JPH04316354A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04316354A JPH04316354A JP11093991A JP11093991A JPH04316354A JP H04316354 A JPH04316354 A JP H04316354A JP 11093991 A JP11093991 A JP 11093991A JP 11093991 A JP11093991 A JP 11093991A JP H04316354 A JPH04316354 A JP H04316354A
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- Japan
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- resin
- container
- outside
- semiconductor device
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010016256 fatigue Diseases 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パワーデバイス、特
にパワーモジュールの構造に関するものである。
にパワーモジュールの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は先に本出願人の出願（特願平１−
４４３２２）に係るこの種の従来装置を示すものであり
、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最も
一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹脂
等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提案
されたものである。
４４３２２）に係るこの種の従来装置を示すものであり
、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最も
一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹脂
等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提案
されたものである。
【０００３】即ち、図３において、１はベース板、２は
絶縁板、３は端子、７はケース、８はシリコーンゲル、
９はエポキシ樹脂、１０は連通開口、１１は空間部、１
２は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図３の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル８は硬い樹脂であるエポキシ樹脂９に比較
して熱膨張係数が約５０倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂９
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
３のものはその問題の解決を意図したものである。
絶縁板、３は端子、７はケース、８はシリコーンゲル、
９はエポキシ樹脂、１０は連通開口、１１は空間部、１
２は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図３の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル８は硬い樹脂であるエポキシ樹脂９に比較
して熱膨張係数が約５０倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂９
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
３のものはその問題の解決を意図したものである。
【０００４】ここで図３において、内側壁７２によって
隔離された空隙部分７３は連通開口部１０によって内部
とつながり、シリコーンゲル８が空隙部分７３の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
１１が形成され、この空間１１は開口穴１２によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル８が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分７３内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
隔離された空隙部分７３は連通開口部１０によって内部
とつながり、シリコーンゲル８が空隙部分７３の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
１１が形成され、この空間１１は開口穴１２によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル８が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分７３内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないものは
、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないものは
、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
【０００６】即ち図２は上記のようなスペースの余裕の
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板２１上に、下から順に絶縁
基板２２、アノード端子２３、アノードモリブデン２４
、ダイオードチップ２５、カソードモリブデン板２６、
及びカソード端子２７が半田により固着されている。そ
してその全体を収容するように樹脂ケース２８が銅ベー
ス板２１に接着され、その中に、シリコーンゲル２９が
注入、キュアされ、そして樹脂のフタ３０がケース２８
にはめこまれた後、右の開口部３１からエポキシ樹脂３
２が注入され、フタ３０とケース２８とがエポキシ樹脂
３２の硬化によって固着されている。この図の全体の構
造は、図３の空隙部分７３に相当する部分を形成するス
ペースはない。
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板２１上に、下から順に絶縁
基板２２、アノード端子２３、アノードモリブデン２４
、ダイオードチップ２５、カソードモリブデン板２６、
及びカソード端子２７が半田により固着されている。そ
してその全体を収容するように樹脂ケース２８が銅ベー
ス板２１に接着され、その中に、シリコーンゲル２９が
注入、キュアされ、そして樹脂のフタ３０がケース２８
にはめこまれた後、右の開口部３１からエポキシ樹脂３
２が注入され、フタ３０とケース２８とがエポキシ樹脂
３２の硬化によって固着されている。この図の全体の構
造は、図３の空隙部分７３に相当する部分を形成するス
ペースはない。
【０００７】この発明は以上のような問題点を解決し、
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図３と同
様の効果を得ようとするものである。
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図３と同
様の効果を得ようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に管状の突起部を設けるとともに、この突起部と外
部とを連通する貫通穴を配設したものである。
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に管状の突起部を設けるとともに、この突起部と外
部とを連通する貫通穴を配設したものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、硬い樹脂層の上に被着さ
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する管状の突起部
、及び外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部
の柔軟な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突
起部から貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する管状の突起部
、及び外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部
の柔軟な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突
起部から貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
【００１０】
【実施例】以下この発明の一実施例を図１について説明
する。全体構造は図２とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ３０に管状突起部３０ａと貫通穴３０ｂ
がある点である。この突起部３０ａはフタ３０の一部と
して形成され、図のようにエポキシ樹脂層３２を貫通し
てシリコーンゲル層２９に達している。そして管状突起
部３０ａの内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴３
０ｂが形成され、図３の開口穴１２の場合と同様の役割
を果たしている。
する。全体構造は図２とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ３０に管状突起部３０ａと貫通穴３０ｂ
がある点である。この突起部３０ａはフタ３０の一部と
して形成され、図のようにエポキシ樹脂層３２を貫通し
てシリコーンゲル層２９に達している。そして管状突起
部３０ａの内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴３
０ｂが形成され、図３の開口穴１２の場合と同様の役割
を果たしている。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、スペー
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
【図３】選考技術としての先願のものの断面図である。
２１ 銅ベース板
２２ 絶縁基板
２３ アノード端子
２４ アノードモリブデン板２５
ダイオードチップ ２６ カソードモリブデン板２７
カソード端子 ２８ ケース ２９ エポキシ樹脂 ３０ フタ ３０ａ 管状突起部 ３０ｂ 貫通穴 ３１ 開口部 ３２ シリコーンゲル
ダイオードチップ ２６ カソードモリブデン板２７
カソード端子 ２８ ケース ２９ エポキシ樹脂 ３０ フタ ３０ａ 管状突起部 ３０ｂ 貫通穴 ３１ 開口部 ３２ シリコーンゲル
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂容器内に収容された半導体チップ
の周辺を柔軟な樹脂で覆い、更にその外部に硬い樹脂を
充填して、その上部からフタをかぶせて、硬い樹脂によ
って容器とフタとを固着封止した半導体装置において、
上記フタの下部に上記硬い樹脂層を貫通して柔軟な樹脂
層に達する管状の突起部を設け、該突起部には外部と通
じる貫通穴を配置したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316354A true JPH04316354A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2585890B2 JP2585890B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=14548408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3110939A Expired - Lifetime JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585890B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010533988A (ja) * | 2007-07-20 | 2010-10-28 | アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー | 半導体モジュール |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3110939A patent/JP2585890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010533988A (ja) * | 2007-07-20 | 2010-10-28 | アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー | 半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2585890B2 (ja) | 1997-02-26 |
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