JPS63143850A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63143850A JPS63143850A JP61291973A JP29197386A JPS63143850A JP S63143850 A JPS63143850 A JP S63143850A JP 61291973 A JP61291973 A JP 61291973A JP 29197386 A JP29197386 A JP 29197386A JP S63143850 A JPS63143850 A JP S63143850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element piece
- resin
- semiconductor element
- bonding part
- conductor wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 16
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、容器底板上に半導体素子片が支持され、その
半導体素子片に接続された外部導出端子導体が上部へ引
き出され、容器内に樹脂が注入される半導体装置、例え
ば一般にモジュールと呼ばれる電力用半導体装置に関す
る。
半導体素子片に接続された外部導出端子導体が上部へ引
き出され、容器内に樹脂が注入される半導体装置、例え
ば一般にモジュールと呼ばれる電力用半導体装置に関す
る。
この種の半導体装置の典型的な例を第２図に示す。第２
図において、熱良導性基板１例えば銅板からなる容器底
板１に、セラミックなどの絶縁基板２．銅板などからな
る金属板３を介して、半導体素子片５が固着されており
、その電極と外部導出端子導体４とはアルミニウムから
なる導線６のボンディングにより接続されている。そし
て側壁７内に半導体素子片ぢを湿気などの雰囲気の影響
から保護しまた機械的強度を確保するために、半導体素
子片および導線を埋没させるようにゲル状樹脂を注入し
、さらにその上を硬化樹脂で被覆し、蓋体８が取り付け
られる。外部導出端子導体４は蓋体８を貫通して上部へ
でている。
図において、熱良導性基板１例えば銅板からなる容器底
板１に、セラミックなどの絶縁基板２．銅板などからな
る金属板３を介して、半導体素子片５が固着されており
、その電極と外部導出端子導体４とはアルミニウムから
なる導線６のボンディングにより接続されている。そし
て側壁７内に半導体素子片ぢを湿気などの雰囲気の影響
から保護しまた機械的強度を確保するために、半導体素
子片および導線を埋没させるようにゲル状樹脂を注入し
、さらにその上を硬化樹脂で被覆し、蓋体８が取り付け
られる。外部導出端子導体４は蓋体８を貫通して上部へ
でている。
従来、電力用半導体素子片としてはパイボーラフが多用
されていたが、この型の場合には、半導体素子片面上に
蒸着によって形成されたアルミニラム膜に、比較的強い
ボンディングパワーによってアルミニウム導線が接続さ
れ、装置使用時の断続的熱ストレスによる熱歪に対して
、半導体素子片の底板への固着部と同等以上の強度を有
するボンディング部が形成されていた。
されていたが、この型の場合には、半導体素子片面上に
蒸着によって形成されたアルミニラム膜に、比較的強い
ボンディングパワーによってアルミニウム導線が接続さ
れ、装置使用時の断続的熱ストレスによる熱歪に対して
、半導体素子片の底板への固着部と同等以上の強度を有
するボンディング部が形成されていた。
ところが、Ｍ ＯＳ （ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｉ
ｌｉｃｏｎ ）構造の半導体素子片の場合、その電極へ
のアルミニウム導線のボンディングパワーをバイポーラ
型の場合と同等のパワーによって行うと、そのパワーに
よってＭＯ３構造が破壊されることがあるため、ボンデ
ィングパワーをバイポーラ型の場合の０．５倍〜０，７
倍程度に弱くする必要が生じている。このため、当然ボ
ンディング部の強度が低下し、ひいては、使用時に発生
する断続する熱ストレスによって生じるゲル状樹脂の熱
歪による応力によって、ボンディング部界面が剥離して
しまうという問題点があった。
ｌｉｃｏｎ ）構造の半導体素子片の場合、その電極へ
のアルミニウム導線のボンディングパワーをバイポーラ
型の場合と同等のパワーによって行うと、そのパワーに
よってＭＯ３構造が破壊されることがあるため、ボンデ
ィングパワーをバイポーラ型の場合の０．５倍〜０，７
倍程度に弱くする必要が生じている。このため、当然ボ
ンディング部の強度が低下し、ひいては、使用時に発生
する断続する熱ストレスによって生じるゲル状樹脂の熱
歪による応力によって、ボンディング部界面が剥離して
しまうという問題点があった。
本発明は、上述の問題点を解消して、ＭＯ３構造の半導
体素子片の場合のように、素子片電極への導線のボンデ
ィングが弱いパワーで行われた場合でも、ボンディング
部が断続的熱ストレスによる熱歪に対して素子片の底板
への固着部と同等以上の強度を有し、バイポーラ型の素
子°片を用いた場合と同等以上の断続的熱ストレス耐量
を確保できる半導体装置を提供することを目的とする。
体素子片の場合のように、素子片電極への導線のボンデ
ィングが弱いパワーで行われた場合でも、ボンディング
部が断続的熱ストレスによる熱歪に対して素子片の底板
への固着部と同等以上の強度を有し、バイポーラ型の素
子°片を用いた場合と同等以上の断続的熱ストレス耐量
を確保できる半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明によれば、容器底
板上に半導体素子片が支持され、該半導体素子片面上の
電極と容器上部へ引き出されている外部導出端子導体と
が導線のボンディングにより接続されており、これら半
導体素子片および導線を埋没させるように容器内にゲル
状樹脂が注入されており、さらにその上を硬化樹脂で被
覆されているものにおいて、前記半導体素子片とゲル状
樹脂との間に、半導体素子片、素子片のボンディング部
およびその近傍にある導線面を被覆するように、前記ゲ
ル状樹脂に比して熱膨張係数が小さく硬さがより硬いオ
ーバーコート樹脂層を介在させる構成とする。
板上に半導体素子片が支持され、該半導体素子片面上の
電極と容器上部へ引き出されている外部導出端子導体と
が導線のボンディングにより接続されており、これら半
導体素子片および導線を埋没させるように容器内にゲル
状樹脂が注入されており、さらにその上を硬化樹脂で被
覆されているものにおいて、前記半導体素子片とゲル状
樹脂との間に、半導体素子片、素子片のボンディング部
およびその近傍にある導線面を被覆するように、前記ゲ
ル状樹脂に比して熱膨張係数が小さく硬さがより硬いオ
ーバーコート樹脂層を介在させる構成とする。
このような構成とすると、ゲル状樹脂に断続的な熱スト
レスが加わることにより熱歪が生じても、介在している
。ゲル状樹脂より熱膨張係数が小さく硬いオーバーコー
ト樹脂層が緩衝材として作用するために、半導体素子片
面のボンディング部およびその近傍のアルミニウム導線
にがかる熱歪応力は小さいものとなり、たとえ、ボンデ
ィング部の強度が弱い場合でも破壊され剥離することは
なくなり、半導体装置の断続熱ストレス耐量が低下する
ことはなくなる。
レスが加わることにより熱歪が生じても、介在している
。ゲル状樹脂より熱膨張係数が小さく硬いオーバーコー
ト樹脂層が緩衝材として作用するために、半導体素子片
面のボンディング部およびその近傍のアルミニウム導線
にがかる熱歪応力は小さいものとなり、たとえ、ボンデ
ィング部の強度が弱い場合でも破壊され剥離することは
なくなり、半導体装置の断続熱ストレス耐量が低下する
ことはなくなる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であって、第２
図の従来例と同一部位には同一符号を付しである。すな
わち、半導体素子片５は絶縁基板（セラミック板）２．
金属板（銅板）３を介して底板（銅板）１に固着され、
その電極と外部導出端子導体４とは導線（アルミニウム
線）６のボンディングにより接続されている。半導体素
子片５．素子片のボンディング部およびその近傍の導線
を覆うようにポリイミド系のオーバーコート樹脂層１１
が被覆されている。側壁７内に半導体素子片５および導
線６を埋没するようにシリコン系のゲル状樹脂９が注入
され、さらにその上を硬化樹脂（エポキシ樹脂ＮＯによ
り被覆され、蓋体８が取り付けられている。オーバーコ
ート樹脂の熱膨張係数は４Ｘ１０″ｓ／℃テあり、ケル
状樹脂（Ｄ １００ＸＩＯ−’／ｌ：に比してｌ／２５
と小さく、また、ポリイミド系でシリコン系のゲル状樹
脂より硬い。
図の従来例と同一部位には同一符号を付しである。すな
わち、半導体素子片５は絶縁基板（セラミック板）２．
金属板（銅板）３を介して底板（銅板）１に固着され、
その電極と外部導出端子導体４とは導線（アルミニウム
線）６のボンディングにより接続されている。半導体素
子片５．素子片のボンディング部およびその近傍の導線
を覆うようにポリイミド系のオーバーコート樹脂層１１
が被覆されている。側壁７内に半導体素子片５および導
線６を埋没するようにシリコン系のゲル状樹脂９が注入
され、さらにその上を硬化樹脂（エポキシ樹脂ＮＯによ
り被覆され、蓋体８が取り付けられている。オーバーコ
ート樹脂の熱膨張係数は４Ｘ１０″ｓ／℃テあり、ケル
状樹脂（Ｄ １００ＸＩＯ−’／ｌ：に比してｌ／２５
と小さく、また、ポリイミド系でシリコン系のゲル状樹
脂より硬い。
このような構成とすることにより、オーバーコート樹脂
層１１はゲル状樹脂９と半導体素子片５゜そのボンディ
ング部右よび近傍の導線との間に介在して、両者が直接
触れることをなくし、断続的熱ストレスによりゲル状樹
脂９に生じる熱歪による応力が直ちに半導体素子片のボ
ンディング部に加わることを防止し緩衝材として作用す
る。また、ゲル状樹ＩＩＩ ’Ｉの熱歪により導線６に
生ずる応力が直接ボンディング部に加わらないよう防止
する作用も有する。
層１１はゲル状樹脂９と半導体素子片５゜そのボンディ
ング部右よび近傍の導線との間に介在して、両者が直接
触れることをなくし、断続的熱ストレスによりゲル状樹
脂９に生じる熱歪による応力が直ちに半導体素子片のボ
ンディング部に加わることを防止し緩衝材として作用す
る。また、ゲル状樹ＩＩＩ ’Ｉの熱歪により導線６に
生ずる応力が直接ボンディング部に加わらないよう防止
する作用も有する。
比較のために、半導体素子片５として６叩角のＭＯＳＦ
ＥＴを用いた実施例の装置と、この実施例よりオーバー
コート樹脂層１１だけを除いた従来構成の比較例の装置
とについて、２００Ｗの損失を２秒通電、１８秒無負荷
放冷というサイクル条件で通電試験を行ったところ、比
較例は１０．０００〜１５．０００回で半導体素子片の
ボンディング部が破壊したのに対し、実施例では５５．
０００〜６５．０００回に耐えることができた。
ＥＴを用いた実施例の装置と、この実施例よりオーバー
コート樹脂層１１だけを除いた従来構成の比較例の装置
とについて、２００Ｗの損失を２秒通電、１８秒無負荷
放冷というサイクル条件で通電試験を行ったところ、比
較例は１０．０００〜１５．０００回で半導体素子片の
ボンディング部が破壊したのに対し、実施例では５５．
０００〜６５．０００回に耐えることができた。
かくして、半導体素子片のボンディング部の断続的熱ス
トレスが加わったときに生じる熱歪に対する耐量が大幅
に向上し、その結果ＭＯ３ＦＥＴを使用し、ＭＯＳ構造
を破壊しない程度の強度で電極のボンディングを行って
も、バイポーラ型を使用したとき以上の断続的熱ストレ
ス耐量を確保する半導体装置を得ることが可能となった
。
トレスが加わったときに生じる熱歪に対する耐量が大幅
に向上し、その結果ＭＯ３ＦＥＴを使用し、ＭＯＳ構造
を破壊しない程度の強度で電極のボンディングを行って
も、バイポーラ型を使用したとき以上の断続的熱ストレ
ス耐量を確保する半導体装置を得ることが可能となった
。
また、オーバーコート樹脂として疎水性のポリイミド系
樹脂を用いたことにより、従来のゲル状樹脂のみの場合
に比してさらに半導体素子片に湿気が到達しにくくなり
、半導体装置の耐湿性が向上する効果も期待できる。
樹脂を用いたことにより、従来のゲル状樹脂のみの場合
に比してさらに半導体素子片に湿気が到達しにくくなり
、半導体装置の耐湿性が向上する効果も期待できる。
本発明によれば、半導体素子片、そのボンディング部お
よび近傍の導線とゲル状樹脂との間に、ゲル状樹脂より
も熱膨張係数が小さく、より硬いオーバーコート樹脂層
を介在させる。このオーバーコート樹脂層により、半導
体装置使用時の断続的熱ストレスにより発生するゲル状
樹脂の熱歪によって生じるボンディング部に加わる応力
が緩和され、ボンディング部の断続的熱ストレス耐量が
大幅に向上する。このようにして、ＭＯＳ構造の半導体
素子片を用いるときのように、素子片電極への導線のボ
ンディングが弱いパワーで行われなければならない場合
においても、ボンディング部が断続的熱ストレスによる
熱歪に対して、素子片の底板への固着部と同等以上の強
度を有し、バイポーラ型の半導体素子片を用いた場合と
同等以上の断続的熱ストレス耐量を確保できる半導体装
置を得ることができる。
よび近傍の導線とゲル状樹脂との間に、ゲル状樹脂より
も熱膨張係数が小さく、より硬いオーバーコート樹脂層
を介在させる。このオーバーコート樹脂層により、半導
体装置使用時の断続的熱ストレスにより発生するゲル状
樹脂の熱歪によって生じるボンディング部に加わる応力
が緩和され、ボンディング部の断続的熱ストレス耐量が
大幅に向上する。このようにして、ＭＯＳ構造の半導体
素子片を用いるときのように、素子片電極への導線のボ
ンディングが弱いパワーで行われなければならない場合
においても、ボンディング部が断続的熱ストレスによる
熱歪に対して、素子片の底板への固着部と同等以上の強
度を有し、バイポーラ型の半導体素子片を用いた場合と
同等以上の断続的熱ストレス耐量を確保できる半導体装
置を得ることができる。
また、オーバーコート樹脂として疎水性の樹脂を用いる
と、半導体素子片への湿気の侵入を防ぎ、半導体装置の
耐湿性の向上にも寄与することになる。
と、半導体素子片への湿気の侵入を防ぎ、半導体装置の
耐湿性の向上にも寄与することになる。
第１図は本発明の一実施例の概念的断面図、第２図は従
来例の概念的断面図である。 ｌ 底板、２ 絶縁基板、３ 金属板、４ 外部導出端
子導体、５ 半導体素子片、６ 導線、７ 側壁、８
蓋体、９ ゲル状樹脂、１０ 硬化樹脂、１１ オ
ーバーコート樹脂層。 第 ｌ 図 １’、２ 図
来例の概念的断面図である。 ｌ 底板、２ 絶縁基板、３ 金属板、４ 外部導出端
子導体、５ 半導体素子片、６ 導線、７ 側壁、８
蓋体、９ ゲル状樹脂、１０ 硬化樹脂、１１ オ
ーバーコート樹脂層。 第 ｌ 図 １’、２ 図
Claims (1)
- １）容器底板上に半導体素子片が支持され、該半導体素
子片面上の電極と容器上部へ引き出されている外部導出
端子導体とが導線のボンディングにより接続されており
、これら半導体素子片および導線を埋没させるように容
器内にゲル状樹脂が注入されており、さらにその上を硬
化樹脂で被覆されているものにおいて、前記半導体素子
片とゲル状樹脂との間に、半導体素子片、該素子片のボ
ンディング部およびその近傍にある導線面を被覆するよ
うに、前記ゲル状樹脂に比して熱膨張係数が小さく硬さ
がより硬いオーバーコート樹脂層を介在させたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291973A JPS63143850A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291973A JPS63143850A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143850A true JPS63143850A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17775860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291973A Pending JPS63143850A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143850A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013435B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-09-06 | Abb Technology Ag | Semiconductor module |
| WO2018194090A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018182330A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2021180232A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61291973A patent/JPS63143850A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013435B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-09-06 | Abb Technology Ag | Semiconductor module |
| WO2018194090A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018182330A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN110447099A (zh) * | 2017-04-20 | 2019-11-12 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
| US11233037B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-01-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11776936B2 (en) | 2017-04-20 | 2023-10-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN110447099B (zh) * | 2017-04-20 | 2023-11-07 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
| JP2021180232A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5483098A (en) | Drop-in heat sink package with window frame flag | |
| JPS59198740A (ja) | 樹脂封止形半導体複合素子 | |
| JPS61176142A (ja) | 基板構造体 | |
| JP2002076197A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
| JPS63143850A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4098414B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3703978B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59154054A (ja) | ワイヤおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2904154B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JP3147157B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JPS64812B2 (ja) | ||
| JP2560910Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2644773B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS635247Y2 (ja) | ||
| JPS6020942Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0377354A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6046038A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2533750B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0142347Y2 (ja) | ||
| JP2533751B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR820002122Y1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH05166970A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6361779B2 (ja) | ||
| JPH0727640Y2 (ja) | 半導体装置 |