JP2019151717A - 封止用樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られる硬化物を得ることができる封止用樹脂組成物等を提供する。【解決手段】（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、及び（Ｃ）無機充填材、を含有する、封止用樹脂組成物。式（１）中、Ｒ４〜Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表す。【選択図】なし

Description

本発明は、封止用樹脂組成物に関する。さらには、本発明は、封止用樹脂組成物を使用した、半導体チップパッケージに関する。

近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる絶縁材料も更なる高機能化が求められている。このような絶縁材料としては、例えば、樹脂組成物を硬化して形成されるものが知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１７−８２０５２号公報

近年、より小型の半導体チップパッケージが求められており、半導体チップパッケージの微細化により、半導体チップを封止する封止層においても、微細な配線やバンプの隙間を、ボイド及び隙間なく充填して埋めることを可能とする充填性が求められる。さらに、封止層や絶縁層には、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られることが求められており、例えば、シリコンチップと密着した絶縁層は高温高湿下に長時間置かれた後でもシリコンチップから剥がれ難いことが求められる。ところが、従来の樹脂組成物は、高い充填性及び密着性の評価において、まだまだ改善の余地があった。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られる硬化物を得ることができる封止用樹脂組成物；並びに、前記の封止用樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ；を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、所定量の（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及び（Ｂ）一般式（１）で表される化合物を封止用樹脂組成物に含有させることで、充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られる硬化物を得ることができる封止用樹脂組成物を得ることができることを見い出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記のものを含む。

［１］ （Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、
（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、及び
（Ｃ）無機充填材、を含有する、封止用樹脂組成物であって、
封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、（Ａ）成分の含有量が、３質量％以上１５質量％以下である、封止用樹脂組成物。

（式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表し、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表す。）
［２］ （Ａ）成分が、２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂である、［１］に記載の封止用樹脂組成物。
［３］ 一般式（１）中、Ｒ^４〜Ｒ^１０のうち少なくとも１つはヒドロキシル基を表す、［１］又は［２］に記載の封止用樹脂組成物。
［４］ 一般式（１）中、Ｒ^４〜Ｒ^９は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表し、Ｒ^１０は、ヒドロキシル基である、［３］に記載の封止用樹脂組成物。
［５］ 一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つはメチル基を表す、［１］〜［４］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。
［６］ （Ｂ）成分が、下記式（２）で表される、［１］〜［５］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。

［７］ （Ｂ）成分の含有量が、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以上５質量％以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。
［８］ （Ｃ）成分の含有量が、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８０質量％以上９５質量％以下である、［１］〜［７］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。
［９］ （Ｃ）成分の平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である、［１］〜［８］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。
［１０］ 液状の封止用樹脂組成物である、［１］〜［９］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物。
［１１］ 回路基板と、該回路基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する［１］〜［１０］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。
［１２］ 半導体チップと、前記半導体チップを封止する［１］〜［１０］のいずれかに記載の封止用樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。

本発明によれば、充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られる硬化物を得ることができる封止用樹脂組成物並びに、前記の封止用樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ；を提供できる。

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。本発明において、封止用樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

［封止用樹脂組成物］
本発明の封止用樹脂組成物は、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で表される化合物、及び（Ｃ）無機充填材、を含有する、封止用樹脂組成物であって、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、（Ａ）成分の含有量が、３質量％以上１５質量％以下である。前記の（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で表される化合物、及び（Ｃ）無機充填材を組み合わせて含み、且つ（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の含有量を所定の範囲内とすることにより、封止用樹脂組成物は、充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも密着性が得られる硬化物が得られるという、本発明の所望の効果を得ることができる。この封止用樹脂組成物の硬化物は、その優れた特性を活かして、半導体チップパッケージの絶縁層及び封止材として好ましく用いることができ、特に封止材として好ましく用いることができる。

また、前記の封止用樹脂組成物は、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で表される化合物、及び（Ｃ）無機充填材に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、（Ｄ）エポキシ樹脂、（Ｅ）硬化剤などが挙げられる。以下、封止用樹脂組成物中に含まれる各成分について説明する。

＜（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂＞
封止用樹脂組成物は、（Ａ）成分として、グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含有し、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上１５質量％以下である。封止用樹脂組成物に所定量の（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂を含有させることで封止用樹脂組成物の粘度を低下させることが可能となり、また、封止用樹脂組成物の硬化物の耐熱性を向上させることも可能となる。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、窒素原子にグリシジル基が直接結合したエポキシ樹脂を用いることができる。中でも、粘度をより低下させ、硬化物の耐熱性をより向上させる観点から、２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂であることが好ましく、３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂であることがより好ましい。（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、２官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂及び３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂を組み合わせて用いてもよい。例えば、３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂とは、分子内に３つのエポキシ基を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂を表す。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、耐熱性をより向上させ、線熱膨張係数をより低くする観点から、分子内に芳香環を有する芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂であることが好ましい。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、下記式（Ａ）で表されることが好ましい。

（式（Ａ）中、Ｒ^１１は、それぞれ独立にグリシジルエーテル基、又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ^１２は水素原子、又は炭素原子数１〜１０の１〜３価の炭化水素基を表す。ｎはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｍは１〜３の整数を表す。）

Ｒ^１１は、それぞれ独立にグリシジルエーテル基、又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。炭素原子数１〜６のアルキル基は、炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。炭素原子数１〜６のアルキル基は、窒素原子と芳香環の結合部位を基準としてオルト位に結合していることが好ましい。中でも、本発明の所望の効果を得る観点から、Ｒ^１１としては、グリシジルエーテル基が好ましく、グリシジルエーテル基は、窒素原子と芳香環の結合部位を基準としてパラ位に結合していることが好ましい。

Ｒ^１２は水素原子、又は炭素原子数１〜１０の１〜３価の炭化水素基を表す。炭素原子数１〜１０の炭化水素基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルキレン基、炭素原子数１〜１０のアルキル基に由来する３価の基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数６〜１０のアリーレン基等が挙げられる。炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基がより好ましい。炭素原子数１〜１０のアルキレン基としては、炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。炭素原子数６〜１０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。炭素原子数６〜１０のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。中でも、ｍが１である場合、本発明の所望の効果を得る観点から、Ｒ^１２としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。また、ｍが２である場合、本発明の所望の効果を得る観点から、Ｒ^１２としては、炭素原子数１〜１０のアルキレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。

ｎはそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、１が特に好ましい。ｍは１〜３の整数を表し、１又は２が好ましく、１がさらに好ましい。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、市販品を用いてもよく、例えば、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ３９８０Ｓ」（ジグリシジル−ｏ−トルイジン）、「ＥＰ３９５０Ｓ」、「ＥＰ３９５０Ｌ」、三菱ケミカル社製の「６３０」（トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール）、「６３０ＬＳＤ」、住友化学社製の「ＥＬＭ−１００」、「ＥＬＭ−１００Ｈ」、「ＥＬＭ−４３４」、「ＥＬＭ−４３４Ｌ」等が挙げられる。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上であり、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上であり、１５質量％以下であり、好ましくは１４．５質量％以下、より好ましくは１４質量％以下である。（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の含有量を係る範囲内とすることにより、粘度を低下させることができ、封止用樹脂組成物の硬化物の耐熱性を向上させることができる。また、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の含有量を係る範囲内とすることにより、前記の硬化物のクラックを抑制することが可能となる。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、封止用樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい封止層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

＜（Ｂ）式（１）で表される化合物＞
封止用樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、式（１）で表される化合物を含有する。（Ｂ）成分は、（Ａ）成分、及び後述する（Ｄ）成分等のエポキシ樹脂と反応して封止用樹脂組成物の硬化を促進させる機能を有する。封止用樹脂組成物に式（１）で表される化合物を含有させることで封止用樹脂組成物の粘度の上昇が抑制され、充填性、即ちコンプレッションモールド成形性及びモールディングアンダーフィル性に優れるようになる。また、通常、封止用樹脂組成物によれば、フローマークの発生を抑制することができる。

封止用樹脂組成物は、（Ｂ）式（１）で表される化合物を含有させることで、優れた充填性を得ることができる。（Ｂ）式（１）で表される化合物の分子では、窒素原子にメチレン基を介してナフタレン環を含む基が結合しており、大きな立体障害作用が働く。そのため、窒素原子の反応性が抑制される。したがって、（Ｂ）式（１）で表される化合物による反応はゆっくりと進む。よって、充填環境における封止用樹脂組成物の粘度上昇は抑制され、充填性に優れる硬化物を得ることが可能となる。さらに封止用樹脂組成物に含まれる各成分同士の相溶性が優れることにより、フローマークの発生を抑制することができる。よって、通常は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を組み合わせて用いることで、フローマークの発生を抑制するとともに、ＰＣＴ試験耐性、硬化物のコンプレッションモールド成形性及びモールディングアンダーフィル性が向上するようになる。

（式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表し、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表す。）

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つはメチル基を表すことが好ましく、Ｒ^３がメチル基であることがより好ましい。Ｒ^３がメチル基である場合、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子であることが好ましい。

Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表す。Ｒ^４〜Ｒ^１０のうち少なくとも１つはヒドロキシル基を表すことが好ましく、Ｒ^１０がヒドロキシル基であることがより好ましい。Ｒ^１０がヒドロキシル基である場合、Ｒ^４〜Ｒ^９は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表し、Ｒ^４〜Ｒ^９は水素原子であることが好ましい。

（Ｂ）式（１）で表される化合物としては、例えば、下記式（２）で表される化合物、１−（２−メチルイミダゾリルメチル）−２−ナフトール、１−（４−メチルイミダゾリルメチル）−２−ナフトール、１−（５−メチルイミダゾリルメチル）−２−ナフトール、１−（２，４−ジメチルイミダゾリルメチル）−２−ナフトール、１−（２，４，５−トリメチルイミダゾイルメチル）−２−ナフトール等のナフトール化合物；１−（イミダゾリルメチル）−２，３−ナフタレンジオール、１−（２−メチルイミダゾリルメチル）−２，３−ナフタレンジオール、１−（２，４−ジメチルイミダゾリルメチル）−２，３−ナフタレンジオール、１−（２−メチルイミダゾリルメチル）−２，６−ナフタレンジオール、１−（２−メチルイミダゾリルメチル）−７−メチル−２，６−ナフタレンジオール、１−（２−メチルイミダゾリルメチル）−７−メチル−２，３−ナフタレンジオール等のナフタレンジオール化合物；等が挙げられ、中でも、本発明の効果を顕著に奏する観点から、下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。（Ｂ）式（１）で表される化合物は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）式（１）で表される化合物の含有量は、コンプレッションモールド成形性及びモールディングアンダーフィル性に優れ、フローマークの発生を抑制可能な硬化物を得る観点から、封止用樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上であり、また、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。

＜（Ｃ）無機充填材＞
封止用樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、無機充填材を含む。（Ｃ）無機充填材を用いることにより、封止用樹脂組成物の硬化物の絶縁性能を向上させることができる。

（Ｃ）無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。（Ｃ）無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、シリカ又はアルミナが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては球形シリカが好ましい。（Ｃ）無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

通常、（Ｃ）無機充填材は、粒子の状態で封止用樹脂組成物に含まれる。（Ｃ）無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．２μｍ以上、特に好ましくは０．３μｍ以上、０．４μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７．０μｍ以下、特に好ましくは５．０μｍ以下である。（Ｃ）無機充填材の平均粒径が前記範囲にあることにより、封止用樹脂組成物中の（Ｃ）無機充填材の充填性が高まり、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。

（Ｃ）無機充填材等の粒子の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により、測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、粒子の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布からメディアン径として平均粒径を測定できる。測定サンプルは、粒子を超音波により水等の溶剤中に分散させたものを好ましく使用できる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

前記のような（Ｃ）無機充填材としては、例えば、新日鉄住金マテリアルズ社製「ＳＴ７０３０−２０」；龍森社製「ＭＳＳ−６」、「ＡＣ−５Ｖ」；新日鉄住金マテリアルズ社製「ＳＰ６０−０５」、「ＳＰ５０７−０５」；アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；デンカ社製「ＵＦＰ−３０」、「ＳＦＰ−１３０ＭＣ」、「ＦＢ−７ＳＤＣ」、「ＦＢ−５ＳＤＣ」、「ＦＢ−３ＳＤＣ」；トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」；アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」、「ＦＥ９」等が挙げられる。

（Ｃ）無機充填材は、適切な表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理されることにより、（Ｃ）無機充填材の耐湿性及び分散性を高めることができる。また、樹脂成分との相溶性を高め、フローマーク性を向上させることもできる。表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられ、フローマーク性をより向上させる観点から、アミノシラン系カップリング剤が好ましい。

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ２２」（ジメチルジメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ−フェニル−３−アミノオクチルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。なかでも、窒素原子含有シランカップリング剤が好ましく、フェニル基を含有するアミノシラン系カップリング剤がより好ましく、Ｎ−フェニル−３−アミノアルキルトリメトキシシランが更に好ましい。また、表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価できる。（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、（Ｃ）無機充填材の分散性向上の観点から、好ましくは０．０２ｍｇ／ｍ²以上、より好ましくは０．１ｍｇ／ｍ²以上、特に好ましくは０．２ｍｇ／ｍ²以上である。一方、樹脂組成物の溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、前記のカーボン量は、好ましくは１ｍｇ／ｍ²以下、より好ましくは０．８ｍｇ／ｍ²以下、特に好ましくは０．５ｍｇ／ｍ²以下である。

（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の（Ｃ）無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と略称することがある。））により洗浄処理した後に、測定できる。具体的には、十分な量のメチルエチルケトンと、表面処理剤で表面処理された（Ｃ）無機充填材とを混合して、２５℃で５分間、超音波洗浄する。その後、上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて、（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定できる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」を使用できる。

（Ｃ）無機充填材の比表面積は、本発明の効果をより向上させる観点から、好ましくは１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１．５ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは２ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは２０ｍ^２／ｇ以下、１０ｍ^２／ｇ以下又は５ｍ^２／ｇ以下である。無機充填材の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。

樹脂組成物中の（Ｃ）無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８０．５質量％以上、さらに好ましくは８１質量％以上であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９１質量％以下である。（Ｃ）無機充填材の量が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。

＜（Ｄ）エポキシ樹脂＞
封止用樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、エポキシ樹脂を含有していてもよい。但し、（Ｄ）エポキシ樹脂は、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂に該当するものは除く。

（Ｄ）エポキシ樹脂としては、例えば、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

封止用樹脂組成物は、（Ｄ）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ｅ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

（Ｄ）エポキシ樹脂としては、液状エポキシ樹脂を用いてもよく、固体状エポキシ樹脂を用いてもよく、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いてもよい。中でも、封止用樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、（Ｄ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂を用いることが好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びエステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の、「ＪＥＲ８７１」、「ＪＥＲ８７２」、新日鉄住金化学社製の「ＹＤ−１７１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＥＤ−２１６Ｄ」（脂肪族エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｄ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．１〜１：１５、より好ましくは１：０．３〜１：１０、特に好ましくは１：０．６〜１：８である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲にあることにより、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性がもたらされる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。

（Ｄ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。

（Ｄ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、（Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂のエポキシ当量の範囲として説明したのと同じ範囲に収まることが好ましい。

（Ｄ）エポキシ樹脂を含む場合、（Ｄ）エポキシ樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上であり、また、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。（Ｄ）エポキシ樹脂の量を前記範囲に収めることにより、封止用樹脂組成物の硬化物の機械強度及び絶縁信頼性を高めることができる。

＜（Ｅ）硬化剤＞
封止用樹脂組成物は、（Ｅ）成分として、硬化剤を含有していてもよい。（Ｅ）硬化剤は、通常、（Ａ）成分、及び（Ｄ）成分等のエポキシ樹脂と反応して封止用樹脂組成物を硬化させる機能を有する。（Ｅ）硬化剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｅ）硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させることができる化合物を用いることができ、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。中でも、低温反応が可能であり、封止用樹脂組成物の硬化物の反りを抑制する観点からアミン系硬化剤が好ましい。

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱化学社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

フェノール系硬化剤としては、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）に結合した水酸基を１分子中に１個以上、好ましくは２個以上有する硬化剤が挙げられる。中でも、ベンゼン環に結合した水酸基を有する化合物が好ましい。また、耐熱性及び耐水性の観点からは、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤が好ましい。さらに、密着性の観点からは、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。特に、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点からは、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ−８０００Ｈ」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；新日鉄住金化学社製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＴＤ−２０９０−６０Ｍ」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する硬化剤が挙げられる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）；「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）；「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）；等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

（Ｅ）硬化剤の含有量は、ＰＣＴ試験耐性、コンプレッションモールド成形性及びモールディングアンダーフィル性を向上させる観点から、封止用樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

（Ａ）成分のエポキシ基数を１とした場合、（Ｅ）硬化剤の活性基数は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．３以上であり、好ましくは２以下、より好ましくは１．８以下、更に好ましくは１．６以下、特に好ましくは１．４以下である。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、封止用樹脂組成物中に存在する（Ａ）成分の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「（Ｅ）硬化剤の活性基数」とは、封止用樹脂組成物中に存在する（Ｅ）硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。（Ａ）成分のエポキシ基数を１とした場合の（Ｅ）硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、樹脂組成物層の硬化物の耐湿性がより向上する。

＜（Ｆ）任意の添加剤＞
封止用樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、硬化促進剤（但し（Ｂ）成分に該当するものは除く）；有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物；熱可塑性樹脂；増粘剤；消泡剤；レベリング剤；密着性付与剤；着色剤；難燃剤；等の樹脂添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

上述した封止用樹脂組成物は、必要に応じて、溶剤を含んでいてもよいが、溶剤を実質的に含まない無溶剤の封止用樹脂組成物であることが好ましい。このように溶剤を含まなくても、前記の封止用樹脂組成物は、圧縮成型法を用いて成型する場合には流動化することができ、優れた圧縮成型性を実現できる。よって、この封止用樹脂組成物は、無溶剤用樹脂組成物として用いることが可能である。「溶剤を実質的に含まない」とは、例えば、溶剤の含量が、無溶剤樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることをいう。

［封止用樹脂組成物の製造方法］
封止用樹脂組成物は、例えば、配合成分を、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。

［封止用樹脂組成物の特性］
上述した封止用樹脂組成物は、充填性に優れる。よって、回路基板又は半導体チップ上に圧縮成型法により樹脂組成物層を形成する際に、封止用樹脂組成物を隅々まで充填することが可能である。したがって、前記の樹脂組成物層を硬化させることにより、封止信頼性に優れた封止層、及び絶縁信頼性に優れた絶縁層を得ることができる。

また、上述した封止用樹脂組成物は、充填性に優れることからコンプレッションモールド成形性に優れるという特性を示す。したがって、この封止用樹脂組成物を用いることにより、コンプレッションモールド成形性に優れる封止層及び絶縁層を得ることができる。例えば、実施例に記載の方法によって、上述した封止用樹脂組成物を、シリコンウエハ上に圧縮成型し、樹脂組成物層を形成する。この場合、通常シリコンウエハ全体まで樹脂組成物層が行き届いている。

また、上述した封止用樹脂組成物は、充填性に優れることからモールディングアンダーフィル性に優れるという特性を示す。したがって、この封止用樹脂組成物を用いることにより、モールディングアンダーフィル性に優れる封止層及び絶縁層を得ることができる。例えば、実施例に記載の方法によって、上述した封止用樹脂組成物を、シリコンチップが配置されたシリコンウエハ上に圧縮成型し、樹脂組成物層を形成し加熱する。この場合、通常樹脂組成物層の硬化物がシリコンチップの下の部分にまでボイドがない状態で充填されている。

また、上述した封止用樹脂組成物は、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性に優れる、即ちＰＣＴ試験耐性に優れる硬化物を得ることができる。したがって、この封止用樹脂組成物を用いることにより、ＰＣＴ試験耐性に優れる封止層及び絶縁層を得ることができる。例えば、実施例に記載の方法によって、上述した封止用樹脂組成物を用いて、シリコンウエハ上に封止用樹脂組成物の樹脂組成物層を形成し、ＰＣＴ試験を行う。この場合、通常、樹脂組成物層及びシリコンウエハ界面に剥がれが無く、クロスカット後に樹脂組成物層に欠けが生じていない状態となる。

上述した封止用樹脂組成物を用いた硬化物は、通常フローマークの発生が抑制されるという特性を示す。したがって、この封止用樹脂組成物を用いることにより、フローマークの発生が抑制された封止層及び絶縁層を得ることができる。例えば、実施例に記載の方法によって、上述した封止用樹脂組成物を、シリコンウエハ上に圧縮成型し、樹脂組成物層を形成し加熱して硬化物の層を得る。この場合、通常は、硬化物の表面のフローマークの発生が抑制される。

また、上述した封止用樹脂組成物は、通常粘度が低いという特性を示す。したがって、この封止用樹脂組成物を用いることにより、コンプレッションモールド装置を用いて圧縮成型を行う際の取り扱い性に優れるようになる。例えば、ＲＥ８０型粘度計（測定対象の封止用樹脂組成物０．２〜０．３ｍｌ、測定室温度２５．０℃）を用いて、ローターの回転数１ｒｐｍに設定し、１２０秒後の粘度を計測する。この場合、封止用樹脂組成物の粘度を通常６００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０Ｐａ・ｓ以下にできる。上限に特段の制限は無く、通常０．１Ｐａ・ｓ以上等とし得る。

封止用樹脂組成物は、液状であってもよく、固体状であってもよいが、その成型時には液状であることが好ましい。例えば、常温（例えば、２０℃）において液状の封止用樹脂組成物は、特段の温度調整を行うことなく常温で圧縮成型法による成型を行ってもよく、適切な温度に加熱して圧縮成型法による成型を行ってもよい。また、常温において液状の封止用樹脂組成物を、カートリッジ内に充填し、カートリッジから該封止用樹脂組成物を吐出させ、その後圧縮成型法による成型を行ってもよい。

また、常温において固体状の封止用樹脂組成物は、通常、その温度をより高い温度（例えば、１３０℃）に調整することによって液状になれるので、加熱等の適切な温度調整によって圧縮成型法による成形が可能である。前記の封止用樹脂組成物は、通常、溶剤を含まなくても適切な温度において液状になることができ、例えば、液状封止材として用いることが可能である。ここで、液状とは、後述する［粘度の測定］に記載の測定方法にて測定した粘度が１５００Ｐａ・ｓ未満であるものをいう。

封止用樹脂組成物は、上述した特性を有するため、有機ＥＬ装置や半導体等の電子機器を封止するための樹脂組成物として好適に使用することができ、特に、半導体を封止するための樹脂組成物（半導体封止用の樹脂組成物）、好ましくは半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用の樹脂組成物）として好適に使用することができる。また、封止用樹脂組成物は、封止用途以外に絶縁層用の樹脂組成物として用いることができる。例えば、前記の封止用樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用の樹脂組成物）、及び、回路基板（プリント配線板を含む。）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用の樹脂組成物）として、好適に使用することができる。

半導体チップパッケージとしては、例えば、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰが挙げられる。

また、前記の封止用樹脂組成物は、アンダーフィル材として用いてもよく、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料として用いてもよい。

さらに、前記の封止用樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、封止用樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の封止用樹脂組成物を含む層であり、通常は、封止用樹脂組成物で形成されている。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは５５０μｍ以下、更に好ましくは５００μｍ以下、４００μｍ以下、３５０μｍ以下、３００μｍ以下、又は、２００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上、等でありうる。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤である、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」；等が挙げられる。

支持体の厚さは、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートは、例えば、封止用樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布して、製造することができる。また、必要に応じて、封止用樹脂組成物を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを塗布して樹脂シートを製造してもよい。溶剤を用いることにより、粘度を調整して、塗布性を向上させることができる。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層を形成する。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等を挙げることができる。有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートは使用可能となる。また、樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。

［回路基板］
本発明で用いられる回路基板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。上述した封止用樹脂組成物の硬化物は、後述するように回路基板上の半導体チップなどの封止層として用いられる以外に、回路基板に含まれる絶縁層を封止用樹脂組成物の硬化物により形成してもよい。但し、絶縁層は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物以外の材料によって形成されていてもよい。
（１）基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、適宜「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

導体層の厚さは、回路基板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ〜２０μｍである。

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、形成できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。

樹脂組成物層の形成は、例えば、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

樹脂組成物層は、本発明の樹脂シート又は封止用樹脂組成物から形成してもよい。封止用樹脂組成物から樹脂組成物層を形成する場合、樹脂組成物層の形成は、例えば、圧縮成型法によって行うことができる。また、カートリッジ内に封止用樹脂組成物を充填し、カートリッジから該封止用樹脂組成物を吐出させることによって樹脂組成物層を形成してもよい。成型条件は、後述する半導体チップパッケージの封止層を形成する工程における樹脂組成物層の形成方法と同様な条件を採用してもよい。

基材上に樹脂組成物層を形成した後、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）である。

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、樹脂シートを用いて回路基板を製造した場合、回路基板の製造方法は、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）、いわゆる絶縁層に穴あけをする工程を含んでいてもよい。これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。ビアホールの寸法や形状は回路基板のデザインに応じて適宜決定してよい。なお、工程（３）は、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行ってもよい。

ビアホールの形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成する。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。

回路基板の製造方法は、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。

［半導体チップパッケージ］
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する、本発明の封止用樹脂組成物の硬化物とを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造することができる。

半導体チップの封止は、後述する第二実施形態における工程（Ｃ）と同様の方法により行うことができる。

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）である。

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃〜３００℃の範囲としてもよい。

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した封止用樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記封止用樹脂組成物の硬化物とを含む。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。

（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。

基材としては、例えば、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。

（工程（Ｂ））
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。

（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に封止用樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。

封止用樹脂組成物の優れた圧縮成型性を活用して、樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことが好ましい。圧縮成型法では、通常、半導体チップ及び樹脂組成物を型に配置し、その型内で封止用樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、半導体チップを覆う樹脂組成物層を形成する。

圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにし得る。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。また、前記のように仮固定フィルム上に仮固定された半導体チップに、封止用樹脂組成物を塗布する。封止用樹脂組成物を塗布された半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に、下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、封止用樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、封止用樹脂組成物を載せる。また、上型に、半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に取り付ける。その後、下型に載った封止用樹脂組成物が上型に取り付けられた半導体チップに接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

成型条件は、封止用樹脂組成物の組成により異なり、良好な封止が達成されるように適切な条件を採用できる。例えば、成型時の型の温度は、封止用樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。

圧縮成型法は、カートリッジ内に充填した封止用樹脂組成物を下型に吐出させることによって行ってもよい。樹脂組成物層の形成後の成型条件は、圧縮成型における条件と同様である。

樹脂組成物層の形成は、樹脂シートと半導体チップとを積層することによって行ってもよい。例えば、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを加熱圧着することにより、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成することができる。樹脂シートと半導体チップとの積層は、通常、基材の代わりに半導体チップを用いて、回路基板の製造方法における樹脂シートと基材との積層と同様にして行うことができる。

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、封止用樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、回路基板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、回路基板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。

（工程（Ｄ））
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ²〜１０００ｍＪ／ｃｍ²である。

（工程（Ｅ））
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。

再配線形成層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の封止用樹脂組成物を用いてもよい。

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。

（工程（Ｆ））
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。

（工程（Ｇ））
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の封止用樹脂組成物を用いてもよい。

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。

半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。

本発明の第三実施形態に係る半導体チップパッケージは、例えば第二実施形態の半導体チップパッケージにおいて、再配線形成層又はソルダーレジスト層を、本発明の樹脂組成物の硬化物で形成した半導体チップパッケージである。

［半導体装置］
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。

＜合成例１：化合物Ａの合成＞
イソプロパノール（４００．０ｇ）中に、２−メチルイミダゾール（８２．１ｇ，１モル）および２−ナフトール（１４４．０ｇ，１モル）を入れ、さらにホルマリン（３７％水溶液、ＣＨ_２Ｏ １モル）を室温で３０分間かけて加えた。その後、反応混合物を室温で４０分間撹拌したのち、８５℃で４時間撹拌した。次に、混合物を室温まで冷却し、ろ過した。ろ過物を擦り砕き、６０℃減圧下で乾燥させ、式（２）で表される生成物（白色粉末）を収率７８％で得た。

示差操作熱量計（ＤＳＣ）による分析結果から、化合物Ａの融点は２１０℃であった。また、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよび^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを解析した。測定されたＮＭＲスペクトルデータは、以下のとおりであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：２．４４（ｓ,３Ｈ），５．４０（ｓ，２Ｈ），６．５７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），７．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．３１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，６．４Ｈｚ），７．４７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，６．８Ｈｚ），７．８４（ｍ，３Ｈ），１０．１４（ｓ，１Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：１３．６，３９．６，１１３．５，１１８．６，１１９．２，１２２．７，１２３．２，１２６．４，１２７．５，１２８．７，１２９．１，１３０．７，１３３．６，１４４．４，１５４．５

＜使用した無機充填材＞
シリカＡ：平均粒径１．５μｍ、最大カット径５μｍ、比表面積３．４ｍ^２／ｇ、ＫＢＭ５７３（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）処理された球状シリカ。
シリカＢ：平均粒径１．３μｍ、最大カット径５μｍ、比表面積３．０ｍ^２／ｇ、ＫＢＭ４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）処理された球状シリカ。

［封止用樹脂組成物の作製］
＜実施例１＞
グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）５部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）７部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）３部、シリカＡ ７２部、化合物Ａ １．５部をミキサーを用いて均一に分散して、封止用樹脂組成物を得た。

なお、「ＥＰ３９８０Ｓ」、及び「６３０」は、下記構造式で表される。

＜実施例２＞
実施例１において、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）の量を３部から２部に変え、さらにダイマー酸グリシジルエステル（三菱化学社製「ＪＥＲ８７１」、エポキシ当量４１２ｇ／ｅｑ．）１部を加えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

＜実施例３＞
実施例１において、シリカＡ ７２部を、シリカＢ ７２部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

＜実施例４＞
実施例１において、さらにジフェニルアミノスルホンを０．５部加えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

＜比較例１＞
実施例１において、
１）化合物Ａ １．５部を、硬化促進剤（四国化成工業社製「２Ｅ４ＭＺ」）０．４部に変え、
２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）の量を３部から４部に変え、
３）シリカＡ ７２部を、シリカＢ ７２部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

＜比較例２＞
実施例１において、
１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ３９８０Ｓ」、エポキシ当量１１５ｇ／ｅｑ．）を添加せず、
２）グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）の量を７部から２部に変え、
３）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）の量を３部から１３部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

＜比較例３＞
実施例１において、
１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）の量を７部から１５部に変え、
２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ」、エポキシ当量１７０〜１７５ｇ／ｅｑ．）を添加せず、
３）シリカＡの量を７２部から８８部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして封止用樹脂組成物を得た。

［フローマークの評価］
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した封止用樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、１５０℃で６０分間加熱させた後、樹脂組成物層の表面を目視にてフローマークを確認した。フローマークがウエハ全体にあるものを「×」、フローマークがウエハ端部にのみ存在するものを「△」、フローマークがないものを「○」とした。

［ＰＣＴ試験］
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した封止用樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。その後、１５０℃６０分間加熱させた後、高度加速寿命試験装置（ＥＴＡＣ社製、ＰＭ４２２）を使用し、１２１．５℃、１００％ＲＨの環境下で１００時間放置するＰＣＴ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）を実施した。その後室温に戻し、樹脂組成物層表面にクロスカット（幅１ｍｍの格子状の切込み）を入れ、樹脂組成物層に欠けがあるかを確認した。

樹脂組成物層及びシリコンウエハ界面に剥がれが無く、クロスカット後に樹脂組成物層に欠けが生じていない場合を「○」とし、樹脂組成物層及びシリコンウエハ界面に剥がれが無く、クロスカット後に樹脂組成物層に欠けが生じている場合を「△」とし、樹脂組成物層及びシリコンウエハ界面に剥がれがあり、クロスカット後に樹脂組成物層に欠けが生じている場合を「×」とした。

［コンプレッションモールド成形性の評価］
１２インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した封止用樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。

コンプレッションモールド装置の上部の金型と封止用樹脂組成物との接触部分全体に樹脂組成物層が行き届いており充填性が良いものを「〇」、上部の金型と封止用樹脂組成物との接触部分全体まで樹脂組成物層が行き届いていないものを「未充填」とした。

［粘度の測定］
ＲＥ８０型粘度計（東機産業社製）にて測定対象の封止用樹脂組成物０．２〜０．３ｍｌをシリンジにて量り取った。測定の際には、粘度計の測定室を外部循環型恒温槽にて２５．０℃に温度管理した。ローターの回転数を１ｒｐｍに設定し、１２０秒後の粘度を計測した（単位：Ｐａ・ｓ）。

［モールディングアンダーフィル性の評価］
１２インチシリコンウエハ上にバンプ（高さ５０μｍ、ピッチ５０μｍ、サイズ４０μｍ）を介し、１ｃｍ角のシリコンチップを５０個配置し、その上から実施例及び比較例で作製した封止用樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：８ＭＰａ、キュアタイム：１０分）にてモールドした。モールドして得られたサンプルを、オーブン中１５０℃および６０分の条件で熱処理した後、シリコンチップ下の部分に封止用樹脂組成物の硬化物が充填されているか否かを超音波映像装置（ＳＡＴ）で確認した。

樹脂組成物層の硬化物が充填されているものを「ボイドなし」、樹脂組成物層の硬化物が未充填の部分の面積が１平方ミリメートル以上あるものを「ボイドあり」と評価した。

＊表中、（Ｃ）成分の含有量は、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量を表す。

実施例１〜４において、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。

Claims (12)

1. （Ａ）グリシジルアミン型エポキシ樹脂、
   （Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、及び
   （Ｃ）無機充填材、を含有する、封止用樹脂組成物であって、
   封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、（Ａ）成分の含有量が、３質量％以上１５質量％以下である、封止用樹脂組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表し、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表す。）
2. （Ａ）成分が、２官能又は３官能のグリシジルアミン型エポキシ樹脂である、請求項１に記載の封止用樹脂組成物。
3. 一般式（１）中、Ｒ^４〜Ｒ^１０のうち少なくとも１つはヒドロキシル基を表す、請求項１又は２に記載の封止用樹脂組成物。
4. 一般式（１）中、Ｒ^４〜Ｒ^９は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はヒドロキシル基を表し、Ｒ^１０は、ヒドロキシル基である、請求項３に記載の封止用樹脂組成物。
5. 一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つはメチル基を表す、請求項１〜４のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
6. （Ｂ）成分が、下記式（２）で表される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
   

   
7. （Ｂ）成分の含有量が、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以上５質量％以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
8. （Ｃ）成分の含有量が、封止用樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８０質量％以上９５質量％以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
9. （Ｃ）成分の平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
10. 液状の封止用樹脂組成物である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物。
11. 回路基板と、該回路基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。
12. 半導体チップと、前記半導体チップを封止する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。