JP2531445B2 - ガラス封止型ｉｃパッケ―ジ - Google Patents
ガラス封止型ｉｃパッケ―ジInfo
- Publication number
- JP2531445B2 JP2531445B2 JP5200845A JP20084593A JP2531445B2 JP 2531445 B2 JP2531445 B2 JP 2531445B2 JP 5200845 A JP5200845 A JP 5200845A JP 20084593 A JP20084593 A JP 20084593A JP 2531445 B2 JP2531445 B2 JP 2531445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- cap
- glass
- package
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス封止型ＩＣパッ
ケージの構造に関する。
ケージの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来のガラス封止型ＩＣパッケー
ジの構造を示す。ＩＣチップ３を搭載したベース４とキ
ャップ２とでリード５をはさみ、ガラス６で封止したも
ので、チップ３とキャップ２の間は中空状態となってい
る。
ジの構造を示す。ＩＣチップ３を搭載したベース４とキ
ャップ２とでリード５をはさみ、ガラス６で封止したも
ので、チップ３とキャップ２の間は中空状態となってい
る。
【０００３】制作過程としては、中央部を除いたベース
４表面にあらかじめガラス６を印刷し、ガラス６上にリ
ード５を加熱、圧着する。ろう材７によりベース４の中
央部にＩＣチップ３を固定し，チップ３上の電極とリー
ド５をボンディングワイヤー８で接続する。一方、中央
部を除くキャップ２表面にガラス６を印刷し、ベース４
にかぶせて加熱し、ガラス６を溶融させて気密封止す
る。したがって、キャップ２とベース４の厚さおよび封
止時のガラス６幅は自由に変更できる。
４表面にあらかじめガラス６を印刷し、ガラス６上にリ
ード５を加熱、圧着する。ろう材７によりベース４の中
央部にＩＣチップ３を固定し，チップ３上の電極とリー
ド５をボンディングワイヤー８で接続する。一方、中央
部を除くキャップ２表面にガラス６を印刷し、ベース４
にかぶせて加熱し、ガラス６を溶融させて気密封止す
る。したがって、キャップ２とベース４の厚さおよび封
止時のガラス６幅は自由に変更できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のガラス封止型Ｉ
Ｃパッケージでは、チップ３とキャップ２の間は中空状
態となっている。このため薄型のパッケージでは、圧力
試験により変形したキャップ２が、チップ３及びボンデ
ィングワイヤー８と接触し、チップ３を傷つけたり、ワ
イヤー８が変形することが問題となる。これはキャップ
２が薄いために発生したものであり、パッケージ変形が
大きい場合にはキャップ２が破壊する事故につながる。
Ｃパッケージでは、チップ３とキャップ２の間は中空状
態となっている。このため薄型のパッケージでは、圧力
試験により変形したキャップ２が、チップ３及びボンデ
ィングワイヤー８と接触し、チップ３を傷つけたり、ワ
イヤー８が変形することが問題となる。これはキャップ
２が薄いために発生したものであり、パッケージ変形が
大きい場合にはキャップ２が破壊する事故につながる。
【０００５】従来、キャップ２を厚くしたり封止時のガ
ラス６幅を広くとりキャップ変形を小さく抑えることで
この問題を回避してきた。しかしながら、キャップ２が
割れない程度にガラス６幅を広くするにはチップ３を小
さくする必要があり、またパッケージを薄くするために
はキャップ２を厚くした以上にベース４を薄くする必要
がある。このように、従来の方法ではＩＣの大型化、パ
ッケージの薄型化に限度があるという問題点があった。
ラス６幅を広くとりキャップ変形を小さく抑えることで
この問題を回避してきた。しかしながら、キャップ２が
割れない程度にガラス６幅を広くするにはチップ３を小
さくする必要があり、またパッケージを薄くするために
はキャップ２を厚くした以上にベース４を薄くする必要
がある。このように、従来の方法ではＩＣの大型化、パ
ッケージの薄型化に限度があるという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、高い圧力下においても変
形を抑えたパッケージを提供し、ＩＣの信頼性および生
産性の高いＩＣパッケージを提供することにある。
形を抑えたパッケージを提供し、ＩＣの信頼性および生
産性の高いＩＣパッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明のＩＣパッケ
ージは、ガラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャッ
プとチップとの間を絶縁体材料で連結し、絶縁体の少な
くともチップとの接触部をチップを傷つけない材料で形
成したことを特徴とする。
ージは、ガラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャッ
プとチップとの間を絶縁体材料で連結し、絶縁体の少な
くともチップとの接触部をチップを傷つけない材料で形
成したことを特徴とする。
【０００８】さらに第２の発明のＩＣパッケージは、ガ
ラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、絶縁体の少なくともチップ対向部のチップ側表
面がチップを傷つけない材料で形成されることを特徴と
する。また、ガラス封止型ＩＣパッケージにおいて、チ
ップ表面に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は
連結せず、絶縁体の少なくともチップとの接触部がチッ
プを傷つけない材料で形成されていてもよい。また、ガ
ラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、チップの表面が絶縁体との接触により傷つかな
い材料で形成されていていもよい。 チップとの接触によ
る摩擦によってもチップを傷つけない絶縁体材料として
は、エポキシ樹脂などがある。絶縁体ガラスなどチップ
を傷つける恐れのある絶縁体材料を用いる場合も、絶縁
体の少なくともチップとの接触部またはチップとの対向
部をチップを傷つけない材料（エポキシ樹脂、ゴムな
ど）で形成するか、あるいはチップの表面を絶縁体材料
との接触によってもチップが傷つかない材料（ガラス膜
など）でコーティングすればよい。
ラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、絶縁体の少なくともチップ対向部のチップ側表
面がチップを傷つけない材料で形成されることを特徴と
する。また、ガラス封止型ＩＣパッケージにおいて、チ
ップ表面に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は
連結せず、絶縁体の少なくともチップとの接触部がチッ
プを傷つけない材料で形成されていてもよい。また、ガ
ラス封止型ＩＣパッケージにおいて、キャップのチップ
対向部に絶縁体材料を設け、キャップとチップの間は連
結せず、チップの表面が絶縁体との接触により傷つかな
い材料で形成されていていもよい。 チップとの接触によ
る摩擦によってもチップを傷つけない絶縁体材料として
は、エポキシ樹脂などがある。絶縁体ガラスなどチップ
を傷つける恐れのある絶縁体材料を用いる場合も、絶縁
体の少なくともチップとの接触部またはチップとの対向
部をチップを傷つけない材料（エポキシ樹脂、ゴムな
ど）で形成するか、あるいはチップの表面を絶縁体材料
との接触によってもチップが傷つかない材料（ガラス膜
など）でコーティングすればよい。
【０００９】
【作用】図３は従来パッケージの圧力試験におけるキャ
ップ変形の説明図である。封止時のガラス幅によって、
パッケージ変形量（キャップ２とチップ３の間隔減小
量）が変化する様子を、キャップ厚が０．２５，０．２
８，０．３ｍｍの各場合について示した。ガラス６幅が
小さいほど、またキャップ２が薄いほど、パッケージ変
形は大きくなり、同図に横線で示したパッケージ変形の
許容値以上になった場合は、変形したキャップ２がチッ
プ３やワイヤー８と接触したりキャップ２が破壊する等
の不良事故が起こる。このため、キャップ厚が０．３ｍ
ｍの場合はガラス幅を３ｍｍ以上に、キャップ厚が０．
２５ｍｍの場合はガラス幅を４ｍｍ以上にする必要があ
る。このように、パッケージ薄型化のためにキャップ２
を薄くするほど、ガラス幅は広くすることになる。
ップ変形の説明図である。封止時のガラス幅によって、
パッケージ変形量（キャップ２とチップ３の間隔減小
量）が変化する様子を、キャップ厚が０．２５，０．２
８，０．３ｍｍの各場合について示した。ガラス６幅が
小さいほど、またキャップ２が薄いほど、パッケージ変
形は大きくなり、同図に横線で示したパッケージ変形の
許容値以上になった場合は、変形したキャップ２がチッ
プ３やワイヤー８と接触したりキャップ２が破壊する等
の不良事故が起こる。このため、キャップ厚が０．３ｍ
ｍの場合はガラス幅を３ｍｍ以上に、キャップ厚が０．
２５ｍｍの場合はガラス幅を４ｍｍ以上にする必要があ
る。このように、パッケージ薄型化のためにキャップ２
を薄くするほど、ガラス幅は広くすることになる。
【００１０】しかしながら、パッケージの大きさは自由
に変えられず、ガラス６幅を広くするにはチップ３を小
さくする必要がある。従来このことがＩＣの大型化およ
びパッケージの薄型化に支障となってきた。
に変えられず、ガラス６幅を広くするにはチップ３を小
さくする必要がある。従来このことがＩＣの大型化およ
びパッケージの薄型化に支障となってきた。
【００１１】図１に第１の発明のガラス封止型ＩＣパッ
ケージの構造を示した。本発明においては、キャップ２
とチップ３の間を、チップの絶縁不良を起こさないよう
に絶縁体材料１で連結している。こうすることにより、
高い圧力下でもキャップ２の変形は抑えられ、キャップ
２とチップ３およびワイヤー８とが接触することはなく
なる。また、キャップ２に発生する応力も変形に比例し
て小さくなり、キャップが破壊する事故も防ぐことがで
き、ＩＣの信頼性および生産性を高めることができる。
ケージの構造を示した。本発明においては、キャップ２
とチップ３の間を、チップの絶縁不良を起こさないよう
に絶縁体材料１で連結している。こうすることにより、
高い圧力下でもキャップ２の変形は抑えられ、キャップ
２とチップ３およびワイヤー８とが接触することはなく
なる。また、キャップ２に発生する応力も変形に比例し
て小さくなり、キャップが破壊する事故も防ぐことがで
き、ＩＣの信頼性および生産性を高めることができる。
【００１２】
【実施例】次に、図１及び図４から図７を参照して第１
の発明及び第２の発明について説明する。 （例１）図１は第１の発明の一実施例を示すガラス封止
型ＩＣパッケージの断面図である。キャップ２とチップ
３の間に弾性率１５００ｋｇｗ／ｍｍ2 、熱膨張係数
２．１ｘ１０- 6 、 ガラス転移温度２５０℃のエポキシ
樹脂を充填し、キャップ２及びベース３を２／３倍に薄
くしている。この構成の場合、通常の圧力試験の１．５
倍の高圧力まで、キャップ２とチップ３やワイヤー８と
の接触及びキャップ２の割れは起きなかった。有限要素
法による数値計算から、応力はキャップ２の外側表面に
発生し、約１０ｋｇｗ／ｍｍ2 であった。キャップ材料
の破壊強度は３０ｋｇｗ／ｍｍ2 以上であり、キャップ
割れの可能性はない。また、チップ１で発生した熱を効
率よくキャップに逃がす効果もある。
の発明及び第２の発明について説明する。 （例１）図１は第１の発明の一実施例を示すガラス封止
型ＩＣパッケージの断面図である。キャップ２とチップ
３の間に弾性率１５００ｋｇｗ／ｍｍ2 、熱膨張係数
２．１ｘ１０- 6 、 ガラス転移温度２５０℃のエポキシ
樹脂を充填し、キャップ２及びベース３を２／３倍に薄
くしている。この構成の場合、通常の圧力試験の１．５
倍の高圧力まで、キャップ２とチップ３やワイヤー８と
の接触及びキャップ２の割れは起きなかった。有限要素
法による数値計算から、応力はキャップ２の外側表面に
発生し、約１０ｋｇｗ／ｍｍ2 であった。キャップ材料
の破壊強度は３０ｋｇｗ／ｍｍ2 以上であり、キャップ
割れの可能性はない。また、チップ１で発生した熱を効
率よくキャップに逃がす効果もある。
【００１３】（例２）図４は、弾性率１５００ｋｇｗ /
のエポキシ樹脂１をチップ３上に取り付けた第２の発
明の一実施例である。エポキシ樹脂１とキャップ２が接
触することによって、圧力試験時のキャップ２とワイヤ
ー８との接触を防いでいる。数値計算によれば、キャッ
プ２がエポシキ樹脂１に接触した時、キャップ２の外側
に２０ｋｇｗ／ｍｍ2 程度の応力が発生するが、キャッ
プ割れにはつながらない。パッケージの薄型化のために
キャップ２をさらに薄くした場合、圧力試験時のキャッ
プ２表面の応力は高くなるが、エポキシ樹脂１を厚くす
ることによって、この応力が小さくなるように調整でき
る。
のエポキシ樹脂１をチップ３上に取り付けた第２の発
明の一実施例である。エポキシ樹脂１とキャップ２が接
触することによって、圧力試験時のキャップ２とワイヤ
ー８との接触を防いでいる。数値計算によれば、キャッ
プ２がエポシキ樹脂１に接触した時、キャップ２の外側
に２０ｋｇｗ／ｍｍ2 程度の応力が発生するが、キャッ
プ割れにはつながらない。パッケージの薄型化のために
キャップ２をさらに薄くした場合、圧力試験時のキャッ
プ２表面の応力は高くなるが、エポキシ樹脂１を厚くす
ることによって、この応力が小さくなるように調整でき
る。
【００１４】（例３）図５は、弾性率７０００ｋｇｗ／
ｍｍ2の絶縁体ガラス１をキャップ２の内側に取り付け
た第２の発明の一実施例である。こうすることにより、
圧力試験ではキャップ２とチップ３及びワイヤ−８との
接触事故やキャップ割れは起きなかった。ここでは、チ
ップ３表面はガラス膜９でコーティングしており、圧力
試験中にガラス１がチップ３と接触した時にチップを擦
ることを防いでいる。この実施例の構成では、絶縁体材
料１を取り付けたキャップ２とベース側をガラス封止す
ればよく、製造がしやすい。
ｍｍ2の絶縁体ガラス１をキャップ２の内側に取り付け
た第２の発明の一実施例である。こうすることにより、
圧力試験ではキャップ２とチップ３及びワイヤ−８との
接触事故やキャップ割れは起きなかった。ここでは、チ
ップ３表面はガラス膜９でコーティングしており、圧力
試験中にガラス１がチップ３と接触した時にチップを擦
ることを防いでいる。この実施例の構成では、絶縁体材
料１を取り付けたキャップ２とベース側をガラス封止す
ればよく、製造がしやすい。
【００１５】（例４）図６は、図５の構成例の絶縁体ガ
ラス１の部分を、チップ３との対向部のチップ側表面に
弾性率２００ｋｇｗ／ｍｍ2のゴム材料を使用した第２
の発明の一実施例である。こうすることにより摩擦でチ
ップ３を傷つけることはなくなり、チップ表面をコーテ
ィングする必要がない。
ラス１の部分を、チップ３との対向部のチップ側表面に
弾性率２００ｋｇｗ／ｍｍ2のゴム材料を使用した第２
の発明の一実施例である。こうすることにより摩擦でチ
ップ３を傷つけることはなくなり、チップ表面をコーテ
ィングする必要がない。
【００１６】
【発明の効果】以上にように本発明は、パッケージ変形
時にキャップとチップの間に絶縁体材料がはさまれるよ
うにしたものであり、これによって高い圧力下において
もパッケージの変形を抑え、ＩＣの信頼性および生産性
を高める効果を有する。
時にキャップとチップの間に絶縁体材料がはさまれるよ
うにしたものであり、これによって高い圧力下において
もパッケージの変形を抑え、ＩＣの信頼性および生産性
を高める効果を有する。
【図１】第１の発明の一実施例を示した構成断面図であ
る。
る。
【図２】従来のＩＣパッケージの構成を示した断面図で
ある。
ある。
【図３】従来パッケージの変形の説明図である。
【図４】第２の発明の一実施例を示した構成断面図であ
る。
る。
【図５】第２の発明の実施態様を示した構成断面図であ
る
る
【図６】第２の発明の実施態様を示した構成断面図であ
る
る
１ 絶縁態材料 1a ゴム材料 1b ガラス材料 ２ キャップ ３ ＩＣチップ ４ ベース ５ リードフレーム ６ 封止ガラス ７ ろう材 ８ ボンディングワイヤー ９ コーティング材料
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＣチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型Ｉ
Ｃパッケージにおいて、キャップとチップとの間を絶縁
体材料で連結し、前記絶縁体の少なくとも前記チップと
の接触部が前記チップを傷つけない材料で形成されるこ
とを特徴とするＩＣパッケージ。 - 【請求項２】 ＩＣチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型Ｉ
Ｃパッケージにおいて、前記キャップの前記チップ対向部 に絶縁体材料を設け、
前記キャップと前記チップの間は連結せず、 前記絶縁体の少なくとも前記チップ対向部のチップ側表
面が前記チップを傷つけない材料で形成される ことを特
徴とするＩＣパッケージ。 - 【請求項３】 ＩＣチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型Ｉ
Ｃパッケージにおいて、 前記チップ表面に絶縁体材料を設け、前記キャップと前
記チップの間は連結せず、 前記絶縁体の少なくとも前記チップとの接触部が前記チ
ップを傷つけない材料で形成されることを特徴とするＩ
Ｃパッケージ。 - 【請求項４】 ＩＣチップを搭載したベースとキャップ
とでリードをはさみ、ガラスで封止するガラス封止型Ｉ
Ｃパッケージにおいて、 前記キャップの前記チップ対向部に絶縁体材料を設け、
前記キャップと前記チップの間は連結せず、 前記チップの表面が前記絶縁体との接触により傷つかな
い材料で形成されることを特徴とするＩＣパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200845A JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型ｉｃパッケ―ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200845A JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型ｉｃパッケ―ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758232A JPH0758232A (ja) | 1995-03-03 |
| JP2531445B2 true JP2531445B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16431175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5200845A Expired - Fee Related JP2531445B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | ガラス封止型ｉｃパッケ―ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531445B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165649U (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-20 |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP5200845A patent/JP2531445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758232A (ja) | 1995-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2915892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| US6374678B1 (en) | Hermetically sealed pressure sensor | |
| EP0642156A2 (en) | Improved encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same | |
| JPH0997888A (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
| EP0090566A2 (en) | Semiconductor device package | |
| JP2531445B2 (ja) | ガラス封止型ｉｃパッケ―ジ | |
| JP2003031848A (ja) | 固体発光ランプ及び固体発光ランプの製造方法 | |
| JPS61147555A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11307713A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0864715A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08111493A (ja) | 半導体装置 | |
| KR930006591B1 (ko) | 저융점그래스봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0520903B2 (ja) | ||
| JPH0493052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR0168841B1 (ko) | 금속전자 패키지 및 그 제조공정 | |
| JP3337526B2 (ja) | パッケージ型半導体部品の構造 | |
| JP2810551B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH0312467B2 (ja) | ||
| JPS62147752A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2865224B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS63151054A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07245374A (ja) | リ−ドフレ−ム及び半導体装置 | |
| JPH02144942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218271A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPH02271557A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960507 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 17 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |