JP2010533988A

JP2010533988A - 半導体モジュール

Info

Publication number: JP2010533988A
Application number: JP2010517359A
Authority: JP
Inventors: トリューゼル、ドミニク; シュナイダー、ダニール
Original assignee: アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー
Priority date: 2007-07-20
Filing date: 2008-07-16
Publication date: 2010-10-28
Also published as: WO2009013186A1; EP2168160A1; US20100117223A1; EP2168160B1; EP2017891A1; CN101755337A; CN101755337B; US8013435B2

Abstract

半導体モジュール（１）は、ベース・プレート（２）と；このベース・プレート（２）の上に取り付けられた少なくとも一つの半導体チップ（３）と；このベース・プレート（２）に固定され且つ前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の回りを取り囲むケース（４）と；前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の上を覆う電気的絶縁性ゲル・レイヤ（５）と；このゲル・レイヤ（５）の上面の上の熱硬化性樹脂レイヤ（６）と；この熱硬化性樹脂レイヤ（６）の上面の上の蓋（７）と；を有している。この蓋（７）は、蓋の延長部（７３）を有していて、この蓋の延長部は、蓋の開口部（７１）を規定し、この蓋の開口部は、前記熱硬化性樹脂レイヤ（６）の中を通って前記ゲル・レイヤ（５）まで伸び、且つ、この蓋の開口部（７１）によって、ゲルが膨張することが可能になる。
【選択図】図１

Description

本発明は、パワーエレクトロニクスの分野に係り、特に、請求項１の前書き部分に基づく半導体モジュールに係る。

大電力用途向けの半導体モジュールは、ハウジングを有することが可能であって、半導体チップがこのハウジングの内側に密封される。ハウジングは、サイド・ウォールを有していて、サイド・ウォールの一方のサイドで、ベース・プレートにより閉じられ、このベース・プレートの上に、半導体チップが配置され、そして、その反対側のサイドで、蓋で閉じられている。ハウジングの中には、電気的絶縁性のシリコーン・ゲル・フィラーが挿入され、かくして、チップの上を覆っている。蓋は、パッケージング樹脂と共に、ハウジングをトップからシールする。典型的には、チップと電気的に接触するための電気的な端子が、ベース・プレート上にハンダ付けされる。端子が、ベース・プレートから、ゲル、硬化された樹脂及び蓋の中を通って伸びている。

製造のために、ゲルが、室温でハウジングの中に充填され、そして高められた温度（典型的には約１２５℃）で硬化される。ゲル・フィラーの上には、パッケージング樹脂が充填されて、硬化される。樹脂はまた、高められた温度（典型的にはまた１２５℃）で硬化される。それ故に、ゲルは、樹脂の中に充填されるとき、熱的に膨張され、そして、モジュールが冷却するときに収縮する。ゲルが樹脂に貼り付いているので、クラックがゲルの中に生ずる。これらのクラックは、部分放電をもたらすことが可能であり、それにより、モジュールに損傷を与え、それを破壊する場合もある。

JP 10-233472 は、そのようなクラックを減少させる手段を備えた半導体装置を示している。このモジュールはまた、サイド・ウォールを備えたハウジングを有していて、このハウジングは、サイド・ウォールの一方のサイドで、ベース・プレートにより閉じられ、その反対側のサイドで、蓋で閉じられている。ベース・プレートの上には、半導体チップが配置される。ハウジングの中に、シリコーン・ゲル・フィラーが挿入され、かくして、チップの上を覆っている。ゲル・フィラーの上に、パッケージング樹脂が充填されて、硬化される。蓋は、パッケージング樹脂と共に、ハウジングをトップからシールする。ハウジングは、サイド・ウォールからハウジングの中へ伸びるＬ字形の突起を有している。この突起は、ゲル・フィラーに対して開放されていて、かくして、ハウジングの中に、周囲に対して完全にシールされた空間を形成する。もし、熱のためにゲルが膨張した場合、膨張するゲルにより、空気が充填された空間内に過剰圧力が作り出され、ゲルが、蓋及びパッケージング樹脂に圧力を加える。

特開平１０−２３３４７２号公報

本発明の目的は、電力半導体モジュールを提供することにあり、この電力半導体モジュールは、ゲル・レイヤ及びその上にある硬化された樹脂で充填されたケースを備えていて、このケースの中で、熱膨張に起因するゲルの中のクラックが防止される。

この目的は、請求項１に基づく半導体モジュールにより実現される。

この半導体モジュールは、ベース・プレートと；このベース・プレートの上に取り付けられた少なくとも一つの半導体チップと；このベース・プレートに固定され且つ前記少なくとも一つの半導体チップの回りを取り囲むケースと；前記少なくとも一つの半導体チップの上を覆う電気的絶縁性ゲル・レイヤと；このゲル・レイヤの上面の上の熱硬化性樹脂レイヤと；この熱硬化性樹脂レイヤの上面の上の蓋と；を有している。この蓋は、蓋の開口部を有し、この蓋の開口部は、蓋の開口部を規定し、この蓋の開口部は、前記熱硬化性樹脂レイヤの中を通って前記ゲル・レイヤまで伸び、且つ、この蓋の開口部（７１）によって、ゲルが膨張することが可能になる。

そのような蓋の開口部を備えた蓋を有することによって、加熱された場合に、蓋の開口部の中でゲルが膨張することが可能になり、それにより、ゲルがより容易に膨張することが可能になる。周囲に対してガス・タイトにシールされていないので、蓋の開口部により規定されるボリュームの中に真空または過剰圧力が存在することがなく、それによって、より容易な圧力補償が可能になる。

本発明の主題の更に好ましい実施形態は、従属請求項の中に開示されている。

図１は、本発明に基づく半導体モジュールの断面図を示す。図２は、本発明に基づく半導体モジュールの他の実施形態の断面図を示す。図３は、本発明に基づく半導体モジュールの他の実施形態の断面図を示す。

本発明の主題が、添付図面を参照しながら、以下のテクストにおいてより詳細に説明される。

これらの図において使用されている参照符号及びそれらの意味は、参照符号のリストの中にまとめられている。一般的に、同様な部分または同様な機能を有する部分には、同一の参照符号が付与されている。ここに記載された実施形態は、例として挙げられたものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。

図１に示されているように、本発明に基づく半導体モジュール１は、ベース・プレート２と；このベース・プレート２の上に取り付けられた少なくとも一つの半導体チップ３と；このベース・プレート２に固定され且つ前記少なくとも一つの半導体チップ３の回りを取り囲むケース４と；前記少なくとも一つの半導体チップ３の上を覆う電気的絶縁性ゲル・レイヤ５と；このゲル・レイヤ５の上面の上の熱硬化性樹脂レイヤ６と；この熱硬化性樹脂レイヤ６の上面の上の蓋７と；を有している。好ましくは、ゲル・レイヤ５の材料は、シリコーン・ゲルである。熱硬化性樹脂レイヤ６の材料は、特に、エポキシ樹脂である。

蓋７は、蓋の延長部７３を有していて、この蓋の延長部は、蓋の開口部７１を規定し、この蓋の開口部は、熱硬化性樹脂レイヤ６の中を通ってゲル・レイヤ５まで伸び、且つこの蓋の開口部７１により、ゲルが膨張することが可能である。

好ましい実施形態において、蓋の開口部７１は、ガスの対流を可能にする。即ち、蓋の開口部７１は、環境に対して開放されていて、それにより、いつでも、蓋の開口部７１の中の圧力が、環境の圧力とバランスし（即ち、同一になり）、そして、ガスが蓋７を通過することが可能になる。

他の好ましい実施形態において、蓋の開口部７１は、少なくとも一つのチップ３が配置された領域の直交する突起の外側に位置する領域の中にある。この配置は好ましい。その理由は、爆発（典型的にはチップの中で始まる）が起きた場合に、爆発がベースに縦方向に向けられることを、熱硬化性樹脂レイヤ６及び蓋７が防止するからである。その代わりに、エネルギーが熱硬化性樹脂レイヤ６により吸収され、蓋７が、モジュールの近傍にある人々や他の装置を保護する。

好ましくは、図２に示されているように、蓋の開口部７１は、カバー８により、特にリベットにより、閉じられる。このカバーは、ガスがカバー８を通過して、モジュールの温度変化に起因するガス圧力の変化を補償することを可能にし、それにより、カバー８の下且つ熱硬化性樹脂レイヤ６の上の蓋の開口部７１の中の圧力が、環境圧力とバランスすることになる。そのようなカバー８は、ダストや他の好ましくないパーティクルがモジュール１の中に侵入することを防止し、且つ、温度の上昇または降下の場合に、過小または過大な圧力の発生を防止する。リベットは、プラスチックまたは他の電気的絶縁性材料で作られる。

リベットの製造を容易にするために、盲リベットとして作られることが可能であり、この盲リベットは、モジュールの外側から取り付けられることが可能である。リベット・プラグまたはスリット・リベットなどのような、ワンピースの盲リベット、並びに、ツーピース・スリット・リベットなどのような、ツーピースの盲リベットが適切である。

図３に示された他の好ましい実施形態において、蓋の７３が、ゲル・レイヤ５の中まで伸びている。これは、モジュールの製造を容易にする。その理由は、機械的な正確さが余り要求されないからである。製造の間、高められた温度でのゲルの侵入の後、ゲルが冷却し、そしてそれ故に、蓋の開口部７１の中に沈み込む。ゲル・レイヤ５の中に伸びる蓋の７３は、熱硬化性樹脂が、ゲルを冷却した後に充填されたときに、ゲルが沈み込んだ場合であっても、蓋の開口部７１の中に流れ込むことができない状態を確保する。

Claims

半導体モジュール（１）であって、
ベース・プレート（２）と；
このベース・プレート（２）の上に取り付けられた少なくとも一つの半導体チップ（３）と；
このベース・プレート（２）に固定され且つ前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の回りを取り囲むケース（４）と；
前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の上を覆う電気的絶縁性ゲル・レイヤ（５）と；
このゲル・レイヤ（５）の上面の上の熱硬化性樹脂レイヤ（６）、
この熱硬化性樹脂レイヤ（６）の上面の上の蓋（７）と；
を有する半導体モジュールにおいて、
前記蓋（７）は、蓋の延長部（７３）を有していて、この蓋の延長部は、蓋の開口部（７１）を規定し、この蓋の開口部は、前記熱硬化性樹脂レイヤ（６）の中を通って前記ゲル・レイヤ（５）まで伸び、且つこの蓋の開口部（７１）によって、ゲルが膨張することが可能になること、を特徴とする半導体モジュール。
下記特徴を有する請求項１に記載の半導体モジュール（１）：
前記ゲル・レイヤ（５）の材料はシリコーン・ゲルであり、および／または、前記熱硬化性樹脂レイヤ（６）の材料はエポキシ樹脂である。
下記特徴を有する請求項１または２に記載の半導体モジュール（１）：
前記蓋の延長部（７３）は、前記ゲル・レイヤ（５）の中まで伸びている。
下記特徴を有する請求項１から３の何れか１項に記載の半導体モジュール（１）：
前記蓋の開口部（７１）は、前記少なくとも一つのチップ（３）が配置された領域の直交する突起の外側に位置する領域の中にある。
下記特徴を有する請求項１から４の何れか１項に記載の半導体モジュール（１）：
前記蓋の開口部（７１）は、環境に対して開放されている。
下記特徴を有する請求項１から４の何れか１項に記載の半導体モジュール（１）：
前記蓋の開口部（７１）は、カバー（８）により閉じられている。
下記特徴を有する請求項６に記載の半導体モジュール（１）：
前記カバー（８）はリベットである。
下記特徴を有する請求項８に記載の半導体モジュール（１）：
前記リベットは、盲リベットであって、特に、ワンピースまたはツーピースの盲リベットである。
下記特徴を有する請求項７または８に記載の半導体モジュール（１）：
前記カバー（８）はリベットであって、このリベットは、電気的絶縁性材料で作られ、特に、プラスチックで作られている。
下記特徴を有する請求項６から９の何れか１項に記載の半導体モジュール（１）：
ガスが、前記カバー（８）を通過することが可能であって、前記半導体モジュールの温度変化に起因する圧力の変化を補償する。