JP6897026B2 - 樹脂組成物 - Google Patents
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Description
例えば、Fan−out型ウエハレベルチップサイズパッケージ(Wafer Level Package)に使用されるダイ封止用の絶縁層は、反りの抑制、樹脂ウエハを仮固定テープから剥離する際の十分な強度、再配線用絶縁層(例えば、窒化ケイ素やポリイミド等)への十分な密着性が求められる。また、埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層は、反りの抑制、コア基板を剥離する際の十分な強度、銅への十分な密着性が求められる。
特許文献1には、低弾性率の熱硬化性樹脂組成物として、特定の線状変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が開示されている。しかしながらこのような低弾性率の絶縁材料は、他の樹脂との相溶性の観点から樹脂組成物の設計が限定され、要求される特性を満たすまでには至っていないのが現状である。
[1](a)分子内にポリカーボネート構造を有するエラストマー、(b)エポキシ樹脂、(c)無機充填材、(d)フェノキシ樹脂、及び(e)カルボジイミド化合物を含有する樹脂組成物。
[2] (c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、75質量%〜95質量%である、[1]に記載の樹脂組成物。
[3] (a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%である、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
[4] 樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた硬化物の23℃における弾性率が8GPa以上である、[1]〜[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] (a)成分が、式(1−a)で表される構造および式(1−b)で表される構造:
を有する樹脂である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6] (a)成分が、(b)成分と反応し得る官能基を有する、[1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7] (a)成分が、フェノール性水酸基を有する、[1]〜[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[8] さらに(f)硬化剤を含み、該硬化剤が、フェノール系硬化剤から選択される1種以上である、[1]〜[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9] 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、[1]〜[8]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[10] 支持体と、該支持体上に設けられた、[1]〜[9]のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
[11] 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、[10]に記載の樹脂シート。
[12] [1]〜[9]のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
[13] [12]に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
[14] [1]〜[9]のいずれかに記載の樹脂組成物、または[10]に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
本発明の樹脂組成物は、(a)分子内にポリカーボネート構造を有するエラストマー、(b)エポキシ樹脂、(c)無機充填材、(d)フェノキシ樹脂、及び(e)カルボジイミド化合物を含有する。必要に応じて、さらに(f)硬化剤、(g)硬化促進剤、および(h)難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は(a)分子内にポリカーボネート構造を有するエラストマーを含む。(a)成分のような柔軟な樹脂を含むことで、絶縁信頼性に優れ、反りの発生を抑制し、線熱膨張係数が低い絶縁層を得ることができる。
本発明においてエラストマーは、ゴム弾性を有する樹脂、或いは重合または固形化してゴム弾性を示す樹脂が好ましい。ゴム弾性としては、例えば、日本工業規格(JIS K7161)に準拠し、温度25℃、湿度40%RHにて、引っ張り試験を行った場合に、1GPa以下の弾性率を示す樹脂が好ましい。
なお、上記化学式の末端は、メチル基ではなく、結合位置を示す。他の化学式も同様である。
で表される2価の基である。
炭素数4〜8のシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基が挙げられる。
炭素数6〜14のアリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基が挙げられる。
のいずれかで表される4価の基の群から選択される1種以上である。
で表される4価の基が最も好ましい。
アルキル基は、直鎖状でも、分枝鎖でもよい。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル基、プロピル基、イソプロピル、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−エチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、1,1−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、2−エチルブチル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられる。
のいずれかで表される2価の基の群から選択される1種以上である。なお、上記式の末端は、メチル基ではなく、結合位置を示す。例えば、上記式の最後は、オクタンではなく、ヘキサメチレン基を表す。
のいずれかで表される2価の基が好ましく、4−メチル−1,3−フェニレン基(即ち、トルエン−2,4−ジイソシアネートのイソシアネート基を除いた残基)が特に好ましい。
樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は(c)無機充填材を含む。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカまたはアルミナが好適であり、シリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の樹脂組成物は、(d)成分として、フェノキシ樹脂を含む。
本発明の樹脂組成物は、(e)成分として、カルボジイミド化合物を含む。
樹脂組成物は(f)硬化剤を含み得る。硬化剤としては、(b)成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤(ナフトール系硬化剤も含む)、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。(d)成分は、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される1種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される1種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤であることがさらに好ましい。
樹脂組成物は、(g)硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、(h)難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
本発明の樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた硬化物は、23℃における弾性率が8GPa以上である。上限については特に限定されないが、例えば18GPa以下、15GPa以下、13GPa以下、11GPa以下とし得る。弾性率を8GPa以上とすることで硬化物の反りの発生を抑制することができる。上記弾性率は、後述する<弾性率、引張破断点強度の測定>に記載の方法に従って測定することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物(半導体チップ封止用樹脂組成物)、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物(半導体チップ配線形成用樹脂組成物)としても好適に使用することができる。
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含んでなり、樹脂組成物層が本発明の樹脂組成物からなる。
例えば、本発明の樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため(回路基板の絶縁層用樹脂シート)に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため(メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用)にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、FC−CSP、MIS−BGAパッケージ、ETS−BGAパッケージが挙げられる。
また本発明の樹脂シートは、半導体チップを封止するため(半導体チップ封止用樹脂シート)、または半導体チップに配線を形成するため(半導体チップ配線形成用樹脂シート)に好適に使用することができ、例えばFan−out型WLP(Wafer Level Package)、Fan−in型WLP、Fan−out型PLP(Panel Level Package)、Fan−in型PLP等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるMUF(Molding Under Filling)材料等にも好適に使用することができる。
本発明の樹脂シートはまた、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
(1)基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
(2)本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
(3)配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、(4)基材を除去する工程、を含んでいてもよい。
工程(1)は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。例えば、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第1金属層、第2金属層をそれぞれ有し、第2金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層を有する。詳細は、基材上にドライフィルム(感光性レジストフィルム)を積層し、フォトマスクを用いて露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第1金属層、第2金属層は有していなくてもよい。
工程(2)は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程(1)で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。
工程(3)は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。
回路基板の製造方法は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第1及び第2金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第2金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。
本発明の半導体チップパッケージの第1の態様は、上記本発明の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記本発明の回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。
(A)基材に仮固定フィルムを積層する工程、
(B)半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
(C)本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
(D)基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
(E)半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層(絶縁層)を形成する工程、
(F)再配線形成層(絶縁層)上に導体層(再配線層)を形成する工程、及び
(G)導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、(H)複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。
工程(A)は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程(2)における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
工程(B)は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。
工程(C)は、発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程(C)では、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。
工程(D)は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡(又は膨張)させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。
工程(E)は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層(絶縁層)を形成する工程である。
工程(F)は、再配線形成層(絶縁層)上に導体層(再配線層)を形成する工程である。再配線形成層(絶縁層)上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程(3)の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程(E)及び工程(F)を繰り返し行い、導体層(再配線層)及び再配線形成層(絶縁層)を交互に積み上げて(ビルドアップ)もよい。
工程(G)は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。
半導体チップパッケージの製造方法は、工程(A)〜(G)以外に工程(H)を含んでいてもよい。工程(H)は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
新規出願のお願い
<エラストマーAの製造>
撹拌装置、温度計及びコンデンサーをつけたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを368.41g、ソルベッソ150(芳香族系溶剤、エクソンモービル社製)を368.41g仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを100.1g(0.4モル)とポリカーボネートジオール(数平均分子量:約2000、水酸基当量:1000、不揮発分:100%、クラレ(株)製「C−2015N」)400g(0.2モル)を仕込んで70℃で4時間反応を行った。ついでノニルフェノールノボラック樹脂(水酸基当量229.4g/eq、平均4.27官能、平均計算分子量979.5g/モル)195.9g(0.2モル)とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート41.0g(0.1モル)とを仕込んで、2時間かけて150℃に昇温し、12時間反応させた。FT−IRより2250cm−1のNCOピークの消失の確認
を行った。NCOピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから100メッシュの濾布で濾過して、ポリカーボネート構造を有する樹脂(不揮発分50質量%)を得た。数平均分子量は6100であった。
離型剤処理されたPETフィルム(リンテック(株)製「501010」、厚み38μm、240mm角)の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(パナソニック(株)製「R5715ES」、厚み0.7mm、255mm角)を重ね四辺をポリイミド接着テープ(幅10mm)で固定した(以下、「固定PETフィルム」)。
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤(リンテック(株)製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ(株)製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、以下「離型PET」)上に、乾燥後の仮樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し接着フィルムを得た。各接着フィルム(厚み40μm、200mm角)を、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、仮樹脂組成物層が固定PETフィルムの離型剤処理面と接するように、中央にラミネート処理し、支持体付き樹脂シートを得た。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着させることにより実施した。
評価用硬化物をダンベル状1号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「RTC−1250A」を用いて引張強度測定を行い、23℃における弾性率、引張破断点強度を求めた。測定は、JIS K7127に準拠して実施した。この操作を3回行いその平均値を表に示した。
8インチシリコンウエハ上に仮固定フィルム(リバアルファNo.31950E、日東電工(株)製 Thermal release tape)のforming tape面をロールラミネーターでウエハに張り付けた後、リバアルファのbase adhesive面上にシリコンチップ(DIEサイズ9x6mm、高さ150um)を等間隔に97個配置した。
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤(リンテック(株)製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ(株)製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、以下「離型PET」)上に、乾燥後の仮樹脂組成物層の厚さが200μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し接着フィルムを得た。)得られた接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、上記シリコンチップ付きウエハのシリコンチップ面にラミネートしシリコンチップを封止した。当該シリコンウエハを150℃で1時間オーブンで加熱したのち、当該シリコンウエハを200℃のホットプレート上で加熱しシリコンウエハとリバアルファをforming tape面で剥離したのち、リバアルファbase adhesive面と封止した樹脂の界面を手で剥離し、シリコンチップが樹脂に埋め込まれた樹脂ウエハを得た。上記プロセス中に樹脂の欠け、割れが生じたものを「×」、樹脂の欠け、割れが生じなかったものを「○」とした。
8インチシリコンウエハ上に窒化ケイ素を1000Å蒸着したウエハを用意し、実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤(リンテック(株)製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ(株)製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、以下「離型PET」)上に、乾燥後の仮樹脂組成物層の厚さが20μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し接着フィルムを得た。)得られた接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、上記ウエハにラミネートした。180℃で1時間オーブンで熱硬化した後、「JIS K5400−8.5(1990)」に従って、樹脂組成物層を1mm×1mmの碁盤目にクロスカット(100マス)し、プレッシャークッカー処理(121℃/湿度100%/100時間)した後、テープピールテストを行い、樹脂が剥離したマス目の数を計測した。剥離したマス目が0〜5個を「○」、6〜19個を「△」、20個以上を「×」とした。
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤(リンテック(株)製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ(株)製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、以下「離型PET」)上に、乾燥後の仮樹脂組成物層の厚さが300μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し接着フィルムを得た。)得られた接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、12インチシリコンウエハ(厚み775um)にラミネートし180℃1h加熱し樹脂を硬化させ樹脂付きウエハを作成した。平坦な面に樹脂側を上にして樹脂付きウエハを置き、反り量測定した。最も反りが大きい箇所の反り量が2mm未満を○、2mm以上を×とした。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX7553BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)17部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、ポリフェニレンエーテルオリゴマー(三菱ガス化学(株)製「OPE−1000」、固形分約52%のトルエン溶液、フェノール性水酸基当量:435g/eq)9.6部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX6954BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)17部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量約125、固形分60%のMEK溶液)3.3部、ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学(株)製「SN−485」、水酸基当量:215g/eq)のメチルエチルケトン溶液(固形分:50%)6部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX6954BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)27部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量約125、固形分60%のMEK溶液)5部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA10部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学(株)製「FX−316」)5部、ポリフェニレンエーテルオリゴマー(三菱ガス化学(株)製「OPE−1000」固形分約52%のトルエン溶液、フェノール性水酸基当量:435g/eq)9.6部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA5部、柔軟性構造含有フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX7180BH40」、固形分40質量%のシクロヘキサノン:MEKの1:1溶液)25部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)120部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量約125、固形分60%のMEK溶液)8.3部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA15部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、ポリフェニレンエーテルオリゴマー(三菱ガス化学(株)製「OPE−1000」、固形分約52%のトルエン溶液、フェノール性水酸基当量:435g/eq)9.6部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学(株)製「FX−316」)15部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量約125、固形分60%のMEK溶液)8.3部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル(株)製「V−07」、カルボジイミド当量200、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)4部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「828EL」、エポキシ当量約186)3部、 エラストマーA10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX7553BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)17部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP−7200」、エポキシ当量258)3部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球状シリカA(平均粒径1.7μm、比表面積(m2/g)2.7um)115部、ポリフェニレンエーテルオリゴマー(三菱ガス化学(株)製「OPE−1000」、固形分約52%のトルエン溶液、フェノール性水酸基当量:435g/eq)9.6部、難燃剤(三光社製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)1.5部、硬化促進剤(四国化成工業社製、「2P4MZ−5M」、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、固形分5質量%のMEK溶液)3部を混合し、シクロヘキサノン100部を高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂ワニスを作製した。
<Fan−out型WLP用樹脂シートの作製>
ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが200μmとなるように、実施例1記載の樹脂ワニスをダイコーターにて塗布し、80〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し樹脂シートを得た。
[作製例1]
<層間絶縁用樹脂シートの作製>
ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが200μmとなるように、実施例1記載の樹脂ワニスをダイコーターにて塗布し、80〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し樹脂シートを得た。
Claims (12)
- (c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、75質量%〜95質量%である請求項1に記載の樹脂組成物。
- (a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%である、請求項1または2に記載の樹脂組成物。
- 樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた硬化物の23℃における弾性率が8GPa以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (a)成分が、フェノール性水酸基を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- さらに(f)硬化剤を含み、該硬化剤が、フェノール系硬化剤から選択される1種以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
- 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項8に記載の樹脂シート。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
- 請求項10に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物、または請求項8に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
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