイヤがその表面にポリイミド絶縁膜を被覆し
てなることを特徴とする。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【００１６】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。本発明の半導体装置は、リードフレーム１と、この
リードフレーム１のアイランド部にダイボンドされた半
導体素子２と、半導体素子２とリードフレーム１のイン
ナーリード部とを接続する導電性のワイヤ３と、半導体
素子２とリードフレーム１のインナーリード部と接続す
る導電性のワイヤ３と、半導体素子２とリードフレーム
１とインナーリード部及び導電性のワイヤ３の表皮に噴
霧されたのち熱を加えて形成されたポリイミド絶縁膜４
と、半導体素子２とリードフレーム１のインナーリード
部及びワイヤ３の表皮に噴霧されたのち熱を加えて形成
されたポリイミド絶縁膜４と、半導体素子２とリードフ
レーム１のインナーリード部及びワイヤ３の全体を封止
する熱可塑性樹脂５とを含んで構成され、ポリイミド絶
縁膜４を除いて従来の構成と同様である。
【００１７】ポリイミド性絶縁膜４は、耐熱性，絶縁性
に優れた特性を有するポリイミド系の樹脂膜である。
【００１８】そして、本発明の半導体装置の製造する場
合には、半導体素子２は、銀ペースト等を用いてリード
フレーム１のアイランドの上面に固定される。ワイヤボ
ンディング装置により半導体素子２とリードフレーム１
のインナーリードとをワイヤ３にて接続する。次に、半
導体素子２とインナーリード及びワイヤ３にポリイミド
前駆体を噴霧し、その後、これらの加熱処理してポリイ
ミド前駆体の縮合・重合をはかり、ポリイミド絶縁膜４
とする。そして、最後にリードフレーム１をインジェク
ション・モールド成形装置を用いて熱可塑性樹脂５を半
導体素子２，インナーリード部及びワイヤ３の全体に充
填して封止を行い半導体装置とする。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体装置は、ボンディング完
了後の導電性ワイヤにポリイミド絶縁膜を形成すること
により、半導体装置を樹脂封止する際に樹脂の流れによ
ってワイヤが互いに接触しても電気的に短絡することが
ないため、半導体素子の高集積度化にも対応できると共
に、製品歩留りが向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ 半導体素子 ３ ワイヤ ４ ポリイミド絶縁膜 ５ 熱可塑性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、この半導体素子を搭載す
    ると共にリード端子を有するリードフレームと、前記半
    導体素子と前記リードフレームの前記リード端子とを電
    気的に接続するワイヤと、前記半導体素子，前記ワイヤ
    及び前記リード端子との接続部を封止する熱可塑性樹脂
    とを含む半導体装置において、前記ワイヤがその表面に
    ポリイミド絶縁膜を被覆してなることを特徴とする半導
    体装置。
JP3231308A 1991-09-11 1991-09-11 半導体装置 Pending JPH0574831A (ja)

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