JPS63151054A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63151054A JPS63151054A JP29953486A JP29953486A JPS63151054A JP S63151054 A JPS63151054 A JP S63151054A JP 29953486 A JP29953486 A JP 29953486A JP 29953486 A JP29953486 A JP 29953486A JP S63151054 A JPS63151054 A JP S63151054A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止した半導体装置に関するものである
。
。
従来の技術
従来、樹脂封止した半導体装置は、その耐湿性を向上さ
せるため、樹脂とリードフレームあるいは半導体素子と
の密着性を上げることが行なわれている。
せるため、樹脂とリードフレームあるいは半導体素子と
の密着性を上げることが行なわれている。
また、樹脂材料と半導体素子の熱膨張係数の違いから、
外部の熱ストレスによって発生する半導体素子上の保護
膜割れや、蒸着アルミ配線の移動現象を防止するため、
半導体素子上に、数十〜数百μ慣の厚さのシリコーン樹
脂を塗布した後、樹脂封止する方法が用いられている。
外部の熱ストレスによって発生する半導体素子上の保護
膜割れや、蒸着アルミ配線の移動現象を防止するため、
半導体素子上に、数十〜数百μ慣の厚さのシリコーン樹
脂を塗布した後、樹脂封止する方法が用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、耐湿性を上げるために、樹脂と半導体素
子の密着性を上げることは、外部熱ストレスによる保護
膜割れや、蒸着アルミ配線の移動を起こしやすいという
問題があった。
子の密着性を上げることは、外部熱ストレスによる保護
膜割れや、蒸着アルミ配線の移動を起こしやすいという
問題があった。
また、シリコーン樹脂を塗布する方法は、上記問題を解
決するが、リードフレームと半導体素子を接続するワイ
ヤーの途中に、シリコーン樹脂と封止樹脂の界面が存在
し、このシリコーン樹脂と封止樹脂の熱膨張係数の違い
から、ワイヤーを断線させるという問題があった。
決するが、リードフレームと半導体素子を接続するワイ
ヤーの途中に、シリコーン樹脂と封止樹脂の界面が存在
し、このシリコーン樹脂と封止樹脂の熱膨張係数の違い
から、ワイヤーを断線させるという問題があった。
本発明は、上記問題点を解決した、樹脂封止半導体装置
を提供することを目的としている。
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、ワイヤーボンデ
ィング完了後、樹脂封止前の半導体素子の表面に、天然
ワックス、合成ワックスあるいはステアリン酸等の、後
工程である樹脂封止工程での熱で簡単に溶ける絶縁材料
を塗布し、上記半導体素子、ワイヤーおよびリードフレ
ームの一部を高耐湿性樹脂で封止した半導体装置である
。
ィング完了後、樹脂封止前の半導体素子の表面に、天然
ワックス、合成ワックスあるいはステアリン酸等の、後
工程である樹脂封止工程での熱で簡単に溶ける絶縁材料
を塗布し、上記半導体素子、ワイヤーおよびリードフレ
ームの一部を高耐湿性樹脂で封止した半導体装置である
。
作用
このようにすれば、樹脂封止工程で天然ワックス等の材
料が溶け、樹脂封止後、半導体素子表面と樹脂との密着
性を落とすことができるから、ワイヤーの断線を起こさ
せることなく、保護膜割れやアルミニウム配線移動を押
えることができる。
料が溶け、樹脂封止後、半導体素子表面と樹脂との密着
性を落とすことができるから、ワイヤーの断線を起こさ
せることなく、保護膜割れやアルミニウム配線移動を押
えることができる。
しかも、高耐湿性の樹脂で封止するから耐湿性を良好に
保つ半導体装置を製造できる。
保つ半導体装置を製造できる。
実施例
第１図に、本発明による半導体装置の実施例の断面構造
図を示す。第１図において、１はリードフレーム、２は
このリードフレーム１上に取付けられた半導体素子、３
はリードフレーム１と半導体素子２を接続するワイヤー
である。このように、リードフレーム１と半導体素子２
をワイヤー３で接続した後、半導体素子２の表面（特に
、ワイヤー３により囲まれた半導体素子２の上面の中央
付近）に、合成ワックス、天然ワックスあるいはステア
リン酸４を塗布する。これらの材料は、通常、封止樹脂
中に含まれる金型との離型を良（する離型剤と同じもの
である。このため、樹脂封止前に適量を半導体素子２上
に滴下するだけで、その後の樹脂封止工程での熱で簡単
に溶け、半導体素子２全体を覆うことができ、樹脂封止
後、半導体素子２の表面と樹脂５との密着性を落とすこ
とができる。このような材料４の塗布、溶融には、従来
のシリコーン樹脂を塗布する場合のような硬化工程が不
要であり、工程を複雑にしない。
図を示す。第１図において、１はリードフレーム、２は
このリードフレーム１上に取付けられた半導体素子、３
はリードフレーム１と半導体素子２を接続するワイヤー
である。このように、リードフレーム１と半導体素子２
をワイヤー３で接続した後、半導体素子２の表面（特に
、ワイヤー３により囲まれた半導体素子２の上面の中央
付近）に、合成ワックス、天然ワックスあるいはステア
リン酸４を塗布する。これらの材料は、通常、封止樹脂
中に含まれる金型との離型を良（する離型剤と同じもの
である。このため、樹脂封止前に適量を半導体素子２上
に滴下するだけで、その後の樹脂封止工程での熱で簡単
に溶け、半導体素子２全体を覆うことができ、樹脂封止
後、半導体素子２の表面と樹脂５との密着性を落とすこ
とができる。このような材料４の塗布、溶融には、従来
のシリコーン樹脂を塗布する場合のような硬化工程が不
要であり、工程を複雑にしない。
第２図に、半導体素子２と樹脂５の密着性が良い場合と
悪い場合の、熱衝撃試験によるアルミニウム配線の移動
量を示す。半導体素子２と樹脂５の密着性を落とすこと
によって、アルミニウム配線の移動量を１０分の１に押
えることができる。
悪い場合の、熱衝撃試験によるアルミニウム配線の移動
量を示す。半導体素子２と樹脂５の密着性を落とすこと
によって、アルミニウム配線の移動量を１０分の１に押
えることができる。
また、両者におけるワイヤー断線故障にも差がな（良好
であった。
であった。
次に、通常の封止樹脂（たとえば熱硬化性エポキシ）を
用いた半導体装置の耐湿性試験結果を第３図に示す。第
３図からもわかるように、同一の樹脂材料を用いて封止
した場合、半導体素子と樹脂の密着性が悪いと耐湿性が
劣る。
用いた半導体装置の耐湿性試験結果を第３図に示す。第
３図からもわかるように、同一の樹脂材料を用いて封止
した場合、半導体素子と樹脂の密着性が悪いと耐湿性が
劣る。
第４図は、通常の封止樹脂（たとえば上記熱硬化性エポ
キシ）と、その樹脂にイオン交換体の粉末を微量添加し
たときの耐湿性試験結果を示す。
キシ）と、その樹脂にイオン交換体の粉末を微量添加し
たときの耐湿性試験結果を示す。
イオン交換体は、樹脂中から抽出される塩素イオン等の
不純物イオンを捕獲あるいは、水酸基と交換するもので
、これを添加することによって耐湿性が大きく向上して
いる。これは、樹脂中の不純物イオンが、耐湿性に効い
ているためである。そこで本実施例では、樹脂５として
、たとえば、このイオン交換体添加樹脂のような高耐湿
性樹脂を用いている。このようにすれば、半導体素子２
と樹脂５の密着性が悪くても耐湿性を良好に保つことが
できる。
不純物イオンを捕獲あるいは、水酸基と交換するもので
、これを添加することによって耐湿性が大きく向上して
いる。これは、樹脂中の不純物イオンが、耐湿性に効い
ているためである。そこで本実施例では、樹脂５として
、たとえば、このイオン交換体添加樹脂のような高耐湿
性樹脂を用いている。このようにすれば、半導体素子２
と樹脂５の密着性が悪くても耐湿性を良好に保つことが
できる。
発明の効果
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、耐湿性
をおとすことなく、簡単に、半導体素子の保護膜割れや
アルミニウム配線移動を起こさない半導体装置を製造す
ることができ、実用上きわめて有効である。
をおとすことなく、簡単に、半導体素子の保護膜割れや
アルミニウム配線移動を起こさない半導体装置を製造す
ることができ、実用上きわめて有効である。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示
す断面図、第２図は半導体素子と樹脂の密着性の違いに
よる熱衝撃試験でのアルミニウム配線移動量測定結果を
示す特性図、第３図は半導体素子と樹脂の密着性の違い
による耐湿性試験結果を示す特性図、第４図は樹脂にイ
オン交換体を添加したときの耐湿性試験結果を示す特性
図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・ワイヤー、４・・・・・・合成ワ
ックス、天然ワックスあるいはステアリン酸、５・・・
・・・樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名！−リード
ンム 第１図 第２図 ジ 第３図 ｗｔｌ枕１り良Ｍ聞（書間）
す断面図、第２図は半導体素子と樹脂の密着性の違いに
よる熱衝撃試験でのアルミニウム配線移動量測定結果を
示す特性図、第３図は半導体素子と樹脂の密着性の違い
による耐湿性試験結果を示す特性図、第４図は樹脂にイ
オン交換体を添加したときの耐湿性試験結果を示す特性
図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・ワイヤー、４・・・・・・合成ワ
ックス、天然ワックスあるいはステアリン酸、５・・・
・・・樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名！−リード
ンム 第１図 第２図 ジ 第３図 ｗｔｌ枕１り良Ｍ聞（書間）
Claims (1)
- リードフレームと、このリードフレーム上に取り付けら
れた半導体素子とをワイヤーで接続し、上記半導体素子
の表面に、天然ワックス，合成ワックス、あるいはステ
アリン酸等の絶縁材料を塗布し、上記半導体素子、上記
ワイヤーおよび上記リードフレームの一部を高耐湿性樹
脂で封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29953486A JPS63151054A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29953486A JPS63151054A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151054A true JPS63151054A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17873847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29953486A Pending JPS63151054A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151054A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
| WO2003044858A2 (en) | 2001-11-23 | 2003-05-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit |
| WO2010147187A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29953486A patent/JPS63151054A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
| WO2003044858A2 (en) | 2001-11-23 | 2003-05-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit |
| WO2003044858A3 (en) * | 2001-11-23 | 2004-02-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit |
| JP2005510084A (ja) * | 2001-11-23 | 2005-04-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス、及び集積回路を包む方法 |
| JP2010147500A (ja) * | 2001-11-23 | 2010-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体デバイス |
| WO2010147187A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN102484080A (zh) * | 2009-06-18 | 2012-05-30 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
| JPWO2010147187A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2012-12-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| TWI556392B (zh) * | 2009-06-18 | 2016-11-01 | 羅姆股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9780069B2 (en) | 2009-06-18 | 2017-10-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10163850B2 (en) | 2009-06-18 | 2018-12-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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