JP2531445B2 - ガラス封止型icパッケ―ジ - Google Patents
ガラス封止型icパッケ―ジInfo
- Publication number
- JP2531445B2 JP2531445B2 JP5200845A JP20084593A JP2531445B2 JP 2531445 B2 JP2531445 B2 JP 2531445B2 JP 5200845 A JP5200845 A JP 5200845A JP 20084593 A JP20084593 A JP 20084593A JP 2531445 B2 JP2531445 B2 JP 2531445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- cap
- glass
- package
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
ケージの構造に関する。
ジの構造を示す。ICチップ3を搭載したベース4とキ
ャップ2とでリード5をはさみ、ガラス6で封止したも
ので、チップ3とキャップ2の間は中空状態となってい
る。
4表面にあらかじめガラス6を印刷し、ガラス6上にリ
ード5を加熱、圧着する。ろう材7によりベース4の中
央部にICチップ3を固定し,チップ3上の電極とリー
ド5をボンディングワイヤー8で接続する。一方、中央
部を除くキャップ2表面にガラス6を印刷し、ベース4
にかぶせて加熱し、ガラス6を溶融させて気密封止す
る。したがって、キャップ2とベース4の厚さおよび封
止時のガラス6幅は自由に変更できる。
Cパッケージでは、チップ3とキャップ2の間は中空状
態となっている。このため薄型のパッケージでは、圧力
試験により変形したキャップ2が、チップ3及びボンデ
ィングワイヤー8と接触し、チップ3を傷つけたり、ワ
イヤー8が変形することが問題となる。これはキャップ
2が薄いために発生したものであり、パッケージ変形が
大きい場合にはキャップ2が破壊する事故につながる。
ラス6幅を広くとりキャップ変形を小さく抑えることで
この問題を回避してきた。しかしながら、キャップ2が
割れない程度にガラス6幅を広くするにはチップ3を小
さくする必要があり、またパッケージを薄くするために
はキャップ2を厚くした以上にベース4を薄くする必要
がある。このように、従来の方法ではICの大型化、パ
ッケージの薄型化に限度があるという問題点があった。
形を抑えたパッケージを提供し、ICの信頼性および生
産性の高いICパッケージを提供することにある。
ージは、ガラス封止型ICパッケージにおいて、キャッ
プとチップとの間を絶縁体材料で連結し、絶縁体の少な
くともチップとの接触部をチップを傷つけない材料で形
成したことを特徴とする。
ラス封止型ICパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、絶縁体の少なくともチップ対向部のチップ側表
面がチップを傷つけない材料で形成されることを特徴と
する。また、ガラス封止型ICパッケージにおいて、チ
ップ表面に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は
連結せず、絶縁体の少なくともチップとの接触部がチッ
プを傷つけない材料で形成されていてもよい。また、ガ
ラス封止型ICパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、チップの表面が絶縁体との接触により傷つかな
い材料で形成されていていもよい。 チップとの接触によ
る摩擦によってもチップを傷つけない絶縁体材料として
は、エポキシ樹脂などがある。絶縁体ガラスなどチップ
を傷つける恐れのある絶縁体材料を用いる場合も、絶縁
体の少なくともチップとの接触部またはチップとの対向
部をチップを傷つけない材料(エポキシ樹脂、ゴムな
ど)で形成するか、あるいはチップの表面を絶縁体材料
との接触によってもチップが傷つかない材料(ガラス膜
など)でコーティングすればよい。
ップ変形の説明図である。封止時のガラス幅によって、
パッケージ変形量(キャップ2とチップ3の間隔減小
量)が変化する様子を、キャップ厚が0.25,0.2
8,0.3mmの各場合について示した。ガラス6幅が
小さいほど、またキャップ2が薄いほど、パッケージ変
形は大きくなり、同図に横線で示したパッケージ変形の
許容値以上になった場合は、変形したキャップ2がチッ
プ3やワイヤー8と接触したりキャップ2が破壊する等
の不良事故が起こる。このため、キャップ厚が0.3m
mの場合はガラス幅を3mm以上に、キャップ厚が0.
25mmの場合はガラス幅を4mm以上にする必要があ
る。このように、パッケージ薄型化のためにキャップ2
を薄くするほど、ガラス幅は広くすることになる。
に変えられず、ガラス6幅を広くするにはチップ3を小
さくする必要がある。従来このことがICの大型化およ
びパッケージの薄型化に支障となってきた。
ケージの構造を示した。本発明においては、キャップ2
とチップ3の間を、チップの絶縁不良を起こさないよう
に絶縁体材料1で連結している。こうすることにより、
高い圧力下でもキャップ2の変形は抑えられ、キャップ
2とチップ3およびワイヤー8とが接触することはなく
なる。また、キャップ2に発生する応力も変形に比例し
て小さくなり、キャップが破壊する事故も防ぐことがで
き、ICの信頼性および生産性を高めることができる。
の発明及び第2の発明について説明する。 (例1)図1は第1の発明の一実施例を示すガラス封止
型ICパッケージの断面図である。キャップ2とチップ
3の間に弾性率1500kgw/mm2 、熱膨張係数
2.1x10- 6 、 ガラス転移温度250℃のエポキシ
樹脂を充填し、キャップ2及びベース3を2/3倍に薄
くしている。この構成の場合、通常の圧力試験の1.5
倍の高圧力まで、キャップ2とチップ3やワイヤー8と
の接触及びキャップ2の割れは起きなかった。有限要素
法による数値計算から、応力はキャップ2の外側表面に
発生し、約10kgw/mm2 であった。キャップ材料
の破壊強度は30kgw/mm2 以上であり、キャップ
割れの可能性はない。また、チップ1で発生した熱を効
率よくキャップに逃がす効果もある。
のエポキシ樹脂1をチップ3上に取り付けた第2の発
明の一実施例である。エポキシ樹脂1とキャップ2が接
触することによって、圧力試験時のキャップ2とワイヤ
ー8との接触を防いでいる。数値計算によれば、キャッ
プ2がエポシキ樹脂1に接触した時、キャップ2の外側
に20kgw/mm2 程度の応力が発生するが、キャッ
プ割れにはつながらない。パッケージの薄型化のために
キャップ2をさらに薄くした場合、圧力試験時のキャッ
プ2表面の応力は高くなるが、エポキシ樹脂1を厚くす
ることによって、この応力が小さくなるように調整でき
る。
mm2の絶縁体ガラス1をキャップ2の内側に取り付け
た第2の発明の一実施例である。こうすることにより、
圧力試験ではキャップ2とチップ3及びワイヤ−8との
接触事故やキャップ割れは起きなかった。ここでは、チ
ップ3表面はガラス膜9でコーティングしており、圧力
試験中にガラス1がチップ3と接触した時にチップを擦
ることを防いでいる。この実施例の構成では、絶縁体材
料1を取り付けたキャップ2とベース側をガラス封止す
ればよく、製造がしやすい。
ラス1の部分を、チップ3との対向部のチップ側表面に
弾性率200kgw/mm2のゴム材料を使用した第2
の発明の一実施例である。こうすることにより摩擦でチ
ップ3を傷つけることはなくなり、チップ表面をコーテ
ィングする必要がない。
時にキャップとチップの間に絶縁体材料がはさまれるよ
うにしたものであり、これによって高い圧力下において
もパッケージの変形を抑え、ICの信頼性および生産性
を高める効果を有する。
る。
ある。
る。
る
る
Claims (4)
- 【請求項1】 ICチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型I
Cパッケージにおいて、キャップとチップとの間を絶縁
体材料で連結し、前記絶縁体の少なくとも前記チップと
の接触部が前記チップを傷つけない材料で形成されるこ
とを特徴とするICパッケージ。 - 【請求項2】 ICチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型I
Cパッケージにおいて、前記キャップの前記チップ対向部 に絶縁体材料を設け、
前記キャップと前記チップの間は連結せず、 前記絶縁体の少なくとも前記チップ対向部のチップ側表
面が前記チップを傷つけない材料で形成される ことを特
徴とするICパッケージ。 - 【請求項3】 ICチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型I
Cパッケージにおいて、 前記チップ表面に絶縁体材料を設け、前記キャップと前
記チップの間は連結せず、 前記絶縁体の少なくとも前記チップとの接触部が前記チ
ップを傷つけない材料で形成されることを特徴とするI
Cパッケージ。 - 【請求項4】 ICチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型I
Cパッケージにおいて、 前記キャップの前記チップ対向部に絶縁体材料を設け、
前記キャップと前記チップの間は連結せず、 前記チップの表面が前記絶縁体との接触により傷つかな
い材料で形成されることを特徴とするICパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5200845A JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型icパッケ―ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5200845A JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型icパッケ―ジ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758232A JPH0758232A (ja) | 1995-03-03 |
JP2531445B2 true JP2531445B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16431175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5200845A Expired - Fee Related JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型icパッケ―ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2531445B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01165649U (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-20 |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP5200845A patent/JP2531445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0758232A (ja) | 1995-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2915892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
US6374678B1 (en) | Hermetically sealed pressure sensor | |
EP0642156A2 (en) | Improved encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same | |
JPH0997888A (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
EP0090566A2 (en) | Semiconductor device package | |
JP2531445B2 (ja) | ガラス封止型icパッケ―ジ | |
JP2003031848A (ja) | 固体発光ランプ及び固体発光ランプの製造方法 | |
JPS61147555A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11307713A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH0864715A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08111493A (ja) | 半導体装置 | |
KR930006591B1 (ko) | 저융점그래스봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JPH0520903B2 (ja) | ||
JPH0493052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR0168841B1 (ko) | 금속전자 패키지 및 그 제조공정 | |
JP3337526B2 (ja) | パッケージ型半導体部品の構造 | |
JP2810551B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH0312467B2 (ja) | ||
JPS62147752A (ja) | 半導体装置 | |
JP2865224B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS63151054A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07245374A (ja) | リ−ドフレ−ム及び半導体装置 | |
JPH02144942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05218271A (ja) | Icパッケージ | |
JPH02271557A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960507 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |