JP2819426B2 - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JP2819426B2 JP2819426B2 JP15890090A JP15890090A JP2819426B2 JP 2819426 B2 JP2819426 B2 JP 2819426B2 JP 15890090 A JP15890090 A JP 15890090A JP 15890090 A JP15890090 A JP 15890090A JP 2819426 B2 JP2819426 B2 JP 2819426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor element
- semiconductor device
- dam
- hardness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用の分野］ 本発明は樹脂封止半導体装置に関する。
［従来の技術］ 従来、回路基板に搭載された半導体素子が樹脂により
封止されてなる樹脂封止半導体装置は種々知られてい
る。一般に、半導体素子を封止するために使用される樹
脂（封止樹脂）は、半導体素子の隙間を充填するために
低粘度で流動性を有する必要がある。そのため、樹脂封
止半導体装置を製造する際に、封止樹脂が回路基板表面
を汚染することがあった。このような問題点を解決する
ため、半導体素子が搭載された回路基板の半導体素子搭
載部の周囲に、撥水性充填剤を含む樹脂からなるダムが
形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂により封
止されてなる樹脂封止半導体装置（特開昭62−229862号
公報参照）や塗布された形状を保持するのに適した粘度
およびチクソトロピック性を有する樹脂からなるダムが
形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂により封
止されてなる樹脂封止半導体装置（特開昭62−229962号
公報参照）等が提案されている。
封止されてなる樹脂封止半導体装置は種々知られてい
る。一般に、半導体素子を封止するために使用される樹
脂（封止樹脂）は、半導体素子の隙間を充填するために
低粘度で流動性を有する必要がある。そのため、樹脂封
止半導体装置を製造する際に、封止樹脂が回路基板表面
を汚染することがあった。このような問題点を解決する
ため、半導体素子が搭載された回路基板の半導体素子搭
載部の周囲に、撥水性充填剤を含む樹脂からなるダムが
形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂により封
止されてなる樹脂封止半導体装置（特開昭62−229862号
公報参照）や塗布された形状を保持するのに適した粘度
およびチクソトロピック性を有する樹脂からなるダムが
形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂により封
止されてなる樹脂封止半導体装置（特開昭62−229962号
公報参照）等が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、前者の樹脂封止半導体装置は、ダムを形成す
る樹脂と封止樹脂との接着性が劣り、耐湿性が劣るとい
う欠点を有している。一方、後者の樹脂封止半導体装置
はダムを形成する樹脂と封止樹脂との接着性が優れ、耐
湿性が優れるという特徴を有している。
る樹脂と封止樹脂との接着性が劣り、耐湿性が劣るとい
う欠点を有している。一方、後者の樹脂封止半導体装置
はダムを形成する樹脂と封止樹脂との接着性が優れ、耐
湿性が優れるという特徴を有している。
しかし、この樹脂封止半導体装置は、半導体素子を外
力から保護するために、封止樹脂の硬度は必然的に大き
くなけばならない。これにともなって、封止樹脂の内部
応力が大きくなり、この樹脂封止半導体装置は、加熱ま
たは冷却された場合には、樹脂封止半導体装置の性能が
低下し、半導体素子と導線を接続するボンディングワイ
ヤが変形または破断を引き起こす等を欠点があった。
力から保護するために、封止樹脂の硬度は必然的に大き
くなけばならない。これにともなって、封止樹脂の内部
応力が大きくなり、この樹脂封止半導体装置は、加熱ま
たは冷却された場合には、樹脂封止半導体装置の性能が
低下し、半導体素子と導線を接続するボンディングワイ
ヤが変形または破断を引き起こす等を欠点があった。
本発明の目的は、上記のような問題のない信頼性に優
れた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
れた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段およびその作用］ 本発明者らは上記問題点を解決すべく鋭意検討した結
果、本発明に到達した。
果、本発明に到達した。
本発明の目的は、 「半導体素子が搭載された回路基板の半導体素子搭載部
の周囲に、樹脂からなるダムが形成され、該ダム内側の
半導体素子が樹脂により封止されてなる樹脂封止半導体
装置において、該ダムを形成する樹脂が硬度５〜64（該
硬度はJIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試験機により測
定された値である。）の樹脂であり、該半導体素子を封
止する樹脂が硬度65〜95（該硬度は前記と同じであ
る。）の樹脂であることを特徴とする樹脂封止半導体載
置。」 により達成される。
の周囲に、樹脂からなるダムが形成され、該ダム内側の
半導体素子が樹脂により封止されてなる樹脂封止半導体
装置において、該ダムを形成する樹脂が硬度５〜64（該
硬度はJIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試験機により測
定された値である。）の樹脂であり、該半導体素子を封
止する樹脂が硬度65〜95（該硬度は前記と同じであ
る。）の樹脂であることを特徴とする樹脂封止半導体載
置。」 により達成される。
以下、本発明の樹脂封止半導体装置を第１図および第
２図により説明する。第１図は本発明の樹脂封止半導体
装置の断面図であり、第２図は第１図の一部破断斜視図
である。
２図により説明する。第１図は本発明の樹脂封止半導体
装置の断面図であり、第２図は第１図の一部破断斜視図
である。
本発明の樹脂封止半導体装置は第１図に示すように、
半導体素子１が搭載された回路基板２の半導体素子搭載
部の周囲に樹脂からなるダム３が形成され、該ダム内側
の半導体素子１が樹脂４により封止されている。ここ
で、半導体素子１を搭載した回路基板２は、第２図に示
すように、回路基板２がガラスエポキシ樹脂，ベークラ
イト樹脂，フェノール樹脂等の有機樹脂；アルミナ等の
セラミックス；銅，アルミニウム等の金属等の材質から
なり、回路基板２の表面には銅，銀−パラジウム等の材
質からなる導線５が印刷されている。また回路基板２に
は半導体素子１が搭載されており、半導体素子１は該素
子の上端部にあるボンディングパッド６と導線５を金，
銅，アルミニウム等の材質からなるボンディングワイヤ
７により接続されている。そして、導線５は回路基板２
の端部において外部リード端子８に接続されている。ま
た回路基板２には抵抗、コンデンサーおよびコイル等の
電子部品が搭載される場合もある。このような樹脂封止
半導体装置は一般にハイブリッドICと呼ばれているもの
である。
半導体素子１が搭載された回路基板２の半導体素子搭載
部の周囲に樹脂からなるダム３が形成され、該ダム内側
の半導体素子１が樹脂４により封止されている。ここ
で、半導体素子１を搭載した回路基板２は、第２図に示
すように、回路基板２がガラスエポキシ樹脂，ベークラ
イト樹脂，フェノール樹脂等の有機樹脂；アルミナ等の
セラミックス；銅，アルミニウム等の金属等の材質から
なり、回路基板２の表面には銅，銀−パラジウム等の材
質からなる導線５が印刷されている。また回路基板２に
は半導体素子１が搭載されており、半導体素子１は該素
子の上端部にあるボンディングパッド６と導線５を金，
銅，アルミニウム等の材質からなるボンディングワイヤ
７により接続されている。そして、導線５は回路基板２
の端部において外部リード端子８に接続されている。ま
た回路基板２には抵抗、コンデンサーおよびコイル等の
電子部品が搭載される場合もある。このような樹脂封止
半導体装置は一般にハイブリッドICと呼ばれているもの
である。
本発明において、回路基板２の半導体素子搭載部の周
囲にダム３を形成する樹脂の硬度は５〜64の範囲内であ
る。ここで該硬度はJIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試
験機により測定された値である。これはダム３を形成す
る樹脂の硬度が５未満であると樹脂封止半導体装置の半
導体素子１を外力から保護することができず、また外力
を受けた場合に容易にダム３を形成する樹脂が変形し破
損するためである。またダム３を形成する樹脂の硬度が
64を越えると半導体素子１を封止する樹脂４の内部応力
が大きくなるために、樹脂封止半導体装置を加熱または
冷却した場合に、樹脂４の膨張または収縮により半導体
素子１と導線５を接続するボンディングワイヤ７が変形
または破断を引き起こし、樹脂封止半導体装置の性能が
低下する。また外力に対してダム３を形成する樹脂が脆
くなり、このため震動、衝撃等により樹脂封止半導体装
置の信頼性が低下するためである。また、ダム３を形成
する樹脂の引裂強さはJIS K 6301に規定されるＡ型試験
片において2.0kgf/cm以上であることが好ましい。これ
はダム３を形成する樹脂の引裂強さが2.0kgf/cm以上で
あると外力に対して強固であるからである。
囲にダム３を形成する樹脂の硬度は５〜64の範囲内であ
る。ここで該硬度はJIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試
験機により測定された値である。これはダム３を形成す
る樹脂の硬度が５未満であると樹脂封止半導体装置の半
導体素子１を外力から保護することができず、また外力
を受けた場合に容易にダム３を形成する樹脂が変形し破
損するためである。またダム３を形成する樹脂の硬度が
64を越えると半導体素子１を封止する樹脂４の内部応力
が大きくなるために、樹脂封止半導体装置を加熱または
冷却した場合に、樹脂４の膨張または収縮により半導体
素子１と導線５を接続するボンディングワイヤ７が変形
または破断を引き起こし、樹脂封止半導体装置の性能が
低下する。また外力に対してダム３を形成する樹脂が脆
くなり、このため震動、衝撃等により樹脂封止半導体装
置の信頼性が低下するためである。また、ダム３を形成
する樹脂の引裂強さはJIS K 6301に規定されるＡ型試験
片において2.0kgf/cm以上であることが好ましい。これ
はダム３を形成する樹脂の引裂強さが2.0kgf/cm以上で
あると外力に対して強固であるからである。
本発明において、樹脂からなるダム３の内側の半導体
素子１を充填する樹脂４は、半導体素子１封止する目的
で使用され、該樹脂の硬度は65〜95の範囲である。ここ
で該硬度は前記同様JIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試
験機により測定された値である。これは樹脂４の硬度が
65未満であると樹脂封止半導体装置の半導体素子１の外
力から保護することができず、また樹脂４の硬度が95を
越えると樹脂４の内部応力が大きくなるために樹脂封止
半導体装置が加熱または冷却された場合に、封止樹脂４
の膨張または収縮により、半導体素子１と導線５を接続
するボンディングワイヤ７が変形または破断を引き起こ
し、樹脂封止半導体装置の性能が低下するためである。
素子１を充填する樹脂４は、半導体素子１封止する目的
で使用され、該樹脂の硬度は65〜95の範囲である。ここ
で該硬度は前記同様JIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試
験機により測定された値である。これは樹脂４の硬度が
65未満であると樹脂封止半導体装置の半導体素子１の外
力から保護することができず、また樹脂４の硬度が95を
越えると樹脂４の内部応力が大きくなるために樹脂封止
半導体装置が加熱または冷却された場合に、封止樹脂４
の膨張または収縮により、半導体素子１と導線５を接続
するボンディングワイヤ７が変形または破断を引き起こ
し、樹脂封止半導体装置の性能が低下するためである。
本発明においてダム３を形成する樹脂および該ダム内
側で半導体素子１を封止する樹脂４としては、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられるが、これらの中で
もシリコーン樹脂が好ましく、ダム３を形成する樹脂ま
たは該ダム内側の半導体素子１を封止する樹脂４の少な
くとも一方に使用することが好ましい。本発明で使用す
るのに好適なシリコーン樹脂としては付加反応硬化型の
シリコーン樹脂、縮合反応硬化型のシリコーン樹脂、有
機過酸化物硬化型のシリコーン樹脂のいずれでも良い
が、半導体素子１を樹脂により封止する際、加熱できな
い場合には該樹脂は縮合反応硬化型のシリコーン樹脂が
好ましく、また半導体素子の封止作業性が要求される場
合には、該樹脂は付加反応硬化型のシリコーン樹脂が好
ましい。
側で半導体素子１を封止する樹脂４としては、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられるが、これらの中で
もシリコーン樹脂が好ましく、ダム３を形成する樹脂ま
たは該ダム内側の半導体素子１を封止する樹脂４の少な
くとも一方に使用することが好ましい。本発明で使用す
るのに好適なシリコーン樹脂としては付加反応硬化型の
シリコーン樹脂、縮合反応硬化型のシリコーン樹脂、有
機過酸化物硬化型のシリコーン樹脂のいずれでも良い
が、半導体素子１を樹脂により封止する際、加熱できな
い場合には該樹脂は縮合反応硬化型のシリコーン樹脂が
好ましく、また半導体素子の封止作業性が要求される場
合には、該樹脂は付加反応硬化型のシリコーン樹脂が好
ましい。
［実施例］ 次に本発明を第１図および第２図にて説明する。第１
図は本発明の樹脂封止半導体装置の断面図である。第２
図は第１図の樹脂封止半導体装置の一部破断斜視図であ
る。実施例中、粘度は25℃における値である。また樹脂
の硬度は、樹脂を150℃で１時間の加熱条件下で硬化さ
せた後、JIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試験機により
測定した値である。
図は本発明の樹脂封止半導体装置の断面図である。第２
図は第１図の樹脂封止半導体装置の一部破断斜視図であ
る。実施例中、粘度は25℃における値である。また樹脂
の硬度は、樹脂を150℃で１時間の加熱条件下で硬化さ
せた後、JIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試験機により
測定した値である。
実施例１ （１）初めに回路基板２に半導体素子１およびその他の
電子部分を搭載した。
電子部分を搭載した。
（２）次に半導体素子１を搭載した回路基板２の半導体
素子搭載部の周囲に、粘度が1000ポイズであり、加熱硬
化後の硬度が45である付加反応硬化型のシリコーン樹脂
（Ｉ）を、ディスペンサーを使用して塗布し、ダム３を
形成した。塗布され該樹脂はダム形状を持続した。
素子搭載部の周囲に、粘度が1000ポイズであり、加熱硬
化後の硬度が45である付加反応硬化型のシリコーン樹脂
（Ｉ）を、ディスペンサーを使用して塗布し、ダム３を
形成した。塗布され該樹脂はダム形状を持続した。
（３）続いて、ダム３の内側に粘度が20ポイズであり、
加熱硬化後の硬度が85である透明な付加反応硬化型シリ
コーン樹脂（II）をディスペンサーを使用して充填し、
半導体素子１を封止する樹脂４を形成した。該樹脂は速
やかに半導体素子１の間隙を充填できた。また該樹脂は
該ダムにより前記回路基板表面を汚染することがなかっ
た。
加熱硬化後の硬度が85である透明な付加反応硬化型シリ
コーン樹脂（II）をディスペンサーを使用して充填し、
半導体素子１を封止する樹脂４を形成した。該樹脂は速
やかに半導体素子１の間隙を充填できた。また該樹脂は
該ダムにより前記回路基板表面を汚染することがなかっ
た。
（４）その後、150℃で１時間加熱してシリコーン樹脂
（Ｉ）およびシリコーン樹脂（II）を硬化させた。この
ようにして樹脂封止半導体装置を得た。
（Ｉ）およびシリコーン樹脂（II）を硬化させた。この
ようにして樹脂封止半導体装置を得た。
同様にして樹脂封止半導体装置50個を製造し、これら
をヒートショック試験（−30℃で30分間放置しその後12
0℃で30分間放置することを１サイクルとする。）で100
サイクル試験を行なった。試験終了後、樹脂封止半導体
装置の外部リード端子８を使用して半導体素子１および
金製ボンディングワイヤ７の電気導通試験を実施した。
その結果電気導通不良は全く発生していなかった。また
シリコーン樹脂（Ｉ）およびシリコーン樹脂（II）には
クラックは発生していなかった。
をヒートショック試験（−30℃で30分間放置しその後12
0℃で30分間放置することを１サイクルとする。）で100
サイクル試験を行なった。試験終了後、樹脂封止半導体
装置の外部リード端子８を使用して半導体素子１および
金製ボンディングワイヤ７の電気導通試験を実施した。
その結果電気導通不良は全く発生していなかった。また
シリコーン樹脂（Ｉ）およびシリコーン樹脂（II）には
クラックは発生していなかった。
比較例１ 実施例１において使用した、付加反応硬化型のシリコ
ーン樹脂（Ｉ）の替りに、粘度が1500ポイズであり、加
熱硬化後の硬度が85である付加反応硬化型のシリコーン
樹脂（III）を用いた以外は同様して樹脂封止半導体装
置を得た。このようにして製造した樹脂封止半導体装置
50個を実施例１同様にしてヒートショック試験を行なっ
た。試験終了後、樹脂封止半導体装置の外部リード端子
８を使用して半導体素子１および金製ボンディングワイ
ヤ７の電気導通試験を実施した。その結果50個の樹脂封
止半導体装置の内８個に電気導通不良が発生した。また
電気導通不良が発生した樹脂封止半導体装置の半導体素
子１の封止部分を透明なシリコーン樹脂（II）を通し光
学顕微鏡で観察したところ、全てに金製ボンディングワ
イヤ７とボンディングパッド６の接続部分または金製ボ
ンディングワイヤ７と銀−パラジウム製導線５の接続部
分において金製ボンディングワイヤ７の切断が認められ
た。また50個の樹脂封止半導体装置の内２個の樹脂封止
半導体装置にはシリコーン樹脂（III）にクラックが発
生していた。
ーン樹脂（Ｉ）の替りに、粘度が1500ポイズであり、加
熱硬化後の硬度が85である付加反応硬化型のシリコーン
樹脂（III）を用いた以外は同様して樹脂封止半導体装
置を得た。このようにして製造した樹脂封止半導体装置
50個を実施例１同様にしてヒートショック試験を行なっ
た。試験終了後、樹脂封止半導体装置の外部リード端子
８を使用して半導体素子１および金製ボンディングワイ
ヤ７の電気導通試験を実施した。その結果50個の樹脂封
止半導体装置の内８個に電気導通不良が発生した。また
電気導通不良が発生した樹脂封止半導体装置の半導体素
子１の封止部分を透明なシリコーン樹脂（II）を通し光
学顕微鏡で観察したところ、全てに金製ボンディングワ
イヤ７とボンディングパッド６の接続部分または金製ボ
ンディングワイヤ７と銀−パラジウム製導線５の接続部
分において金製ボンディングワイヤ７の切断が認められ
た。また50個の樹脂封止半導体装置の内２個の樹脂封止
半導体装置にはシリコーン樹脂（III）にクラックが発
生していた。
［発明の効果］ 本発明の樹脂封止半導体装置は、半導体素子が搭載さ
れた回路基板の半導体素子搭載部の周囲に、樹脂からな
るダムが形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂
により封止されてなる樹脂封止半導体装置において、該
ダムを形成する樹脂が硬度５〜64の樹脂であり、半導体
素子を封止する樹脂が硬度65〜95の樹脂であるので、外
力に対して安定性に優れ、加熱または冷却されても信頼
性に優れるという特徴を有する。
れた回路基板の半導体素子搭載部の周囲に、樹脂からな
るダムが形成され、該ダム内側の半導体素子が封止樹脂
により封止されてなる樹脂封止半導体装置において、該
ダムを形成する樹脂が硬度５〜64の樹脂であり、半導体
素子を封止する樹脂が硬度65〜95の樹脂であるので、外
力に対して安定性に優れ、加熱または冷却されても信頼
性に優れるという特徴を有する。
第１図は本発明の樹脂封止半導体装置の断面図である。
第２図は第１図の樹脂封止半導体装置の一部破断斜視図
であり、一部回路図面に省略がある。 １……半導体素子、２……回路基板、３……（樹脂から
なる）ダム、４……（半導体素子を封止する）樹脂、５
……導線、６……ボンディングパッド、７……ボンディ
ングワイヤ、８……外部リード端子
第２図は第１図の樹脂封止半導体装置の一部破断斜視図
であり、一部回路図面に省略がある。 １……半導体素子、２……回路基板、３……（樹脂から
なる）ダム、４……（半導体素子を封止する）樹脂、５
……導線、６……ボンディングパッド、７……ボンディ
ングワイヤ、８……外部リード端子
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子が搭載された回路基板の半導体
素子搭載部の周囲に、樹脂からなるダムが形成され、該
ダム内側の半導体素子が樹脂により封止されてなる樹脂
封止半導体装置において、該ダムを形成する樹脂が硬度
５〜64（該硬度はJIS K 6301に規定されるＡ形硬さ試験
機により測定された値である。）の樹脂であり、該半導
体素子を封止する樹脂が硬度65〜95（該硬度は前記と同
じである。）の樹脂であることを特徴とする樹脂封止半
導体装置。 - 【請求項２】ダムを形成する樹脂が付加反応硬化型のシ
リコーン樹脂である特許請求の範囲第１項記載の樹脂封
止半導体装置。 - 【請求項３】半導体素子を封止する樹脂が付加反応硬化
型のシリコーン樹脂である特許請求の範囲第１項記載の
樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15890090A JP2819426B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15890090A JP2819426B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448758A JPH0448758A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2819426B2 true JP2819426B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=15681821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15890090A Expired - Lifetime JP2819426B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819426B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3683597B2 (ja) * | 1994-02-08 | 2005-08-17 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 樹脂封止半導体装置 |
| US6459144B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-10-01 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Flip chip semiconductor package |
| JP2008071859A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微小電子部品の封止方法 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15890090A patent/JP2819426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0448758A (ja) | 1992-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4897508A (en) | Metal electronic package | |
| JP3884354B2 (ja) | コネクタと電子部品の一体モールド構造を有する電気・電子モジュール | |
| KR0171438B1 (ko) | 반도체 장치를 회로 기판상에 장착하는 방법 및 반도체 장치가 장착된 회로 기판 | |
| US5581119A (en) | IC having heat spreader attached by glob-topping | |
| US5677575A (en) | Semiconductor package having semiconductor chip mounted on board in face-down relation | |
| US5602059A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| JP3704864B2 (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
| US6576993B2 (en) | Packages formed by attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip | |
| US5585600A (en) | Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same | |
| WO2005004563A1 (ja) | モジュール装置及びその製造方法 | |
| US4554573A (en) | Glass-sealed ceramic package type semiconductor device | |
| KR102231769B1 (ko) | 고열전도를 위한 히트싱크 노출형 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2819426B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS6077446A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JP3683597B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| EP0275122A2 (en) | Chip package transmissive to ultraviolet light | |
| JP2009188392A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2633285B2 (ja) | 車載用混成集積回路装置 | |
| JPH0745751A (ja) | 回路素子の封止構造 | |
| KR0168841B1 (ko) | 금속전자 패키지 및 그 제조공정 | |
| JPH0590448A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3147157B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JPH04150061A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0936167A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0969591A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100828 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |