JPH0225058A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH0225058A JPH0225058A JP17545388A JP17545388A JPH0225058A JP H0225058 A JPH0225058 A JP H0225058A JP 17545388 A JP17545388 A JP 17545388A JP 17545388 A JP17545388 A JP 17545388A JP H0225058 A JPH0225058 A JP H0225058A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
集積回路装置の構造に関し、
集積回路装置内のパッケージや支持板が熱膨張や収縮し
た場合にも、パッケージを良好な状態に保持することを
目的とし、 一面に回路基板を接着した基板載置用板の他面に、樹脂
材に対する剪断接着力が大きな材料により形成した裏板
を接着するとともに、上記樹脂材によって、上記回路基
板、上記基板載置用板、上記裏板、及び上記基板載置用
板の側方に位置するリード内端を被覆したことを特徴と
して構成する。
た場合にも、パッケージを良好な状態に保持することを
目的とし、 一面に回路基板を接着した基板載置用板の他面に、樹脂
材に対する剪断接着力が大きな材料により形成した裏板
を接着するとともに、上記樹脂材によって、上記回路基
板、上記基板載置用板、上記裏板、及び上記基板載置用
板の側方に位置するリード内端を被覆したことを特徴と
して構成する。
本発明は、集積回路装置に関し、より詳しくは、集積回
路装置の構造に関する。
路装置の構造に関する。
半導体集積回路や混成集積回路のパッケージの材料とし
て、量産に適しているエポキシ樹脂等が使用されている
。
て、量産に適しているエポキシ樹脂等が使用されている
。
ところで、集積回路をパフケージソゲする場合には、例
えば第６１１ｉ１（ａ）、 （ｂ）に示したように、
リードフレーム６０の中央に配置した方形状の基板載置
用板６１の上に回路基板６２を搭載し−この回路基板６
２と、その周囲に配置したリード６３とをワイヤボンデ
ィングにより接続した後、基板ｉ！置置板板１、回路基
板６２、リード６３内橋とをエポキシ樹脂により被覆し
てパンケージ６４を形成するようにしている。
えば第６１１ｉ１（ａ）、 （ｂ）に示したように、
リードフレーム６０の中央に配置した方形状の基板載置
用板６１の上に回路基板６２を搭載し−この回路基板６
２と、その周囲に配置したリード６３とをワイヤボンデ
ィングにより接続した後、基板ｉ！置置板板１、回路基
板６２、リード６３内橋とをエポキシ樹脂により被覆し
てパンケージ６４を形成するようにしている。
しかし、この種のパッケージにおいては、樹脂材に対す
る金属性基板載置用板６１の密着性が、回路基板６２を
構成するアルミナやシリコンに比べて劣っているため、
集積回路装置が加熱されて熱膨張する場合に、パッケー
ジ６４の底部が載置板６１の面方向にズレ易くなるとと
もに、熱膨張により加わるＲ置板６１の応力はその周縁
に集中することになる。
る金属性基板載置用板６１の密着性が、回路基板６２を
構成するアルミナやシリコンに比べて劣っているため、
集積回路装置が加熱されて熱膨張する場合に、パッケー
ジ６４の底部が載置板６１の面方向にズレ易くなるとと
もに、熱膨張により加わるＲ置板６１の応力はその周縁
に集中することになる。
したがって、集積回路装置の加熱、冷却を繰り返した場
合に、パッケージ６４の底部において、基板載置用板６
１の一辺又は隣接する二辺に沿ったクラック６５が発生
するといった問題が発生する。
合に、パッケージ６４の底部において、基板載置用板６
１の一辺又は隣接する二辺に沿ったクラック６５が発生
するといった問題が発生する。
また、部品載置板とリードフレームとは一般に熱膨張係
数が異なるため、平衡温度から温度上下することによっ
て基板がそる問題もあった。
数が異なるため、平衡温度から温度上下することによっ
て基板がそる問題もあった。
このクランクの発生する確率は、パッケージ６４に対す
る回路基板６２の大きさに依存し、クラックの発生する
確率を少なくする大きさとしては、例えば、２８ Ｘ
２８ Ｘ ４ （ｆｆ［ｍ）のパッケージ外形に対して
１５Ｘ１５Ｘ０．７（ｍ＋ｍ）程度の回路基板の大きさ
が限界となるため、規格で定められたパッケージに取り
付ける回路基板の大きさが制限されるといった不都合を
招く。
る回路基板６２の大きさに依存し、クラックの発生する
確率を少なくする大きさとしては、例えば、２８ Ｘ
２８ Ｘ ４ （ｆｆ［ｍ）のパッケージ外形に対して
１５Ｘ１５Ｘ０．７（ｍ＋ｍ）程度の回路基板の大きさ
が限界となるため、規格で定められたパッケージに取り
付ける回路基板の大きさが制限されるといった不都合を
招く。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、装置を繰り返して加熱、冷却する場合でも、そのパッ
ケージを良好な状態に保持できる集積回路装置を提供す
ることを目的とする。
、装置を繰り返して加熱、冷却する場合でも、そのパッ
ケージを良好な状態に保持できる集積回路装置を提供す
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記した課題は、−面に回路基板３を接着した基板載置
用板１の他面に、樹脂材に対する剪断接着力が大きな材
料により形成した裏板４を接着するとともに、上記樹脂
材によって、上記回路基板３、上記基板載置用板１、上
記裏板４、及び上記基板載置用板１の側方に位置するり
一ド６内端を被覆したことを特徴とする集積回路装置に
よって解決する。
用板１の他面に、樹脂材に対する剪断接着力が大きな材
料により形成した裏板４を接着するとともに、上記樹脂
材によって、上記回路基板３、上記基板載置用板１、上
記裏板４、及び上記基板載置用板１の側方に位置するり
一ド６内端を被覆したことを特徴とする集積回路装置に
よって解決する。
本発明において、樹脂材より形成したパッケージに対す
る金属性の基板！！置置板板の剪断力は、回路基板３に
比べ著しく小さい。
る金属性の基板！！置置板板の剪断力は、回路基板３に
比べ著しく小さい。
しかし、基板載置用Ｆｉ１は、この載置板１よりも剪断
接着力が大きな回路基板３と裏板４によって挟まれてい
るため、加熱によって回路基板３やパンケージ２等が膨
張しても、パッケージ２に対する回路基板３、裏板４の
密着力が大きく、パンケージ２の裏側はズレにくくなり
、しかも基板載置用板３に加わる応力が分散されるため
、基板載置用板１の端部における応力集中は回避され、
パッケージ２底部でのクランクは発生し難くなる。
接着力が大きな回路基板３と裏板４によって挟まれてい
るため、加熱によって回路基板３やパンケージ２等が膨
張しても、パッケージ２に対する回路基板３、裏板４の
密着力が大きく、パンケージ２の裏側はズレにくくなり
、しかも基板載置用板３に加わる応力が分散されるため
、基板載置用板１の端部における応力集中は回避され、
パッケージ２底部でのクランクは発生し難くなる。
また、基板載置用板とリードフレームとの熱膨張差に基
づく基板わん曲も裏面基板により抑制さるようになる。
づく基板わん曲も裏面基板により抑制さるようになる。
従って、モールド樹脂変型も抑制され、この効果からも
クランク発生が抑えられるようになる。
クランク発生が抑えられるようになる。
（ａ）本発明の一実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図であっ
て、図中符号Ｉは、集積口Ｂ装置■０のパンケージ２内
に取付けられる金属性の基板載置用板で、この基板載置
用板ｌの表面及び裏面には、アルミナなどのセラミック
材より形成された回路基板３及び裏板４がそれぞれ耐熱
接着剤により接着されている。
て、図中符号Ｉは、集積口Ｂ装置■０のパンケージ２内
に取付けられる金属性の基板載置用板で、この基板載置
用板ｌの表面及び裏面には、アルミナなどのセラミック
材より形成された回路基板３及び裏板４がそれぞれ耐熱
接着剤により接着されている。
この基板ＲＷ用板１は、第２図に示すようなリードフレ
ーム５に一体的に形成され、リード６により囲まれる位
置にサポートパー７を介して取付けられていて、この基
）反載置用仮ｌにより回路基板３を支持した状態で、回
路基板３上の混成集積回路８とリード６とをワイヤボン
ディングにより接続するように構成されている。
ーム５に一体的に形成され、リード６により囲まれる位
置にサポートパー７を介して取付けられていて、この基
）反載置用仮ｌにより回路基板３を支持した状態で、回
路基板３上の混成集積回路８とリード６とをワイヤボン
ディングにより接続するように構成されている。
上記したリード６は、低圧トランスファモールド成形法
を用いて、リード６内端、基板載置用板１、回路基板３
等を樹脂材によりパッケージした後に、基板載置用板１
とともにリードフレーム５から切断され、その下方に折
り曲げるように構成されている。
を用いて、リード６内端、基板載置用板１、回路基板３
等を樹脂材によりパッケージした後に、基板載置用板１
とともにリードフレーム５から切断され、その下方に折
り曲げるように構成されている。
なお、図中符号９は、混成集積回路８を構成する半導体
集積回路、容量素子等の部品を示している。
集積回路、容量素子等の部品を示している。
次に、上記した一実施例の作用について説明する。
上述した実施例において、パッケージ２に対する回路基
板３、基板載置用板１等の剪断接着力を示すと第１表の
ようになり、基板′Ｒ置置板板との剪断力は回路基板３
に比べ著しく小さいことがわかる。
板３、基板載置用板１等の剪断接着力を示すと第１表の
ようになり、基板′Ｒ置置板板との剪断力は回路基板３
に比べ著しく小さいことがわかる。
第１表
しかし、基板！！！置装板１は、同一のセラミック材で
形成した回路基板３と裏板４によって挟まれているため
、加熱によって回路基板３やパッケージ２等が膨張して
も、パッケージ２に対する回路基板３、裏板４の密着力
が大きく、パンケージ２の裏側はズレにくくなり、しか
も基板載置用板３に加わる応力が分散されるため、基板
載置用板１の端部における応力集中は回避され、パッケ
ージ２底部でのクラックは発生し難くなる。
形成した回路基板３と裏板４によって挟まれているため
、加熱によって回路基板３やパッケージ２等が膨張して
も、パッケージ２に対する回路基板３、裏板４の密着力
が大きく、パンケージ２の裏側はズレにくくなり、しか
も基板載置用板３に加わる応力が分散されるため、基板
載置用板１の端部における応力集中は回避され、パッケ
ージ２底部でのクラックは発生し難くなる。
第３図は、集積回路装置１０を一５５°Ｃの溶液に５分
間、１２５°Ｃの溶液に５分間浸漬するというように、
冷却、加熱を交互に繰り返す熱衝撃サイクル試験を行っ
た実験結果である。この場合、５０個の試料を使用して
クラック発生率を求めた。
間、１２５°Ｃの溶液に５分間浸漬するというように、
冷却、加熱を交互に繰り返す熱衝撃サイクル試験を行っ
た実験結果である。この場合、５０個の試料を使用して
クラック発生率を求めた。
本発明装置によれば、実線Ｉで示すように、熱衝撃サイ
クルを１０００回以上行ってもクランクが発生せず、実
線■で示した従来の装置の特性に比べてパッケージの破
損が防止されていることが明らかになった。
クルを１０００回以上行ってもクランクが発生せず、実
線■で示した従来の装置の特性に比べてパッケージの破
損が防止されていることが明らかになった。
第４図は、裏板４の面積を変えてクラック発生率を測定
した特性図であって、基板載置用板ｌの面積Ｓ０に対す
る裏板４の面積Ｓ、の比を裏板面積比Ｘ（％）とすると
、裏板面積比Ｘが４０％以上の場合に、クランクは発生
せず、クラック発生は裏板３の面積に依存することが明
らかになった。
した特性図であって、基板載置用板ｌの面積Ｓ０に対す
る裏板４の面積Ｓ、の比を裏板面積比Ｘ（％）とすると
、裏板面積比Ｘが４０％以上の場合に、クランクは発生
せず、クラック発生は裏板３の面積に依存することが明
らかになった。
この測定は、５０個の試料について、１０００回の熱衝
撃サイクル試験を行い、クランク発生率を調べたもので
ある。
撃サイクル試験を行い、クランク発生率を調べたもので
ある。
第５図は、裏板面積比χを１００％とし、パッケージ２
１に対する回路基板３の占有率の限界を調べた特性図で
ある。この試験は、２８ Ｘ ２８ Ｘ ４ （ｍｍ）
の大きさのパッケージを用いて行ったもので、従来装置
では破線Ｉで示すように１５２（ｍｍ２）を越えるとク
ランクが発生し易くなるのに対し、本発明による装置で
は、実線■で示すように、回路基板３の面積を２５ ”
（＋ａｍ”）としてもクラックが発生せず、回路基板３
を大きくして回路部品の搭ｉ５！量を多くすることが可
能になる。
１に対する回路基板３の占有率の限界を調べた特性図で
ある。この試験は、２８ Ｘ ２８ Ｘ ４ （ｍｍ）
の大きさのパッケージを用いて行ったもので、従来装置
では破線Ｉで示すように１５２（ｍｍ２）を越えるとク
ランクが発生し易くなるのに対し、本発明による装置で
は、実線■で示すように、回路基板３の面積を２５ ”
（＋ａｍ”）としてもクラックが発生せず、回路基板３
を大きくして回路部品の搭ｉ５！量を多くすることが可
能になる。
なお、図中−点鎖線は、パッケージ２内に収納する回路
基板３の大きさの限界点を示すものであ（ｂ）本発明の
その他の実施例 上記した実施例では、基板載置用板１の裏面に取付ける
裏板４をセラミックで形成したが、第２表に示す二酸化
シリコン（ＳｉＯ□）、厚膜ガラスのように、パッケー
ジ２に対する剪断接着力が、金属性の基板載置用板１よ
りも大きい材料で形成することにより、クランクの発生
を低減することが可能になる。
基板３の大きさの限界点を示すものであ（ｂ）本発明の
その他の実施例 上記した実施例では、基板載置用板１の裏面に取付ける
裏板４をセラミックで形成したが、第２表に示す二酸化
シリコン（ＳｉＯ□）、厚膜ガラスのように、パッケー
ジ２に対する剪断接着力が、金属性の基板載置用板１よ
りも大きい材料で形成することにより、クランクの発生
を低減することが可能になる。
第２表
その実験結果は第１図に示すようになり、実線■で示し
たＳｉＯ□や、実線■の厚膜ガラスを裏板４に適用する
と、裏板４を取付けない場合（実線■）に比べて、クラ
ンクは発生し難くなることが明らかになった。
たＳｉＯ□や、実線■の厚膜ガラスを裏板４に適用する
と、裏板４を取付けない場合（実線■）に比べて、クラ
ンクは発生し難くなることが明らかになった。
裏面に基板を接着したものの方が効果が大きいのは、基
板、リードフレームの熱膨張係数差にもとづくバイメタ
ル作用も軽減されるためと考えられる。
板、リードフレームの熱膨張係数差にもとづくバイメタ
ル作用も軽減されるためと考えられる。
なお、ＳｉＯ２はスパッタにより形成し、厚膜ガラスは
ヌクーン印刷によって容易に形成することができる。更
に、本発明の他の実施例として、ＳｉＯ□Ｏ代わりにＡ
１．０．を基板載置用板の裏面に蒸着、或いはスパッタ
により形成して！［４を形成しても良い。
ヌクーン印刷によって容易に形成することができる。更
に、本発明の他の実施例として、ＳｉＯ□Ｏ代わりにＡ
１．０．を基板載置用板の裏面に蒸着、或いはスパッタ
により形成して！［４を形成しても良い。
また、上記した実施例では、回路基板３を混成集積回路
用とした場合について説明したが、半導体集積回路だけ
で形成したシリコン性の回路基板を基板載置用板１に取
り付ける集積回路装置についても本発明を適用すること
ができることはいうまでもない。
用とした場合について説明したが、半導体集積回路だけ
で形成したシリコン性の回路基板を基板載置用板１に取
り付ける集積回路装置についても本発明を適用すること
ができることはいうまでもない。
以上述べたように本発明によれば、基板載π用板の裏面
に、樹脂材に対する剪断接着力が大きな材料により形成
した裏板を接着するようにしたので、樹脂材より形成す
るパッケージと基板Ｒ置用仮の裏面側との密着を高めて
、基板載置用板の端部に加わる応力を小さくすることが
でき、さらに、基板／リードフレーム間熱膨張係数差に
もとづくバイメタル作用を軽減できるため、パッケージ
裏側におけるクランクの発生を防止することができる。
に、樹脂材に対する剪断接着力が大きな材料により形成
した裏板を接着するようにしたので、樹脂材より形成す
るパッケージと基板Ｒ置用仮の裏面側との密着を高めて
、基板載置用板の端部に加わる応力を小さくすることが
でき、さらに、基板／リードフレーム間熱膨張係数差に
もとづくバイメタル作用を軽減できるため、パッケージ
裏側におけるクランクの発生を防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図、
第２図は、本発明の一実施例装置に使用するリードフレ
ームの平面図、 第３図は、熱衝撃サイクル・クラック発生率の特性図、 第４図は、裏板面積比・クラック発生率の特性図、 第５図は、回路基板平面面積・クランク発生率の特性図
、 第６図は、従来装置の断面図と、該装置に使用するリー
ドフレームの一例を示す平面図である。 （符号の説明） １・・・基板載置用板、 ２・・・パッケージ、 ３・・・回路基板、 ４・・・裏板、 ６・・・リード、 １０・・・集積回路装置。 ９部品 本発明の一実施例を示す装置の断面図 第１図
ームの平面図、 第３図は、熱衝撃サイクル・クラック発生率の特性図、 第４図は、裏板面積比・クラック発生率の特性図、 第５図は、回路基板平面面積・クランク発生率の特性図
、 第６図は、従来装置の断面図と、該装置に使用するリー
ドフレームの一例を示す平面図である。 （符号の説明） １・・・基板載置用板、 ２・・・パッケージ、 ３・・・回路基板、 ４・・・裏板、 ６・・・リード、 １０・・・集積回路装置。 ９部品 本発明の一実施例を示す装置の断面図 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一面に回路基板（３）を接着した基板載置用板（１）の
他面に、樹脂材に対する剪断接着力が大きな材料により
形成した裏板（４）を接着するとともに、 上記樹脂材によって、上記回路基板（３）、上記基板載
置用板（１）、上記裏板（４）、及び上記基板載置用板
（１）の側方に位置するリード（６）内端を被覆したこ
とを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17545388A JPH0225058A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17545388A JPH0225058A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225058A true JPH0225058A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15996337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17545388A Pending JPH0225058A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225058A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146135A (en) * | 1990-10-17 | 1992-09-08 | Gte Products Corporation | Glow discharge lamp having anode probes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119757A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17545388A patent/JPH0225058A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119757A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146135A (en) * | 1990-10-17 | 1992-09-08 | Gte Products Corporation | Glow discharge lamp having anode probes |
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