JPS60119757A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60119757A
JPS60119757A JP58227476A JP22747683A JPS60119757A JP S60119757 A JPS60119757 A JP S60119757A JP 58227476 A JP58227476 A JP 58227476A JP 22747683 A JP22747683 A JP 22747683A JP S60119757 A JPS60119757 A JP S60119757A
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JP
Japan
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resin
semiconductor element
semiconductor device
stress
coated
Prior art date
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JP58227476A
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English (en)
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Masayoshi Kitamura
北村　昌良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
Japan Radio Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子を樹脂モールドにより樹脂封止す
る半導体装置の製造方法に関する。
半導体素子は、機械的状態を保持し、また外的雰囲気か
ら保護し、更に外部への電気的引出しのため或いは素子
の放熱のために樹脂封止される。
第１図はその半導体素子１を樹脂封止した構造を示すも
ので、その半導体素子１ば銅やその合金等で成る金属製
のグイアイランド２の上面に接着され、電極を引出しり
一ド３に対して金線等の配線用金属線４で接続した後に
、エポキシ等の樹脂５で樹脂封止される。
ところで、半導体素子ｌは通當はその上面がＣＶＤ等に
より形成されたＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等で成る保護絶縁
被膜６で覆われているが、グイアイランド２の下面２ａ
は金属面である。このため、半導体素子ｌの上面の被膜
６と樹脂５の間の接着力よりも、グイアイランド２の下
面２ａと樹脂５の間の接着力の方が、弱い。
従って、半導体素子ｌを樹脂封止する際の樹脂の収縮の
時に、接着力の強い半導体素子ｌの上面の被膜６の側に
その樹脂５の収縮につれて圧縮される力が作用し、一方
、接着力の弱いグイアイランド２の下面２ａでは樹脂５
の収縮力があまり作用しない。このため、一体化した半
導体素子ｌ及びグイアイラインド２にはその上下に加わ
る力のバランスが異なり、上方向に凹形状に湾曲して反
るようにその半導体素子ｌに応力が作用し、その特性を
変動させたり、また破断する恐れがある。
本発明はこのような点に鑑みたもので、その目的は一体
化した半導体素子とグイアイランドの上下面の樹脂に対
する接着力が同一となるようにして、上記したような問
題を解決した半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
以下、本発明の実施例について説明する。第２図はその
一実施例を示すものであり、本実施例では引出しり一ド
３と半導体素子１の上面との間の金属線４のボンディン
グの後に半導体素子１の上面とグイアイランド２の下面
２ａとを、同一の絶縁物被膜７．７′で被覆して、樹脂
５に対する接着力を同一にし、樹脂封止の際の収縮力に
よる応力を上下で対称にする。
上記した絶縁物被１１央７．７′を形成する方法として
は、ポリイミド等の樹脂をコートしたり、或いは光ＣＶ
Ｄ法により低温でＳ　ｉ０２　、Ｓ　ｉ３Ｎ４等を被着
して形成する。
この結果、樹脂封止の際の樹脂収縮力は内被膜７．７′
に同様に作用し、よってその部分の応力は同じになり、
半導体素子１に加わる応力が少なくなるので、反りは発
生せず、特性の変動や半導体素子の破断等は発生しなく
なる。また、このように樹脂５との接着力の高い材料を
コートすれば、耐湿性も向上するようになる。
なお、上記の実施例では半導体素子１の上面に被着形成
した被膜７と樹脂５の上面との距離Ａ、グイアイランド
２の下面２ａに被着した絶縁物被膜７′と樹脂５の下面
との距離Ｂについては言及しなかったが、この距離ＡＳ
Ｂの相違は樹脂５の収縮時にその収縮量に差を生ぜしめ
、やはり半導体素子ｌを反らせる原因となるので、その
距１ｉｉ１ｔ　Ａ　。
Ｂがほぼ同一となるように、樹脂封止した方が良い。〜
また、絶縁被膜の形成は、被膜７．７′部分のみでなく
、半導体素子ｌとグイアイランド２の全外面に形成する
こともできる。
以上のように本発明によれば、樹脂の反りを防止するこ
とができるので、半導体素子に対するストレスを減少さ
せることができ、その特性を正常な状態に保持すること
ができるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の製造方法による半導体装置の断面図、第
２図は本発明の一実施例の製造方法よる半導体装置の断
面図である。 １・・・半導体素子、２・・・グイアイランド、３・・
・引出しリード、４・・・金属線、５・・・樹脂。６・
・・被膜、７．７′・・・被膜。 特許出願人　新日本無線株式会社 代　理　人　弁理士　長尾常明

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、半導体素子を樹脂によりモールドして樹脂封止
    する半導体装置の製造方法において、上記半導体素子の
    上面に形成された保護被膜と同一被膜を上記半導体素子
    を保持するグイアイランドの下面に形成した後に樹脂封
    止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP58227476A 1983-12-01 1983-12-01 半導体装置の製造方法 Pending JPS60119757A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0225058A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Fujitsu Ltd 集積回路装置
JPH04106964A (ja) * 1990-08-27 1992-04-08 Nec Corp 半導体装置
WO2002043142A3 (de) * 2000-11-25 2002-11-28 Bosch Gmbh Robert Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements
WO2004028958A3 (de) * 2002-09-19 2004-07-22 Bosch Gmbh Robert Elektrisches und/oder mikromechanisches bauelement und verfahren

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5550645A (en) * 1978-10-06 1980-04-12 Hitachi Ltd Semiconductor device

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