JPH03280453A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置、さらに詳しくは、作動により高熱
を発する半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。
を発する半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。
［従来の技術］ ）
低熱抵抗を必要とする高出力半導体を内蔵した半導体装
置は、作動により高熱を発するため種々放熱手段を講じ
ている。
置は、作動により高熱を発するため種々放熱手段を講じ
ている。
第４図は放熱手段を備えた従来の半導体装置の一例を示
すもので、（１）は半導体素子、（２）はリードフレー
ムのインナリードで、半導体素子（１）の各電極はワイ
ヤ（３）によりそれぞれ対応するインナリード（２）に
接続されている。（４）は半導体素子（１）の基板（ｌ
ａ）に密着して配設された放熱板で、例えば銅の如き熱
伝導の良好な材料からなっている。そして、これら半導
体素子（１）、インナリード（２）、ワイヤ（３）及び
放熱板（４）は、放熱板（４）の下面を除きエポキシ樹
脂の如き熱硬化性樹脂等によりパッケージ（５）されて
いる。
すもので、（１）は半導体素子、（２）はリードフレー
ムのインナリードで、半導体素子（１）の各電極はワイ
ヤ（３）によりそれぞれ対応するインナリード（２）に
接続されている。（４）は半導体素子（１）の基板（ｌ
ａ）に密着して配設された放熱板で、例えば銅の如き熱
伝導の良好な材料からなっている。そして、これら半導
体素子（１）、インナリード（２）、ワイヤ（３）及び
放熱板（４）は、放熱板（４）の下面を除きエポキシ樹
脂の如き熱硬化性樹脂等によりパッケージ（５）されて
いる。
上記のよう半導体装置においては、半導体素子（１）が
発熱すると、その熱の大部分は放熱板（４）を介して放
熱され、温度の上昇が抑制される。
発熱すると、その熱の大部分は放熱板（４）を介して放
熱され、温度の上昇が抑制される。
第５図は放熱手段を備えた従来の半導体装置の他の例を
示すものである。この例では、合成樹脂製のフレーム（
６）に金属板（７）、（８）を取付けると共にインナリ
ード（２）を配置し、金属板（７）上に半導体素子（１
）を貼付けてその電極と各インナリード（２）とをそれ
ぞれワイヤ（３）により接続し、インナリード（２）を
アウタリード（９） 、 ＜９８）に接続したものであ
る。
示すものである。この例では、合成樹脂製のフレーム（
６）に金属板（７）、（８）を取付けると共にインナリ
ード（２）を配置し、金属板（７）上に半導体素子（１
）を貼付けてその電極と各インナリード（２）とをそれ
ぞれワイヤ（３）により接続し、インナリード（２）を
アウタリード（９） 、 ＜９８）に接続したものであ
る。
このように構成した半導体装置においては、半導体素子
（１）から発生した熱は、ワイヤ（３）とインナリード
（２）及び金属板（７） 、 （８）からアウトリード
（９） 、 （９ａ）を介して放熱され、温度の上昇が
抑制される。
（１）から発生した熱は、ワイヤ（３）とインナリード
（２）及び金属板（７） 、 （８）からアウトリード
（９） 、 （９ａ）を介して放熱され、温度の上昇が
抑制される。
［発明が解決しようとする課題］
第４図に示すような半導体装置においては、放熱板（４
）がパッケージ（５）から露出しているため、放熱板（
４）とパッケージ（５）を形成する樹脂との密着性が低
く、内部に水分が侵入して機能の劣化を来すなど、信頼
性の面で問題があった。
）がパッケージ（５）から露出しているため、放熱板（
４）とパッケージ（５）を形成する樹脂との密着性が低
く、内部に水分が侵入して機能の劣化を来すなど、信頼
性の面で問題があった。
また、第５図に示した半導体装置においては、放熱構造
が複雑であるにかかわらず放熱効果が不充分であり、そ
の上樹脂封止の際に、放熱板により樹脂の流動が阻害さ
れて内部まで充分行き渡らず、充填不良等の問題が発生
する。また放熱板と樹脂との密着性が悪いため、パッケ
ージ強度の低下を来すなど、種々問題があった。
が複雑であるにかかわらず放熱効果が不充分であり、そ
の上樹脂封止の際に、放熱板により樹脂の流動が阻害さ
れて内部まで充分行き渡らず、充填不良等の問題が発生
する。また放熱板と樹脂との密着性が悪いため、パッケ
ージ強度の低下を来すなど、種々問題があった。
本発明は、上記の課題を解決すべくなされたもので、内
部に水分が侵入するおそれがなく、樹脂の充填不良の問
題も発生せず、その上放熱効果の高い半導体装置を得る
ことを目的としたものである。
部に水分が侵入するおそれがなく、樹脂の充填不良の問
題も発生せず、その上放熱効果の高い半導体装置を得る
ことを目的としたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体装置は、放熱板の表面に半導体素子
の搭載部を除いて絶縁処理を施すと共１こ、この絶縁処
理を施した部分に複数の貫通穴を設けたものである。
の搭載部を除いて絶縁処理を施すと共１こ、この絶縁処
理を施した部分に複数の貫通穴を設けたものである。
また、上記半導体装置の製造方法は、半導体素子の搭載
部を除いて絶縁処理が施され、かつこの絶縁処理が施さ
れた部分に複数の貫通穴が設けられた放熱板上にリード
フレームのインナリードを接着し、半導体素子の搭載部
に半導体素子を搭載してその電極とインナリードとをそ
れぞれワイヤで接続し、半導体素子、インナリード、ワ
イヤ及び放熱板を樹脂等で封止するようにしたものであ
る。
部を除いて絶縁処理が施され、かつこの絶縁処理が施さ
れた部分に複数の貫通穴が設けられた放熱板上にリード
フレームのインナリードを接着し、半導体素子の搭載部
に半導体素子を搭載してその電極とインナリードとをそ
れぞれワイヤで接続し、半導体素子、インナリード、ワ
イヤ及び放熱板を樹脂等で封止するようにしたものであ
る。
［作用］
放熱板に接着剤、両面テープ等によりリードフレームの
インナリードを接着する。次に、半導体素子の搭載部に
半導体素子を取り付けてその電極と各インナリードとを
それぞれワイヤで接続する。
インナリードを接着する。次に、半導体素子の搭載部に
半導体素子を取り付けてその電極と各インナリードとを
それぞれワイヤで接続する。
この状態で半導体素子、インナリード、ワイヤ及び放熱
板を樹脂等で封止する。
板を樹脂等で封止する。
このとき、樹脂等は放熱板に設けた貫通穴によって流動
性が向上し、放熱板との密着性が高まるばかりでなく、
上下のパッケージ型の連結面積も増加するので、パッケ
ージ強度を高めることができる。
性が向上し、放熱板との密着性が高まるばかりでなく、
上下のパッケージ型の連結面積も増加するので、パッケ
ージ強度を高めることができる。
また、半導体装置の作動時に半導体素子の温度が上昇す
ると、その熱は放熱板から放出されると共に、インナリ
ードが放熱板に接着されているので、インナリードから
アウタリードへと放出され、半導体装置の温度上昇を防
止する。
ると、その熱は放熱板から放出されると共に、インナリ
ードが放熱板に接着されているので、インナリードから
アウタリードへと放出され、半導体装置の温度上昇を防
止する。
［実施例］
第１図は本発明実施例の縦断面図である。なお、第４図
の従来例と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略す
る。（１０）は例えば銅の如き熱伝導の良好な材料から
なる放熱板で、第２図に示すようにその上面には半導体
素子（１）の搭載部（１１）を除き、樹脂等により絶縁
膜（１３）が形成されており、半導体素子（１）の搭載
部（１１）の周囲、即ち絶縁膜（１３）が形成されてい
る部分には、複数個の貫通穴（１２）が設けられている
。
の従来例と同じ部分には同じ符号を付し、説明を省略す
る。（１０）は例えば銅の如き熱伝導の良好な材料から
なる放熱板で、第２図に示すようにその上面には半導体
素子（１）の搭載部（１１）を除き、樹脂等により絶縁
膜（１３）が形成されており、半導体素子（１）の搭載
部（１１）の周囲、即ち絶縁膜（１３）が形成されてい
る部分には、複数個の貫通穴（１２）が設けられている
。
上記のような半導体装置を組立てるには、先ず、第３図
に示すように放熱板（ｌＯ）の上面にリードフレームの
リード（２）を載せ、接着剤、両面テープ等によりそれ
ぞれ放熱板（ｌＯ）に貼付ける。次に、放熱板（ｌＯ）
の中央部に設けた半導体素子（１）の搭載部（１１）に
、接着剤、両面テープ等により半導体素子（１）を貼付
けて固定し、半導体素子（１）の各電極とこれに対応し
たリードフレームのインナリード（２）とをそれぞれワ
イヤ（３）により接続する。
に示すように放熱板（ｌＯ）の上面にリードフレームの
リード（２）を載せ、接着剤、両面テープ等によりそれ
ぞれ放熱板（ｌＯ）に貼付ける。次に、放熱板（ｌＯ）
の中央部に設けた半導体素子（１）の搭載部（１１）に
、接着剤、両面テープ等により半導体素子（１）を貼付
けて固定し、半導体素子（１）の各電極とこれに対応し
たリードフレームのインナリード（２）とをそれぞれワ
イヤ（３）により接続する。
そして、エボキン樹脂の如き熱可塑性樹脂等で封止し、
パッケージ（５）する。最後にパッケージ（５）の外側
においてリードフレームを切断してアウタリード（２ａ
）を整形装置によりフォーミングする。
パッケージ（５）する。最後にパッケージ（５）の外側
においてリードフレームを切断してアウタリード（２ａ
）を整形装置によりフォーミングする。
樹脂等による封止にあたっては、樹脂等は放熱板（ｌＯ
）に設けた貫通穴（１２）によりその流動性が向上し、
放熱板（ｌＯ）と樹脂との密着性が高まり、また上下の
パッケージ型の連通面積も増加するので、充填不良の問
題は発生せず、パッケージ強度を高めることができる。
）に設けた貫通穴（１２）によりその流動性が向上し、
放熱板（ｌＯ）と樹脂との密着性が高まり、また上下の
パッケージ型の連通面積も増加するので、充填不良の問
題は発生せず、パッケージ強度を高めることができる。
上記の説明では、半導体素子（１）の搭載部（１１）の
周囲の絶縁処理を施した部分に複数個の円形の貫通穴（
１２）を設けた場合を示したが、貫通穴（１１）の形状
、大きさ、位置、数等は適宜選択することができる。ま
た、貫通穴（１１）のピッチが大きいときは、インナリ
ード（２）を貼付けたのち、インナリード（２）の間に
小さい貫通穴を穿設してもよい。
周囲の絶縁処理を施した部分に複数個の円形の貫通穴（
１２）を設けた場合を示したが、貫通穴（１１）の形状
、大きさ、位置、数等は適宜選択することができる。ま
た、貫通穴（１１）のピッチが大きいときは、インナリ
ード（２）を貼付けたのち、インナリード（２）の間に
小さい貫通穴を穿設してもよい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次のよ
うな顕著な効果を得ることができる。
うな顕著な効果を得ることができる。
（１）リードフレームのインナリードを放熱板に接着さ
せるようにしたので、インナリードのばたつきがなくな
り、安定したボンディングができる。
せるようにしたので、インナリードのばたつきがなくな
り、安定したボンディングができる。
（２）樹脂等による封止に際しては、放熱板に設けた貫
通穴により樹脂等の流動性が向上するため未充填部分が
なくなり、品質の安定化がはかれる。
通穴により樹脂等の流動性が向上するため未充填部分が
なくなり、品質の安定化がはかれる。
（３）放熱板に設けた貫通穴によりパッケージの上下型
の連通面積が増加するため、パッケージの強度が向上す
ると共に放熱板と樹脂等の密着性も高まり、しかも放熱
板はパッケージから露出していないので水分等が侵入す
るおそれがなく、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
の連通面積が増加するため、パッケージの強度が向上す
ると共に放熱板と樹脂等の密着性も高まり、しかも放熱
板はパッケージから露出していないので水分等が侵入す
るおそれがなく、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
（４）半導体素子から発生した熱は放熱板を介して放熱
されるだけでなく、リードフレームのインナリードを放
熱板に接着したので、インナリードからも放熱される。
されるだけでなく、リードフレームのインナリードを放
熱板に接着したので、インナリードからも放熱される。
このため高い放熱効果が得られ、半導体装置の温度上昇
を防止することができる。
を防止することができる。
第１図は本発明実施例の縦断面図、第２図（ａ）は本発
明の要部をなす放熱板の実施例の平面図、（ｂ）はその
Ａ−Ａ断面図、第３図（ａ）は本発明に係る製造方法を
説明するための平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図、第
４図、第５図は放熱板を備えた従来の半導体装置の断面
図である。 （１）二半導体素子、（２）：インナリード、（３）：
ワイヤ、（５）：パッケージ、（１０） ：放熱板、（
１１）：半導体素子の搭載部、（１２） ：貫通穴、（
１３） ：絶縁膜。
明の要部をなす放熱板の実施例の平面図、（ｂ）はその
Ａ−Ａ断面図、第３図（ａ）は本発明に係る製造方法を
説明するための平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図、第
４図、第５図は放熱板を備えた従来の半導体装置の断面
図である。 （１）二半導体素子、（２）：インナリード、（３）：
ワイヤ、（５）：パッケージ、（１０） ：放熱板、（
１１）：半導体素子の搭載部、（１２） ：貫通穴、（
１３） ：絶縁膜。
Claims (2)
- （１）半導体素子の電極とリードフレームのインナリー
ドとをそれぞれワイヤで接続し、前記半導体素子から発
生する熱を放出する放熱板と共に樹脂等で封止してなる
半導体装置において、 前記放熱板の表面に半導体素子の搭載部を除いて絶縁処
理を施すと共に、該絶縁処理を施した部分に複数の貫通
穴を設けたことを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体素子の電極とリードフレームのインナリー
ドとをそれぞれワイヤで接続し、前記半導体素子から発
生する熱を放出する放熱板と共に樹脂等で封止してなる
半導体装置において、 前記半導体素子の搭載部を除いて絶縁処理が施され、か
つ該絶縁処理が施された部分に複数の貫通穴が設けられ
た放熱板上に前記リードフレームのインナリードを接着
し、前記搭載部に半導体素子を搭載してその電極と前記
インナリードとをそれぞれワイヤで接続し、前記半導体
素子、インナリード、ワイヤ及び放熱板を樹脂等で封止
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7867790A JP2850462B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7867790A JP2850462B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280453A true JPH03280453A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2850462B2 JP2850462B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13668506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7867790A Expired - Fee Related JP2850462B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850462B2 (ja) |
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| EP0776041A2 (de) * | 1995-11-24 | 1997-05-28 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungs-Halbleitermodul |
| US5641987A (en) * | 1994-06-21 | 1997-06-24 | Anam Industrial Co., Ltd. | Heat spreader suitable for use in semiconductor packages having different pad sizes |
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5891759A (en) * | 1993-12-16 | 1999-04-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP7867790A patent/JP2850462B2/ja not_active Expired - Fee Related
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