JP7524839B2 - 半導体チップ接着用樹脂シート - Google Patents
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Description
また、樹脂組成物層の高温環境下での貯蔵弾性率が高いと、高温環境下でシリコン(Si)等の金属との密着強度が低下し、剥離することがある。
[1] 支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む、半導体チップ接着用樹脂シートであって、
樹脂組成物層は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含み、
樹脂組成物層の最低溶融粘度をA(poise)とし、該最低溶融粘度の温度T1(℃)から20℃高い温度T2(℃)における溶融粘度をB(poise)としたとき、B/A≧20の関係を満たす、半導体チップ接着用樹脂シート。
[2] 樹脂組成物層の厚みが、30μm以上100μm以下である、[1]に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[3] 樹脂組成物層の最低溶融粘度Aが、10poise以上300poise以下である、[1]又は[2]に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[4] 樹脂組成物層の溶融粘度Bが、500poise以上6500poise以下である、[1]~[3]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[5] (A)成分と(B)成分との量比が、0.01以上5以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[6] (C)成分の含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上60質量%以下である、[1]~[5]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[7] (C)成分の比表面積が、10m2/g以上60m2/g以下である、[1]~[6]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[8] 樹脂組成物層を190℃で90分間熱硬化させた硬化物の200℃における貯蔵弾性率が、0.39GPa未満である、[1]~[7]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
[9] [1]~[8]のいずれかに記載の半導体チップ接着用樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
[10] [9]に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。
[11] (I)基材に、樹脂組成物層を形成する工程、
(II)半導体チップを、樹脂組成物層に埋め込む工程、及び、
(III)樹脂組成物層を硬化する工程、
を含み、
樹脂組成物層が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含み、
樹脂組成物層の最低溶融粘度をA(poise)とし、該最低溶融粘度の温度T1(℃)から20℃高い温度T2(℃)における溶融粘度をB(poise)としたとき、B/A≧20の関係を満たす、半導体チップパッケージの製造方法。
本発明の半導体チップ接着用樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む、半導体チップ接着用樹脂シートであって、樹脂組成物層は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含み、樹脂組成物層の最低溶融粘度をA(poise)とし、該最低溶融粘度の温度T1(℃)から20℃高い温度T2(℃)における溶融粘度をB(poise)としたとき、B/A≧20の関係を満たす。
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
本発明の樹脂シートにおいて、支持体上に設けられた樹脂組成物層は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含む。
樹脂組成物層は、(A)成分として(A)エポキシ樹脂を含有する。(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;トリスフェノール型エポキシ樹脂;ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、特殊ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂;ナフタレン型エポキシ樹脂;ナフトール型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ樹脂;グリシジルエステル型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;線状の脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等の脂肪族エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹脂;スピロ環含有エポキシ樹脂;シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂;トリメチロール型エポキシ樹脂;テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂;グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、(A)成分としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、脂肪族エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、及びノボラック型エポキシ樹脂のいずれかを含むことが好ましく、脂肪族エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、及びノボラック型エポキシ樹脂を含むことがより好ましく、脂肪族エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂を含むことがさらに好ましい。中でも、貯蔵弾性率を向上させる観点から、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂を含むことが特に好ましい。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
樹脂の数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
樹脂組成物層は、(B)成分として、(B)硬化剤を含有する。硬化剤を使用することで埋め込み性を向上させることができ、また、貯蔵弾性率及び密着強度を向上させることが可能になる。(B)硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤などが挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、(B)硬化剤は、活性エステル系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤のいずれか1種以上であることが好ましく、活性エステル系硬化剤であることがより好ましい。(B)硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物層は、(C)成分として、(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材を含有し、(C)成分の含有量は、樹脂組成物層中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上60質量%以下である。所定量の(C)成分を樹脂組成物層に含有させることで樹脂組成物層の最低溶融粘度を低下させることができ、その結果埋め込み性を向上させることが可能となる。また、(C)成分を含有させることで貯蔵弾性率を向上させることも可能となる。
樹脂組成物層は、任意の成分として、更に、(D)成分として、(D)硬化促進剤を含有していてもよい。
樹脂組成物層は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、エラストマー、着色剤、顔料、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。
半導体チップ接着用樹脂シートは、さらに必要に応じて、その他の層を含んでいてもよい。斯かるその他の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm~40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。
半導体チップ接着用樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。有機溶剤については上述したものを用いることができる。
本発明の半導体チップパッケージは、本発明の半導体チップ接着用樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む。半導体チップパッケージとしては、例えば、Fan-out型WLP、Fan-out型PLP等が挙げられる。
(I)基材に、樹脂組成物層を形成する工程、
(II)半導体チップを、樹脂組成物層に埋め込む工程、及び、
(III)樹脂組成物層を硬化させる工程。
(IV)半導体チップ上に封止層を形成する工程、
(V)封止層を研磨する工程、
(VI)封止層の研磨した面上に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
(VII)基材を剥離する工程、
(VIII)樹脂組成物層の硬化物層を研磨する工程、
(IX)硬化物層の研磨した面上に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
(X)再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
(XI)再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、及び
(XII)複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含んでいてもよい。以下、この製造方法について詳細に説明する。
工程(I)は、基材に樹脂組成物層を形成する工程である。樹脂組成物層は、半導体チップ接着用樹脂シートが備える樹脂組成物層と同じでありうる。この樹脂組成物層は、半導体チップ接着用樹脂シートを基板と積層することによって、形成できる。半導体チップ接着用樹脂シート及び樹脂組成物層については上記したとおりである。
工程(II)は、半導体チップを、基板上に形成された樹脂組成物層に埋め込む工程である。この埋め込みにより、半導体チップは樹脂組成物層に固定される。
工程(III)は、半導体チップが埋め込まれた樹脂組成物層を硬化させる工程である。樹脂組成物層の硬化は、通常、熱硬化によって行う。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物に含まれる樹脂成分の種類によっても異なりうるが、硬化温度は好ましくは120℃~240℃、より好ましくは150℃~220℃、さらに好ましくは170℃~210℃である。硬化時間は好ましくは5分間~120分間、より好ましくは10分間~100分間、さらに好ましくは15分間~100分間とすることができる。
工程(IV)は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、通常、プリント配線板の封止層又は絶縁層を形成するために用いられる組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に前記組成物を含む層を形成する工程と、この組成物を含む層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
工程(V)は、封止層を研磨する工程である。余剰の封止層を研磨することにより除去し、封止層表面を平坦化する。研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「NT-700IM」等が挙げられる。
工程(VI)は、封止層の研磨した面上に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。
工程(VII)は、基材を剥離する工程である。基材の剥離方法は特に限定されない。
工程(VIII)は、樹脂組成物層の硬化物層を研磨する工程である。研磨方法は、工程(V)と同様の方法にて行うことができる。
工程(IX)は、硬化物層の研磨した面上に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。再配線形成層については工程(VI)にて説明したとおりである。
工程(X)は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
工程(XI)は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、ソルダーレジスト層の形成時に絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれかが好ましい。
工程(XII)は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。
半導体装置は、半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
無機充填剤1:フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製、「KBM573」)で表面処理された球状溶融シリカ、平均粒径120nm、比表面積28m2/g。
無機充填材2:フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製、「KBM573」)で表面処理された球状溶融シリカ、平均粒径0.5μm、比表面積5.9m2/g。
脂肪族エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YED216D」、エポキシ当量120g/eq)8部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量185g/eq)16部、特殊ノボラック型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「157S70」、エポキシ当量210g/eq)16部をMEK55部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温まで冷却した後、ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂(ダイセル化学社製「PB3600」、数平均分子量Mn:5900、エポキシ当量190g/eq)5部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223g/eq、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)60部、アミン系硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)4部、イミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)4部、無機充填剤1 80部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、無機充填剤1の量を80部から95部に変え、MEKの量を55部から60部に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、さらにカルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216g/eq、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)20部を用いた。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、
1)脂肪族エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YED216D」、エポキシ当量120g/eq)の量を8部から6部に変え、
2)ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量185g/eq)の量を16部から13部に変え、
3)特殊ノボラック型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「157S70」、エポキシ当量210g/eq)の量を16部から13部に変え、
4)活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223g/eq、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)の量を60部から70部に変えた。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂(ダイセル化学社製「PB3600」、数平均分子量Mn:5900、エポキシ当量190g/eq)を用いなかった。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂(ダイセル化学社製「PB3600」、数平均分子量Mn:5900、エポキシ当量190g/eq)5部を、液状ポリブタジエンエポキシ樹脂(日本曹達社製「JP-400」、数平均分子量Mn:3500、エポキシ当量230g/eq)5部に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、無機充填剤1の量を80部から40部に変え、MEKの量を55部から35部に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、無機充填剤1の量を80部から140部に変え、MEKの量を55部から80部に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、
1)脂肪族エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YED216D」、エポキシ当量120g/eq)の量を8部から9部に変え、
2)ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量185g/eq)の量を16部から20部に変え、
3)特殊ノボラック型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「157S70」、エポキシ当量210g/eq)の量を16部から20部に変え、
4)活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223g/eq、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)の量を60部から45部に変えた。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例1において、
1)アミン系硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)を用いず、
2)MEKの量を55部から85部に変え、
3)無機充填剤1の量を80部から165部に変え、
4)活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223g/eq、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)の量を60部から40部に変え、
5)イミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業社製「1B2PZ」1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)の量を4部から1部に変えた。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例2において、無機充填剤1 95部を、無機充填材2 95部に変えた。以上の事項以外は実施例2と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例2において、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223g/eq、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)60部を、ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN485」、水酸基当量215g/eq、固形分60%のMEK溶液)65部に変えた。以上の事項以外は実施例2と同様にして、樹脂ワニスを作製した。
実施例及び比較例で作製したワニスを、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL-5」)で離型処理したPETフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、以下「離型PET」)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが50μmとなるようにダイコーターにて塗布し、85~100℃で3分間乾燥し半導体チップ接着用樹脂シートを得た。
離型PETを剥離した後、樹脂組成物層を金型で圧縮することにより、測定用ペレット(直径18mm、1.0g~1.1g)を作製した。その後、この測定用ペレットについて、動的粘弾性測定装置(ユー・ビー・エム社製「Rheosol-G3000」)を用いて、最低溶融粘度の測定を行った。具体的には、測定用ペレット1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃までの温度範囲で昇温して動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度A(poise)および最低溶融粘度Aとなる温度(T1)よりも20℃高い温度(T2)における溶融粘度B(poise)を算出した。測定条件は、昇温速度5℃/分、測定温度間隔2.5℃、振動数1Hz、ひずみ5degとした。
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.8mm、パナソニック社製、R1515A)の両面を、エッチング剤(メック社製、CZ8101)にて1μmエッチングして銅表面の粗化処理を行った。
ワンショット3D形状測定機(KEYENCE社製、VR-3200)を用い、<評価基板の作製>における樹脂組成物層の硬化前後でシリコンチップの4隅の直線移動距離の合計値を測定し、以下の基準で評価した。
〇:シリコンチップの4隅の直線移動距離の合計値が40μm未満。
△:シリコンチップの4隅の直線移動距離の合計値が40μm以上50μm未満。
×:シリコンチップの4隅の直線移動距離の合計値が50μm以上。
評価基板を個片に切り出し、露出しているシリコンチップの高さを、光学顕微鏡(ハイロックス社製「KH8700」)を用いて測定することで、埋め込み深さを算出し、以下の基準で評価した。
〇:シリコンチップの埋め込み深さが20μm以上。
×:シリコンチップの埋め込み深さが0μm以上20μm未満。
半導体チップ接着用樹脂シートを190℃で90分間加熱することで熱硬化させ、離型PETを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を幅約7mm、長さ約40mmの試験片の切断し、動的機械分析装置(セイコーインスツルメンツ社製、DMS-6100)を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。シート状の硬化物を前記装置に装着後、周波数1Hz、昇温速度5℃/分の測定条件にて測定した。かかる測定における200℃のときの貯蔵弾性率(E‘)の値を読み取った。また、貯蔵弾性率を以下の基準で評価した。
〇:貯蔵弾性率が0.29GPa未満。
△:貯蔵弾性率が0.29GPa以上0.39GPa未満。
×:貯蔵弾性率が0.39GPa以上。
半導体チップ接着用樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニチゴー・モートン社製、2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が12インチSiウェハに接合するように、12インチSiウェハの片面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着させることにより実施した。積層後、離型PETを剥離し、130℃、30分、190℃、90分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化した。
〇:荷重値が700kgf/cm2以上。
△:荷重値が500kgf/cm2以上700kgf/cm2未満。
×:荷重値が500kgf/cm2未満。
Claims (11)
- 支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む、半導体チップ接着用樹脂シートであって、
樹脂組成物層は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含み、
樹脂組成物層の最低溶融粘度をA(poise)とし、該最低溶融粘度の温度T1(℃)から20℃高い温度T2(℃)における溶融粘度をB(poise)としたとき、B/A≧20の関係を満たす、半導体チップ接着用樹脂シート。 - 樹脂組成物層の厚みが、30μm以上100μm以下である、請求項1に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- 樹脂組成物層の最低溶融粘度Aが、10poise以上300poise以下である、請求項1又は2に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- 樹脂組成物層の溶融粘度Bが、500poise以上6500poise以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- (A)成分と(B)成分との量比が、0.01以上5以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- (C)成分の含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上60質量%以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- (C)成分の比表面積が、10m2/g以上60m2/g以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- 樹脂組成物層を190℃で90分間熱硬化させた硬化物の200℃における貯蔵弾性率が、0.39GPa未満である、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シート。
- 請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体チップ接着用樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
- 請求項9に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。
- (I)基材に、樹脂組成物層を形成する工程、
(II)半導体チップを、樹脂組成物層に埋め込む工程、及び、
(III)樹脂組成物層を硬化する工程、
を含み、
樹脂組成物層が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)平均粒径が200nm以下の無機充填材、を含み、
樹脂組成物層の最低溶融粘度をA(poise)とし、該最低溶融粘度の温度T1(℃)から20℃高い温度T2(℃)における溶融粘度をB(poise)としたとき、B/A≧20の関係を満たす、半導体チップパッケージの製造方法。
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