JPH01215049A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01215049A JPH01215049A JP63041062A JP4106288A JPH01215049A JP H01215049 A JPH01215049 A JP H01215049A JP 63041062 A JP63041062 A JP 63041062A JP 4106288 A JP4106288 A JP 4106288A JP H01215049 A JPH01215049 A JP H01215049A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波帯以上の高周波において使用さ
れる樹脂封止構造の半導体装置に関するものである。
れる樹脂封止構造の半導体装置に関するものである。
従来の樹脂封止構造の半導体装置を第２図（ａ）〜（Ｃ
）に示す。この図において、半導体素子３はリードフレ
ーム２上に半田等でマウントされた後、金属細線４によ
りリードフレーム２に結線され、モールド樹脂１により
全体が樹脂封止される。
）に示す。この図において、半導体素子３はリードフレ
ーム２上に半田等でマウントされた後、金属細線４によ
りリードフレーム２に結線され、モールド樹脂１により
全体が樹脂封止される。
（発明が解決しようとする課題〕
マイクロ波帯以上の高周波で動作する半導体素子に上記
のような樹脂封止構造を採用した場合、半導体素子表面
や金属細線を直接樹脂が覆うため、電気特性上の劣化が
大きく、上記構造を採用することは困難であった。
のような樹脂封止構造を採用した場合、半導体素子表面
や金属細線を直接樹脂が覆うため、電気特性上の劣化が
大きく、上記構造を採用することは困難であった。
この解決策として、第３図（ａ）〜（Ｃ）に示すように
、中空化した構造のものも提案されたが、この図のよう
に、従来の樹脂封止構造の封止樹脂を車に中空化する構
造のものは技術上不可能であり、現実的には中空部にシ
リコーンゴム、ゲル等で覆うのが限界であり、上記問題
は不可避であった。したがって、電気特性優先のために
は高価なセラミックパッケージに塔載する他はなかった
。
、中空化した構造のものも提案されたが、この図のよう
に、従来の樹脂封止構造の封止樹脂を車に中空化する構
造のものは技術上不可能であり、現実的には中空部にシ
リコーンゴム、ゲル等で覆うのが限界であり、上記問題
は不可避であった。したがって、電気特性優先のために
は高価なセラミックパッケージに塔載する他はなかった
。
この発明に係る半導体装置は、リードフレーム上に塔載
された半導体素子、この半導体素子とリードフレームの
リードとを接続する金属細線、およびこれらの結合部の
いずれにも接触しないように複数層の異なる材質の樹脂
を中空状にして樹脂封止したものである。
された半導体素子、この半導体素子とリードフレームの
リードとを接続する金属細線、およびこれらの結合部の
いずれにも接触しないように複数層の異なる材質の樹脂
を中空状にして樹脂封止したものである。
この発明においては、半導体素子、金属細線およびこれ
らの結合部を、樹脂を中空状にして封止したことから、
半導体素子や金属細線等が直接封止樹脂に接触すること
が回避される。
らの結合部を、樹脂を中空状にして封止したことから、
半導体素子や金属細線等が直接封止樹脂に接触すること
が回避される。
（実施例〕
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を示すもの
で、１〜４は第２図、第３図と同じものを示し、５は第
一層目の樹脂で、中空部形成のためのものであり、例え
ばあらかじめ樹脂成形により半導体素子３が収納できる
ような箱状に形成し、これを半導体素子３を取付けたリ
ードフレーム２上に固定し、この第一層目の樹脂５上に
第二・ 層目（最外層）のモールド樹脂１を封止する
ことにより、樹脂封止構造の半導体装置として完成する
。この発明では、第１図に示すように、例えば二重層樹
脂封止構造を採用している。
で、１〜４は第２図、第３図と同じものを示し、５は第
一層目の樹脂で、中空部形成のためのものであり、例え
ばあらかじめ樹脂成形により半導体素子３が収納できる
ような箱状に形成し、これを半導体素子３を取付けたリ
ードフレーム２上に固定し、この第一層目の樹脂５上に
第二・ 層目（最外層）のモールド樹脂１を封止する
ことにより、樹脂封止構造の半導体装置として完成する
。この発明では、第１図に示すように、例えば二重層樹
脂封止構造を採用している。
なお、第１図の実施例においては、第一層目の樹脂５を
使用したが、この替りに格子状の絶縁体を用い、中空部
を形成してもよい。また、樹脂の材質構造として三層構
造以上のものを採用することもできる。
使用したが、この替りに格子状の絶縁体を用い、中空部
を形成してもよい。また、樹脂の材質構造として三層構
造以上のものを採用することもできる。
以上説明したようにこの発明は、リードフレーム上に塔
載された半導体素子、この半導体素子とリードフレーム
のリードとを接続する金属細線、およびこれらの結合部
のいずれも封止樹脂に接触しないように複数層の異なる
材質の樹脂を中空状にして樹脂封止したので、マイクロ
波帯以上の周波数において、電気特性の優れた価格の安
い、かつ高い信頼性を有する半導体装置を提供すること
ができる。
載された半導体素子、この半導体素子とリードフレーム
のリードとを接続する金属細線、およびこれらの結合部
のいずれも封止樹脂に接触しないように複数層の異なる
材質の樹脂を中空状にして樹脂封止したので、マイクロ
波帯以上の周波数において、電気特性の優れた価格の安
い、かつ高い信頼性を有する半導体装置を提供すること
ができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を示すもの
で、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ′）は、第１図
（ａ）のＡ−Ａ’断面図、第１図（Ｃ）は、第１図（ａ
）のＢ−Ｂ’断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）および第３
図（ａ）〜（Ｃ）は樹脂封止構造の半導体装置の従来例
を示す図で、第１図の各図にそれぞれ対応する図である
。 図において、１は最外層（第二層）のモールド樹脂、２
はリードフレーム、３は半導体素子、４は金属細線、５
は中空化のための第一層目の樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）゛第１図 （ａ） （Ｃ）第２図 （ａ） （ｃ） 第３図 （ａ） （Ｃ）
で、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ′）は、第１図
（ａ）のＡ−Ａ’断面図、第１図（Ｃ）は、第１図（ａ
）のＢ−Ｂ’断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）および第３
図（ａ）〜（Ｃ）は樹脂封止構造の半導体装置の従来例
を示す図で、第１図の各図にそれぞれ対応する図である
。 図において、１は最外層（第二層）のモールド樹脂、２
はリードフレーム、３は半導体素子、４は金属細線、５
は中空化のための第一層目の樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）゛第１図 （ａ） （Ｃ）第２図 （ａ） （ｃ） 第３図 （ａ） （Ｃ）
Claims (1)
- リードフレーム上に塔載され、金属細線により、前記
リードフレーム内のリードに電気的に接続された半導体
素子を、前記半導体素子、金属細線およびこの金属細線
と前記リードフレームとの結合部のいずれにも接触しな
いように、複数層の異なった材質の樹脂により、中空状
に樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041062A JPH01215049A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041062A JPH01215049A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215049A true JPH01215049A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12597941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041062A Pending JPH01215049A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406699A (en) * | 1992-09-18 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronics package |
| US9041169B2 (en) | 2013-05-31 | 2015-05-26 | Yokowo Co., Ltd. | Semiconductor packaging container, semiconductor device, electronic device |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041062A patent/JPH01215049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406699A (en) * | 1992-09-18 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronics package |
| US9041169B2 (en) | 2013-05-31 | 2015-05-26 | Yokowo Co., Ltd. | Semiconductor packaging container, semiconductor device, electronic device |
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