JPH0613501A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH0613501A JPH0613501A JP16973192A JP16973192A JPH0613501A JP H0613501 A JPH0613501 A JP H0613501A JP 16973192 A JP16973192 A JP 16973192A JP 16973192 A JP16973192 A JP 16973192A JP H0613501 A JPH0613501 A JP H0613501A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- base
- semiconductor device
- groove
- Prior art date
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒートサイクルによるモールド樹脂と構成部品
との間の界面剥離を巧みに回避して、吸湿，および吸湿
に起因する半導体チップの特性劣化が防げるようにした
信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を提供する。 【構成】放熱用金属ベース４の上にチップ用ベース２,
半導体チップ１, 外部導出端子６，７を順に積み重ねて
実装し、かつ外囲ケース８を取付けてその内部にモール
ド樹脂９を充填してなる半導体装置において、チップ用
ベース２の周側面に周囲からモールド樹脂９が入り込む
庇２ａ付きの切込み溝２ｂを形成し、ここに入りこんだ
樹脂の投錨効果でモールド９との間の界面がヒートサイ
クルに起因して剥離するのを防止する。
との間の界面剥離を巧みに回避して、吸湿，および吸湿
に起因する半導体チップの特性劣化が防げるようにした
信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を提供する。 【構成】放熱用金属ベース４の上にチップ用ベース２,
半導体チップ１, 外部導出端子６，７を順に積み重ねて
実装し、かつ外囲ケース８を取付けてその内部にモール
ド樹脂９を充填してなる半導体装置において、チップ用
ベース２の周側面に周囲からモールド樹脂９が入り込む
庇２ａ付きの切込み溝２ｂを形成し、ここに入りこんだ
樹脂の投錨効果でモールド９との間の界面がヒートサイ
クルに起因して剥離するのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオード，サイリス
タ，トランジスタモジュールなどを対象とする樹脂封止
形半導体装置に関する。
タ，トランジスタモジュールなどを対象とする樹脂封止
形半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、本発明の実施対象となる樹脂封止
形半導体装置の従来構造を図３に示す。図において、１
は半導体チップ、２は半導体チップ２をマウントしたチ
ップ用ベース、３は絶縁基板、４は放熱フィン体などに
取りつける放熱用金属ベース、５は電極片、６，７は外
部導出端子、８は金属ベース４に取付けた外囲ケース、
９はケース内に充填したモジュール樹脂である。
形半導体装置の従来構造を図３に示す。図において、１
は半導体チップ、２は半導体チップ２をマウントしたチ
ップ用ベース、３は絶縁基板、４は放熱フィン体などに
取りつける放熱用金属ベース、５は電極片、６，７は外
部導出端子、８は金属ベース４に取付けた外囲ケース、
９はケース内に充填したモジュール樹脂である。
【０００３】かかる構成で、半導体チップ１の発生熱は
チップ用ベース２を介して放熱用金属ベース４に伝熱
し、放熱フィン体（図示せず）より外部へ放熱される。
また、ケース内に充填したモジュール樹脂９は半導体チ
ップ１およびその周域を封止して外部からの湿気などの
侵入を阻止して半導体チップ１を保護している。
チップ用ベース２を介して放熱用金属ベース４に伝熱
し、放熱フィン体（図示せず）より外部へ放熱される。
また、ケース内に充填したモジュール樹脂９は半導体チ
ップ１およびその周域を封止して外部からの湿気などの
侵入を阻止して半導体チップ１を保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来構造の半導体装置では、金属ベース４上にチップ用ベ
ース２，半導体チップ１を積層した組立体が金属ベース
を底辺とする単純なピラミッド構造となるために、温度
サイクル試験，パワーサイクル試験などでヒートサイク
ルを与えると、モールド樹脂９とこれに接する各部品と
の間の界面には熱膨張差が原因で加わる熱応力により剥
離が生じ、これが原因で外部から吸湿して半導体チップ
の特性が劣化するといった問題があった。
来構造の半導体装置では、金属ベース４上にチップ用ベ
ース２，半導体チップ１を積層した組立体が金属ベース
を底辺とする単純なピラミッド構造となるために、温度
サイクル試験，パワーサイクル試験などでヒートサイク
ルを与えると、モールド樹脂９とこれに接する各部品と
の間の界面には熱膨張差が原因で加わる熱応力により剥
離が生じ、これが原因で外部から吸湿して半導体チップ
の特性が劣化するといった問題があった。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は、チップ用ベースに僅かな加工を施
すことにより、ヒートサイクルによるモールド樹脂の剥
離を巧みに回避して、吸湿，および吸湿に起因する半導
体チップの特性劣化が防げるようにした信頼性の高い樹
脂封止形半導体装置を提供することにある。
であり、その目的は、チップ用ベースに僅かな加工を施
すことにより、ヒートサイクルによるモールド樹脂の剥
離を巧みに回避して、吸湿，および吸湿に起因する半導
体チップの特性劣化が防げるようにした信頼性の高い樹
脂封止形半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、チップ用ベースの
周側面にモールド樹脂が入り込む溝を形成するものとす
る。また、前記構成の実施態様として、チップ用ベース
の周縁上部に庇部を残してその下側に切込み溝を形成す
る、あるいはチップ用ベースの周側面に断面Ｕ字形ない
しＶ字形の周溝形成する構成がある。
に、本発明の半導体装置においては、チップ用ベースの
周側面にモールド樹脂が入り込む溝を形成するものとす
る。また、前記構成の実施態様として、チップ用ベース
の周縁上部に庇部を残してその下側に切込み溝を形成す
る、あるいはチップ用ベースの周側面に断面Ｕ字形ない
しＶ字形の周溝形成する構成がある。
【０００７】
【作用】上記のようにチップ用ベースの周側面に溝を形
成しておくことにより、モールド樹脂を充填した際に周
囲から溝内に樹脂が入り込んで硬化する。したがって、
溝内に入り込んだ樹脂が投錨効果を発揮してチップ用ベ
ースとの結合を強化するように働く。これにより、ヒー
トサイクルに伴う温度膨張差でモールド樹脂とこれに接
する部品との間を引き離すような応力が加わっても接着
界面が剥離することがなくなるので、外部からの吸湿，
および吸湿に起因する半導体チップの特性劣化を未然に
防ぐことかできる。
成しておくことにより、モールド樹脂を充填した際に周
囲から溝内に樹脂が入り込んで硬化する。したがって、
溝内に入り込んだ樹脂が投錨効果を発揮してチップ用ベ
ースとの結合を強化するように働く。これにより、ヒー
トサイクルに伴う温度膨張差でモールド樹脂とこれに接
する部品との間を引き離すような応力が加わっても接着
界面が剥離することがなくなるので、外部からの吸湿，
および吸湿に起因する半導体チップの特性劣化を未然に
防ぐことかできる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図１，図２に基づいて
説明する。なお、図中で図３に対応する同一部材には同
じ符号が付してある。すなわち、図１の構成において
は、半導体チップ１をマウントしたチップ用ベース２に
対して、その全周，ないし対向二辺の側面には、周縁上
部に庇部２ａを残してその下側に切込み溝２ｂが形成さ
れている。そして、各部品を組立てた後に外囲ケース８
にモールド樹脂９を充填すると、周囲から前記切込み溝
２ｂに樹脂が入り込んで硬化する。このようにして溝内
に入り込んだモールド樹脂は投錨効果によりチップ用ベ
ース２とを間の結着を強化する。
説明する。なお、図中で図３に対応する同一部材には同
じ符号が付してある。すなわち、図１の構成において
は、半導体チップ１をマウントしたチップ用ベース２に
対して、その全周，ないし対向二辺の側面には、周縁上
部に庇部２ａを残してその下側に切込み溝２ｂが形成さ
れている。そして、各部品を組立てた後に外囲ケース８
にモールド樹脂９を充填すると、周囲から前記切込み溝
２ｂに樹脂が入り込んで硬化する。このようにして溝内
に入り込んだモールド樹脂は投錨効果によりチップ用ベ
ース２とを間の結着を強化する。
【０００９】したがって、温度サイクル試験，パワーサ
イクル試験などに伴うヒートサイクルにより、モールド
樹脂９とチップ用ベース２，およびベース上にマウント
した半導体チップ１との間を引き離すような応力が作用
しても、前記した切込み溝内に入り込んだ樹脂が投錨効
果を発揮するので、モールド樹脂９との間の接着界面の
剥離が確実に回避される。
イクル試験などに伴うヒートサイクルにより、モールド
樹脂９とチップ用ベース２，およびベース上にマウント
した半導体チップ１との間を引き離すような応力が作用
しても、前記した切込み溝内に入り込んだ樹脂が投錨効
果を発揮するので、モールド樹脂９との間の接着界面の
剥離が確実に回避される。
【００１０】なお、図２（ａ）〜（ｃ）はチップ用ベー
ス２に形成した切込み溝の変形例を示すものであり、
（ａ）図ではチップ用ベース２の周側面に断面Ｕ字形，
ないしＶ字形の切込み溝２ｂが形成されている。また、
（ｂ）図ではチップ用ベース２の周縁上部に形成した庇
部２ａを傾斜屋根とし、さらに（ｃ）図では周側面の切
込み溝２ｂがテーパ溝として形成されている。
ス２に形成した切込み溝の変形例を示すものであり、
（ａ）図ではチップ用ベース２の周側面に断面Ｕ字形，
ないしＶ字形の切込み溝２ｂが形成されている。また、
（ｂ）図ではチップ用ベース２の周縁上部に形成した庇
部２ａを傾斜屋根とし、さらに（ｃ）図では周側面の切
込み溝２ｂがテーパ溝として形成されている。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれ
ば、半導体チップをマウントしたチップベースの周側面
に周囲からモールド樹が入り込む溝を形成したことによ
り、溝内に入り込んで硬化したモールド樹脂が投錨効果
を発揮してチップ用ベースとの結合を強化するので、ヒ
ートサイクルによってモールド樹脂の接着界面が剥離す
るのを巧みに防止することかでき、これにより、吸湿，
および吸湿に起因する半導体チップの特性劣化に対して
信頼性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
ば、半導体チップをマウントしたチップベースの周側面
に周囲からモールド樹が入り込む溝を形成したことによ
り、溝内に入り込んで硬化したモールド樹脂が投錨効果
を発揮してチップ用ベースとの結合を強化するので、ヒ
ートサイクルによってモールド樹脂の接着界面が剥離す
るのを巧みに防止することかでき、これにより、吸湿，
および吸湿に起因する半導体チップの特性劣化に対して
信頼性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
【図１】本発明実施例の構成断面図
【図２】図１におけるチップ用ベースの応用実施例を示
すものであり、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる応用例
の断面図
すものであり、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる応用例
の断面図
【図３】従来における樹脂封止形半導体装置の構成断面
図
図
１ 半導体チップ ２ チップ用ベース ２ａ 庇部 ２ｂ 切込み溝 ４ 放熱用金属ベース ６ 外部導出端子 ７ 外部導出端子 ８ 外囲ケース ９ モールド樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】放熱用金属ベース上にチップ用ベース, 半
導体チップ, 外部導出端子を順に積み重ねて実装し、か
つ外囲ケースを取付けてその内部にモールド樹脂を充填
してなる半導体装置において、チップ用ベースの周側面
にモールド樹脂が入り込む溝を形成したことを特徴とす
る樹脂封止形半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、チッ
プ用ベースの周縁上部に庇部を残してその下側に切込み
溝を形成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、チッ
プ用ベースの周側面に断面Ｕ字形ないしＶ字形の周溝形
成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16973192A JPH0613501A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16973192A JPH0613501A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613501A true JPH0613501A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15891809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16973192A Pending JPH0613501A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613501A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013118478A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN103985691A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| DE102017203360A1 (de) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
| JP2017201726A (ja) * | 2017-08-16 | 2017-11-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018125484A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体光モジュールおよびサブマウント |
| US10104775B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP16973192A patent/JPH0613501A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013118478A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2013118478A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2015-05-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9117795B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-08-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN103985691A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| DE102013226544B4 (de) * | 2013-02-13 | 2021-02-18 | Arigna Technology Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| US10104775B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-10-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| DE102017203360A1 (de) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
| US10204871B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-02-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| JP2018125484A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体光モジュールおよびサブマウント |
| CN108389948A (zh) * | 2017-02-03 | 2018-08-10 | 三菱电机株式会社 | 半导体光模块及载体 |
| JP2017201726A (ja) * | 2017-08-16 | 2017-11-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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