JP2020138994A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化物の反りを抑制でき、かつ、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する密着性に優れる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ａ）成分が、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含む樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む樹脂組成物；上記樹脂組成物の硬化物；上記樹脂組成物を含む樹脂シート；上記硬化物を含む回路基板；上記硬化物を含む半導体チップパッケージ；及び上記半導体チップパッケージを備える半導体装置に関する。

近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体チップパッケージ用絶縁材料も更なる高機能化が求められている。このような絶縁層は、樹脂組成物を硬化して形成されるもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１７−００８３１２号公報

とりわけ近年、より小型の半導体チップパッケージが求められていることから、半導体チップパッケージに用いる絶縁層や封止材、シリコンチップ自身も厚みを薄くすることが求められる。このため、厚みが薄くても、反りの抑制が可能な絶縁層の開発が望まれている。

しかしながら、薄膜においては樹脂成分の絶対量の減少により、密着強度の維持が困難になることがあり、特にこのような用途に利用される樹脂材料においては、薄膜の垂直方向への加重に対する密着強度が重要視されている。

本発明の課題は、得られる硬化物の反りを抑制でき、かつ、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する密着性に優れる樹脂組成物を提供することにある。

本発明の課題を達成すべく、本発明者らは鋭意検討した結果、樹脂組成物に（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂及び（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体を含有させることにより、硬化物の反りを抑制でき、さらには、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する優れた密着性が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ａ）成分が、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含む樹脂組成物。
［２］ （Ａ−１）成分が、２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂である、上記［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ａ−１）成分の含有量が、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％としたとき、２０質量％以上８０質量％以下である、上記［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．５質量％以上２０質量％以下である、上記［１］〜［３］の何れかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｃ）成分が、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択される硬化剤である、上記［１］〜［４］の何れかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の全ての不揮発成分を１００質量％としたとき、７０質量％以上である、上記［１］〜［５］の何れかに記載の樹脂組成物。
［７］ 半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための上記［１］〜［６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［８］ 回路基板の絶縁層を形成するための上記［１］〜［６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［９］ 半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための上記［１］〜［６］の何れかに記載の樹脂組成物。
［１０］ 上記［１］〜［９］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物。
［１１］ 支持体と、上記支持体上に設けられた上記［１］〜［９］の何れかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１２］ 上記［１］〜［９］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。
［１３］ 上記［１２］に記載の回路基板と、当該回路基板に搭載された半導体チップと、を含む半導体チップパッケージ。
［１４］ 半導体チップと、当該半導体チップを封止する上記［１］〜［９］の何れかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。
［１５］ 上記［１３］又は［１４］に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。

本発明によれば、硬化物の反りを抑制でき、かつ、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する密着性に優れる樹脂組成物；上記樹脂組成物の硬化物；上記樹脂組成物を含む樹脂シート；上記硬化物を含む回路基板；上記硬化物を含む半導体チップパッケージ；及び上記半導体チップパッケージを備える半導体装置を提供することができる。

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施され得る。

＜樹脂組成物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材を含有する。（Ａ）成分は、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含む。

このような樹脂組成物を用いることにより、硬化物の反りを抑制でき、かつ、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する優れた密着性を達成できる。

本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材の他に、さらに任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、（Ｅ）有機溶剤、及び（Ｆ）その他の添加剤が挙げられる。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含む。

（Ａ）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、さらに好ましくは３０質量％以上、特に好ましくは３５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９２質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下、特に好ましくは８８質量％以下である。

＜（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂＞
（Ａ）成分は、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含む。（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂とは、少なくとも１個のグリシジルアミノ基及び／又はジグリシジルアミノ基を有するエポキシ樹脂をいう。グリシジルアミノ基には、１個のエポキシ基が、ジグリシジルアミノ基には、２個のエポキシ基が含まれる。（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を用いることにより、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）を高めて耐熱性を向上させ、硬化物の機械的強度を向上させ、耐湿性を向上させることができる。

（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、耐熱性に優れた硬化物を得る観点から、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する２官能以上のグリシジルアミン型エポキシ樹脂であることが好ましく、１分子中に２個又は３個のエポキシ基を有する２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂であることがより好ましい。ここで、エポキシ基は、グリシジルアミノ基及びジグリシジルアミノ基由来のものに限られず、グリシジルオキシ基由来のもの等も含み得る。グリシジルアミン型エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合、２官能以上のグリシジルアミン型エポキシ樹脂の割合は、硬化物の耐熱性を高める観点から、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。

（Ａ−１）成分は、耐熱性をより向上させ、線熱膨張係数をより低くする観点から、分子内に１個以上の芳香環を有することが好ましい。本明細書中、芳香環とは、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族炭素環、又はピリジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環などの芳香族複素環をいう。分子内に２個以上の芳香環を有する場合、芳香環同士は、直接結合され或いは酸素原子、アルキレン基、それらの組み合わせ等を介して結合され得る。

本明細書中、アルキレン基とは、直鎖又は分枝鎖の２価の脂肪族飽和炭化水素基をいう。炭素原子数１〜１０のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキレン基がより好ましい。アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、１，１−ジメチルエチレン基等が挙げられ、これらの結合位置は特に限定されない。

（Ａ−１）成分において、グリシジルアミノ基及びジグリシジルアミノ基は芳香環に直接結合し得る。芳香環は、グリシジルアミノ基及びジグリシジルアミノ基に加えて、さらに他の置換基を有していてもよい。ここで、他の置換基としては、例えば、１価のエポキシ含有基、１価の炭化水素基等が挙げられる。１価のエポキシ含有基としては、グリシジルオキシ基等が挙げられる。１価の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アリール基等が挙げられる。

本明細書中、アルキル基とは、直鎖又は分枝鎖の１価の脂肪族飽和炭化水素基をいう。炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基がより好ましい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−エチルプロピル基等が挙げられる。

本明細書中、アリール基とは、１価の芳香族炭化水素基をいう。炭素原子数６〜１４のアリール基が好ましく、炭素原子数６〜１０のアリール基がより好ましい。アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニリル基、２−アンスリル基等が挙げられる。

（Ａ−１）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の所望の効果を顕著に得る観点から好ましい（Ａ−１）成分の例としては、下記式（Ａ−１）で表されるものが挙げられる。

式（Ａ−１）において、ｎは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。中でも、ｎは、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、１が特に好ましい。式（Ａ−１）において、ｍは、１〜３の整数を表す。中でも、ｍは、１又は２が好ましく、１がさらに好ましい。

式（Ａ−１）において、Ｒ^１１は、それぞれ独立に、グリシジルオキシ基等の１価のエポキシ含有基、及びアルキル基、アリール基等の１価の炭化水素基を表す。Ｒ^１１がグリシジルオキシ基である場合、そのＲ^１１は、窒素原子とベンゼン環との結合部位を基準としてパラ位に結合していることが好ましい。また、Ｒ^１１がアルキル基である場合、そのＲ^１１は、窒素原子とベンゼン環との結合部位を基準として、オルト位に結合していることが好ましい。

式（Ａ−１）において、Ｒ^１２は、水素原子、又は１〜３価の炭化水素基を表す。２価の炭化水素基としては、アルキレン基、アリーレン基等が挙げられる。ｍが１である場合、本発明の所望の効果を得る観点から、Ｒ^１２としては、アルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。また、ｍが２である場合、本発明の所望の効果を得る観点から、Ｒ^１２としては、アルキレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。

本明細書中、アリーレン基とは、２価の芳香族炭化水素基をいう。炭素原子数６〜１４のアリーレン基が好ましく、炭素原子数６〜１０のアリーレン基がより好ましい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等が挙げられ、これらの結合位置は特に限定されない。

（Ａ−１）成分の具体例としては、三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（下記式（Ａ−２）の通り）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（下記式（Ａ−３）の通り）、「ＥＰ３９５０Ｓ」、「ＥＰ３９５０Ｌ」、住友化学社製の「ＥＬＭ−１００」、「ＥＬＭ−１００Ｈ」、「ＥＬＭ−４３４」、「ＥＬＭ−４３４Ｌ」などが挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００ｇ／ｅｑ、より好ましくは５０〜３０００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは６０〜２０００ｇ／ｅｑ、特に好ましくは７０〜１０００ｇ／ｅｑである。グリシジルアミン型エポキシ樹脂のエポキシ当量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層を得ることができる。

（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１００〜５０００であり、より好ましくは２５０〜３０００であり、さらに好ましくは４００〜１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

（Ａ−１）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、特に好ましくは２５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下、特に好ましくは７５質量％以下である。

（Ａ）成分合計量に対する（Ａ−１）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ａ）成分を１００質量％とした場合、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、さらに好ましくは３０質量％以上、特に好ましくは４０質量％以上である。その上限は、特に限定されるものではなく、例えば、１００質量％以下、９０質量％以下、８０質量％以下、７０質量％以下などとし得る。

＜（Ａ−１）成分以外の任意のエポキシ樹脂＞
（Ａ）エポキシ樹脂は、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂に加えて、さらにその他の任意の硬化剤を含んでいてもよい。その他の任意の硬化剤としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。その他の任意のエポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、その他の任意のエポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、その他の任意のエポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。一実施形態では、その他の任意のエポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を含む。一実施形態では、その他の任意のエポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂を含む。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とは、組み合わせて用いてもよい。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ（ＣＥＬ２０２１Ｐ）」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ−３６００」、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

その他の任意のエポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する質量比（液状エポキシ樹脂／固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１以上、より好ましくは１０以上、特に好ましくは５０以上である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。

その他の任意のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、樹脂シートの硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。

その他の任意のエポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは１００〜３０００、さらに好ましくは１００〜１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

その他の任意のエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。その下限は、特に限定されるものではなく、例えば、０質量％以上、１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上等とし得る。

＜（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体を含む。ここで、液状の判定は、危険物の試験及び性状に関する省令（平成元年自治省令第１号）の別紙第２の「液状の確認方法」に準じて行うことができる。なお、用語「（メタ）アクリル重合体」には、アクリル酸重合体及びメタクリル酸重合体の両方の概念が含まれる。用語「（メタ）アクリル酸エステル」、「（メタ）アクリルアミド」も同様である。（Ｂ）成分は、樹脂組成物の硬化物中において、応力を緩和させる作用を発揮できる。

（メタ）アクリル重合体とは、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーを含むモノマー成分を重合してなる重合体を意味する。（メタ）アクリル重合体には、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーに加えて、（メタ）アクリルアミド系モノマー、スチレン系モノマー、官能基含有モノマー等が共重合成分として含まれていてもよい。

（メタ）アクリル酸エステル系モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸ステアリル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデシル等の脂肪族（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェノキシエチル、（メタ）アクリル酸フェノキシプロピル等の芳香族系（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸２−メトキシエチル、（メタ）アクリル酸２−エトキシエチル、（メタ）アクリル酸３−メトキシブチル、（メタ）アクリル酸２−ブトキシエチル等のアルコキシ系（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸クロロエチル、（メタ）アクリル酸トリフルオロエチル等のハロゲン化（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。

（メタ）アクリルアミド系モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（ｎ−ブトキシアルキル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。スチレン系モノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等が挙げられる。

官能基含有モノマーとしては、例えば、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシル基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー等が挙げられる。

ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸５−ヒドロキシペンチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸（４−ヒドロキシメチル）シクロへキシルメチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル、（メタ）アクリル酸２，２−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。

カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、ケイ皮酸等が挙げられる。アミノ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチル等が挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル等が挙げられる。

さらに（メタ）アクリル重合体は、アルコキシシリル基を含有するものであってもよい。アルコキシシリル基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリイソプロポキシシリル基、トリフェノキシシリル基等のトリアルコキシシリル基；ジメトキシメチルシリル基、ジエトキシメチルシリル基等のジアルコキシシリル基；メトキシジメチルシリル基、エトキシジメチルシリル基等のモノアルコキシシリル基を挙げることができる。これらのアルコキシシリル基は単独または２種以上含有していてもよい。

（Ｂ）成分の具体例としては、東亜合成社製の「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０２０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０２１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０６１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１０８０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１１１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１１７０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１１９０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ−１５００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ−２０００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ−２０４１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ−２１９０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨＥ−２０１２」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３５１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＧ−４０１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＳ−６１００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＳ−６１７０」などが挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、２０℃以下であり、０℃以下が好ましく、−２０℃以下がより好ましく、−４０℃以下がさらに好ましく、−５０℃以下が特に好ましい。

（Ｂ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１００〜２０，０００、より好ましくは２００〜１０，０００、さらに好ましくは５００〜５，０００、特に好ましくは１，０００〜４，０００である。

（Ｂ）成分の２５℃での粘度は、好ましくは２０，０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１０，０００ｍＰａ・ｓ以下、さらに好ましくは５，０００ｍＰａ・ｓ以下である。下限としては、特に限定されないが、例えば、１００ｍＰａ・ｓ以上、２００ｍＰａ・ｓ以上、３００ｍＰａ・ｓ以上であり得る。

（Ｂ）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上、特に好ましくは２質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。

＜（Ｃ）硬化剤＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）硬化剤を含有する。（Ｃ）硬化剤は、（Ａ）成分を硬化する機能を有する。

（Ｃ）硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、リン系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、グアニジン系硬化剤、金属系硬化剤等が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明の樹脂組成物の（Ｃ）硬化剤は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択されるものが好ましい。また、一実施形態において、（Ｃ）硬化剤は、活性エステル系硬化剤を含んでいることが好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、被着体に対する密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤又はトリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂が好ましい。フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ−８０００Ｈ」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」、ＤＩＣ社製の「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＬＡ−１３５６」、「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ−２０９０−６０Ｍ」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ−１００」、「ＭＨ−７００」等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」などが挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート））、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

リン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。

アミン系硬化剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等の脂肪族アミン系硬化剤；ベンジジン、ｏ−トリジン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４、４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ−１００」）、４、４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤハードＡ−Ａ」）、４、４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ−２００Ｓ」）、４、４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ−３００Ｓ」）、４、４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ネオペンタン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチル−エチリデン）］ビスアニリン（市販品としては三井化学製の「ビスアニリンＭ」）、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチル−エチリデン）］ビスアニリン（市販品としては三井化学製の「ビスアニリンＰ」）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（市販品としては和歌山精化製の「ＢＡＰＰ」）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル等の芳香族アミン系硬化剤が挙げられる。

イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。

イミダゾール系硬化剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。

グアニジン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。

金属系硬化剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

硬化剤を含む場合、エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５がより好ましく、１：０．４〜１：１．２がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、得られる硬化物の耐熱性がより向上する。

（Ｃ）成分の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６５質量％以下、さらに好ましくは６０質量％以下、特に好ましくは５５質量％以下である。

＜（Ｄ）無機充填材＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｄ）無機充填材を含有する。

（Ｄ）無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられ、シリカ及びアルミナが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球形シリカが好ましい。（Ｄ）無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

（Ｄ）無機充填材の市販品としては、例えば、電化化学工業社製の「ＵＦＰ−３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０−０５」、「ＳＰ５０７−０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；デンカ社製の「ＵＦＰ−３０」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」；などが挙げられる。

（Ｄ）無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、フローマークの発生を抑制する観点から、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下、さらにより好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。無機充填材の平均粒径の下限は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出した。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ−９６０」等が挙げられる。

（Ｄ）無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材１００質量％は、０．２質量％〜５質量％の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量％〜３質量％で表面処理されていることが好ましく、０．３質量％〜２質量％で表面処理されていることが好ましい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上がさらに好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下がさらに好ましい。

（Ｄ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

（Ｄ）無機充填材の比表面積は、本発明の効果をより向上させる観点から、好ましくは０．０１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは０．２ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは５０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは２０ｍ^２／ｇ以下、１０ｍ^２／ｇ以下又は５ｍ^２／ｇ以下である。無機充填材の比表面積は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ−１２１０）を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。

（Ｄ）無機充填材の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の全ての不揮発成分を１００質量％とした場合、特定の用途に使用する観点から、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。その上限は、特に限定されるものではないが、例えば、９８質量％以下、９５質量％以下、９２質量％以下、９０質量％以下等とし得る。

＜（Ｅ）有機溶剤＞
本発明の樹脂組成物は、任意の揮発性成分として、さらに（Ｅ）有機溶剤を含有する場合がある。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；メタノール、エタノール、２−メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

一実施形態において、本発明の樹脂組成物は、有機溶剤を含まないことが好ましい。

＜（Ｆ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機充填剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、重合開始剤、難燃剤などが挙げられる。これらの添加剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。

＜樹脂組成物の製造方法＞
一実施形態において、本発明の樹脂組成物は、例えば、反応容器に（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、（Ｄ）無機充填材、必要に応じて（Ｅ）有機溶剤、及び必要に応じて（Ｆ）その他の添加剤を、任意の順で及び／又は一部若しくは全部同時に加えて混合し、樹脂組成物を得る工程を含む方法によって、製造することができる。

上記工程において、各成分を加える過程の温度は適宜設定することができ、各成分を加える過程で、一時的に又は終始にわたって、加熱及び／又は冷却してもよい。各成分を加える過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。また、上記工程の後に、樹脂組成物を、例えば、ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌し、均一に分散させる工程をさらに含むことが好ましい。

＜樹脂組成物の特性＞
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ａ）成分が、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含むため、硬化物の反りを抑制でき、さらに、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する優れた密着性を得ることができる。また、一実施形態では、本発明の樹脂組成物は、フローマークの発生を抑制できる。

一実施形態において、本発明の樹脂組成物の硬化物層（厚さ３００μｍ；１８０℃９０分加熱して熱硬化）と１２インチシリコンウエハからなる基板の電子情報技術産業協会規格のＪＥＩＴＡ ＥＤＸ−７３１１−２４に準拠して測定した２５℃での反り量は、好ましくは５ｍｍ未満、より好ましくは４ｍｍ未満、さらに好ましくは３ｍｍ未満、特に好ましくは２ｍｍ未満である。

一実施形態において、本発明の樹脂組成物の高温高湿環境試験（１３０℃８５％ＲＨ９６時間）後の硬化物層（厚さ５０μｍ；１８０℃９０分加熱して熱硬化）のシリコンウエハに対する密着強度は、０．１Ｋｇ／ｓｅｃで垂直引っ張り試験を行った場合、好ましくは３００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上、より好ましくは４００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上、さらに好ましくは４５０Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上、特に好ましくは５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上である。

＜樹脂組成物の用途＞
本発明の樹脂組成物の硬化物は、上述した利点により、半導体の封止層及び絶縁層に有用である。よって、この樹脂組成物は、半導体封止用又は絶縁層用の樹脂組成物として用いることができる。

例えば、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用の樹脂組成物）、及び、回路基板（プリント配線板を含む。）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用の樹脂組成物）として、好適に使用することができる。

また、例えば、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用の樹脂組成物）として、好適に使用することができる。

本発明の樹脂組成物の硬化物で形成された封止層又は絶縁層を適用できる半導体チップパッケージとしては、例えば、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰが挙げられる。

また、本発明の樹脂組成物は、アンダーフィル材として用いてもよく、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料として用いてもよい。

さらに、本発明の樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト等のための樹脂インク等の液状材料、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。

＜樹脂シート＞
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。

樹脂組成物層の厚みは、薄型化の観点から、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、好ましくは１μｍ以上、５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上、特に好ましくは１００μｍ以上でありうる。

また、樹脂組成物層を硬化させて得られる硬化物の厚みは、好ましくは１μｍ以上、５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上、特に好ましくは１００μｍ以上である。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤である、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」；等が挙げられる。

支持体の厚さは、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布して、製造することができる。また、必要に応じて、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを塗布して樹脂シートを製造してもよい。溶剤を用いることにより、粘度を調整して、塗布性を向上させることができる。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層を形成する。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートは使用可能となる。また、樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用できる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に使用できる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。

また、樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）に好適に使用することができる。適用可能な半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等が挙げられる。

また、樹脂シートを、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦの材料に用いてもよい。

さらに、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途に使用できる。例えば、樹脂シートは、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。

＜回路基板＞
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。この回路基板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、適宜「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

導体層の厚さは、回路基板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ〜２０μｍである。

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、形成できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。

樹脂組成物層の形成は、例えば、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

また、樹脂組成物層の形成は、例えば、圧縮成型法によって行うことができる。成型条件は、後述する半導体チップパッケージの封止層を形成する工程における樹脂組成物層の形成方法と同様な条件を採用してもよい。

基材上に樹脂組成物層を形成した後、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）である。

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、樹脂シートを用いて回路基板を製造した場合、回路基板の製造方法は、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）、いわゆる絶縁層に穴あけをする工程を含んでいてもよい。これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。ビアホールの寸法や形状は回路基板の出デザインに応じて適宜決定してよい。なお、工程（３）は、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行ってもよい。

ビアホールの形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成してもよい。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。

回路基板の製造方法は、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。

＜半導体チップパッケージ＞
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造することができる。

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）である。

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃〜３００℃の範囲としてもよい。

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。

（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。

基材としては、例えば、シリコンウェハ；ガラスウェハ；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。

（工程（Ｂ））
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体チップパッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。

（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。

樹脂組成物の優れた圧縮成型性を活用して、樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことが好ましい。圧縮成型法では、通常、半導体チップ及び樹脂組成物を型に配置し、その型内で樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、半導体チップを覆う樹脂組成物層を形成する。

圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしうる。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。また、前記のように仮固定フィルム上に仮固定された半導体チップに、樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物を塗布された半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に、下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、樹脂組成物を載せる。また、上型に、半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に取り付ける。その後、下型に載った樹脂組成物が上型に取り付けられた半導体チップに接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

成型条件は、樹脂組成物の組成により異なり、良好な封止が達成されるように適切な条件を採用できる。例えば、成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。

樹脂組成物層の形成は、樹脂シートと半導体チップとを積層することによって行ってもよい。例えば、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを加熱圧着することにより、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成することができる。樹脂シートと半導体チップとの積層は、通常、基材の代わりに半導体チップを用いて、回路基板の製造方法における樹脂シートと基材との積層と同様にして行うことができる。

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、回路基板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、回路基板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。

（工程（Ｄ））
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ²〜１０００ｍＪ／ｃｍ²である。

（工程（Ｅ））
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。

再配線形成層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。

（工程（Ｆ））
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。

（工程（Ｇ））
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。

（工程（Ｈ））
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。

＜半導体装置＞
半導体装置は、半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

＜実施例１＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）２部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）３部、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」、粘度（２５℃）５００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，０００、Ｔｇ−８０℃）１部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）６部、酸無水物硬化剤（新日本理化社製、ＨＮＡ−１００、酸無水物当量１７９ｇ／ｅｑ．）６部、シリカＡ８３部、イミダゾール系硬化剤（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」、２−エチル−４−メチルイミダゾール）０．１部をミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」）１部の代わりに、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＧ−４０１０」、粘度（２５℃）３，７００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，９００、Ｔｇ−５７℃）１部を使用したこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」）１部の代わりに、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＳ−６１００」、粘度（２５℃）２，３００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，５００、Ｔｇ−５８℃）１部を使用したこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）１部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）１０部、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」、粘度（２５℃）５００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，０００、Ｔｇ−８０℃）１部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）６部、フェノール系硬化剤（明和化成製「ＭＥＨ−８０００Ｈ」）１部、球形シリカ８３部、イミダゾール系硬化剤（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」、２−エチル−４−メチルイミダゾール）０．４部をミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
フェノール系硬化剤（明和化成製「ＭＥＨ−８０００Ｈ」）１部の代わりに、アミン系硬化剤（日本化薬社製「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」）１部を使用したこと以外は実施例４と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例６＞
球形シリカ８３部の代わりアルミナＡ９５部を使用したこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例７＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）の使用量を３．５部に増量し、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」）の使用量を０．５部に減量した以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例８＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）４部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）９部、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」、粘度（２５℃）５００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，０００、Ｔｇ−８０℃）１部、酸無水物硬化剤（新日本理化社製、「ＨＮＡ−１００」、酸無水物当量１７９ｇ／ｅｑ．）４部、球形シリカ８３部、イミダゾール系硬化剤（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」、２−エチル−４−メチルイミダゾール）０．１部をミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例９＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）１部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）１部、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」、粘度（２５℃）５００ｍＰａ・ｓ、Ｍｗ２，０００、Ｔｇ−８０℃）１部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）９部、酸無水物硬化剤（新日本理化社製、「ＨＮＡ−１００」、酸無水物当量１７９ｇ／ｅｑ．）６部、球形シリカ８３部、イミダゾール系硬化剤（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」、２−エチル−４−メチルイミダゾール）０．１部をミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例１０＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）の使用量を２部に減量し、液状アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」）の使用量を５部に増量した以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
アクリル重合体（東亜合成社製「ＵＰ−１０２０」）を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜使用した無機充填材＞
シリカＡ：平均粒径６．０μｍ、最大カット径２０μｍ、比表面積４．８ｍ^２／ｇ、ＫＢＭ５７３（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）で処理された球状シリカ。
アルミナＡ：平均粒径４．８ｕｍ、最大カット径２４ｕｍ、比表面積２．７ｍ^２／ｇ、ＫＢＭ５７３（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）で処理された球状アルミナ。

＜試験例１：反りの評価＞
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で調製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、１８０℃で９０分加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させた。これにより、シリコンウエハと樹脂組成物の硬化物層とを含む試料基板を得た。シャドウモアレ測定装置（Ａｋｏｒｏｍｅｔｒｉｘ社製「ＴｈｅｒｍｏｉｒｅＡＸＰ」）を用いて、前記の試料基板を２５℃での反り量を測定した。測定は、電子情報技術産業協会規格のＪＥＩＴＡ ＥＤＸ−７３１１−２４に準拠して行った。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面として、その基準面から垂直方向の最小値と最大値との差を反り量として求めた。反り量が２ｍｍ未満を「○」、２ｍｍ以上、３ｍｍ未満を「△」、３ｍｍ以上を「×」と評価した。

＜試験例２：外観の評価＞
試験例１で作製した試料基板の樹脂層の外観を観察した。樹脂層表面全体のうち、フローマークの占める面積が２０％未満のものを「〇」、２０％を超えるものを「△」とした。

＜試験例３：高温高湿環境試験（ＨＡＳＴ）後の密着評価＞
試験例１で作製した試料基板を用い、１３０℃８５％ＲＨ９６時間の条件で高温高湿環境試験（ＨＡＳＴ）を実施した。ＨＡＳＴ実施後の硬化物を、＃１８０のサンドペーパーを使用して樹脂層が厚さ５０μｍになるまで研磨した。研磨後のサンプルを幅１ｃｍ角の試験片に切断し、樹脂層に対して垂直にφ２．７ｍｍの接着剤付きｓｔｕｄ ｐｉｎを立てて１５０℃で６０分加熱し、ｓｔｕｄ ｐｉｎと樹脂層が接着した試験片を作成した。得られたｓｔｕｄ ｐｉｎ付き試験片をＱＵＡＤ ＧＲＯＵＰ社製垂直引張型試験機ＲＯＭＵＬＵＳを使用して、試験スピード０．１Ｋｇ／ｓｅｃで垂直引っ張り試験の測定を行った。５個の試験片について測定を行い、平均値を算出した。密着強度が５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２を超えたものを「〇」、５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２未満のものを「×」とした。

実施例及び比較例の樹脂組成物の不揮発成分及びその使用量、並びに試験例の評価結果を下記表１に示す。

以上の結果より、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂及び（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体を用いた場合に、硬化物の反りを抑制でき、かつ、環境試験後の硬化物薄膜の垂直方向への加重に対する優れた密着性を達成できることがわかった。

Claims (15)

1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で液状の（メタ）アクリル重合体、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ａ）成分が、（Ａ−１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含む樹脂組成物。
2. （Ａ−１）成分が、２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂である、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. （Ａ−１）成分の含有量が、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％としたとき、２０質量％以上８０質量％以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の（Ｄ）成分以外の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．５質量％以上２０質量％以下である、請求項１〜３の何れか１項に記載の樹脂組成物。
5. （Ｃ）成分が、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択される硬化剤である、請求項１〜４の何れか１項に記載の樹脂組成物。
6. （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の全ての不揮発成分を１００質量％としたとき、７０質量％以上である、請求項１〜５の何れか１項に記載の樹脂組成物。
7. 半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための請求項１〜６の何れか１項に記載の樹脂組成物。
8. 回路基板の絶縁層を形成するための請求項１〜６の何れか１項に記載の樹脂組成物。
9. 半導体チップパッケージの半導体チップを封止するための請求項１〜６の何れか１項に記載の樹脂組成物。
10. 請求項１〜９の何れか１項に記載の樹脂組成物の硬化物。
11. 支持体と、上記支持体上に設けられた請求項１〜９の何れか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
12. 請求項１〜９の何れか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。
13. 請求項１２に記載の回路基板と、当該回路基板に搭載された半導体チップと、を含む半導体チップパッケージ。
14. 半導体チップと、当該半導体チップを封止する請求項１〜９の何れか１項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。
15. 請求項１３又は１４に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。