JPH01281759A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01281759A JPH01281759A JP63111245A JP11124588A JPH01281759A JP H01281759 A JPH01281759 A JP H01281759A JP 63111245 A JP63111245 A JP 63111245A JP 11124588 A JP11124588 A JP 11124588A JP H01281759 A JPH01281759 A JP H01281759A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、放熱基板上に設けられた半導体チップと、
この半導体チップに内部リード線を介して電気的に接続
された外部電極端子とを樹脂で封止した半導体装置に関
するものである。
この半導体チップに内部リード線を介して電気的に接続
された外部電極端子とを樹脂で封止した半導体装置に関
するものである。
第２図は、この種の半導体装置の従来例の１つである電
力用半導体モジュールを一部切り欠いて示す斜視図であ
る。図において、金属材料からなる放熱基板１上には絶
縁基板２が半田付けされており、その絶縁基板２上には
外部電極端子の１つである概形し字状の三相入力端子３
が３つ、その下辺部３ａを半田付けされている。そして
、各三相入力端子３の下辺部３ａ上には、銅やモリブデ
ンなどの熱１ｌｆＩ材１１を介して、ダイオードなどの
整流用素子の形成された半導体チップ４が各々２個宛、
都合６個半田付けされている。また、別の外部電極端子
である概形逆Ｔ字状の直流出力端子５が２つ、半導体チ
ップ４の上方に配置され、各直流圧力端子５に対してそ
れぞれ３つの半導体チップ４が内部リード線６を介して
半田付けされ、以上の結線によって三相ブリッジが構成
されている。
力用半導体モジュールを一部切り欠いて示す斜視図であ
る。図において、金属材料からなる放熱基板１上には絶
縁基板２が半田付けされており、その絶縁基板２上には
外部電極端子の１つである概形し字状の三相入力端子３
が３つ、その下辺部３ａを半田付けされている。そして
、各三相入力端子３の下辺部３ａ上には、銅やモリブデ
ンなどの熱１ｌｆＩ材１１を介して、ダイオードなどの
整流用素子の形成された半導体チップ４が各々２個宛、
都合６個半田付けされている。また、別の外部電極端子
である概形逆Ｔ字状の直流出力端子５が２つ、半導体チ
ップ４の上方に配置され、各直流圧力端子５に対してそ
れぞれ３つの半導体チップ４が内部リード線６を介して
半田付けされ、以上の結線によって三相ブリッジが構成
されている。
放熱基板１上に設けられた上記の各部材は、放熱基板１
上に別に接着固定されるケース７によって全体を囲まれ
、そのケース７内にシリコンゲルなどのゲル状樹脂８を
注入されたあと、エポキシ系樹脂９で封止されて整流用
６素子入りの電力用半導体モジュールとされる。
上に別に接着固定されるケース７によって全体を囲まれ
、そのケース７内にシリコンゲルなどのゲル状樹脂８を
注入されたあと、エポキシ系樹脂９で封止されて整流用
６素子入りの電力用半導体モジュールとされる。
しかしながら、上記構成の半導体装置では、ケース７内
に注入されたゲル状樹脂が半導体チップ４の発熱や周囲
温度の変化によって熱膨張を起すと、ゲル状樹脂内に浮
いた状態で配置されている直流出力端子５にゲル状樹脂
による熱応力が生じ、その力が内部リード線６を介して
半導体チップ４に及び、故障の原因になるという問題点
があった。
に注入されたゲル状樹脂が半導体チップ４の発熱や周囲
温度の変化によって熱膨張を起すと、ゲル状樹脂内に浮
いた状態で配置されている直流出力端子５にゲル状樹脂
による熱応力が生じ、その力が内部リード線６を介して
半導体チップ４に及び、故障の原因になるという問題点
があった。
特に、図示例のようにゲル状樹脂８とエポキシ系樹脂９
とによる二層封止の場合、半導体装置が通常使用される
（−４０℃）〜（＋１５０℃）の温度範囲では、後者の
熱膨張係数が前者のそれよりも大きいため、ゲル状樹脂
８の熱膨張が妨げられて、この熱応力は特に大きくなり
、上記の問題の発生が顕著となる この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、熱応力が半導体チップに及ぶのを軽減した半
導体装置を得ることを目的とする。
とによる二層封止の場合、半導体装置が通常使用される
（−４０℃）〜（＋１５０℃）の温度範囲では、後者の
熱膨張係数が前者のそれよりも大きいため、ゲル状樹脂
８の熱膨張が妨げられて、この熱応力は特に大きくなり
、上記の問題の発生が顕著となる この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、熱応力が半導体チップに及ぶのを軽減した半
導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱基板上に設けられた
半導体チップと、この半導体チップに内部リード線を介
して電気的に接続された外部電極端子とを樹脂で封止し
た半導体装置であって、放熱基板を絶縁材料によって形
成し、その放熱基板上に外部電極端子の下端部を固着し
たものである。
半導体チップと、この半導体チップに内部リード線を介
して電気的に接続された外部電極端子とを樹脂で封止し
た半導体装置であって、放熱基板を絶縁材料によって形
成し、その放熱基板上に外部電極端子の下端部を固着し
たものである。
この発明においては、封止に用いられる樹脂が熱膨張し
て、外部電極端子に熱応力が生じても、外部電極端子の
下端部が放熱基板上に直接固着されているため変位が少
なく、したがってその熱応力が内部リード線を介して半
導体チップに及ぶのが軽減される。
て、外部電極端子に熱応力が生じても、外部電極端子の
下端部が放熱基板上に直接固着されているため変位が少
なく、したがってその熱応力が内部リード線を介して半
導体チップに及ぶのが軽減される。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例である整
流用６素子入りの電力用半導体モジュールを一部切り欠
いて示す斜視図であり、３，４゜６〜９，１１は上記従
来装置と全く同一のものである。このモジュールでは、
放熱基板１０は（たとえばヒツト基板（商品名）などの
）絶縁材料によって形成されており、したがって放熱基
板１０上には別に絶縁基板は設けられない。すなわち、
外部電極端子の１つである三相入力端子３の下辺部３ａ
は直接放熱基板１０上に半田付けされている。また、別
の外部電極端子である２つの直流出力端子５は概形逆Ｔ
字状で、その下辺部５ａの両端に取付脚５ｂが形成され
ており、この取付脚５ｂを放熱基板１０上に半田付けす
ることによって、放熱基板１０上に固着されている。放
熱基板１０が絶縁材料で形成されているため、２つの直
流出力端子５の闇の電気的絶縁性も確保されている。
流用６素子入りの電力用半導体モジュールを一部切り欠
いて示す斜視図であり、３，４゜６〜９，１１は上記従
来装置と全く同一のものである。このモジュールでは、
放熱基板１０は（たとえばヒツト基板（商品名）などの
）絶縁材料によって形成されており、したがって放熱基
板１０上には別に絶縁基板は設けられない。すなわち、
外部電極端子の１つである三相入力端子３の下辺部３ａ
は直接放熱基板１０上に半田付けされている。また、別
の外部電極端子である２つの直流出力端子５は概形逆Ｔ
字状で、その下辺部５ａの両端に取付脚５ｂが形成され
ており、この取付脚５ｂを放熱基板１０上に半田付けす
ることによって、放熱基板１０上に固着されている。放
熱基板１０が絶縁材料で形成されているため、２つの直
流出力端子５の闇の電気的絶縁性も確保されている。
各直流出力端子５に対してそれぞれ３つの半導体チップ
４が内部リード線６を介して半田付けされ、以上の結線
によって三相ブリッジが構成されること、およびこれら
の部材が放熱基板１０上に別に接着固定されるケース７
によって全体を囲まれ、そのケース７内にシリコンゲル
などのゲル状樹脂８が注入され、エポキシ系樹脂９で封
止されて整流用６素子入りの電力用半導体モジュールと
されることは従来装置の場合と同様である。
４が内部リード線６を介して半田付けされ、以上の結線
によって三相ブリッジが構成されること、およびこれら
の部材が放熱基板１０上に別に接着固定されるケース７
によって全体を囲まれ、そのケース７内にシリコンゲル
などのゲル状樹脂８が注入され、エポキシ系樹脂９で封
止されて整流用６素子入りの電力用半導体モジュールと
されることは従来装置の場合と同様である。
上記構成のモジュールでは、ケース７内に注入されたゲ
ル状樹脂が半導体チップ４の発熱や周囲温度の変化によ
って熱膨張を起すのに伴って、直流出力端子５に熱応力
が生じても、直流出力端子５の下端部つまり取付脚５ｂ
が放熱基板１０上に直接固着されているため、熱応力に
よる変位は小さく抑えられる。したがうて、その熱応力
が内部リード線６を介して半導体チップ４に作用するこ
とはほとんどなく、熱応力に起因する半導体チップ４の
故障が確実に回避される。
ル状樹脂が半導体チップ４の発熱や周囲温度の変化によ
って熱膨張を起すのに伴って、直流出力端子５に熱応力
が生じても、直流出力端子５の下端部つまり取付脚５ｂ
が放熱基板１０上に直接固着されているため、熱応力に
よる変位は小さく抑えられる。したがうて、その熱応力
が内部リード線６を介して半導体チップ４に作用するこ
とはほとんどなく、熱応力に起因する半導体チップ４の
故障が確実に回避される。
なお、上記実施例においては整流用６素子入りの電力用
半導体モジュールの場合について説明したが、これに限
らずサイリスタ・モジュールやトランジスタ・モジュー
ルなどにも同様に適用することができる。樹脂封止が一
層によってなされている場合も、この発明を利用可能で
ある。
半導体モジュールの場合について説明したが、これに限
らずサイリスタ・モジュールやトランジスタ・モジュー
ルなどにも同様に適用することができる。樹脂封止が一
層によってなされている場合も、この発明を利用可能で
ある。
以上のように、この発明によれば、封止に用いられる樹
脂が熱膨張して、外部電極端子に熱応力が生じても、外
部電極端子の下端部が放熱基板上に直接固着されていて
その変位が少ないため、熱応力が内部リード線を介して
半導体チップに及ぶ作用が緩和され、熱応力に起因する
断線や半導体チップの故障が回避されて半導体装置の信
頼性が向上する。
脂が熱膨張して、外部電極端子に熱応力が生じても、外
部電極端子の下端部が放熱基板上に直接固着されていて
その変位が少ないため、熱応力が内部リード線を介して
半導体チップに及ぶ作用が緩和され、熱応力に起因する
断線や半導体チップの故障が回避されて半導体装置の信
頼性が向上する。
第１図は、この発明による半導体装置の一実施例を示す
一部切欠き斜視図、第２図は従来の半導体装置を示す一
部切欠き斜視図である。 図において、１，１０は放熱基板、４は半導体チップ、
５は外部電極端子の１つである直流出力端子、５ｂは直
流出力端子の取付脚、６は内部リード線、８はゲル状樹
脂、９はエポキシ系樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
一部切欠き斜視図、第２図は従来の半導体装置を示す一
部切欠き斜視図である。 図において、１，１０は放熱基板、４は半導体チップ、
５は外部電極端子の１つである直流出力端子、５ｂは直
流出力端子の取付脚、６は内部リード線、８はゲル状樹
脂、９はエポキシ系樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）放熱基板上に設けられた半導体チップと、この半
導体チップに内部リード線を介して電気的に接続された
外部電極端子とを樹脂で封止した半導体装置において、 前記放熱基板を絶縁材料によって形成し、その放熱基板
上に前記外部電極端子の下端部を固着したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111245A JPH0787229B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111245A JPH0787229B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281759A true JPH01281759A (ja) | 1989-11-13 |
| JPH0787229B2 JPH0787229B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=14556268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111245A Expired - Fee Related JPH0787229B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787229B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855464B2 (en) | 2008-07-10 | 2010-12-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having a semiconductor chip and resin sealing portion |
| CN102366839A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-03-07 | 哈尔滨电机厂有限责任公司 | 无模板制备棒状钴铁合金粉体的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346754A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Hitachi Ltd | モ−ルド型電子装置 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111245A patent/JPH0787229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346754A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Hitachi Ltd | モ−ルド型電子装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855464B2 (en) | 2008-07-10 | 2010-12-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having a semiconductor chip and resin sealing portion |
| US8183094B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-05-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip and resin sealing portion |
| CN102366839A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-03-07 | 哈尔滨电机厂有限责任公司 | 无模板制备棒状钴铁合金粉体的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0787229B2 (ja) | 1995-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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