WO2019031513A1 - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents

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resin
wire
sealing layer
liquid
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佐藤　英一
大地 竹森
泉樹 佐藤
戸川　光生
山田　和彦
皓平 関
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日立化成株式会社
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device and a method of manufacturing the same in which thinning is achieved by sealing the upper and lower sides of a wire with different materials.
  • Electrostatic discharge contributes to damage to a semiconductor device or occurrence of a malfunction. Also for fingerprint recognition sensors, the impact of ESD is not negligible. Therefore, the formation of an insulating protective layer is required for the portion of the semiconductor device where the ESD resistance is weak. In addition, with the advancement of technology, there is a demand for thinning of electronic devices and semiconductor devices, and therefore, thinning of the insulating protective layer itself is also required.
  • a portion where ESD is concentrated is a portion of a conductive convex portion where charge is easily concentrated.
  • the upper portion of the wire electrically connecting the substrate and the semiconductor element, and between the taper and the taper of the metal wall portion on the circuit board are weak in the ESD resistance.
  • an insulating protective layer is formed on the top of the wire to enhance the ESD resistance, the complexity of the wire causes several problems.
  • the material for forming the insulating protective layer on the upper portion of the wire hereinafter also referred to as the insulating and protective material
  • the material for forming the insulating protective layer on the upper portion of the wire hereinafter also referred to as the insulating and protective material
  • the insulating and protective material preferably has appropriate thixotropic properties. Further, in order to meet the demand for thinning of the insulating protective layer, the insulating protective material preferably has excellent insulating properties. In particular, from the viewpoint of obtaining sufficient ESD resistance, it is preferable that the insulating and protective material be capable of obtaining a dielectric breakdown voltage of 150 kV / mm or more after film formation.
  • a material based on, for example, a polyimide resin is known as an insulating and protective material, and the fluidity is controlled according to the form of use.
  • an insulating and protective material for example, there is a paste-like insulation protection material in which an inorganic filler such as a fine silica filler or other organic filler is dispersed in a base resin in order to impart thixotropy. If a liquid insulating protective material without thixotropy is used to form the insulating protective layer, the film thickness at the top of the wire that requires the most electrostatic protection will be reduced due to dripping after application.
  • Patent Document 1 a resin paste containing an organic filler (resin filler) which shows good compatibility with the insulation component after melting is disclosed.
  • resin paste excellent shape stability can be obtained at the time of printing on a flat substrate, and excellent insulation can be obtained.
  • the resin paste does not spread sufficiently in the space under the wire and voids are easily generated under the wire.
  • the presence of a void in a semiconductor device is susceptible to humidity and also reduces the reliability of the semiconductor device.
  • the object of the present invention is, in view of the above, excellent in ESD resistance and reliability using a material that enables the formation of the insulating protective layer above the wire and the sealing of the space below the wire. And providing an excellent thin semiconductor device and a method of manufacturing the same.
  • Embodiments of the present invention relate to the following. However, the present invention is not limited to the following, and includes various embodiments.
  • One embodiment seals a space under a substrate, a semiconductor element disposed on the substrate, a wire electrically connecting the substrate and the semiconductor element, and a lower portion than a vertex of the wire. And a second sealing layer provided above the first sealing layer via the wire.
  • the first sealing layer is made of a cured film of a liquid sealing material
  • the present invention relates to a semiconductor device in which the second sealing layer is formed of a dried coating of an insulating resin coating material.
  • a semiconductor device further has the resin sealing member provided so that the said 2nd sealing layer might be covered at least.
  • the dielectric breakdown voltage of the dry coating film of the said insulating resin coating material is 150 kV / mm or more.
  • the insulating resin coating material preferably contains a resin filler having an average particle diameter of 0.1 to 5.0 ⁇ m.
  • the viscosity at 25 ° C. of the insulating resin coating material is preferably 30 to 500 Pa ⁇ s.
  • the thixotropic coefficient at 25 ° C. of the insulating resin coating material is preferably 2.0 to 10.0.
  • the insulating resin coating material preferably contains at least one insulating resin selected from the group consisting of polyamide, polyamideimide, and polyimide.
  • the film thickness of the second sealing layer is preferably 100 ⁇ m or less.
  • the film thickness of the second sealing layer is more preferably 50 ⁇ m or less. It is preferable that Tg (glass transition temperature) of the said insulating resin is 150 degreeC or more.
  • the liquid sealing material contains a thermosetting resin component and an inorganic filler, and the viscosity (Pa ⁇ s) measured under the conditions of 75 ° C., shear rate 5 s ⁇ 1 is viscosity A.
  • the viscosity (Pa ⁇ s) measured under the conditions of 75 ° C. and a shear rate of 50 s ⁇ 1 is viscosity B
  • the thixotropy coefficient at 75 ° C. obtained as a value of viscosity A / viscosity B is 0.1 to It is preferable that it is 2.5.
  • the amount of chlorine ions in the liquid sealing material is preferably 100 ppm or less. It is preferable that the largest particle diameter of the said inorganic filler in the said liquid sealing material is 75 micrometers or less.
  • the viscosity of the liquid sealing material measured at 75 ° C. and a shear rate of 5 s ⁇ 1 is preferably 3.0 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the liquid sealing material measured under the conditions of 25 ° C. and a shear rate of 10 s ⁇ 1 is preferably 30 Pa ⁇ s or less. It is preferable that content of the said inorganic filler is 50 mass% or more on the basis of the total mass of the said liquid sealing material.
  • the thermosetting resin component in the liquid sealant preferably contains an aromatic epoxy resin and an aliphatic epoxy resin.
  • the aromatic epoxy resin contains at least one selected from the group consisting of liquid bisphenol epoxy resin and liquid glycidyl amine epoxy resin, and the aliphatic epoxy resin contains a linear aliphatic epoxy resin.
  • the semiconductor device of the said embodiment can be used suitably for a fingerprint authentication sensor. However, it is not limited to the fingerprint authentication sensor, and application of the insulating resin coating material to the wire upper part of the thin device is assumed. Moreover, it is assumed that a novel thin device can be manufactured by the combination of the insulating resin coating material and the liquid sealing material of the present disclosure and a manufacturing method using them.
  • a substrate, a semiconductor element disposed on the substrate, a wire electrically connecting the substrate and the semiconductor element, and a space below the apex of the wire are sealed.
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprising: a first sealing layer; and a second sealing layer provided on the first sealing layer via the wire. Electrically connecting the substrate and the semiconductor element disposed on the substrate by a wire; Supplying a liquid sealing material to the space below the top of the wire to form a second sealing layer, and then applying an insulating resin coat to the upper portion of the first sealing layer via the wire And supplying a material to form a second sealing layer.
  • FIG. 1 is a side cross-sectional view of a semiconductor device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a partial plan view of a semiconductor device according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment, wherein (a) to (d) correspond to the respective steps.
  • FIG. 1 is a side cross-sectional view of a semiconductor device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a partial plan view of a semiconductor device according to an embodiment.
  • the semiconductor device includes a substrate 1, a semiconductor element 2 disposed on the substrate 1, a wire 3 electrically connecting the substrate 1 and the semiconductor element 2, and a wire 3 It has a first sealing layer 4a for sealing the space below the apex 3a, and a second sealing layer 4b provided on the top of the first sealing layer 4a via the bonding wire 3.
  • the semiconductor device preferably further includes a resin sealing member 5 provided to cover at least the second sealing layer 4 b.
  • the apex 3a of the bonding wire means a portion where the height of the wire from the substrate surface, which is indicated by the reference symbol "h" in FIG. 1, is the maximum.
  • the first sealing layer 4a is made of a cured film of a liquid sealing material, and is liquid in the space under the wire divided by the substrate 1 and a part of the semiconductor element 2 and the arc-shaped wire 3 having the apex 3a. It is formed by injecting a sealing material.
  • the second sealing layer 4b is formed of a dried coating of an insulating resin coating material, and is formed by applying the insulating resin coating material after the formation of the first sealing layer 4a.
  • the sealing layer is formed using different materials in the space below the wire apex 3a and in the upper portion of the wire, so that the ESD resistance is excellent and the reliability is excellent. It is possible to provide a thin semiconductor device. Hereinafter, the configuration of the semiconductor device will be specifically described.
  • the substrate is not particularly limited, as long as it is a substrate made of a material that can be mounted on a semiconductor element and can be wire bonded.
  • the material of the substrate can be selected from materials known in the art depending on the application of the semiconductor device. For example, when the semiconductor device is used for a fingerprint authentication sensor application, a thin rigid substrate such as a glass epoxy substrate can typically be used.
  • a ceramic substrate such as a DCB (Direct Cupper Bond) substrate and an alumina-based substrate can generally be used.
  • DCB Direct Cupper Bond
  • a ceramic substrate in which such a copper circuit or the like is directly bonded can be suitably used for high voltage and high current applications such as, for example, semiconductors for vehicles, semiconductors for railways, and semiconductors for industrial machines. .
  • the semiconductor device is electrically connected to the substrate via a wire.
  • the semiconductor element may be, for example, a semiconductor element for fingerprint authentication sensor, Si-IGBT (insulated gate bipolar transistor) for power module application, SiC (silicon carbide), MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).
  • Si-IGBT insulated gate bipolar transistor
  • SiC silicon carbide
  • MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • the semiconductor element and the substrate are usually conductively joined by solder balls or the like.
  • materials such as sintered silver and sintered copper can also be used for conductive bonding between the semiconductor element and the substrate, in addition to solder balls.
  • Wires are used to electrically bond the semiconductor device and the substrate.
  • the material of the wire can be selected from materials known in the art depending on the application of the semiconductor device. For example, when the semiconductor device is used in a fingerprint authentication sensor application, gold wire, silver alloy wire, copper wire and the like can be used. Gold wire is usually the mainstream. As another example, when using semiconductor devices in power module applications, aluminum wires are typically used.
  • the first sealing layer is made of a cured film of a liquid sealing material. As can be seen in FIG. 1, a liquid sealant is injected into the space under the wire defined by the substrate 1 and a part of the semiconductor element 2 and the arc-shaped wire 3 having the apex 3a, and then the liquid sealant Formed by curing.
  • the liquid sealant contains a resin component and an inorganic filler.
  • the liquid encapsulant has a viscosity (Pa ⁇ s) measured at 75 ° C. and a shear rate of 5 s ⁇ 1 as viscosity A, and a viscosity (Pa ⁇ s) measured at 75 ° C. and a shear rate of 50 s ⁇ 1
  • the viscosity B is the viscosity B
  • the thixotropic coefficient at 75 ° C. obtained as a value of viscosity A / viscosity B is preferably 0.1 to 2.5.
  • the liquid sealing material may contain components other than the resin component and the inorganic filler, as necessary.
  • the “liquid sealing material” means a resin material that can be suitably used as an underfill material for filling the space between the semiconductor element and the substrate, is liquid at room temperature, and is cured by heating or the like.
  • the liquid sealant having a thixotropy coefficient of 0.1 to 2.5 at 75 ° C. facilitates sealing the space under the wire without any gap.
  • the liquid sealing material preferably has a thixotropic coefficient at 75 ° C. of 0.5 to 2.0, more preferably 1.0 to 2.0. Is more preferred.
  • the viscosity of the liquid sealing material measured at 75 ° C. and a shear rate of 5 s ⁇ 1 is preferably 3.0 Pa ⁇ s or less, more preferably 2.0 Pa ⁇ s or less.
  • the lower limit of the viscosity is not particularly limited, but is preferably 0.01 Pa ⁇ s or more from the viewpoint of maintaining the state of application to the periphery of the wire.
  • the viscosity of the liquid sealing material measured at 25 ° C. and a shear rate of 10 s ⁇ 1 is preferably 30 Pa ⁇ s or less, and more preferably 20 Pa ⁇ s or less.
  • the lower limit of the viscosity is not particularly limited, but is preferably 0.1 Pa ⁇ s or more from the viewpoint of maintaining the state of application to the periphery of the wire.
  • the viscosity at 25 ° C. of the liquid sealing material is a value measured using an E-type viscometer (for example, VISCONIC EHD type manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.), and the viscosity at 75 ° C. is a rheometer (for example, TA in) It is a value measured using the brand name "AR2000" of Instruments Corporation.
  • the thixotropy coefficient of the liquid sealant at 75 ° C. is the viscosity measured at 75 ° C., shear rate 5 s ⁇ 1 as viscosity A, and the viscosity measured at 75 ° C. shear rate 50 s ⁇ 1 is viscosity When B is obtained, it is obtained as a value of viscosity A / viscosity B.
  • the method for causing the liquid sealant to satisfy the above-described viscosity condition there is no particular limitation on the method for causing the liquid sealant to satisfy the above-described viscosity condition.
  • a method of lowering the viscosity of the liquid sealing material a method of using a resin component of low viscosity, a method of adding a solvent, etc. may be mentioned, and these can be used alone or in combination.
  • the resin component contained in the liquid sealing material is not particularly limited as long as the liquid sealing material can satisfy the above conditions. It is preferable to use a thermosetting resin component, and more preferable to use an epoxy resin, from the viewpoints of compatibility with existing equipment, stability of characteristics as a liquid sealing material, and the like. Further, it is preferable to use a resin component which is liquid (hereinafter, also simply referred to as “liquid”) at normal temperature (25 ° C.), and more preferable to use a liquid epoxy resin.
  • the resin component may be a combination of an epoxy resin and a curing agent.
  • epoxy resins examples include phenols represented by diglycidyl ether type epoxy resins such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, hydrogenated bisphenol A, and ortho cresol novolac type epoxy resins.
  • epoxy resins and aldehydes are epoxy resins and aldehydes (novolak type epoxy resins), glycidyl ester type epoxy resins obtained by reaction of epichlorohydrin with polybasic acids such as phthalic acid and dimer acid, p-aminophenol, diaminodiphenylmethane, Glycidylamine type epoxy resin obtained by reaction of amine compound such as isocyanuric acid with epichlorohydrin, Linear aliphatic epoxy resin obtained by oxidizing olefin bond with peracid such as peracetic acid, Alicyclic resin And epoxy resins.
  • the epoxy resin may be used singly or in combination of two or more.
  • At least one selected from the group consisting of diglycidyl ether type epoxy resins and glycidyl amine type epoxy resins is preferable from the viewpoints of viscosity, use results, material price and the like.
  • a liquid bisphenol epoxy resin is preferable from the viewpoint of flowability
  • a liquid glycidyl amine epoxy resin is preferable from the viewpoints of heat resistance, adhesiveness and flowability.
  • the liquid sealing material uses an epoxy resin (aromatic epoxy resin) having an aromatic ring and an aliphatic epoxy resin as resin components.
  • an epoxy resin aromatic epoxy resin
  • a liquid bisphenol F-type epoxy resin and a liquid glycidyl amine-type epoxy resin are used as the aromatic epoxy resin, and a linear aliphatic epoxy resin as the aliphatic epoxy resin as resin components.
  • glycidyl amine type epoxy resin p- (2,3-epoxypropoxy) -N, N-bis (2,3-epoxypropyl) aniline, diglycidyl aniline, diglycidyl toluidine, diglycidyl methoxyaniline, diglycidyl dimethyl Aniline, diglycidyl trifluoromethyl aniline etc. are mentioned.
  • 1,6-hexanediol diglycidyl ether 1,6-hexanediol diglycidyl ether, resorcinol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, 1,3-bis (3-glycidoxypropyl) tetramethyldisiloxane, cyclohexane Dimethanol diglycidyl ether etc. are mentioned.
  • the compounding ratio thereof is not particularly limited.
  • the compounding ratio is, for example, 40% by mass to 70% by mass of the liquid glycidyl amine type epoxy resin, and 30% by mass or less of the total of the liquid bisphenol F type epoxy resin and the linear aliphatic epoxy resin 60 mass% may be sufficient.
  • the content of the epoxy resin exemplified above in the entire epoxy resin is preferably 20% by mass or more from the viewpoint of sufficiently exhibiting its performance.
  • the content is more preferably 30% by mass or more, further preferably 50% by mass or more.
  • the upper limit value of the content rate is not particularly limited, and can be determined in a range in which desired properties and characteristics of the liquid sealing material can be obtained.
  • an epoxy resin although it is preferable to use a liquid epoxy resin, you may use together an epoxy resin solid at normal temperature (25 degreeC). When using a solid epoxy resin in combination at normal temperature, it is preferable to make the ratio 20 mass% or less of the whole epoxy resin.
  • the amount of chlorine ions in the liquid sealing material is preferably, for example, 100 ppm or less.
  • the amount of chloride ions in the liquid sealant is a value obtained by treating at 121 ° C. for 20 hours by ion chromatography using sodium carbonate solution as an eluent and converting it at 2.5 g / 50 cc. (Ppm).
  • the curing agent As the curing agent, those generally used as curing agents for epoxy resins such as amine curing agents, phenol curing agents, acid anhydrides and the like can be used without particular limitation. From the viewpoint of suppressing the wire flow, it is preferable to use a liquid curing agent.
  • the curing agent is preferably an aromatic amine compound, and more preferably a liquid aromatic amine compound, from the viewpoint of being excellent in temperature cycle resistance, moisture resistance, etc. and capable of improving the reliability of the semiconductor package.
  • the curing agent may be used alone or in combination of two or more.
  • diethyltoluenediamine 1-methyl-3,5-diethyl-2,4-diaminobenzene, 1-methyl-3,5-diethyl-2,6-diaminobenzene, 1,3 , 5-triethyl-2,6-diaminobenzene, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,5,3 ', 5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, dimethylthio Toluene diamine etc. are mentioned.
  • Liquid aromatic amine compounds are also available as commercial products.
  • JER Cure W Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name
  • Kayahard A-A Kayahard AB
  • Kayahard A-S Kayahard A-S
  • Toutaamine HM-205 Toutaamine HM-205 (Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation) Chemical Co., Ltd., trade name
  • Adeka Hardener EH-101 made by Adeka Co., Ltd., trade name
  • Epomic Q-640, Epomic Q-643 Mitsubishii Chemical Co., Ltd., trade name
  • DETDA 80 Liquid aromatic amine compounds
  • liquid aromatic amine compounds 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, diethyltoluenediamine and dimethylthiotoluenediamine are preferable from the viewpoint of storage stability of the liquid encapsulant. It is preferable to use any of these or a mixture of these as the main component of the curing agent.
  • diethyltoluenediamine include 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine and 3,5-diethyltoluene-2,6-diamine, which may be used alone or in combination.
  • the proportion of 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine is preferably 60% by mass or more of the total of diethyltoluenediamine.
  • the amount of the curing agent in the liquid sealant is not particularly limited, and can be selected in consideration of the equivalent ratio to the epoxy resin, and the like. From the viewpoint of reducing the unreacted content of the epoxy resin or the curing agent, the amount of the curing agent is equivalent to the number of equivalents of the functional group of the curing agent relative to the number of equivalents of the epoxy group of the epoxy resin
  • the ratio of the number of equivalents of hydrogen is in the range of 0.7 to 1.6, more preferably in the range of 0.8 to 1.4, and 0.9 to 1 More preferably, the amount is in the range of 0.2.
  • the type of inorganic filler contained in the liquid sealant is not particularly limited.
  • powders such as silica, calcium carbonate, clay, alumina, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, calcium silicate, potassium titanate, aluminum nitride, beryllia, zirconia, zircon, fosterite, steatite, spinel, mullite, titania and the like Body, or beads obtained by spheronizing them, glass fibers and the like can be mentioned.
  • an inorganic filler having a flame retardant effect may be used, and examples of such an inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate and the like.
  • the inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.
  • silica is preferable from the viewpoint of availability, chemical stability and material cost.
  • silica spherical silica, crystalline silica and the like can be mentioned, and from the viewpoint of fluidity and permeability to the fine gaps of the liquid sealing material, spherical silica is preferable.
  • silica obtained by a deflagration method, fused silica, etc. are mentioned.
  • the inorganic filler may be surface-treated. For example, you may surface-treat using the coupling agent mentioned later.
  • the volume average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.3 ⁇ m to 5 ⁇ m, and still more preferably 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the volume average particle diameter is preferably in the above range.
  • the volume average particle diameter is 0.1 ⁇ m or more, the dispersibility in the liquid encapsulant is excellent, and the fluidity tends to be excellent.
  • the volume average particle diameter is 30 ⁇ m or less, the sedimentation of the inorganic filler in the liquid encapsulant is reduced, and the permeability and fluidity of the liquid encapsulant into fine gaps are improved, and voids and unfilled particles are obtained. There is a tendency for the occurrence to be suppressed.
  • the volume average particle diameter of the inorganic filler means the particle diameter (D 50%) at which the accumulation from the small diameter side becomes 50% in the volume-based particle size distribution obtained by using a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus.
  • the maximum particle diameter of the inorganic filler is preferably 75 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or less, and still more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the maximum particle size of the inorganic filler means the particle size (D 99%) at which the accumulation from the small diameter side is 99% in the volume-based particle size distribution.
  • content of an inorganic filler is 50 mass% or more on the basis of the total mass of a liquid sealing material. If the content of the inorganic filler is 50% by mass or more based on the total mass of the liquid sealing material, the heat dissipation and the strength around the wire tend to be sufficiently secured.
  • the content of the inorganic filler is more preferably 60% by mass or more, and still more preferably 70% by mass or more, based on the total mass of the liquid encapsulant. From the viewpoint of suppressing the increase in viscosity of the liquid sealing material, the content of the inorganic filler is preferably 80% by mass or less based on the total mass of the liquid sealing material.
  • the liquid sealant may contain a solvent. By containing a solvent, the viscosity of the liquid sealant can be adjusted to a desired range.
  • the solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the type of the solvent is not particularly limited, and can be selected from those generally used for resin compositions used in the semiconductor device mounting technology.
  • Alcohol solvents such as butyl carbitol acetate, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol, Ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone;
  • Glycol ether solvents such as ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol butyl ether, propylene glycol methyl ether, dipropylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, etc.
  • Lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone and ⁇ -caprolactone
  • examples include amide solvents such as dimethylacetamide and dimethylformamide, and aromatic solvents such as toluene and xylene. It is preferable to use a solvent having a high boiling point (for example, having a boiling point of 170 ° C. or more at normal pressure) from the viewpoint of avoiding bubble formation due to rapid volatilization when curing the liquid sealing material.
  • the amount thereof is not particularly limited, but it is preferably 1% by mass to 70% by mass of the entire liquid encapsulant.
  • the liquid sealant may contain a curing accelerator that accelerates the reaction between the epoxy resin and the curing agent, if necessary.
  • the curing accelerator is not particularly limited, and conventionally known ones can be used.
  • Cycloamidine compounds such as undecene-7, Tertiary amine compounds such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-phenyl-4
  • phenylboron salts such as 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, N-methylmorpholine tetraphenylborate and the like can be mentioned.
  • a latent curing accelerator core-shell particles obtained by coating a shell of an epoxy compound which is solid at normal temperature with a compound which has an amino group which is solid at normal temperature as a core can be mentioned.
  • the curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount is not particularly limited, but it is preferably 0.1 part by mass to 40 parts by mass, and 1 part by mass to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. It is more preferable that
  • the liquid sealing material may contain a flexing agent as needed, from the viewpoint of improving the thermal shock resistance, reducing the stress on the semiconductor element, and the like.
  • the flexing agent is not particularly limited, and can be selected from those generally used in resin compositions.
  • rubber particles are preferred. Examples of rubber particles include particles of styrene-butadiene rubber (SBR), nitrile-butadiene rubber (NBR), butadiene rubber (BR), urethane rubber (UR), acrylic rubber (AR) and the like.
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • NBR nitrile-butadiene rubber
  • BR butadiene rubber
  • UR urethane rubber
  • acrylic rubber AR
  • particles of acrylic rubber are preferable from the viewpoint of heat resistance and moisture resistance, and particles of an acrylic polymer having a core-shell structure (that is, core-shell type acrylic rubber particles) are more preferable.
  • silicone rubber particles can also be suitably used.
  • silicone rubber particles include silicone rubber particles obtained by crosslinking polyorganosiloxanes such as linear polydimethylsiloxane, polymethylphenylsiloxane and polydiphenylsiloxane, silicone rubber particles coated with silicone resin, emulsion polymerization, etc.
  • Core-shell polymer particles comprising a core of solid silicone particles obtained in the above and a shell of an organic polymer such as an acrylic resin.
  • the shape of these silicone rubber particles may be amorphous or spherical, but in order to keep the viscosity of the liquid encapsulant low, spherical particles are preferred.
  • These silicone rubber particles are commercially available from, for example, Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.
  • the liquid sealing material may contain a coupling agent for the purpose of enhancing the adhesiveness at the interface between the resin component and the inorganic filler or the resin component and the wire.
  • the coupling agent may be used for the surface treatment of the inorganic filler or may be blended separately from the inorganic filler.
  • the coupling agent is not particularly limited, and known ones can be used.
  • silane compounds having an amino group primary, secondary or tertiary
  • epoxysilanes mercaptosilanes
  • alkylsilanes ureidosilanes
  • various silane compounds such as vinylsilanes, titanium compounds, aluminum chelates, aluminum / zirconium compounds Etc.
  • the coupling agent may be used alone or in combination of two or more.
  • silane coupling agent examples include vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris ( ⁇ -methoxyethoxy) silane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy Silane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropylmethyldimethoxysilane , ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -aminopropylmethyldiethoxysilane, ⁇ -anilinopropyltrimethoxysilane, ⁇ -anilinopropyltrieth,
  • titanium coupling agents include isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctyl bis (ditridecyl phosphite) titanate, (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacryl iso Stearoyl titanate, isopropyl tridodecyl benzene sulfonyl titanate, isopropyl isostearoyl diacrylic acid Titanate,
  • the amount thereof is not particularly limited, but it is preferably 1 part by mass to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler.
  • the liquid sealing material may contain an ion trap agent from the viewpoint of improving the migration resistance, the moisture resistance, the high temperature storage characteristics and the like of the semiconductor package.
  • the ion trapping agent may be used alone or in combination of two or more.
  • ion trap agent examples include anion exchangers represented by the following compositional formulas (V) and (VI).
  • V compositional formulas
  • VI anion exchangers represented by the following compositional formulas (V) and (VI).
  • the compound of the above formula (V) is available as a commercial product (manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., trade name "DHT-4A”). Moreover, the compound of the said Formula (VI) is available as a commercial item (Toagosei Co., Ltd. make, brand name "IXE500”).
  • Anion exchangers other than the above compounds can also be used as ion trapping agents. For example, hydrous oxides of elements selected from magnesium, aluminum, titanium, zirconium, antimony and the like can be mentioned.
  • the amount is not particularly limited.
  • the content is preferably 0.1% by mass to 3.0% by mass, and more preferably 0.3% by mass to 1.5% by mass of the whole liquid encapsulant.
  • the ion trap agent When the ion trap agent is particulate, its volume average particle size (D 50%) is preferably 0.1 ⁇ m to 3.0 ⁇ m. The maximum particle size is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the liquid sealing material may contain components other than the components described above as needed.
  • dyes, colorants such as carbon black, diluents, leveling agents, antifoaming agents, etc. can be blended as needed.
  • the second sealing layer 4b is made of a dried coating of an insulating resin coating material, and is formed by applying the insulating coating material after the formation of the first sealing layer 4a. .
  • the second sealing layer 4b functions as an insulating protective layer for the wire.
  • the insulating resin coating material has one or more of the properties described below.
  • the dielectric breakdown voltage at least after film formation is 150 kV / mm or more.
  • a resin filler having an average particle diameter of 0.1 to 5.0 ⁇ m is contained.
  • the viscosity at 25 ° C. is 30 to 500 Pa ⁇ s.
  • the thixotropy coefficient at 25 ° C. is 2.0 to 10.0.
  • the insulating resin coating material may generate a space depending on the shape of the semiconductor device to be coated at the time of coating. For example, in the case of protection of the top of the wire in the semiconductor device, the end of the wire is clogged to create a space under the wire, and there is also a concern that the sealing material does not penetrate well in the subsequent sealing step. is there. In the case where there is space in the semiconductor device, the generation of the space portion in the semiconductor device is generally not allowed because it greatly affects the reliability degradation of the semiconductor device such as the influence of humidity.
  • the liquid sealant fills the space under the wire and not only contributes to ensuring the reliability of the semiconductor, but also has the effect of protecting the wire itself.
  • the wire may fall over due to the pressure during the device sealing process. However, the fall of the wire can also be avoided by pre-sealing with the liquid sealant.
  • the insulating resin coating material contains a resin filler having a dielectric breakdown voltage of 150 kV / mm or more after film formation, and an average particle diameter of 0.1 to 5.0 ⁇ m, at 25 ° C.
  • the viscosity is 30 to 500 Pa ⁇ s
  • the thixotropy coefficient is 2.0 to 10.0.
  • the dielectric breakdown voltage after film formation is preferably 150 kV / mm or more, and more preferably 200 kV / mm or more.
  • a dielectric breakdown voltage of 200 kV / mm or more can be obtained, which can contribute to thinning of the semiconductor device.
  • the insulating resin can be selected from high heat resistant resins such as polyamide, polyamide imide, polyimide and the like.
  • the insulating resin coating material preferably contains at least one insulating resin selected from the group consisting of polyamide, polyamide imide, and polyimide.
  • polyamide and polyamideimide are preferable in that high temperature treatment of imidization is not required when forming a semiconductor device, and polyamideimide resin is more preferable in terms of high heat resistance.
  • resin if it is resin of high heat resistance which is excellent in adhesiveness with a resin sealing member, it is applicable.
  • the polyimide may be most preferable from the viewpoint of heat resistance.
  • the insulating resin coating material comprises a first polar solvent (A1) and a second polar solvent (A2) having a boiling point lower than that of the first polar solvent (A1) in a mass ratio of 6: 4 to 9: 1, a mixed solvent which is soluble in a mixed solvent of a first polar solvent (A1) and a second polar solvent (A2) at room temperature, and a heat resistant resin (B) which is soluble at room temperature It is soluble in the first polar solvent (A1), insoluble in the second polar solvent (A2), and a mixed solvent of the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) And an insulating heat resistant resin (C) which is insoluble in
  • “room temperature” described in the present specification is 25 ° C.
  • the insulating heat resistant resin (B) is soluble in a mixed solvent of the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) at room temperature, and the insulating heat resistant resin (C) is at room temperature It is insoluble in the mixed solvent of the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2). Therefore, in the insulating resin coating material, the insulating heat resistant resin (C) is dispersed in a mixed solvent of the first polar solvent (A1), the second polar solvent (A2) and the insulating heat resistant resin (B). Acts as a filler.
  • first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) for example, Polyether alcohol solvents such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, etc.
  • Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyrocellosolve acetate, Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, acetophenone, Nitrogen-containing systems such as N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylformamide, 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone solvent, Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene Lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -heptalactone, ⁇ -acetyl- ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone and the like Examples thereof include
  • the combination of the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) is appropriately selected from these solvents according to the types of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C). You may use it.
  • the first polar solvent (A1) preferably Nitrogen-containing systems such as N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylformamide, 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone solvent, Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, sulfolane, etc.
  • Nitrogen-containing systems such as N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylformamide, 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone solvent, Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dimethyl sulfoxide, diethy
  • Lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -heptalactone, ⁇ -acetyl- ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone and the like
  • ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and acetophenone
  • alcohol solvents such as butanol, octyl alcohol, ethylene glycol and glycerin.
  • the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) described later are each independently at least one selected from a polyamide resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, or a precursor of a polyimide resin and a polyamideimide resin
  • ⁇ -butyrolactone is preferred as the first polar solvent (A1).
  • the second polar solvent (A2) preferably Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol dipropyl ether, triethylene glycol dipropyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether Ether solvents such as tetraethylene glycol dipropyl ether and tetraethylene glycol dibutyl ether; Polyether alcohol solvents such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, etc.
  • Ethyl acetate, butyl acetate, acetic acid examples include ester solvents such as cellosolve, ethyl cellosolve acetate and butyrocellosolve acetate.
  • the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) described later are each independently at least one selected from a polyamide resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, or a precursor of a polyimide resin and a polyamideimide resin When it is, a polyether alcohol solvent or an ester solvent is preferable as the second polar solvent (A2).
  • the difference between the boiling point of the first polar solvent (A1) and the boiling point of the second polar solvent (A2) is 10 to 10
  • the temperature is preferably 100 ° C, more preferably 10 ° C to 50 ° C, and still more preferably 10 ° C to 30 ° C.
  • the boiling points of both the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) are 100 ° C. or higher from the viewpoint of prolonging the pot life of the insulating resin coating material at the time of coating. Is preferable, and 150.degree. C. or more is more preferable.
  • the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) are each independently at least one selected from a polyamide resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, or a precursor of a polyimide resin and a polyamideimide resin. Is preferred.
  • a precursor of a polyamide resin a polyimide resin, a polyamide imide resin, or a polyimide resin and a polyamide imide resin, for example, an aromatic, aliphatic or alicyclic diamine compound, and a polyvalent compound having 2 to 4 carboxyl groups Those obtained by the reaction with a carboxylic acid can be mentioned.
  • the precursor of a polyimide resin and a polyamideimide resin means polyamic acid which is a substance immediately before the dehydration ring closure which forms a polyimide resin or a polyamideimide resin by dehydration ring closure.
  • the insulating heat resistant resin (C) is preferably soluble in the above mixed solvent, for example, when heated at 60 ° C. or higher (preferably 60 to 200 ° C., more preferably 100 to 180 ° C.).
  • Aromatic diamines are preferred from the viewpoint of heat resistance and mechanical strength.
  • polyvalent carboxylic acids having 2 to 4 carboxyl groups include dicarboxylic acids or their reactive acid derivatives, tricarboxylic acids or their reactive acid derivatives, and tetracarboxylic dianhydrides. These compounds are an aryl group or a dicarboxylic acid, a tricarboxylic acid or a reactive acid derivative thereof in which a carboxyl group is bonded to a cycloalkyl group which may have a crosslinked structure or unsaturated bond in the ring, or It may be an aryl group or a tetracarboxylic acid dianhydride in which a carboxyl group is bonded to a cycloalkyl group which may have a crosslinked structure or unsaturated bond in the ring, and the dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, or those
  • the reactive acid derivative of the above, and tetracarboxylic acid dianhydride are bonded through a single bond or through a carbon atom, an oxygen
  • a hydrogen atom bonded to the carbon skeleton of the alkylene group may be substituted by a fluorine atom.
  • tetracarboxylic acid dianhydride is preferred from the viewpoint of heat resistance and mechanical strength.
  • the combination of the aromatic, aliphatic or alicyclic diamine compound and the polyvalent carboxylic acid having 2 to 4 carboxyl groups can be appropriately selected according to the reactivity and the like.
  • the reaction can be carried out without solvent or in the presence of an organic solvent.
  • the reaction temperature is preferably 25 ° C. to 250 ° C., and the reaction time can be appropriately selected depending on the size of the batch, the reaction conditions employed, and the like.
  • a thermal ring-closing method of dehydration ring-closing by heating under normal pressure or reduced pressure, a chemical ring-closing method using a dehydrating agent such as acetic anhydride in the presence or absence of a catalyst, and the like can be used.
  • the thermal ring closure method is preferably performed while removing water generated by the dehydration reaction out of the system.
  • the reaction is carried out by heating the reaction mixture to 80 to 400 ° C., preferably 100 to 250 ° C.
  • water may be removed azeotropically by using a solvent such as benzene, toluene, xylene or the like which is azeotroped with water.
  • the chemical ring closure method is preferably reacted at 0 to 120 ° C., preferably 10 to 80 ° C., in the presence of a chemical dehydrating agent.
  • a chemical dehydrating agent for example, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic acid anhydride, butyric acid anhydride and benzoic acid anhydride, and carbodiimide compounds such as dicyclohexyl carbodiimide and the like are preferably used.
  • a substance that promotes the cyclization reaction such as pyridine, isoquinoline, trimethylamine, triethylamine, aminopyridine, imidazole and the like.
  • the chemical dehydrating agent is used at 90 to 600 mol% with respect to the total amount of diamine compounds, and the substance promoting the cyclization reaction is used at 40 to 300 mol% with respect to the total amount of diamine compounds.
  • a dehydration catalyst such as a phosphorus compound such as triphenyl phosphite, tricyclohexyl phosphite, triphenyl phosphate, phosphoric acid or phosphorus pentoxide, or a boron compound such as boric acid or boric anhydride may be used.
  • the reaction liquid having completed imidation by dehydration reaction is compatible with a large excess of the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) described above, and an insulating heat-resistant resin Pour into a solvent such as lower alcohol such as methanol which is a poor solvent for (B) and (C), water, or a mixture thereof to obtain a precipitate of resin, filter it out and dry the solvent
  • a solvent such as lower alcohol such as methanol which is a poor solvent for (B) and (C)
  • water or a mixture thereof
  • the types of suitable first polar solvent (A1) and second polar solvent (A2) can be determined.
  • a suitable combination (mixed solvent) of a 1st polar solvent (A1) and a 2nd polar solvent (A2) two types of following (a) and (b) are mentioned, for example.
  • Examples of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) applied to the mixed solvent of type (a) include the following.
  • Examples of the insulating heat resistant resin (B) include resins having structural units represented by the following formulas (1) to (10).
  • X is —CH 2 —, —O—, —CO—, —SO 2 — or a group represented by the following formulas (a) to (i), and the formula (i) Inside, p is an integer of 1 to 100.
  • R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and may be the same or different.
  • X is the same as X in Formula (1).
  • M is a group represented by the following formula (c), (h), (i) or (j), and in formula (i), p is an integer of 1 to 100 .
  • X is the same as X of Formula (1).
  • X is the same as X of Formula (1).
  • R 3 and R 4 are each a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a phenyl group, which may be the same or different from one another, and X is the same as X in formula (1) is there.
  • x 1 is 0 or 2
  • X is the same as X in formula (1).
  • Examples of the insulating heat resistant resin (C) include resins having structural units represented by the following formulas (11) to (20).
  • Y is a group represented by the following formula (a), (c) or (h).
  • Y is the same as Y in Formula (11).
  • the part of * is mutually couple
  • bonded followsing, the same).
  • Z is —CH 2 —, —O—, —CO—, —SO 2 — or a group represented by the following formula (a) or (d).
  • Z is the same as Z in Formula (14).
  • X is the same as X in formula (1), and n and m each independently represent an integer of 1 or more.
  • the ratio of n to m (n / m) is preferably 80/20 to 30/70, and more preferably 70/30 to 50/50.
  • a lactone solvent or a nitrogen-containing solvent is used as the first polar solvent (A1)
  • an ether solvent or an ester solvent is used as the second polar solvent (A2).
  • a resin represented by the formula (1) is used as the resin (B)
  • a resin having a structural unit represented by the formula (20) or the formula (16) is used as the insulating heat resistant resin (C).
  • Examples of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) applied to the mixed solvent of type (b) include the following.
  • the insulating heat resistant resin (B) for example, a resin having a structural unit represented by the following formulas (21) and (22), or a polysiloxane imide having a structural unit represented by the above formula (6) is used .
  • Z 1 is —O—, —CO— or a group represented by the following formula (d), (e), (k) or (l).
  • R 5 and R 6 each represent a group represented by the following formula (m) or (n), and may be the same as or different from each other.
  • p is an integer of 1 to 100.
  • insulating heat resistant resin (C) for example, a polyether amide having a structural unit in the case where X in the above formula (1) is a group represented by the following formula (a), (b) or (i) Imide or polyimide represented by the above formulas (5) to (9) (except that X in the above formulas (5), (6) and (8) is the following formula (a)) Can be mentioned.
  • p is an integer of 1 to 100.
  • the order in which the raw materials are charged in preparing the insulating resin coating material is not particularly limited.
  • the raw materials of the insulating resin coating material may be mixed together, and first, the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) are mixed, and the mixed solution is insulated.
  • Heat resistant resin (B) is mixed, and then insulating heat resistant resin (C) is applied to a mixed solution of the first polar solvent (A1), the second polar solvent (A2), and the insulating heat resistant resin (B) ) May be added.
  • the raw material mixture of the above-mentioned insulating resin coating material is a mixture solution of the first polar solvent (A1), the second polar solvent (A2), and the insulating heat resistant resin (B), the insulating heat resistant resin (C) It is good to heat to the temperature which fully melt
  • the insulating resin coating material obtained as described above is isolated in a solution containing the first polar solvent (A1), the second polar solvent (A2) and the insulating heat resistant resin (B) at room temperature.
  • the heat resistant resin (C) is dispersed. That is, the insulating heat resistant resin (C) will be present as a filler in the insulating resin coating material, and the insulating resin coating material can be provided with a suitable thixotropic property when supplied to the upper part of the wire.
  • the insulating heat resistant resin (C) dispersed in the insulating resin coating material may be in the form of particles having an average particle diameter of 50 ⁇ m or less, preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.1 to 5 ⁇ m. It is. Also, the maximum particle diameter is preferably 10 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m.
  • the average particle size and the maximum particle size of the insulating heat resistant resin (C) can be measured by using a particle size distribution measuring apparatus SALD-2200 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the mixing ratio of the first polar solvent (A1) to the second polar solvent (A2) is determined by the types of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C), the first polar solvent (A1) and It depends on the solubility or the amount used for the second polar solvent (A2), but from the viewpoint of highly balancing the fluidity of the insulating resin coating material, the resolution of the resin film, the shape retention, and the surface flatness.
  • the mixing ratio (A1: A2) is preferably 6: 4 to 9: 1, more preferably 6.5: 3.5 to 8.5: 1.5, and 7: 3 to 8: 2. Being particularly preferred.
  • the first polar solvent (A1) and the second polar solvent (A2) with respect to the total amount of 100 parts by mass of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) It is preferable to mix
  • the compounding ratio of the insulation heat resistant resin (B) and the insulation heat resistant resin (C) is not particularly limited and may be any compounding amount, but the insulation heat resistant resin (C) is the total amount of the insulation heat resistant resin (B) It is preferable to blend 10 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass, and more preferably 10 to 200 parts by mass.
  • the use amount of the insulating heat resistant resin (C) is less than 10 parts by mass, the thixotropic property of the obtained heat resistant insulating resin coating material tends to decrease, and when it is more than 300 parts by mass, the physical properties of the obtained resin film are There is a tendency to decline.
  • the insulating resin coating material has a viscosity at 25 ° C. of 30 to 500 Pa ⁇ s, preferably 50 to 400, and more preferably 70 to 300, from the viewpoint of shape retention. If the viscosity at 25 ° C. is 30 Pa ⁇ s or less, it tends to be difficult to maintain the shape during printing. Moreover, there exists a tendency for workability to fall that a viscosity is 500 Pa.s or more easily.
  • the viscosity is to adjust the molecular weight of the non-volatile content concentration (hereinafter referred to as NV) of the insulating resin coating material, the first polar solvent (A1), the insulating heat resistant resin (B) or the insulating heat resistant resin (C) It can control by etc.
  • the molecular weight of the insulating heat resistant resin (B) and the insulating heat resistant resin (C) is measured using gel permeation chromatography in terms of standard polystyrene, and the weight average molecular weight is 10,000 to 100,000, preferably 20,000 to 80,000. Particularly preferably, it may be set to 30000 to 60000.
  • the insulating resin coating material has a thixotropy coefficient of 2.0 to 10.0, preferably 2.0 to 6.0, more preferably 2.5 to 5.5, and still more preferably 3. It is 0 to 5.0. If the thixotropy coefficient is less than 2.0, the printability is lowered, and if it exceeds 6.0, the workability is lowered, and it becomes difficult to produce the insulating resin coating material.
  • the resin sealing member is provided to cover at least the second sealing layer.
  • the resin sealing member is preferably provided on the entire surface of the substrate so as to cover the upper surfaces of the semiconductor element and the second sealing layer. Since the wires are already sealed, it is not necessary to consider the occurrence of problems such as wire flow when forming the resin sealing member.
  • the resin sealing member is not particularly limited, and can be configured using materials known in the art.
  • the curable composition containing an epoxy resin and a phenol resin is mentioned, for example.
  • Phenolic resins are used as curing agents for epoxy resins.
  • Specific examples of the epoxy resin include biphenyl type epoxy resin, bisphenol type (bisphenol F type, bisphenol A type etc) epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin, ortho cresol novolac type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin and the like.
  • phenol resin examples include triphenylmethane type phenol resin, phenol aralkyl type phenol resin, zyloc type phenol resin, copolymerized phenol aralkyl type phenol resin, naphthol aralkyl type phenol resin, biphenylene aralkyl type phenol resin and the like. . Each of these may be used alone or in combination of two or more.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the method of manufacturing a semiconductor device, wherein (a) to (d) correspond to the respective steps.
  • the production method preferably includes at least the following steps (a) to (c), and further preferably includes step (d).
  • the term "electrically connected” generally means that the substrate 1 and the semiconductor element 2 are provided with electrodes (not shown), and the electrodes are connected by wires.
  • the wire connection can be implemented using a wire bonding apparatus.
  • the height from the surface of the substrate to the apex 3a of the wire may be 0.5 to 1.5 mm.
  • the height is preferably about 1 mm.
  • the wire diameter may be in the range of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m in the case of a gold wire.
  • the wire diameter of the aluminum wire may be in the range of 80 to 600 ⁇ m, and the height h also tends to be higher compared to the case of a gold wire.
  • the method for supplying the liquid sealant is not particularly limited, and a dispenser method, a casting method, a printing method, and the like can be applied. In one embodiment, it is preferred to apply a dispenser system. Among them, a method of injecting the liquid sealant from the side of the wire using a jet dispenser device is preferable. By injecting the liquid sealant into the space under the wire using a jet dispenser, it becomes easy to fill the space without gaps.
  • the first sealing layer 4 a can be formed by curing the liquid sealant supplied to the space.
  • the curing of the liquid sealing material may be carried out before the supply of the insulating resin coating material described later in the step (c) or after the supply of the insulating resin coating material.
  • the liquid sealing material is thermosetting, it is preferable to heat and harden the liquid sealing material after the injection of the liquid sealing material.
  • the temperature at the time of heat curing can be appropriately adjusted depending on the type of liquid sealant used, but typically the range of 100 to 200 ° C. is preferable.
  • the insulating resin coating material is supplied onto the liquid sealant supplied to the space.
  • the supply method of the insulating resin coating material is not particularly limited, and a dispenser method, a casting method, or the like can be applied. In one embodiment, it is preferred to apply a dispenser system.
  • the insulating resin coating material is preferably supplied to the upper portion of the first sealing layer made of the cured product of the liquid sealing material.
  • the film thickness of the second sealing layer is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 8 ⁇ m or more, and still more preferably 10 ⁇ m or more from the viewpoint of securing insulation.
  • the film thickness is preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or less, and still more preferably 30 ⁇ m or less. In one embodiment, the film thickness is preferably in the range of 10 to 30 ⁇ m. Therefore, it is preferable to adjust the supply amount of the insulating resin coating material so that the film thickness after drying falls within the above range.
  • the resin sealing member is preferably formed to cover the entire surface of the semiconductor element and the substrate including the second sealing layer 4b.
  • the formation method of the resin sealing member is not particularly limited, and techniques known in the art can be applied.
  • the formation of the resin sealing member is performed by transfer molding using a curable composition containing the epoxy resin and the phenol resin described above in a mold having a predetermined shape. be able to.
  • the thickness of the resin sealing member is not particularly limited, but the insulating property is ensured by the second sealing layer, so the resin sealing member can be designed thin.
  • the film thickness of the semiconductor device obtained after forming the resin sealing member may be preferably 1.5 mm or less, more preferably 1.1 mm or less.
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: electrically connecting a substrate and a semiconductor element disposed on the substrate by a wire; and a liquid sealant in a space below the apex of the wire. Supplying and then curing the liquid sealing material, thereby forming a first sealing layer, and supplying an insulating resin coating material to the upper portion of the first sealing layer via the wire; And then drying to form a second sealing layer.
  • the method of manufacturing a semiconductor device forms a resin sealing member so as to cover at least the second sealing layer after the step of forming the second sealing layer in the manufacturing method of the above embodiment. Further comprising the step of
  • the viscosity at 25 ° C. and a shear rate of 10 ⁇ 1 and the viscosity at 75 ° C. and a shear rate of 5 s ⁇ 1 were respectively measured. Further, the viscosity at 75 ° C. and a shear rate of 50 s ⁇ 1 was measured, and the thixotropic coefficient at 75 ° C. was determined. The results are shown below.
  • the viscosity measurement at 25 ° C. was performed using an E-type viscometer (VISCONIC EHD type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.).
  • the viscosity measurement at 75 ° C. was performed using a rheometer (trade name “AR 2000” manufactured by TA Instruments Co., Ltd.).
  • the chloride ion amount (ppm) of the prepared liquid sealing material was measured.
  • the measurement was performed by ion chromatography under the conditions of 121 ° C. for 20 hours, and was measured using a sodium carbonate solution as an eluent.
  • the amount of chlorine ions in the liquid encapsulant was 10 ppm.
  • TAC trimellitic anhydride chloride
  • TEA triethylamine
  • Preparation Example 3 Preparation of Insulating Resin Coating Material (P-2) Containing Inorganic Filler> After PAI-1 was obtained in the same manner as in Preparation Example 2 (1), 5 wt% of AEROSIL 200 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. was added to prepare an insulating resin coating material for a comparative example. Specifically, ⁇ -BL was added as a first polar solvent (A1) to a 0.5 liter four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a cooling tube under a nitrogen stream.
  • A1 first polar solvent
  • DMTG triethylene glycol dimethyl ether
  • PAI-1 polyamideimide resin powder
  • Example 1 A semiconductor element was mounted on a glass epoxy substrate by soldering, and a structure in which the semiconductor element mounted on the substrate and the substrate were electrically connected by a gold wire was prepared. Gold wire bonding of 4 ⁇ 20 (80 in total) was formed on four sides of the semiconductor element. The height from the substrate to the wire apex was 0.9 mm. Next, in the space below the top of the wire of the above-mentioned structure, a jet dispenser (the device name “S2-910” manufactured by Nordson Advanced Technology Co., Ltd.) was used to seal the liquid obtained in Preparation Example 1 Then, the supplied liquid sealing material was cured by heating at 175 ° C.
  • a jet dispenser the device name “S2-910” manufactured by Nordson Advanced Technology Co., Ltd.
  • a first sealing layer (wire sealing layer).
  • the insulating resin coating material obtained in Preparation Example 2 was supplied via a wire using a dispenser device (device name “SDP 500” manufactured by Sanei Tech Co., Ltd.).
  • a second sealing layer (insulating protective layer) having a thickness of 12 ⁇ m is formed by drying the coating film of the above-mentioned coating material under temperature conditions of 100 ° C. for 30 minutes and further 200 ° C. for 1 hour. did.
  • Example 1 In the same manner as in Example 1, a semiconductor device mounted on a substrate was provided with a structure electrically connected by a wire. Subsequently, the insulating resin coating material obtained in Preparation Example 2 was supplied only to the wire upper part of the structure using a dispenser device (device name “SDP 500” manufactured by Sanei Tech Co., Ltd.). For the lower part of the wire, the wire obstructed and the insulating resin coating material could not be filled well. Then, a sealing layer (insulating protective layer) was formed by drying the coating film under temperature conditions of 100 ° C. for 30 minutes and further 200 ° C. for 1 hour. The supply amount of the insulating resin coating material was adjusted so that the dry film thickness of the sealing layer located on the upper part of the wire was 12 ⁇ m, which is the same as in Example 1.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a semiconductor device mounted on a substrate was provided with a structure electrically connected by a wire. Next, the liquid sealing material obtained in Preparation Example 1 was supplied to the lower and upper portions of the wire of the above structure using a jet dispenser device (device name “S2-910” manufactured by Nordson Advanced Technology Co., Ltd.). Then, a sealing layer (wire sealing layer) was formed by curing the coating film under a temperature condition of 2 hours at 175 ° C. The thickness of the sealing layer located on the upper portion of the wire was Example 1 The supply amount of the liquid sealing material was adjusted so that the same 12 ⁇ m as in the above was obtained.
  • a jet dispenser device device name “S2-910” manufactured by Nordson Advanced Technology Co., Ltd.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1, a structure electrically connected by the wires of the semiconductor element mounted on the substrate was prepared. Next, in the same manner as in Example 1, a first sealing layer was formed under the wire of the above structure, and then obtained in Preparation Example 3 via the wire on the first sealing layer. An insulating resin coating material containing an inorganic filler was supplied. In addition, the supply amount of the insulating resin coating material containing an inorganic filler was adjusted so that the dry film thickness of the sealing layer located in the wire upper part might be 12 micrometers same as Example 1.
  • Example 1 ⁇ Dielectric breakdown voltage>
  • Comparative Example 2 the insulating resin coat material P-1 obtained in Preparation Example 2 was applied on an aluminum substrate with an applicator. The coated film was then heated in an oven at 100 ° C. for 30 minutes and further at 200 ° C. for 1 hour to obtain a dry coating of 10 ⁇ m thickness.
  • the liquid sealant obtained in Preparation Example 1 was applied on an aluminum substrate with an applicator.
  • the cured film having a film thickness of 10 ⁇ m was obtained by heating and curing the coated film under the conditions of 175 ° C. for 2 hours.
  • an insulating resin coat material P-2 containing the inorganic filler obtained in Preparation Example 3 was applied on an aluminum substrate with an applicator.
  • the coated film was then heated in an oven at 100 ° C. for 30 minutes and further at 200 ° C. for 1 hour to obtain a dry coating of 10 ⁇ m thickness.
  • the measurement samples 1 to 3 produced as described above were each sandwiched by a pair of electrodes, and the dielectric breakdown voltage value was measured.
  • the measurement was carried out in oil with a pressure rising rate of 0.5 kV / sec, a measurement temperature of room temperature, and an electrode shape of 20 mm in diameter, with reference to JIS C2110. The results are shown in Table 1.
  • the ESD resistance was evaluated from the value of the dielectric breakdown voltage of the dried coating film (cured film) separately measured.
  • the dielectric breakdown voltage of the measurement sample 1 prepared above is 230 kV / mm, which is the same as 230 V / ⁇ m. Therefore, if the film thickness of the sealing layer (film) obtained by film formation is 10 ⁇ m, the sealing layer (film) has an insulation property of 2300 V (2.3 kV). In general, if the sealing layer (film) can maintain insulation with respect to a voltage exceeding 2 kV, it is possible to obtain sufficient ESD resistance in a semiconductor device.
  • the ESD resistance was evaluated from the insulation property calculated from the measured values of the dielectric breakdown voltage of the measurement samples 1 to 3 with a film thickness of 10 ⁇ m, using 2 kV as a reference value as follows. The results are shown in Table 1. (ESD evaluation criteria) Good: The insulation is 2 kV or more. Failure: The insulation is less than 2 kV.
  • the breakdown voltage and the ESD resistance of Example 1 and Comparative Example 1 correspond to the measured value and the evaluation result for the measurement sample 1.
  • the evaluations of the breakdown voltage and the ESD resistance in Comparative Examples 2 and 3 correspond to the measured values and the evaluation results for the measurement samples 2 and 3, respectively.
  • the insulation property in the ESD resistance is a value calculated from the measured values of the dielectric breakdown voltage of the measurement samples 1 to 3 with a film thickness of 10 ⁇ m.
  • Example 1 As apparent from the comparison between Example 1 and Comparative Examples 1 to 3, according to the embodiment (Example 1) of the present invention, the generation of voids is suppressed, and a high dielectric breakdown voltage can be obtained. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a thin semiconductor device excellent in insulation, ESD resistance and reliability.

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Abstract

基板と、上記基板上に配置された半導体素子と、上記基板と上記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、上記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第１の封止層と、上記第１の封止層の上部に上記ボンディングワイヤを介して設けられる第２の封止層とを有する半導体デバイスであって、上記第１の封止層が液状封止材の硬化膜からなり、上記第２の封止層が絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなる、半導体デバイス。

Description

半導体デバイス及びその製造方法
　本開示の実施形態は、半導体デバイス及びその製造方法に関し、より詳細には、ワイヤの上下を異なる材料で封止することによって薄型化を達成した、半導体デバイス及びその製造方法に関する。
　近年、携帯電話に代表されるように、半導体デバイスを用いた電子機器の薄型化が進んでいる。また、セキュリティ保護の観点から、パスワードによるセキュリティ管理に加えて、生体認証（バイオメトリック（biometric）認証）による管理が注目されている。例えば、携帯電話では、生体認証の一例である指紋認証センサーを採用した機種が増加傾向にある。このような新規な電気機器が次々と開発されている一方で、静電気放電（ＥＳＤ：Electro-static-Discharge）に対して、半導体デバイスの特定の部分が脆弱になり易いことが確認されている。
　静電気放電（以下、ＥＳＤと称す）は、半導体デバイスの損傷又は誤動作発生などの一因となる。指紋認証センサーについても、ＥＳＤの影響は無視できるものではない。そのため、半導体デバイスにおいてＥＳＤ耐性が弱い部分に対しては、絶縁保護層の形成が求められている。
　また、技術テクノロジーの進化に伴い、電子機器及び半導体デバイスの薄型化が求められていることから、絶縁保護層自体の薄型化も必要となっている。
特開２０１３－１６６９２５号公報
　一般的に、半導体デバイスにおいてＥＳＤが集中する部分は、電荷が集中しやすい導電性の凸部の箇所となる。例えば、基板と半導体素子とを電気的に接続するワイヤの上部、及び回路基板上の金属壁部分のテーパーとテーパーとの間などは、ＥＳＤ耐性が弱い。ＥＳＤ耐性を高めるためにワイヤ上部に絶縁保護層を形成する場合、ワイヤは形状が複雑であるために、いくつかの課題が生じる。
　先ず、ワイヤ上部に絶縁保護層を形成する材料（以下、絶縁保護材料ともいう）は、塗布後にワイヤ下部に流れることなく、ワイヤ上部に維持されることが好ましい。すなわち、絶縁保護材料は、適度なチキソ性を有することが好ましい。
　また、絶縁保護層の薄型化の要求に向けて、絶縁保護材料は優れた絶縁性を有することが好ましい。特に、充分なＥＳＤ耐性を得る観点から、絶縁保護材料は、成膜後に１５０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧が得られるものが好ましい。
　これに対し、絶縁保護材料として、例えば、ポリイミド樹脂をベースとした材料が知られており、その使用形態に応じて流動性がコントロールされている。例えば、チキソ性を付与するために、微細なシリカフィラー等の無機フィラー又はその他の有機フィラーをベース樹脂に分散させたペースト状の絶縁保護材料がある。絶縁保護層を形成するためにチキソ性を持たない液状の絶縁保護材料を使用した場合、塗布後の液ダレなどにより、最も静電的な保護が必要なワイヤ上部の膜厚が薄くなってしまうという不具合が生じやすい。実際に、ポリイミド樹脂をベース樹脂とするチキソ性を持たない液状の絶縁保護材料を曲線形状のワイヤに塗布した場合、塗布面から絶縁保護材料が流動してしまい、絶縁保護層として十分な厚みを確保することは困難である。そのため、絶縁保護材料を塗布面に維持する方法として、絶縁保護材料に適切なチキソ性を付与する方法が考えられる。
　しかし、微細な無機フィラーなどをベース樹脂に分散させたペースト状の絶縁保護材料は、成膜後に、ベース樹脂などの絶縁成分と無機フィラーとの界面が発生する。膜に界面があることで、ポリイミド樹脂などの高絶縁性樹脂を用いた場合でも、膜の絶縁破壊電圧が大きく低下し、充分な絶縁性能を得ることは困難である。そのため、半導体デバイスの絶縁性を担保するために、絶縁保護層の膜厚を大きく設計して、絶縁保護材料を塗布する必要があり、薄型化を図ることは難しい。
　上述の絶縁成分と無機フィラーとの界面による膜の絶縁性能の低下を改善する方法として、加熱後に溶解して絶縁成分と優れた相溶性を示す有機フィラー（樹脂フィラー）を含む樹脂ペーストが開示されている（特許文献１）。上記樹脂ペーストによれば、平坦な基板に対する印刷時には優れた形状安定性が得られ、また優れた絶縁性が得られる。
　しかし、本発明者らの検討において、上記樹脂ペーストを絶縁保護材料としてワイヤに塗布した場合、ワイヤ下部の空間に樹脂ペーストが充分に広がらずにワイヤ下部にボイドが発生しやすいことが明らかになった。半導体デバイス中にボイドが存在すると、湿度の影響を受けやすく、また半導体デバイスの信頼性も低下しやすい。
　以上のことから、ＥＳＤ耐性に優れた薄型の半導体デバイスの実現に向けて、ワイヤ上部に高絶縁性の材料を用いて薄型の絶縁保護層を形成すること、かつボイドを発生することなくワイヤ下部の空間を封止することを可能とする技術が求められている。したがって、本発明の課題は、上記に鑑み、ワイヤ上部への上記絶縁保護層の形成と、ワイヤ下部の空間の封止とを可能にする材料を使用して、ＥＳＤ耐性に優れ、かつ信頼性に優れた薄型の半導体デバイス及びその製造方法を提供することに関する。
　本発明の実施形態は以下に関する。但し、本発明は以下に限定されず、様々な実施形態を含む。
　一実施形態は、基板と、上記基板上に配置された半導体素子と、上記基板と上記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、上記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第１の封止層と、上記第１の封止層の上部に上記ワイヤを介して設けられる第２の封止層とを有する半導体デバイスであって、
　上記第１の封止層が液状封止材の硬化膜からなり、
　上記第２の封止層が絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなる、半導体デバイスに関する。
　上記実施形態において、半導体デバイスは、少なくとも上記第２の封止層を覆うように設けられた樹脂封止部材をさらに有することが好ましい。
　上記絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜の絶縁破壊電圧は、１５０ｋＶ／ｍｍ以上であることが好ましい。
　上記絶縁性樹脂コート材は、平均粒子径０．１～５．０μｍの樹脂フィラーを含むことが好ましい。
　上記絶縁性樹脂コート材の２５℃における粘度は、３０～５００Ｐａ・ｓであることが好ましい。
　上記絶縁性樹脂コート材の２５℃におけるチキソトロピー係数は、２．０～１０．０であることが好ましい。
　上記絶縁性樹脂コート材は、ポリアミド、ポリアミドイミド、及びポリイミドからなる群から選択される少なくとも１種の絶縁性樹脂を含むことが好ましい。
　上記第２の封止層の膜厚は、１００μｍ以下であることが好ましい。上記第２の封止層の膜厚は、５０μｍ以下であることがより好ましい。
　上記絶縁性樹脂のＴｇ（ガラス転移温度）は、１５０℃以上であることが好ましい。
　上記実施形態において、上記液状封止材は、熱硬化性樹脂成分と、無機充填剤とを含み、７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ａとし、７５℃、せん断速度５０ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ｂとしたとき、粘度Ａ／粘度Ｂの値として得られる、７５℃でのチキソトロピー係数が０．１～２．５であることが好ましい。
　上記液状封止材における塩素イオン量は、１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
　上記液状封止材における上記無機充填剤の最大粒子径は、７５μｍ以下であることが好ましい。
　上記液状封止材の７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度は、３．０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
　上記液状封止材の２５℃、せん断速度１０ｓ－１の条件で測定される粘度は、３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
　上記液状封止材の全質量を基準として、上記無機充填剤の含有量は、５０質量％以上であることが好ましい。
　上記液状封止材における上記熱硬化性樹脂成分は、芳香族エポキシ樹脂と、脂肪族エポキシ樹脂とを含むことが好ましい。
　上記芳香族エポキシ樹脂は、液状のビスフェノール型エポキシ樹脂、及び液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含み、上記脂肪族エポキシ樹脂が、線状脂肪族エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
　上記実施形態の半導体デバイスは、指紋認証センサーに好適に用いることができる。しかし、指紋認証センサーに限定されず、薄型デバイスのワイヤ上部への絶縁性樹脂コート材の適用が想定される。また、本開示の絶縁性樹脂コート材と液状封止材との組み合わせ、及び、それらを用いた製造方法によって、新規薄型デバイスの製造が可能となることが想定される。
　他の実施形態は、基板と、上記基板上に配置された半導体素子と、上記基板と上記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、上記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第１の封止層と、上記第１の封止層の上部に上記ワイヤを介して設けられる第２の封止層とを有する半導体デバイスの製造方法であって、
　基板と、基板上に配置された半導体素子とをワイヤによって電気的に接続する工程と、
　上記ワイヤの頂点よりも下部の空間に液状封止材を供給して第２の封止層を形成する工程と、次いで
　上記第１の封止層の上部に上記ワイヤを介して絶縁性樹脂コート材を供給して第２の封止層を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法に関する。
　本願の開示は、２０１７年８月１０日に出願された特願２０１７－１５５８９１号に記載の主題と関連しており、その全ての開示内容は引用によりここに援用される。
　本発明の実施形態によれば、ＥＳＤ耐性に優れ、かつ信頼性に優れた、薄型の半導体デバイス及びその製造方法を提供することが可能となる。
図１は、一実施形態に係る半導体デバイスの側面断面図である。 図２は、一実施形態に係る半導体デバイスの部分平面図である。 図３は、一実施形態に係る半導体デバイスの製造方法を説明する概略断面図であり、（ａ）～（ｄ）は各工程に対応する。
　以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。
＜半導体デバイス＞
　半導体デバイスについて、図面に沿って説明する。以下の説明において、方向を表す「上」、「下」、「上部」、及び「下部」などの用語は、便宜的に図面中の方向を特定するために使用したものであり、装置使用時の設置方向を限定するものではない。
　図１は、一実施形態に係る半導体デバイスの側面断面図である。図２は、一実施形態に係る半導体デバイスの部分平面図である。図１及び図２に示すように、半導体デバイスは、基板１と、基板１上に配置された半導体素子２と、基板１と半導体素子２とを電気的に接続するワイヤ３と、ワイヤ３の頂点３ａよりも下部の空間を封止する第１の封止層４ａと、第１の封止層４ａの上部にボンディングワイヤ３を介して設けられる第２の封止層４ｂとを有する。図１に示すように、半導体デバイスは、少なくとも第２の封止層４ｂを覆うように設けられた樹脂封止部材５をさらに有することが好ましい。
　ここで、ボンディングワイヤの頂点３ａとは、図１において参照符号「ｈ」で示される基板表面からのワイヤの高さが、最大となる箇所を意味する。上記第１の封止層４ａは、液状封止材の硬化膜からなり、基板１及び半導体素子２の一部と、頂点３ａを有する弧状のワイヤ３とによって区画されるワイヤ下部の空間に液状封止材を注入することによって形成される。また、上記第２の封止層４ｂは、絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなり、第１の封止層４ａの形成後に上記絶縁性樹脂コート材を塗布することによって形成される。
　このように、上記実施形態によれば、ワイヤ頂点３ａよりも下部の空間、及びワイヤ上部に、それぞれ異なる材料を用いて封止層を形成することによって、ＥＳＤ耐性に優れ、かつ信頼性に優れた、薄型の半導体デバイスを提供することが可能となる。以下、半導体デバイスの構成について、具体的に説明する。
１．基板
　基板は、特に限定されず、半導体素子を実装し、ワイヤボンディングできる材料からなる基板であればよい。基板の材料は、半導体デバイスの用途に応じて、当技術分野で周知の材料から選択することができる。
　例えば、半導体デバイスを指紋認証センサー用途に使用する場合は、代表的にガラスエポキシ基板などの薄いリジッド基板を使用することができる。
　他の例として、半導体デバイスをパワーモジュール用途に使用する場合は、通常、ＤＣＢ（Direct Cupper Bond）基板、及びアルミナ系基板などのセラミックス基板を使用することができる。セラミック基板に銅回路などを直接接合させた場合、熱抵抗となる接合層の設置が不要となるため、高放熱性及び高絶縁性を得ることが容易となる。したがって、このような銅回路などを直接接合させたセラミック基板は、例えば、車載用半導体、電鉄用半導体、産業機械用半導体といった、高電圧及び高電流の用途に対して好適に使用することができる。
２．半導体素子
　半導体素子は、ワイヤを介して、基板に電気的に接続される。
　半導体素子は、例えば、指紋認証センサー用半導体素子、パワーモジュール用途のＳｉ－ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、ＳiＣ（シリコンカーバイト）、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ）であってよい。これらの半導体素子に限らず、ＥＳＤ耐性が求められるか、又は高電圧高電流条件下での使用に向けて高い絶縁性が求められるような半導体素子を使用した場合、上記実施形態による効果を容易に得ることができる。
　半導体素子と基板とは、通常、半田ボールなどにより導電的に接合される。パワーモジュール用途の半導体素子を用いる場合、半導体素子と基板との導電的な接合は、半田ボール以外にも、焼結銀、及び焼結銅などの材料を使用することもできる。
３．ワイヤ
　ワイヤは、半導体素子と基板とを電気的に接合するために使用される。ワイヤの材料は、半導体デバイスの用途に応じて、当技術分野で周知の材料から選択することができる。例えば、半導体デバイスを指紋認証センサーの用途で使用する場合、金ワイヤ、銀合金ワイヤ、及び銅ワイヤなどを使用することができる。通常、金ワイヤが主流である。他の例として、半導体デバイスをパワーモジュールの用途で使用する場合、通常、アルミワイヤが使用される。
４ａ．第１の封止層
　第１の封止層は、液状封止材の硬化膜からなる。図１に見られるように、基板１及び半導体素子２の一部と、頂点３ａを有する弧状のワイヤ３とによって区画されるワイヤ下部の空間に液状封止材を注入し、次いで液状封止材を硬化させることによって形成される。
　一実施形態において、液状封止材は、樹脂成分と、無機充填材とを含有する。液状封止材は、７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ａとし、７５℃、せん断速度５０ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ｂとしたとき、粘度Ａ／粘度Ｂの値として得られる７５℃でのチキソトロピー係数が０．１～２．５であることが好ましい。液状封止材は、必要に応じて樹脂成分及び無機充填材以外の成分を含有してもよい。
　本開示において「液状封止材」とは、半導体素子と基板との間を充填するアンダーフィル材として好適に使用できる、室温下で液状であり、かつ加熱等によって硬化する樹脂材料を意味する。液状封止材を用いてワイヤ下部の空間を隙間なく封止することによって、ワイヤ上部を絶縁性樹脂コート材によって封止する際に、該コート材によってワイヤ流れ等の問題が生じるのを回避することができる。また、絶縁性樹脂コート材の塗布時に液ダレなどの不具合を生じることなく、ワイヤ塗布面へのコート材の維持が容易になる。
　液状封止材は、７５℃でのチキソトロピー係数が０．１～２．５であることで、ワイヤ下部の空間を隙間なく封止することが容易となる。
　特に限定するものではないが、一実施形態において、液状封止材の７５℃でのチキソトロピー係数は、０．５～２．０であることがより好ましく、１．０～２．０であることがさらに好ましい。
　液状封止材は、７５℃、せん断速度５ｓ－１で測定される粘度が３．０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、２．０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。液状封止材の７５℃、せん断速度５ｓ－１での粘度が３．０Ｐａ・ｓ以下であると、液状封止材をワイヤの周囲に付与する際に、ワイヤ流れの発生が効果的に抑制される傾向にある。
　上記粘度の下限は特に制限されないが、ワイヤの周囲に付与した状態を保持する観点からは、０．０１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
　液状封止材は、２５℃、せん断速度１０ｓ－１で測定される粘度が３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、２０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。上記粘度の下限は特に制限されないが、ワイヤの周囲に付与した状態を保持する観点からは、０．１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
　液状封止材の２５℃での粘度はＥ型粘度計（例えば、東京計器株式会社製のVISCONIC EHD型）を用いて測定される値であり、７５℃での粘度はレオメータ（例えば、ＴＡインスツルメント社の商品名「ＡＲ２０００」）を用いて測定される値である。
　液状封止材の７５℃でのチキソトロピー係数は、７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度を粘度Ａとし、７５℃、せん断速度５０ｓ－１の条件で測定される粘度を粘度Ｂとしたとき、粘度Ａ／粘度Ｂの値として得られる。
　液状封止材が上述した粘度の条件を満たすようにするための方法は、特に制限されない。例えば、液状封止材の粘度を下げる手法としては、低粘度の樹脂成分を用いる方法、溶剤を添加する方法等が挙げられ、これらを単独又は組み合わせて用いることができる。
＜樹脂成分＞
　液状封止材に含まれる樹脂成分は、液状封止材が上記条件を満たしうるものであれば特に制限されない。既存の設備との適合性、液状封止材としての特性の安定性等の観点からは、熱硬化性の樹脂成分を用いることが好ましく、エポキシ樹脂を用いることがより好ましい。また、常温（２５℃）で液状（以下、単に「液状の」ともいう）の樹脂成分を用いることが好ましく、液状のエポキシ樹脂を用いることがより好ましい。樹脂成分は、エポキシ樹脂と硬化剤との組み合わせであってもよい。
（エポキシ樹脂）
　液状封止材に使用できるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、水添ビスフェノールＡ等のジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を代表とするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの（ノボラック型エポキシ樹脂）、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ｐ－アミノフェノール、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のアミン化合物とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸により酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記エポキシ樹脂の中でも、粘度、使用実績、材料価格等の観点から、ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。中でも、流動性の観点からは液状のビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましく、耐熱性、接着性及び流動性の観点から液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂が好ましい。
　一実施形態において、液状封止材は、芳香環を有するエポキシ樹脂(芳香族エポキシ樹脂)と、脂肪族エポキシ樹脂とを樹脂成分として用いる。例えば、芳香族エポキシ樹脂として、液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及び液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂と、脂肪族エポキシ樹脂として線状脂肪族エポキシ樹脂とを樹脂成分として用いる。
　グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）－Ｎ，Ｎ－ビス（２，３－エポキシプロピル）アニリン、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、ジグリシジルメトキシアニリン、ジグリシジルジメチルアニリン、ジグリシジルトリフルオロメチルアニリン等が挙げられる。
　線状脂肪族エポキシ樹脂としては、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，３-ビス(３－グリシドキシプロピル)テトラメメチルジシロキサン、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
　エポキシ樹脂として液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と、液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂と、線状脂肪族エポキシ樹脂とを併用する場合、これらの配合比は特に制限されない。上記配合比は、例えば、液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂が全体の４０質量％～７０質量％であり、液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と線状脂肪族エポキシ樹脂の合計が全体の３０質量％～６０質量％であってもよい。
　上記に例示したエポキシ樹脂のエポキシ樹脂全体に占める含有率（例示したエポキシ樹脂を２種以上用いる場合はその合計）は、その性能を充分に発揮する観点から２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。当該含有率の上限値は、特に制限されず、液状封止材の所望の性状及び特性が得られる範囲で決めることができる。
　エポキシ樹脂としては、液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましいが、常温（２５℃）で固形のエポキシ樹脂を併用してもよい。常温で固形のエポキシ樹脂を併用する場合、その割合はエポキシ樹脂全体の２０質量％以下とすることが好ましい。
　ワイヤの腐食を抑制する観点からは、液状封止材における塩素イオン量は少ないほど好ましい。具体的には、例えば、１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
　本開示において液状封止材における塩素イオン量は、溶離液として炭酸ナトリウム溶液を用いたイオンクロマトグラフィーにより、１２１℃、２０時間の条件で処理し、２．５ｇ／５０ｃｃで換算して得た値（ｐｐｍ）である。
（硬化剤）
　硬化剤としては、アミン系硬化剤、フェノール硬化剤、酸無水物等のエポキシ樹脂の硬化剤として一般に使用されているものを特に制限なく用いることができる。ワイヤ流れ抑制の観点からは、液状の硬化剤を用いることが好ましい。耐温度サイクル性及び耐湿性等に優れ、半導体パッケージの信頼性を向上できるという観点からは、硬化剤は芳香族アミン化合物であることが好ましく、液状の芳香族アミン化合物であることがより好ましい。硬化剤は、１種を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　液状の芳香族アミン化合物としては、ジエチルトルエンジアミン、１－メチル－３，５－ジエチル－２，４－ジアミノベンゼン、１－メチル－３，５－ジエチル－２，６－ジアミノベンゼン、１，３，５－トリエチル－２，６－ジアミノベンゼン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，５，３’，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ジメチルチオトルエンジアミンなどが挙げられる。
　液状の芳香族アミン化合物は、市販品としても入手可能である。例えば、ＪＥＲキュアＷ（三菱ケミカル株式会社製、商品名）、カヤハードＡ－Ａ、カヤハードＡ－Ｂ、カヤハードＡ－Ｓ（日本化薬株式会社製、商品名）、トートアミンＨＭ－２０５（新日鉄住金化学株式会社、商品名）、アデカハードナーＥＨ－１０１（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商品名）、エポミックＱ－６４０、エポミックＱ－６４３（三井化学株式会社製、商品名）、ＤＥＴＤＡ８０（Ｌｏｎｚａ社製、商品名）等が入手可能である。
　液状の芳香族アミン化合物の中でも、液状封止材の保存安定性の観点から、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ジエチルトルエンジアミンおよびジメチルチオトルエンジアミンが好ましい。これらのいずれか又はこれらの混合物を硬化剤の主成分とすることが好ましい。ジエチルトルエンジアミンとしては、３，５－ジエチルトルエン－２，４－ジアミン及び３，５－ジエチルトルエン－２，６－ジアミンが挙げられ、これらを単独で用いても組み合わせて用いてもよいが、３，５－ジエチルトルエン－２，４－ジアミンの割合をジエチルトルエンジアミン全体の６０質量％以上とすることが好ましい。
　液状封止材における硬化剤の量は特に制限されず、エポキシ樹脂との当量比等を考慮して選択できる。エポキシ樹脂又は硬化剤の未反応分を少なく抑える観点からは、硬化剤の量は、エポキシ樹脂のエポキシ基の当量数に対する硬化剤の官能基の当量数（例えば、アミン系硬化剤の場合は活性水素の当量数）の比が０．７～１．６の範囲となる量であることが好ましく、０．８～１．４の範囲となる量であることがより好ましく、０．９～１．２の範囲となる量であることがさらに好ましい。
＜無機充填材＞
　液状封止材に含まれる無機充填材の種類は、特に制限されない。例えば、シリカ、炭酸カルシウム、クレー、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミ、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填材を用いてもよく、このような無機充填材としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。無機充填材は、１種を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　無機充填材の中でも、入手のし易さ、化学的安定性、材料コストの観点からは、シリカが好ましい。シリカとしては球状シリカ、結晶シリカ等が挙げられ、液状封止材の微細間隙への流動性及び浸透性の観点からは、球状シリカが好ましい。球状シリカとしては、爆燃法によって得られるシリカ、溶融シリカ等が挙げられる。
　無機充填材は、表面が表面処理されていてもよい。例えば、後述するカップリング剤を用いて表面処理されていてもよい。
　無機充填材の体積平均粒子径は、０．１μｍ～３０μｍであることが好ましく、０．３μｍ～５μｍであることがより好ましく、０．５μｍ～３μｍであることがさらに好ましい。特に球形シリカの場合、体積平均粒子径が上記範囲内であることが好ましい。体積平均粒子径が０．１μｍ以上であると、液状封止材における分散性に優れ、流動性に優れる傾向にある。体積平均粒子径が３０μｍ以下であると、液状封止材中での無機充填材の沈降が低減され、液状封止材の微細間隙への浸透性及び流動性が向上してボイド及び未充填の発生が抑制される傾向にある。
　無機充填材の体積平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて得られる体積基準の粒度分布において小径側からの累積が５０％となるときの粒子径（Ｄ５０％）を意味する。
　無機充填材の最大粒子径は、７５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
　本開示において無機充填材の最大粒子径は、体積基準の粒度分布において小径側からの累積が９９％となるときの粒子径（Ｄ９９％）を意味する。
　無機充填材の含有量は、液状封止材の全質量を基準として５０質量％以上であることが好ましい。無機充填材の含有量が、液状封止材の全質量を基準として５０質量％以上であると、ワイヤ周辺の放熱性と強度とを充分に確保できる傾向にある。無機充填材の含有量は、液状封止材の全質量を基準として６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。
　液状封止材の粘度上昇を抑制する観点からは、無機充填材の含有量は、液状封止材の全質量を基準として８０質量％以下であることが好ましい。
＜溶剤＞
　液状封止材は、溶剤を含有してもよい。溶剤を含むことで、液状封止材の粘度を所望の範囲に調節することができる。溶剤は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
　溶剤の種類は特に制限されず、半導体装置の実装技術に用いられる樹脂組成物に一般に使用されるものから選択できる。具体的には、
　ブチルカルビトールアセテート、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール系溶剤、
　アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤、
　エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル系溶剤、
　γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン、ε－カプロラクトン等のラクトン系溶剤、
　ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤、及び
　トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤
などが挙げられる。
　液状封止材を硬化する際の急激な揮発による気泡形成を避ける観点から、沸点の高い（例えば、常圧での沸点が１７０℃以上である）溶剤を用いることが好ましい。
　液状封止材が溶剤を含む場合、その量は特に制限されないが、液状封止材全体の１質量％～７０質量％であることが好ましい。
＜硬化促進剤＞
　液状封止材は、必要に応じてエポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進する硬化促進剤を含有してもよい。
　硬化促進剤は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。例えば、
　１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］ノネン、５，６－ジブチルアミノ－１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７等のシクロアミジン化合物、
　トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン化合物、
　２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジルー２－フェニルイミダゾール、１－ベンジルー２－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－（２’－メチルイミダゾリル－（１’））－エチル－ｓ－トリアジン、２－ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物、
　トリアルキルホスフィン（トリブチルホスフィン等）、ジアルキルアリールホスフィン（ジメチルフェニルホスフィン等）、アルキルジアリールホスフィン（メチルジフェニルホスフィン等）、トリフェニルホスフィン、アルキル基置換トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、及び
　これらの有機ホスフィン化合物に、無水マレイン酸、１，４－ベンゾキノン、２，５－トルキノン、１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルベンゾキノン、２，６－ジメチルベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－５－メチル－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－１，４－ベンゾキノン、及びフェニル－１，４－ベンゾキノン等のキノン化合物、並びにジアゾフェニルメタン、及びフェノール樹脂等のπ結合を有する化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物と、これらの誘導体
が挙げられる。
　さらには、２－エチル－４－メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ－メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のフェニルボロン塩が挙げられる。また、潜在性を有する硬化促進剤として、常温固体のアミノ基を有する化合物をコアとして、常温固体のエポキシ化合物のシェルを被覆してなるコア－シェル粒子が挙げられる。硬化促進剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　液状封止材が硬化促進剤を含む場合、その量は特に制限されないが、エポキシ樹脂１００質量部に対して０．１質量部～４０質量部であることが好ましく、１質量部～２０質量部であることがより好ましい。
＜可撓剤＞
　液状封止材は、耐熱衝撃性向上、半導体素子に対する応力低減等の観点から、必要に応じて可撓剤を含有してもよい。
　可撓剤は、特に制限されず、樹脂組成物に一般的に用いられるものから選択できる。中でもゴム粒子が好ましい。ゴム粒子としては、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ニトリル－ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ウレタンゴム（ＵＲ）、アクリルゴム（ＡＲ）等の粒子が挙げられる。これらの中でも耐熱性及び耐湿性の観点からアクリルゴムの粒子が好ましく、コアシェル構造を有するアクリル系重合体の粒子（すなわちコアシェル型アクリルゴム粒子）がより好ましい。
　また、シリコーンゴム粒子も好適に用いることができる。シリコーンゴム粒子としては、直鎖状のポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン等のポリオルガノシロキサンを架橋したシリコーンゴム粒子、シリコーンゴム粒子の表面をシリコーンレジンで被覆したもの、乳化重合等で得られる固形シリコーン粒子のコアとアクリル樹脂等の有機重合体のシェルからなるコア－シェル重合体粒子などが挙げられる。これらのシリコーンゴム粒子の形状は無定形であっても球形であってもよいが、液状封止材の粘度を低く抑えるためには球形のものが好ましい。これらのシリコーンゴム粒子は、例えば、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社、信越化学工業株式会社等から市販品が入手可能である。
＜カップリング剤＞
　液状封止材は、樹脂成分と無機充填材、又は樹脂成分とワイヤとの界面における接着性を高める目的でカップリング剤を含有してもよい。カップリング剤は無機充填材の表面処理に用いても、無機充填材とは別に配合してもよい。
　カップリング剤は特に制限されず、公知のものを用いることができる。例えば、アミノ基（１級、２級又は３級）を有するシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン化合物、チタン化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げられる。カップリング剤は、１種を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　シランカップリング剤として具体的には、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ－（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　チタンカップリング剤として具体的には、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ－アミノエチル－アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げられる。
　液状封止材がカップリング剤を含む場合、その量は特に制限されないが、無機充填材１００質量部に対して１質量部～３０質量部であることが好ましい。
＜イオントラップ剤＞
　液状封止材は、半導体パッケージの耐マイグレーション性、耐湿性、高温放置特性等を向上させる観点から、イオントラップ剤を含有してもよい。イオントラップ剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　イオントラップ剤としては、下記組成式（Ｖ）及び（ＶＩ）で表される陰イオン交換体が挙げられる。
　　Ｍｇ１－ａＡｌａ（ＯＨ）２（ＣＯ３）ａ/２・ｍＨ２Ｏ　・・・（Ｖ）
　　　（０＜ａ≦０．５、ｍは正の数）
　　ＢｉＯａ（ＯＨ）ｂ（ＮＯ３）ｃ　・・・（ＶＩ）
　　　（０．９≦ａ≦１．１、０．６≦ｂ≦０．８、０．２≦ｃ≦０．４）
　上記式（Ｖ）の化合物は、市販品（協和化学工業株式会社製、商品名「ＤＨＴ－４Ａ」）として入手可能である。また、上記式（ＶＩ）の化合物は、市販品（東亞合成株式会社製、商品名「ＩＸＥ５００」）として入手可能である。上記化合物以外の陰イオン交換体もイオントラップ剤として用いることができる。例えば、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン等から選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられる。
　液状封止材がイオントラップ剤を含む場合、その量は特に制限されない。例えば、液状封止材全体の０．１質量％～３．０質量％であることが好ましく、０．３質量％～１．５質量％であることがより好ましい。
　イオントラップ剤が粒子状である場合、その体積平均粒子径（Ｄ５０％）は０．１μｍ～３．０μｍであることが好ましい。また、最大粒子径は１０μｍ以下であることが好ましい。
＜その他成分＞
　液状封止材は、必要に応じて上述した成分以外の成分を含有してもよい。例えば、染料、カーボンブラック等の着色剤、希釈剤、レベリング剤、消泡剤などを必要に応じて配合することができる。
４ｂ．第２の封止層
　第２の封止層４ｂは、絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなり、第１の封止層４ａの形成後に上記絶縁性コート材を塗布することによって形成される。上記第２の封止層４ｂは、ワイヤに対する絶縁保護層として機能する。
　上記絶縁性樹脂コート材は、以下に記載する１以上の特性を有する。
（ｉ）少なくとも成膜後の絶縁破壊電圧が、１５０ｋＶ/ｍｍ以上である。
（ii）平均粒子径０．１～５．０μｍの樹脂フィラーを含有している。
(iii)２５℃における粘度が３０～５００Ｐａ・ｓである。
(iv)２５℃におけるチキソトロピー係数が２．０～１０．０である。
(ｖ)加熱成膜後に絶縁性樹脂成分と樹脂フィラーが均一になり、絶縁性樹脂とフィラーとの界面が生じない。そのため、薄膜でありながらも、高絶縁性を担保できる。
　絶縁性樹脂コート材は、塗布時に塗布対象の半導体デバイスの形状によっては、空間を発生してしまうという懸念がある。例えば、半導体デバイス中のワイヤ上部の保護の場合、ワイヤの端部を塞いでしまうことで、ワイヤ下部に空間を作ってしまい、その後の封止工程で、封止材がうまく侵入しないという懸念もある。半導体デバイス中に空間がある場合は、湿度の影響など、半導体デバイスの信頼性低下に大きく影響するため、通常、半導体デバイス中の空間部分の発生は許容されない。
　このような半導体デバイス中や、ワイヤ部の空間発生を避けるため、先に説明した液状封止材にて、予めワイヤ下部を封止することによって、半導体デバイスにおけるボイドの発生を抑制し、半導体デバイスの信頼性を改善することができる。液状封止材は、ワイヤ下部の空間部分を充填し、半導体の信頼性担保に貢献するだけではなく、ワイヤ自体を保護する効果もある。ワイヤは、デバイス封止工程中の圧力により、倒れてしまう場合もある。しかし、液状封止材で予め封止することにより、ワイヤの倒れも避けることができる。
　一実施形態において、絶縁性樹脂コート材は、成膜後の絶縁破壊電圧が、１５０ｋＶ／ｍｍ以上であり、平均粒子径０．１～５．０μｍの樹脂フィラーを含有しており、２５℃における粘度が３０～５００Ｐａ・ｓであり、かつ、チキソトロピー係数が２．０～１０．０であることが好ましい。
　成膜後の絶縁破壊電圧は、１５０ｋＶ／ｍｍ以上が好ましいが、さらに好ましくは、２００ｋＶ／ｍｍ以上である。一実施形態において、絶縁性樹脂コート材によれば、２００ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を得ることができ、半導体デバイスの薄型化に貢献することができる。
　絶縁性樹脂は、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの高耐熱性樹脂から選択することができる。一実施形態において、絶縁性樹脂コート材は、ポリアミド、ポリアミドイミド、及びポリイミドからなる群から選択される少なくとも１種の絶縁性樹脂を含むことが好ましい。特に、半導体デバイス形成時にイミド化の高温処理が必要ないという点で、ポリアミド、ポリアミドイミドが好ましく、高耐熱性という点でポリアミドイミド樹脂がより好ましい。樹脂については、樹脂封止部材との密着力に優れる高耐熱の樹脂であれば適用することができる。ポリイミドがイミド基形成後でも溶媒に可溶な樹脂構造を有していれば、耐熱性の観点で、ポリイミドが最も好ましい場合もある。
　以下、絶縁性樹脂コート材を構成する成分について説明する。絶縁性樹脂コート材は、第一の極性溶媒（Ａ１）と、第一の極性溶媒（Ａ１）の沸点よりも低い沸点を有する第二の極性溶媒（Ａ２）とを、質量比６：４～９：１で含む混合溶媒と、室温において、第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合溶媒に可溶である絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）と、室温において、第一の極性溶媒（Ａ１）に可溶であり、第二の極性溶媒（Ａ２）に不溶であり、かつ、第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合溶媒に不溶である絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）と、を含む。ここで、本明細書に記載する「室温」とは、２５℃である。
　絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）は、室温において、第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合溶媒に可溶であり、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、室温において第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合溶媒に不溶である。そのため、絶縁性樹脂コート材中、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、第一の極性溶媒（Ａ１）、第二の極性溶媒（Ａ２）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）との混合溶媒に分散し、フィラーとして作用する。これにより、特に、ワイヤ上部の第２の封止層を形成するためにディスペンサー方式で絶縁性樹脂コート材を供給するのに適したチキソトロピー値に容易に調整することができる。さらに、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が溶解する温度まで絶縁性樹脂コート材を加熱すると、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は溶解して、フィラーは消失する。これにより、精密な解像度を付与するとともに、樹脂膜の表面の平坦性を向上させることができる。
　第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）としては、例えば、
　ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のポリエーテルアルコール系溶媒、
　ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、
　ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒、
　酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチロセロソルブアセテート等のエステル系溶媒、
　メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、
　Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等の含窒素系溶媒、
　トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
　γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、γ－カプロラクトン、γ－ヘプタラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン等のラクトン系溶媒、
　ブタノール、オクチルアルコール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、及び
　フェノール、クレゾール、キシレノール等のフェノール系溶媒等が挙げられる。
　第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）の組み合わせは、これらの溶媒のうちから、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の種類に応じて適宜選択して使用すればよい。
　第一の極性溶媒（Ａ１）として、好ましくは、
　Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等の含窒素系溶媒、
　ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒、
　γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、γ－カプロラクトン、γ－ヘプタラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン等のラクトン系溶媒、
　メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、及び
　ブタノール、オクチルアルコール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒等が挙げられる。
　後述する絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が、それぞれ独立に、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又は、ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂の前駆体から選ばれる少なくとも一つである場合、第一の極性溶媒（Ａ１）としては特にγ－ブチロラクトンが好ましい。
　第二の極性溶媒（Ａ２）として、好ましくは、
　ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、
　ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のポリエーテルアルコール系溶媒、及び
　酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチロセロソルブアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。
　後述する絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が、それぞれ独立に、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又は、ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂の前駆体から選ばれる少なくとも一つである場合、第二の極性溶媒（Ａ２）としてはポリエーテルアルコール系溶媒、又はエステル系溶媒が好ましい。
　絶縁性樹脂コート材の取扱い性を向上させる観点から、絶縁性樹脂コート材は、第一の極性溶媒（Ａ１）の沸点と、第二の極性溶媒（Ａ２）の沸点との差が、１０～１００℃であることが好ましく、１０℃～５０℃であることがより好ましく、１０℃～３０℃であることがさらに好ましい。また、第一の極性溶媒（Ａ１）と、第二の極性溶媒（Ａ２）の双方の沸点は、塗布時の絶縁性樹脂コート材の可使時間を長くできる観点から、１００℃以上であることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましい。
　絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、それぞれ独立に、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又は、ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂の前駆体から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又は、ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂の前駆体としては、例えば、芳香族、脂肪族、又は脂環式ジアミン化合物と、カルボキシル基を２～４つ有する多価カルボン酸との反応により得られるものが挙げられる。ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂の前駆体とは、脱水閉環してポリイミド樹脂、又はポリアミドイミド樹脂を形成する、脱水閉環直前の物質であるポリアミック酸を意味する。なお、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、例えば６０℃以上（好ましくは６０～２００℃、より好ましくは１００～１８０℃）で加熱した場合に、上記混合溶媒に可溶であることが好ましい。
　芳香族、脂肪族、又は脂環式ジアミン化合物としては、アリーレン基、不飽和結合を有していてもよいアルキレン基、又は、不飽和結合を有していてもよいシクロアルキレン基、あるいはこれらを組み合わせた基を有するジアミン化合物が挙げられる。これらの基は、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、又はこれらの原子を組み合わせた基を介して結合していてもよい。また、アルキレン基の炭素骨格に結合する水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。耐熱性及び機械的強度の観点から、芳香族ジアミンが好ましい。
　カルボキシル基を２～４つ有する多価カルボン酸としては、ジカルボン酸又はその反応性酸誘導体、トリカルボン酸又はその反応性酸誘導体、テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。これらの化合物は、アリール基又は、環内に架橋構造や不飽和結合を有していてもよいシクロアルキル基にカルボキシル基が結合したジカルボン酸、トリカルボン酸又は、それらの反応性酸誘導体、あるいは、アリール基又は、環内に架橋構造や不飽和結合を有していてもよいシクロアルキル基にカルボキシル基が結合したテトラカルボン酸二無水物であってもよく、当該ジカルボン酸、トリカルボン酸、又はそれらの反応性酸誘導体、並びに、テトラカルボン酸二無水物が、単結合を介して、あるいは、炭素原子、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、又はこれらの原子を組み合わせた基を介して結合していてもよい。また、アルキレン基の炭素骨格に結合する水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。これらの化合物のうち、耐熱性及び機械的強度の観点から、テトラカルボン酸二無水物が好ましい。芳香族、脂肪族、又は脂環式ジアミン化合物と、カルボキシル基を２～４つ有する多価カルボン酸との組み合わせは、反応性等に応じて適宜選択することができる。
　反応は、溶媒を使用せずに、又は、有機溶媒の存在下で行うことができる。反応温度は、２５℃～２５０℃とすることが好ましく、反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件などにより適宜選択することができる。
　ポリイミド樹脂前駆体又はポリアミドイミド樹脂前駆体を脱水閉環してポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂とする方法も特に制限はなく、一般的な方法を使用することができる。例えば、常圧又は減圧下において加熱によって脱水閉環する熱閉環法、触媒の存在下又は非存在下、無水酢酸等の脱水剤を使用する化学閉環法等を使用することができる。
　熱閉環法は、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。このとき８０～４００℃、好ましくは１００～２５０℃に反応液を加熱することにより行う。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等のような水と共沸するような溶剤を併用し、水を共沸除去してもよい。
　化学閉環法は、化学的脱水剤の存在下、０～１２０℃、好ましくは１０～８０℃で反応させることが好ましい。化学的脱水剤としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき、ピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の環化反応を促進する物質を併用することが好ましい。化学的脱水剤はジアミン化合物の総量に対して９０～６００モル％、環化反応を促進する物質はジアミン化合物の総量に対して４０～３００モル％使用される。また、トリフェニルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、トリフェニルホスフェート、リン酸、五酸化リン等のリン化合物、ホウ酸、無水ホウ酸等のホウ素化合物等の脱水触媒を用いてもよい。
　脱水反応によりイミド化を終了した反応液を、大過剰の、上記の第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）に対して相溶性を有し、かつ、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び（Ｃ）に対して貧溶媒であるメタノール等の低級アルコール、水、又はこれらの混合物等の溶媒に注ぎ、樹脂の沈殿物を得て、これをろ別し、溶媒を乾燥することによって、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂を得ることができる。残存するイオン性不純物の低減化等の観点から、熱閉環法が好ましい。
　絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の種類に応じて、好適な第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）の種類を決めることができる。第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）の好適な組み合わせ（混合溶媒）としては、例えば、下記（ａ）、（ｂ）の二種類が挙げられる。
　（ａ）第一の極性溶媒（Ａ１）：Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等の上記含窒素系溶媒；ジメチルスルホキシド等の上記含硫黄系溶媒；γ－ブチロラクトン等の上記ラクトン系溶媒；キシレノール等の上記フェノール系溶媒と、
　第二の極性溶媒（Ａ２）：ジエチレングリコールジメチルエーテル等の上記エーテル系溶媒；シクロヘキサノン等の上記ケトン系溶媒；ブチルセロソルブアセテート等の上記エステル系溶媒；ブタノール等の上記アルコール系溶媒；キシレン等の上記芳香族炭化水素系溶媒との組み合わせ。
　（ｂ）第一の極性溶媒（Ａ１）：テトラエチレングリコールジメチルエーテル等の上記エーテル系溶媒；シクロヘキサノン等の上記ケトン系溶媒と、
　第二の極性溶媒（Ａ２）：ブチルセロソルブアセテート、酢酸エチル等の上記エステル系溶媒；ブタノール等の上記アルコール系溶媒、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等の上記ポリエーテルアルコール系溶媒；キシレン等の上記芳香族炭化水素系溶媒との組み合わせ。
　（ａ）型の混合溶媒に適用される絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）としては、例えば、以下のものが挙げられる。絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）としては、例えば、下記式（１）～（１０）で表わされる構造単位を有する樹脂が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　式（１）中、Ｘは、－ＣＨ２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＳＯ２－、又は、下記式（ａ）～（ｉ）で表される基であり、式（ｉ）中、ｐは、１～１００の整数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　式（２）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ水素原子又は炭素数１～６の炭化水素基であり、互いに同じでも異なっていてもよい。Ｘは、式（１）のＸと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　式（３）中、Ｍは、下記式（ｃ）、（ｈ）、（ｉ）又は（ｊ）で表される基であり、式（ｉ）中、ｐは、１～１００の整数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　式（４）中、Ｘは、式（１）のＸと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 　式（５）中、Ｘは、式（１）のＸと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　式（６）中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、又はフェニル基であり、互いに同じでも異なっていてもよく、Ｘは、式（１）のＸと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　式（８）中、ｘ１は、０又は２であり、Ｘは、式（１）のＸと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）としては、例えば、下記式（１１）～（２０）で表わされる構造単位を有する樹脂が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 　式（１１）中、Ｙは、下記式（ａ）、（ｃ）又は（ｈ）で表される基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 　式（１２）中、Ｙは、式（１１）のＹと同じである。なお、＊の部分は、互いに結合している（以下、同様）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 　式（１４）中、Ｚは、－ＣＨ２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＳＯ２－、又は、下記式（ａ）あるいは（ｄ）で表される基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 　式（１６）中、Ｚは、式（１４）のＺと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　式（２０）中、Ｘは、式（１）のＸと同じであり、ｎ及びｍはそれぞれ独立に１以上の整数を示す。ｎとｍの比（ｎ／ｍ）は、８０／２０～３０／７０であることが好ましく、７０／３０～５０／５０であることがより好ましい。
　上記組み合わせの中でも、第一の極性溶媒（Ａ１）としてラクトン系溶媒、又は、含窒素系溶媒を、第二の極性溶媒（Ａ２）としてエーテル系溶媒、又は、エステル系溶媒を用い、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）として式（１）で表される樹脂を、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）として式（２０）、又は、式（１６）で表される構造単位を有する樹脂を用いることが好ましい。
　（ｂ）型の混合溶媒に適用される絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）としては、例えば、以下のものが挙げられる。
　絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）としては、例えば、下記式（２１）及び（２２）で表わされる構造単位を有する樹脂、又は、上記式（６）で表わされる構造単位を有するポリシロキサンイミドが用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　式（２２）中、Ｚ１は、－Ｏ－、－ＣＯ－、又は、下記式（ｄ）、（ｅ）、（ｋ）若しくは（ｌ）で表される基である。Ｒ５及びＲ６は、それぞれ下記式（ｍ）又は（ｎ）で表される基であり、互いに同じでも異なっていてもよい。ｐは、１～１００の整数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）としては、例えば、上記式（１）のＸが、下記式（ａ）、（ｂ）又は（ｉ）で表される基である場合の構造単位を有するポリエーテルアミドイミド、又は、上記式（５）～（９）で表わされるポリイミド（但し、上記式（５）、（６）、（８）中のＸが、下記式（ａ）である場合を除く。）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 　式（ｉ）中、ｐは、１～１００の整数である。
　絶縁性樹脂コート材を調整する際の原料の投入順序は特に制限されない。例えば、上記絶縁性樹脂コート材の原料をまとめて混合してもよく、また、最初に、第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）を混合し、当該混合溶液に絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）を混合し、その後、第一の極性溶媒（Ａ１）、第二の極性溶媒（Ａ２）、及び絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）の混合溶液に対して絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）を添加してもよい。
　上記絶縁性樹脂コート材の原料混合物は、第一の極性溶媒（Ａ１）、第二の極性溶媒（Ａ２）、及び絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）の混合溶液に、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が十分に溶解する温度まで加熱し、攪拌等しながら十分に混合するとよい。
　上述のようにして得られた絶縁性樹脂コート材は、室温において、第一の極性溶媒（Ａ１）、第二の極性溶媒（Ａ２）及び、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）を含む溶液中に絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が分散している。すなわち、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）が絶縁性樹脂コート材中においてフィラーとして存在することとなり、絶縁性樹脂コート材に対して、ワイヤ上部への供給時に好適なチキソトロピー性を付与することができる。
　絶縁性樹脂コート材中に分散された絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、平均粒子径が５０μｍ以下の粒子状であってもよく、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．１～５μｍである。また、最大粒子径は、好ましくは１０μｍ、より好ましくは５μｍである。当該絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の平均粒子径及び最大粒子径は、株式会社島津製作所製の粒度分布測定装置ＳＡＬＤ－２２００を用いることにより測定することができる。
　第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合比率は、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の種類、第一の極性溶媒（Ａ１）及び第二の極性溶媒（Ａ２）に対する溶解度又は使用量などに依存するが、絶縁性樹脂コート材の流動性、樹脂膜の解像度、形状保持性、及び、表面の平坦性を高度にバランスする観点から、混合比率（Ａ１：Ａ２）は、６：４～９：１であり、６．５：３．５～８．５：１．５であることがより好ましく、７：３～８：２であることが特に好ましい。
　絶縁性樹脂コート材においては、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の樹脂総量１００質量部に対して、第一の極性溶媒（Ａ１）と第二の極性溶媒（Ａ２）との混合溶媒を、１００～３５００質量部配合することが好ましく、１５０～１０００質量部配合することがより好ましい。
　絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）と絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の配合比は特に制限されず、任意の配合量でよいが、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）は、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）の総量１００質量部に対して、１０～３００質量部配合することが好ましく、１０～２００質量部であればより好ましい。絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の使用量が１０質量部より少ないと、得られる耐熱性絶縁性樹脂コート材のチキソトロピー性が低下する傾向があり、３００質量部より多いと得られる樹脂膜の物性が低下する傾向がある。
　絶縁性樹脂コート材は、形状保持性の観点から、２５℃における粘度が３０～５００Ｐａ・ｓであり、好ましくは５０～４００であり、より好ましくは７０～３００である。２５℃での粘度が３０Ｐａ・ｓ以下であると印刷時に形状を保持することが困難となりやすい。また、粘度が５００Ｐａ・ｓ以上であると、作業性が低下しやすい傾向がある。粘度は、絶縁性樹脂コート材の不揮発分濃度（以下ＮＶとする）、第一の極性溶媒（Ａ１）、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）又は、絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の分子量を調整すること等によって制御できる。例えば、絶縁耐熱性樹脂（Ｂ）及び絶縁耐熱性樹脂（Ｃ）の分子量を、ゲル浸透クロマトグラフィーを使用して標準ポリスチレン換算で測定した重量平均分子量が、１００００～１０００００、好ましくは２００００～８００００、特に好ましくは３００００～６００００となるようにすればよい。
　絶縁性樹脂コート材は、チキソトロピー係数が２．０～１０．０であり、好ましくは２．０～６．０であり、より好ましくは２．５～５．５であり、さらに好ましくは３．０～５．０である。チキソトロピー係数が２．０未満では印刷性が低下し、６．０を超えると作業性が低下し、絶縁性樹脂コート材を作製するのが困難となる。
５．樹脂封止部材
　樹脂封止部材は、少なくとも上記第２の封止層を覆うように設けられる。樹脂封止部材は、半導体素子と上記第２の封止層の上面を覆うように基板全面に設けられることが好ましい。ワイヤは既に封止されているため、樹脂封止部材の形成時にワイヤ流れ等の問題の発生を考慮する必要がない。樹脂封止部材は、特に限定されず、当技術分野で周知の材料を用いて構成することができる。
　樹脂封止部材を形成する材料として、例えば、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含む硬化性組成物が挙げられる。フェノール樹脂は、エポキシ樹脂に対する硬化剤として使用される。
　エポキシ樹脂の具体例として、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型（ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡ型等）エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、フェノール樹脂の具体例として、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、共重合フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニレンアラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。これらのそれぞれ１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
＜半導体デバイスの製造方法＞
　図３は、半導体デバイスの製造方法を説明する概略断面図であり、（ａ）～（ｄ）は各工程に対応する。一実施形態において、上記製造方法は、少なくとも以下の工程（ａ）～（ｃ）を含み、さらに工程（ｄ）を含むことが好ましい。
　工程（ａ）：図３（ａ）に示すように、基板１と、基板１上に配置された半導体素子２とをワイヤ３によって電気的に接続する。「電気的に接続する」とは、通常、基板１及び半導体素子２にはそれぞれ電極（不図示）が設けられており、ワイヤによってそれぞれの電極を接続することを意味する。ワイヤによる接続は、ワイヤボンディング装置を使用して実施することができる。一実施形態において、基板の表面からワイヤの頂点３ａまでの高さ（図中、参照符号ｈ）は、０．５～１．５ｍｍであってよい。例えば、上記高さは１ｍｍ程度が好ましい。また、ワイヤ径は、金ワイヤの場合、１０μｍ～３０μｍの範囲であってよい。パワー半導体の用途に向けてアルミワイヤを使用する場合、アルミワイヤのワイヤ径は８０～６００μｍの範囲であってよく、高さｈも金ワイヤの場合と比較して高くなる傾向にある。
　工程（ｂ）：図３（ｂ）に示すように、ワイヤの頂点３ａよりも下部の空間に液状封止材を供給する。液状封止材の供給方法は特に限定されず、ディスペンサー方式、注型方式、印刷方式などを適用することができる。一実施形態において、ディスペンサー方式を適用することが好ましい。なかでも、ジェットディスペンサー装置を用いてワイヤの側部から液状封止材を注入する方法が好ましい。ジェットディスペンサー装置を用いてワイヤ下部の空間に液状封止材を注入することによって、上記空間を隙間なく充填することが容易となる。上記空間に供給された液状封止材を硬化させることによって、第１の封止層４ａを形成することができる。液状封止材の硬化は、工程（ｃ）で後述する絶縁性樹脂コート材の供給前に実施しても、又は絶縁性樹脂コート材の供給後に実施してもよい。例えば、液状封止材が熱硬化性である場合、液状封止材の注入後、引き続き、液状封止材を加熱硬化させることが好ましい。加熱硬化時の温度は、使用する液状封止材の種類によって、適宜調整することが可能であるが、代表的に１００～２００℃の範囲が好ましい。
　工程（ｃ）：図３（ｃ）に示すように、第１の封止層４ａの上部にワイヤ３を介して絶縁性樹脂コート材を供給する。工程（ｂ）において液状封止材の硬化を実施しない場合、上記空間に供給された液状封止材の上に絶縁性樹脂コート材を供給する。絶縁性樹脂コート材の供給方法は特に限定されず、ディスペンサー方式、注型方式などを適用することができる。一実施形態において、ディスペンサー方式を適用することが好ましい。絶縁性樹脂コート材は、液状封止材の硬化物からなる第１の封止層の上部に供給されることが好ましい。上記工程（ｂ）に続き、工程（ｃ）を実施することによって、液ダレなどの不具合を生じることなく、ワイヤ上部に絶縁性樹脂コート材がそのまま維持され、乾燥によって、第２の封止層を容易に形成することができる。
　一実施形態において、第２の封止層の膜厚は、絶縁性を確保する観点から５μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。一方、薄型化の観点から、上記膜厚は、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一実施形態において、上記膜厚は、１０～３０μｍの範囲が好ましい。したがって、乾燥後の膜厚が上記範囲内となるように、絶縁性樹脂コート材の供給量を調整することが好ましい。
　工程（ｄ）：図３（ｄ）に示すように、少なくとも第２の封止層４ｂを覆うように樹脂封止部材を形成する。樹脂封止部材は、第２の封止層４ｂを含めて半導体素子及び基板の表面全体を覆うように形成されることが好ましい。本実施形態の製造方法によれば、樹脂封止部材の形成に先立ち、ワイヤが封止されているため、ワイヤ流れなどの不具合を生じることがない。樹脂封止部材の形成手法は特に制限されず、当技術分野で周知の技術を適用することができる。
　一実施形態において、樹脂封止部材の形成は、所定の形状を有する金型内で、先に説明したエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む硬化性組成物を用いてトランスファー成型を行うことによって実施することができる。また、樹脂封止部材の厚さは特に限定されないが、第２の封止層によって絶縁性が確保されているため、薄く設計することもできる。一実施形態において、樹脂封止部材形成後に得られる半導体デバイスの膜厚は、好ましくは１．５ｍｍ以下、より好ましくは１．１ｍｍ以下とすることができる。
　一実施形態において、半導体デバイスの製造方法は、基板と、基板上に配置された半導体素子とをワイヤによって電気的に接続する工程と、上記ワイヤの頂点よりも下部の空間に液状封止材を供給し、次いで液状封止材を硬化させることによって、第１の封止層を形成する工程と、上記第１の封止層の上部に上記ワイヤを介して絶縁性樹脂コート材を供給し、次いで乾燥させることによって、第２の封止層を形成する工程とを有する。他の実施形態において、半導体デバイスの製造方法は、上記実施形態の製造方法において第２の封止層を形成する工程の後に、少なくとも第２の封止層を覆うように樹脂封止部材を形成する工程をさらに有する。
　以下、本発明の実施形態を実施例に沿って説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、種々の変形を加えた実施態様についても含むことは言うまでもない。
１．液状封止材の調製
（調製例１）
　以下に示す材料を配合し、三本ロール及び真空らいかい機にて混練分散して、液状封止材を調製した。
　エポキシ樹脂１：ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）－Ｎ，Ｎ－ビス（２，３－エポキシプロピル）アニリン（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商品名「ＥＰ－３９５０Ｓ」、全塩素量が１５００ｐｐｍ以下）　６０部
　エポキシ樹脂２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名「ＹＤＦ－８１７０Ｃ」）　２０部
　エポキシ樹脂３：１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル（阪本薬品工業株式会社、商品名「ＳＲ－１６ＨＬ」）　２０部
　硬化剤：ジエチルトルエンジアミン（三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲキュアＷ」）　４２部
　イオントラップ剤：ビスマス系イオントラップ剤（東亞合成株式会社製、商品名「ＩＸＥ－５００」）　３部
　溶剤：ブチルカルビトールアセテート　５７部
　無機充填材１：シランカップリング剤で表面処理された球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ５０５０－ＳＥＪ」、体積平均粒子径１．５μｍ）　７０７部
　無機充填材２：シランカップリング剤で表面処理された球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０－ＳＥＪ」、体積平均粒子径０．５μｍ）　２３５部
　上述のように調製した液状封止材について、２５℃、せん断速度１０－１での粘度と、７５℃、せん断速度５ｓ－１での粘度をそれぞれ測定した。また、７５℃、せん断速度５０ｓ－１での粘度を測定し、７５℃でのチキソトロピー係数を求めた。これらの結果を以下に示す。
　　　２５℃粘度：２０（Ｐａ・ｓ）（せん断速度１０ｓ－１）
　　　７５℃粘度：２．０（Ｐａ・ｓ）（せん断速度５ｓ－１）
　　　７５℃でのチキソトロピー係数：１．７（せん断速度５ｓ－１/５０ｓ－１の値）
　なお、２５℃での粘度測定は、Ｅ型粘度計（東京計器株式会社製、VISCONIC EHD型）を用いて実施した。また、７５℃での粘度測定は、レオメータ（ＴＡインスツルメント社の商品名「ＡＲ２０００」）を用いて実施した。
　また、調製した液状封止材の塩素イオン量（ｐｐｍ）を測定した。測定は、イオンクロマトグラフィーにより１２１℃、２０時間の条件で処理し、溶離液として炭酸ナトリウム溶液を用いて測定した。測定の結果、液状封止材における塩素イオン量は１０ｐｐｍであった。
２．絶縁性樹脂コート材の調製
（調製例２）
＜絶縁性樹脂コート材（Ｐ－１）の調製＞
（１）耐熱性樹脂（Ｂ）の合成例
　温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた５リットルの４つ口フラスコに、窒素気流下、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰとする）を６５０．９０ｇ（１．５９モル）、及び１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＢＹ１６－８７１(東レ・ダウコーニング株式会社製)とする）を４３．８０ｇ（０．１８モル）入れ、さらにＮ－メチル－２－ピロリドン（以下、ＮＭＰとする）を３６０９．８６ｇ加えて溶解した。次に、溶液が２０℃を超えないように冷却しながら、無水トリメリット酸クロライド（以下、ＴＡＣとする）を３８４．３６ｇ（１．８３モル）加えた。
　室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながら、トリエチルアミン（以下、ＴＥＡとする）を２１５．９０ｇ（２．１４モル）加えた後、室温で１時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスについて、さらに１８０℃で脱水反応を６時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を、分離、粉砕、及び乾燥して、ポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ－１）を得た。得られたポリアミドイミド樹脂（ＰＡＩ－１）のＭｗは、７７０００であった。
（２）耐熱性樹脂（Ｃ）の合成例
　温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに、窒素気流下、ＢＡＰＰを６９．７２ｇ（１７０．１ミリモル）、及びＢＹ１６－８７１を４．６９ｇ（１８．９ミリモル）入れ、さらにＮＭＰを６９３．５２ｇ加えて溶解した。次に、２０℃を超えないように溶液を冷却しながら、ＴＡＣを２５．０５ｇ（１１９．０ミリモル）、及び３，４，３’，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（以下ＢＴＤＡとする）を２５．４７ｇ（７９．１ミリモル）加えた。
　室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながら、ＴＥＡを１４．４２ｇ（１４２．８ミリモル）加えた後、室温で１時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスについて、さらに１８０℃で脱水反応を６時間行い、ポリイミド樹脂のワニスを製造した。このポリイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を、分離、粉砕、及び乾燥してポリイミド樹脂粉末（ＰＡＩＦ－１）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＡＩＦ－１）のＭｗは、４２０００であった。
（３）絶縁性樹脂コート材の調製
　温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに、窒素気流下、第一の極性溶媒（Ａ１）としてγ－ブチロラクトン（以下、γ－ＢＬとする）を９２．４ｇ、第二の極性溶媒（Ａ２）としてトリエチレングリコールジメチルエーテル（以下、ＤＭＴＧとする）を３９．６ｇ、耐熱性樹脂（Ｂ）として先に合成したポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ－１）を３０．８ｇ、及び耐熱性樹脂（Ｃ）として先に合成したポリイミド樹脂粉末（ＰＡＩＦ－１）を１３．２ｇ加えて、攪拌しながら１８０℃まで昇温した。１８０℃で２時間攪拌後、加熱を停止し、攪拌しながら放冷し、６０℃でγ－ＢＬを１６．８ｇ、及びＤＭＴＧを７．２ｇ加え、１時間攪拌し、冷却後、黄色組成物を得た。ろ過器ＫＳＴ－４７（アドバンテック株式会社製）に充填し、シリコーンゴム製ピストンを挿入し、３．０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧ろ過して絶縁性樹脂コート材（Ｐ－１）を得た。
（調製例３）
＜無機フィラーを含む絶縁性樹脂コート材（Ｐ－２）の調製＞
　調製例２（１）と同様にして、ＰＡＩ－１を得た後、日本アエロジル株式会社製のＡＥＲＯＳＩＬ２００を５ｗｔ％添加して、比較例用の絶縁性樹脂コート材を調製した。
　具体的には、温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに、窒素気流下、第一の極性溶媒（Ａ１）としてγ－ＢＬを９２．４ｇ、第二の極性溶媒（Ａ２）としてトリエチレングリコールジメチルエーテル（以下、ＤＭＴＧとする）を３９．６ｇ、耐熱性樹脂（Ｂ）として先に合成したポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ－１）を３０．８ｇ、及びアエロジル２００を９．８ｇ加え、攪拌しながら１８０℃まで昇温した。１８０℃で２時間攪拌後、加熱を停止し、攪拌しながら放冷し、６０℃でγ－ＢＬを１６．８ｇ、及びＤＭＴＧを７．２ｇ加え、１時間攪拌し、冷却後、黄色組成物を得た。ろ過器ＫＳＴ－４７（アドバンテック株式会社製）に充填し、シリコーンゴム製ピストンを挿入し、３．０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧ろ過して、比較例用の絶縁性樹脂コート材（Ｐ－２）を得た。
３．半導体デバイスの製造
（実施例１）
　ガラスエポキシ基板上に半導体素子を半田にて実装し、基板上に実装された半導体素子と基板とを金ワイヤによって電気的に接続した構造体を準備した。半導体素子の４辺に対し金ワイヤボンディングを４×２０本（合計で８０本）形成した。基板からのワイヤ頂点までの高さは０．９ｍｍであった。
　次に、上記構造体のワイヤの頂点よりも下部の空間に、ジェットディスペンサー装置（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー株式会社製の装置名「Ｓ２－９１０」を用いて、調製例１で得た液状封止材を供給した。次いで、供給した液状封止材を１７５℃で２時間加熱することによって硬化させ、第１の封止層（ワイヤ封止層）を形成した。
　第１の封止層の上に、ワイヤを介して、ディスペンサー装置（株式会社サンエイテック製の装置名「ＳＤＰ５００」）を用いて、調製例２で得た絶縁性樹脂コート材を供給した。次いで、１００℃で３０分、さらに２００℃で１時間の温度条件下で、上記コート材の塗膜を乾燥させることによって、膜厚が１２μｍの第２の封止層（絶縁保護層）を形成した。
（比較例１）
　実施例１と同様にして、基板上に実装された半導体素子が、ワイヤによって電気的に接続した構造体を準備した。次いで、構造体のワイヤ上部のみに、ディスペンサー装置（株式会社サンエイテック製の装置名「ＳＤＰ５００」）を用いて、調製例２で得た絶縁性樹脂コート材を供給した。ワイヤ下部については、ワイヤが妨げになり、絶縁性樹脂コート材をうまく充填することはできなかった。次いで、１００℃で３０分、さらに２００℃で１時間の温度条件下で塗膜を乾燥させることによって封止層（絶縁保護層）を形成した。なお、ワイヤ上部に位置する封止層の乾燥膜厚が実施例１と同じ１２μｍとなるように、絶縁性樹脂コート材の供給量を調整した。
（比較例２）
　実施例１と同様にして、基板上に実装された半導体素子が、ワイヤによって電気的に接続した構造体を準備した。次に、上記構造体のワイヤ下部及び上部に、ジェットディスペンサー装置（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー株式会社製の装置名「Ｓ２－９１０」を用いて、調製例１で得た液状封止材を供給した。次いで、１７５℃で２時間の温度条件下で塗膜を硬化させることによって封止層（ワイヤ封止層）を形成した。なお、ワイヤ上部に位置する封止層の膜厚が実施例１と同じ１２μｍとなるように、液状封止材の供給量を調整した。
（比較例３）
　実施例１と同様にして、基板上に実装された半導体素子のワイヤによって電気的に接続した構造体を準備した。次に、実施例１と同様にして、上記構造体のワイヤ下部に第１の封止層を形成した後に、その第１の封止層の上にワイヤを介して、調製例３で得た無機フィラーを含む絶縁性樹脂コート材を供給した。なお、ワイヤ上部に位置する封止層の乾燥膜厚が実施例１と同じ１２μｍとなるように、無機フィラーを含む絶縁性樹脂コート材の供給量を調整した。
４．半導体デバイスの評価
＜半導体デバイスの信頼性＞
　実施例１及び比較例１～３で得た半導体デバイスについて、ワイヤに対する封止層におけるボイドの有無を超音波顕微鏡測定から判断し、デバイスの信頼性を評価した。
　超音波顕微鏡測定は、ＳＯＮＯＳＣＡＮ社製の装置名「Ｄ９０００」を使用することによって実施した。超音波顕微鏡測定によって半導体デバイス中のボイドの存在が確認できなかった場合、信頼性は良好であると判断した。一方、超音波顕微鏡測定によってボイドの存在が確認できた場合、信頼性は不良であると判断した。結果を表１に示す。
＜絶縁破壊電圧＞
　実施例１及び比較例１～３で得た半導体デバイスについて、ワイヤ上部に形成された封止層の絶縁破壊電圧を評価するために、以下のようにして測定用サンプルを作製した。
　実施例１（比較例１）に対応する測定用サンプル１として、アルミニウム基板上に、調製例２で得た絶縁性樹脂コート材Ｐ－１をアプリケーターで塗布した。次いで、１００℃で３０分、さらに２００℃で１時間にわたってオーブンで加熱することによって、膜厚１０μｍの乾燥塗膜を得た。
　比較例２に対する測定サンプル２として、アルミニウム基板上に、調製例１で得た液状封止材をアプリケーターで塗布した。次いで、１７５℃、２時間の条件で塗膜を加熱硬化させることによって、膜厚１０μｍの硬化膜を得た。
　比較例３に対する測定サンプル３として、アルミニウム基板上に、調製例３で得た無機フィラーを含む絶縁性樹脂コート材Ｐ－２をアプリケーターで塗布した。次いで、１００℃で３０分、さらに２００℃で１時間にわたってオーブンで加熱することによって、膜厚１０μｍの乾燥塗膜を得た。
　上述のようにして作製した測定用サンプル１～３を、それぞれ一対の電極で挟み、絶縁破壊電圧値を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｃ２１１０を参考にして、油中において、昇圧速度を０．５ｋＶ／秒、測定温度を室温、電極形状をφ２０ｍｍの球とする条件下で実施した。結果を表１に示す。
＜ＥＳＤ耐性＞
　実施例１及び比較例１～３で得た半導体デバイスについて、実際にＥＳＤ耐性を測定する代わりに、別途測定した乾燥塗膜（硬化膜）の絶縁破壊電圧の値からＥＳＤ耐性を評価した。例えば、先に作製した測定サンプル１の絶縁破壊電圧は２３０ｋＶ／ｍｍであり、これは２３０Ｖ／μｍと同義である。したがって、成膜によって得た封止層（膜）の膜厚が１０μｍであれば、封止層（膜）は２３００Ｖ（２．３ｋＶ）の絶縁性を有することになる。通常、２ｋＶを超える電圧に対して封止層（膜）が絶縁性を保持できれば、半導体デバイスにおいて充分なＥＳＤ耐性を得ることが可能である。
　一般に、膜厚を大きくすることによって絶縁性を高め、そのことによりＥＳＤ耐性を高めることができる。例えば、１００μｍ以上の膜厚が得られるように材料を塗布した場合、絶縁性を担保することが容易となる。しかし、そもそも１００μｍの膜厚が得られるように絶縁性コート材を均一に塗布することは困難である。また、薄型の半導体デバイスが要求される市場のトレンドに逆行するという点でも好ましくない。したがって、以下のように、２ｋＶを基準値として、膜厚１０μｍの測定サンプル１～３の絶縁破壊電圧の測定値から算出される絶縁性からＥＳＤ耐性を評価した。結果を表１に示す。（ＥＳＤの評価基準）
　良好：絶縁性が２ｋＶ以上である。
　不良：絶縁性が２ｋＶ未満である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
 （注記）
　実施例１及び比較例１の絶縁破壊電圧及びＥＳＤ耐性は、測定サンプル１に対する測定値及び評価結果に対応する。比較例２及び３の絶縁破壊電圧及びＥＳＤ耐性の評価は、測定サンプル２及び３に対する測定値及び評価結果に対応する。
　ＥＳＤ耐性における絶縁性は、膜厚１０μｍの測定サンプル１～３の絶縁破壊電圧の測定値から算出される値である。
　実施例１と比較例１～３との対比から明らかなように、本発明の実施形態（実施例１）によれば、ボイドの発生が抑制され、かつ高い絶縁破壊電圧が得られる。したがって、本発明によれば、絶縁性、ＥＳＤ耐性に優れ、かつ信頼性に優れた薄型の半導体デバイスを提供することが可能となる。
　１　基板
　２　半導体素子
　３　ワイヤ
　３ａ　ワイヤ頂点
　４ａ　第１の封止層
　４ｂ　第２の封止層
　５　樹脂封止部材
　ｈ　基板からのワイヤ高さ

Claims (20)

  1. 　基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、前記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第１の封止層と、前記第１の封止層の上部に前記ワイヤを介して設けられる第２の封止層とを有する半導体デバイスであって、
    　前記第１の封止層が液状封止材の硬化膜からなり、
    　前記第２の封止層が絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜からなる、半導体デバイス。
  2. 　少なくとも前記第２の封止層を覆うように設けられた樹脂封止部材をさらに有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
  3. 　前記絶縁性樹脂コート材の乾燥塗膜の絶縁破壊電圧が、１５０ｋＶ／ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
  4. 　前記絶縁性樹脂コート材が、平均粒子径０．１～５．０μｍの樹脂フィラーを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  5. 　前記絶縁性樹脂コート材の２５℃における粘度が３０～５００Ｐａ・ｓである、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  6. 　前記絶縁性樹脂コート材の２５℃におけるチキソトロピー係数が２．０～１０．０である、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  7. 　前記絶縁性樹脂コート材が、ポリアミド、ポリアミドイミド、及びポリイミドからなる群から選択される少なくとも１種の絶縁性樹脂を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  8. 　前記第２の封止層の膜厚が、１００μｍ以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  9. 　前記第２の封止層の膜厚が、５０μｍ以下である、請求項８に記載の半導体デバイス。
  10. 　前記絶縁性樹脂のＴｇが１５０℃以上である、請求項７～９のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  11. 　前記液状封止材が、熱硬化性樹脂成分と、無機充填剤とを含み、７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ａとし、７５℃、せん断速度５０ｓ－１の条件で測定される粘度（Ｐａ・ｓ）を粘度Ｂとしたとき、粘度Ａ／粘度Ｂの値として得られる、７５℃でのチキソトロピー係数が０．１～２．５である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  12. 　前記液状封止材における塩素イオン量が１００ｐｐｍ以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  13. 　前記液状封止材における前記無機充填剤の最大粒子径が７５μｍ以下である。請求項１１又は１２のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  14. 　前記液状封止材の７５℃、せん断速度５ｓ－１の条件で測定される粘度が３．０Ｐａ・ｓ以下である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  15. 　前記液状封止材の２５℃、せん断速度１０ｓ－１の条件で測定される粘度が３０Ｐａ・ｓ以下である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  16. 　前記液状封止材の全質量を基準として、前記無機充填剤の含有量が５０質量％以上である、請求項１１～１５のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  17. 　前記液状封止材における前記熱硬化性樹脂成分が、芳香族エポキシ樹脂と、脂肪族エポキシ樹脂とを含む、請求項１１～１６のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  18. 　前記芳香族エポキシ樹脂が、液状のビスフェノール型エポキシ樹脂、及び液状のグリシジルアミン型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含み、前記脂肪族エポキシ樹脂が、線状脂肪族エポキシ樹脂を含む、請求項１７に記載の半導体デバイス。
  19. 　指紋認証センサーに用いられる、請求項１～１８のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
  20. 　基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを電気的に接続するワイヤと、前記ワイヤの頂点よりも下部の空間を封止する第１の封止層と、前記第１の封止層の上部に前記ワイヤを介して設けられる第２の封止層とを有する半導体デバイスの製造方法であって、
    　基板と、基板上に配置された半導体素子とをワイヤによって電気的に接続する工程と、
    　前記ワイヤの頂点よりも下部の空間に液状封止材を供給して第１の封止層を形成する工程と、
    　前記第１の封止層の上部に前記ワイヤを介して絶縁性樹脂コート材を供給して第２の封止層を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。
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