CN101755337A - 半导体模块 - Google Patents

半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN101755337A
CN101755337A CN200880025495A CN200880025495A CN101755337A CN 101755337 A CN101755337 A CN 101755337A CN 200880025495 A CN200880025495 A CN 200880025495A CN 200880025495 A CN200880025495 A CN 200880025495A CN 101755337 A CN101755337 A CN 101755337A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lid
semiconductor module
gel
lid opening
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200880025495A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101755337B (zh
Inventor
D·特鲁塞尔
D·施奈德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Energy Co ltd
Original Assignee
ABB T&D Technology AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ABB T&D Technology AG filed Critical ABB T&D Technology AG
Publication of CN101755337A publication Critical patent/CN101755337A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101755337B publication Critical patent/CN101755337B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296Organo-silicon compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半导体模块(1)包括基板(2)、安装在基板(2)上的至少一个半导体芯片(3)、固定到基板(2)并且围绕所述至少一个半导体芯片(3)的壳体(4)、覆盖所述至少一个半导体芯片(3)的电绝缘凝胶层(5)以及在凝胶层(5)顶部上的热固性树脂层(6)、在热固性树脂层(6)顶部上的盖子(7)。盖子(7)包括限定盖子开口(71)的盖子延伸部(73),所述盖子开口通过热固性树脂层(6)延伸到凝胶层(5)并且凝胶可以通过所述盖子开口(71)膨胀。

Description

半导体模块
技术领域
本发明涉及功率电子学领域,并且更具体地涉及根据权利要求1的前序部分的半导体模块。
背景技术
用于大功率应用的半导体模块可以包括外壳和密封在外壳内部的半导体芯片。该外壳具有侧壁并且它在侧壁的一侧被其上布置了半导体芯片的基板所封闭而在相对侧上带有盖子。在外壳中,插入电绝缘硅凝胶填充物,从而覆盖芯片。盖子与封装树脂一起从顶部密封外壳。通常,用于电接触芯片的电端子(terminal)被焊接在基板上。该端子通过凝胶、硬化的树脂和盖子从基板引出。对于制造而言,凝胶在室温下被填充到外壳中并且在提高的温度(通常大约125℃)下被固化。在凝胶填充物上,封装树脂被填充并且被固化。树脂也在提高的温度下(通常也在125℃下)被固化。因此,凝胶在填充在树脂中时热膨胀,并且它在模块冷却下来时收缩。由于凝胶粘住树脂,在凝胶中出现裂缝。这些裂缝可能导致局部放电,从而损伤或甚至毁坏模块。
JP 10-233472示出具有减小这种裂缝的构件的半导体装置。而且,该模块包括带有侧壁的外壳,该外壳在侧壁的一侧上被基板封闭而在相对侧上带有盖子。半导体芯片被布置在基板上。在外壳中,插入硅凝胶填充物,从而覆盖芯片。在凝胶填充物上,封装树脂被填充并且被固化。盖子与封装树脂一起从顶部密封外壳。外壳具有从侧壁延伸到外壳中的L型凸出部,该凸出部对凝胶填充物开放,从而形成相对于周围环境完全密封的外壳内的空间。如果凝胶由于热而膨胀,则由膨胀的凝胶在充气空间中产生过压,并且凝胶对盖子和封装树脂进行施压。
发明内容
本发明的目标是提供一种带有壳体的功率半导体模块,该壳体填充有凝胶层并且在凝胶层上带有硬化的树脂,其中避免了由于热膨胀引起的凝胶中的裂缝。
该目标是通过根据权利要求1的半导体模块实现的。
该半导体模块包括基板、安装在基板上的至少一个半导体芯片、被固定到基板并且围绕该至少一个半导体芯片的壳体、覆盖该至少一个半导体芯片的电绝缘凝胶层、在凝胶层顶部上的热固性树脂层以及在热固性树脂层顶部上的盖子。该盖子包括盖子开口(lid-opening),其限定盖子开口,该盖子开口通过热固性树脂层延伸到凝胶层并且凝胶可以通过该盖子开口(71)膨胀。
通过使盖子带有这种盖子开口,凝胶可以在热的情况下在盖子开口内膨胀使得凝胶可以更容易膨胀。在没有被密封得对周围环境不透气的情况下,由盖子开口限定的体积中没有真空或过压,从而更容易允许压力补偿。
本发明的主题的另外的优选实施例在从属权利要求中公开。
附图说明
将在下文中参考附图,更详细地解释本发明的主题,其中:
图1示出根据本发明的半导体模块的截面图;
图2示出根据本发明的半导体模块的另一个实施例的截面图;以及
图3示出根据本发明的半导体模块的另一个实施例的截面图。
在附图中使用的附图标记以及它们的意思在附图标记列表中概括。通常,相似或相似功能的部件被给予相同的附图标记。描述的实施例意思是作为实例而不应限制本发明。
具体实施方式
如图1中所示,根据本发明的半导体模块1包括基板2、安装在基板2上的至少一个半导体芯片3、固定到基板2并且围绕该至少一个半导体芯片3的壳体4、覆盖该至少一个半导体芯片3的电绝缘凝胶层5、在凝胶层5顶部上的热固性树脂层6以及在热固性树脂层6顶部上的盖子7。优选地,凝胶层5的材料是硅凝胶。热固性树脂层6的材料特别是环氧树脂。
盖子7具有限定盖子开口71的盖子延伸部(lid-extension)73,该盖子开口通过热固性树脂层6延伸到凝胶层5并且凝胶可以通过该盖子开口71膨胀。
在优选的实施例中,盖子开口71允许气体对流,即盖子开口71对环境开放使得盖子开口71内的压力得以平衡,即在任何时候与环境中的相同并且气体可以通过该盖子7。
在另一个优选的实施例中,盖子开口71位于这样的区域内:所述区域位于该至少一个芯片3所在区域的正投影的外部。该位置是有利的,因为在一般起源于芯片的爆炸的情况下,热固性树脂层6和盖子7防止该爆炸垂直指向基底。相反由热固性树脂层6和盖子7吸收该能量,保护在模块附近的人或其它设备。
优选地,如图2所示,通过盖罩(cover)8尤其是通过铆钉封闭该盖子开口71,其允许气体通过盖罩8以补偿由于模块中的温度变化引起的气压变化以使得在盖罩8下且在热固性树脂层6上的盖子开口71内的压力与环境压力平衡。这种盖罩8防止灰尘或其它不希望的颗粒进入模块1,并且在温度上升或下降的情况下避免欠压或过压。该铆钉由塑料或任何其它电绝缘材料制成。为了容易制造,该铆钉可以被制成为可以从模块的外侧进行安装的盲铆钉。一件式盲铆钉例如铆钉塞或缝隙铆钉(slit rivet)以及二件式盲铆钉例如二件式缝隙铆钉是合适的。
在图3中所示的另一个优选的实施例中,盖子延伸部73延伸到凝胶层5内。这使得模块的制造更容易,因为需要较小的机械精度。在提高的温度下承受凝胶之后的制造期间,凝胶冷却下来并且因此下陷到盖子开口71内。延伸到凝胶层5中的盖子延伸部73确保热固性树脂在使凝胶冷却下来后被填充时不能流到盖子开口71内(即使凝胶已经下陷)。

Claims (10)

1.一种半导体模块(1),包括
基板(2),
安装在基板(2)上的至少一个半导体芯片(3),
固定到基板(2)并且围绕所述至少一个半导体芯片(3)的壳体(4),
覆盖所述至少一个半导体芯片(3)的电绝缘凝胶层(5),
在凝胶层(5)顶部上的热固性树脂层(6),
在热固性树脂层(6)顶部上的盖子(7),
其特征在于
盖子(7)包括限定盖子开口(71)的盖子延伸部(73),所述盖子开口通过热固性树脂层(6)延伸到凝胶层(5)并且凝胶能够通过所述盖子开口(71)膨胀。
2.根据权利要求1的半导体模块(1),其特征在于
凝胶层(5)的材料是硅凝胶和/或热固性树脂层(6)的材料是环氧树脂。
3.根据权利要求1或2的半导体模块(1),其特征在于
盖子延伸部(73)延伸到凝胶层(5)中。
4.根据权利要求1到3中任一项的半导体模块(1),其特征在于
盖子开口(71)位于这样的区域内:所述区域位于所述至少一个芯片(3)所在区域的正投影的外部。
5.根据权利要求1到4中任一项的半导体模块(1),其特征在于
盖子开口(71)对环境开放。
6.根据权利要求1到4中任一项的半导体模块(1),其特征在于
盖子开口(71)由盖罩(8)封闭。
7.根据权利要求6的半导体模块(1),其特征在于
盖罩(8)是铆钉。
8.根据权利要求8的半导体模块(1),其特征在于
所述铆钉是盲铆钉,尤其是一件式或二件式盲铆钉。
9.根据权利要求7或8的半导体模块(1),其特征在于
所述铆钉由电绝缘材料尤其是塑料制成。
10.根据权利要求6到9中任一项的半导体模块(1),其特征在于
气体能够通过盖罩(8)以补偿由于模块中的温度变化引起的压力变化。
CN2008800254956A 2007-07-20 2008-07-16 半导体模块 Active CN101755337B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07112854.0 2007-07-20
EP07112854A EP2017891A1 (en) 2007-07-20 2007-07-20 Semiconductor module
PCT/EP2008/059258 WO2009013186A1 (en) 2007-07-20 2008-07-16 Semiconductor module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101755337A true CN101755337A (zh) 2010-06-23
CN101755337B CN101755337B (zh) 2012-11-14

Family

ID=39339700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800254956A Active CN101755337B (zh) 2007-07-20 2008-07-16 半导体模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8013435B2 (zh)
EP (2) EP2017891A1 (zh)
JP (1) JP2010533988A (zh)
CN (1) CN101755337B (zh)
WO (1) WO2009013186A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431067A (zh) * 2015-03-27 2017-12-01 三菱电机株式会社 功率模块

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105336723B (zh) 2014-07-28 2018-09-14 通用电气公司 半导体模块、半导体模块组件及半导体装置
WO2017082122A1 (ja) * 2015-11-12 2017-05-18 三菱電機株式会社 パワーモジュール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2518812A1 (fr) * 1981-12-23 1983-06-24 Cit Alcatel Circuit hybride resistant en pression
JPS63143850A (ja) * 1986-12-08 1988-06-16 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH04206554A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2585890B2 (ja) * 1991-04-15 1997-02-26 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2582256Y2 (ja) * 1992-07-16 1998-09-30 日本インター株式会社 複合半導体装置
JP3005162B2 (ja) * 1994-08-01 2000-01-31 株式会社日立製作所 半導体装置
DE19649798A1 (de) * 1996-12-02 1998-06-04 Abb Research Ltd Leistungshalbleitermodul
JPH10233472A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
DE10123232A1 (de) * 2001-05-12 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
JP2003068979A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3788760B2 (ja) * 2001-11-09 2006-06-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4828248B2 (ja) * 2006-02-16 2011-11-30 新光電気工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431067A (zh) * 2015-03-27 2017-12-01 三菱电机株式会社 功率模块
CN107431067B (zh) * 2015-03-27 2020-03-31 三菱电机株式会社 功率模块

Also Published As

Publication number Publication date
US8013435B2 (en) 2011-09-06
WO2009013186A1 (en) 2009-01-29
EP2168160B1 (en) 2018-01-10
JP2010533988A (ja) 2010-10-28
EP2168160A1 (en) 2010-03-31
EP2017891A1 (en) 2009-01-21
US20100117223A1 (en) 2010-05-13
CN101755337B (zh) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10879840B2 (en) Electrically isolated heat dissipating junction box
CN105914152B (zh) 半导体装置及半导体模块
CN108292655B (zh) 功率模块
CN102469739A (zh) 电子电路装置
CN108235785B (zh) 电力转换装置
CN101755337B (zh) 半导体模块
CN107431067B (zh) 功率模块
JP2013247346A (ja) 屋外移動通信基地局装置
CN104362141B (zh) 一种大功率压接型igbt模块
JP5135101B2 (ja) 基板キャリア用の密閉機構を備えるパワー半導体モジュールおよびその製造方法
US10959342B2 (en) Condensation resistant power semiconductor module
JP4222379B2 (ja) 防爆電気機器
JP6701701B2 (ja) インバータ装置
JP2017212774A (ja) 電力変換器
KR100284032B1 (ko) 리튬이온 전지의 안전캡
CN112689880A (zh) 电抗器
JPWO2014073311A1 (ja) 半導体装置
US20240290697A1 (en) Power module and manufacturing method and mold thereof
CN111725167A (zh) 功率模块
CN118829141A (zh) 具有传热区域的电子构件壳体
CN116034464A (zh) 具有失效保护结构的半导体装置
JP2020080646A (ja) インバータ装置
JP4517823B2 (ja) 電子部品
JP2001210758A (ja) 半導体パワーモジュール
CN2922082Y (zh) 一种新型互感器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180426

Address after: Baden, Switzerland

Patentee after: ABB Switzerland Co.,Ltd.

Address before: Zurich

Patentee before: ABB TECHNOLOGY Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210615

Address after: Baden, Switzerland

Patentee after: ABB grid Switzerland AG

Address before: Baden, Switzerland

Patentee before: ABB Switzerland Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Swiss Baden

Patentee after: Hitachi energy Switzerland AG

Address before: Swiss Baden

Patentee before: ABB grid Switzerland AG

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240105

Address after: Zurich, SUI

Patentee after: Hitachi Energy Co.,Ltd.

Address before: Swiss Baden

Patentee before: Hitachi energy Switzerland AG

TR01 Transfer of patent right