JP6044473B2 - 電子装置およびその電子装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の一面側に電子部品を搭載すると共に、その一面側をモールド樹脂で封止するようにした電子装置およびその製造方法に関するものである。
従来より、基板の一面側に電子部品が搭載された電子装置がある。この電子装置では、基板の一面に、ランドおよび外部回路と電気的に接続される表面パターンが形成されていると共に表面パターンを覆うソルダレジストが形成されている。ソルダレジストには、表面パターンのうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。電子部品は、基板の一面に形成されたランド上に、はんだ等を介して搭載されている。そして、電子部品を含む基板の一面側は、表面パターンのうち少なくとも外部回路と接続される部分が露出されるように、モールド樹脂によって封止されている。
このような電子装置は、次のように製造される。具体的には、まず、基板の一面にランドおよび表面パターンを形成する。そして、表面パターンを覆うソルダレジストを形成した後、ソルダレジストに表面パターンの一部を露出させる開口部を形成する。次に、ランド上にはんだ等を介して電子部品を搭載する。続いて、一面に凹部が形成された金型を用意し、電子部品が凹部内に配置されるように、金型の一面を基板の一面側に圧接する。その後、基板と金型の凹部との間の空間にモールド樹脂を充填することにより、電子部品を含む基板の一面側が封止された片面実装型（ハーフモールド）の電子装置が製造される。
ところが、このようにして電子装置を製造する場合、モールド樹脂を充填するとき金型内に気泡が残り、モールド樹脂に気泡が形成されることがある。このため、特許文献１において、基板にスルーホールを形成することでエアベント（空気抜き部）を設け、モールド樹脂の充填時にエアベントを通じて空気が抜けるようにして、金型内に気泡が残ることを防止している。
特開平１０−２７５８１８号公報
しかしながら、特許文献１に示されるように、単に基板にスルーホールを設けてエアベントとする場合、スルーホールを通じてモールド樹脂が流れ出たときに、樹脂流れを受け止める構造がないため、樹脂を止めることができない。このため、樹脂を配置したくない場所に樹脂が流れ出してしまうという問題が発生し得る。また、金型のうちキャビティが形成されていない側の型、つまり基板を押さえる側の型が基板と密着してスルーホールの開口端と密着してしまうと、樹脂を受ける部分がなくなってしまい、エアベントとして機能しなくなる可能性がある。
本発明は上記点に鑑みて、基板にエアベントを形成する場合において、エアベントを通過した樹脂の流れ出しを抑制すると共に、基板と成形型とが密着することでエアベントとして機能しなくなることを防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項１ないし３に記載の発明では、一面（１１）および一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、基板の一面側に設けられ、電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、基板のうちモールド樹脂で覆われる位置に、該基板の一面と他面との間を貫通する貫通孔にて構成されたエアベント（１６）が形成されていると共に、基板の他面はエアベントと対応する位置に開口部（１７ａ）が形成されたソルダレジスト（１７）で覆われており、該ソルダレジストによってエアベントの周囲が囲まれていることを特徴としている。
このように、基板にエアベントを形成しているため、樹脂成形時には、成形型によって構成されるキャビティ内の空気がエアベントを通じて抜けるようにできる。そして、基板の他面にソルダレジストを配置し、ソルダレジストのうちエアベントと対応する位置に開口部を形成するようにしている。このため、ソルダレジストの表面の凹凸に基づいて成形型とソルダレジストとの間からも空気が抜けるようにでき、かつ、ソルダレジストの厚みによって基板の他面と成形型との間に構成される空間に樹脂が留まるようにできる。
これにより、基板にエアベントを形成する場合において、エアベントを通過した樹脂の流れ出しを抑制すると共に、基板と成形型とが密着することでエアベントとして機能しなくなることを防止することが可能となる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
本発明の第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。 図１中のII−II矢視断面図である。 図１中の領域Ｒの拡大図である。 図１中の領域Ｒの基板１０を他面１２側から見たときの様子を示したレイアウト図である。 モールド樹脂４０を成形する際の様子を示した断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分の基板１０を他面１２側から見たときの様子を示したレイアウト図である。 本発明の第３実施形態にかかる電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分を拡大した断面図である。 図７に示す電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分の基板１０を他面１２側から見たときの様子を示したレイアウト図である。 本発明の第４実施形態にかかる電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分の基板１０を他面１２側から見たときの様子を示したレイアウト図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１の全体構成について説明する。この電子装置Ｓ１は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各装置を駆動するための装置として適用される。
図１および図２に示すように、電子装置Ｓ１は、基板１０、電子部品２０、３０、モールド樹脂４０、ヒートシンク５０、ケース６０、蓋７０および放熱ゲル８０などを有した構成とされている。
図１に示すように、基板１０は、電子部品２０、３０が実装されると共にモールド樹脂４０にて覆われる一面１１と、その反対面となる他面１２とを有する板状部材をなすものである。本実施形態では、基板１０は、図２に示すように上面形状が矩形状の板状部材とされている。具体的には、基板１０は、エポキシ樹脂等の樹脂をベースとした配線基板とされ、例えば、貫通基板やビルドアップ基板などによって構成されている。
基板１０には、内層配線もしくは表層配線などによって構成される図示しない配線パターンが形成されており、配線パターンがモールド樹脂４０の外部まで延設されることで、配線パターンを通じて電子部品２０、３０との電気的な接続が図れるようになっている。また、基板１０のうちの長手方向（図１の左右方向）の両側には、配線パターンに繋がる金属メッキなどが施されたスルーホール１３が備えられている。このスルーホール１３を通じて、配線パターンと基板外部との電気的な接続が行えるようになっている。
このように構成された基板１０が四隅においてケース６０に支持されている。本実施形態の場合、基板１０の四隅に貫通孔となる固定用孔１４を形成しており、この中にケース６０の底面６１から突出させた機械的接続部６４を嵌め込んだ後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすることで、基板１０をケース６０に支持している。
また、図１、図３および図４に示すように、本実施形態では、基板１０のうちモールド樹脂４０で覆われる位置に、貫通孔にて構成されたエアベント１６を形成してある。このエアベント１６は、モールド樹脂４０による樹脂封止を行う際の空気抜き部となるものである。エアベント１６の断面寸法については任意であるが、空気の流動抵抗にならずに樹脂の流動抵抗にはなる程度の断面寸法、例えばスルーホール１３よりも小さくされていると好ましい。また、エアベント１６の形成位置についても任意であるが、電子部品２０〜３０の間や電子部品２０〜３０の直下、モールド樹脂４０の外縁部近傍などが気泡のでき易い場所となるため、これらの場所にエアベント１６を形成すると好ましい。
さらに、図１、図３および図４に示すように、基板１０の他面１２の表面をソルダレジスト１７によって覆っている。ソルダレジスト１７は、エアベント１６と対応する位置に開口部１７ａが形成されており、エアベント１６を１周囲んだ構造とされている。図３に示すように、ソルダレジスト１７の開口部１７ａは、開口端がエアベント１６から所定距離離間して設けられるか、他面１２側から開口径が徐々に広がるテーパ状とされている。このため、ソルダレジスト１７の厚みに基づき、エアベント１６の周囲においてソルダレジスト１７の開口部１７ａによる空間１８が構成されている。この空間１８が、モールド樹脂４０を形成するための樹脂がエアベント１６を通じて流れ出したときの樹脂溜まりとして機能することで、樹脂の流れ出しを抑制する。なお、エアベント１６および空間１８内には、樹脂が入り込んでいても入り込んでいなくても良いが、図３では入り込んだ状態を例に挙げてある。
電子部品２０、３０は、基板１０に実装されることで配線パターンに電気的に接続されるものであり、表面実装部品やスルーホール実装部品などどのようなものであってもよい。本実施形態の場合、電子部品２０、３０として、半導体素子２０および受動素子３０を例に挙げてある。半導体素子２０としては、マイコンや制御素子もしくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子等が挙げられる。この半導体素子２０は、ボンディングワイヤ２１およびはんだ等のダイボンド材２２により、基板１０の配線パターンに繋がるランドもしくは配線パターンの一部によって構成されたランドに接続されている。また、受動素子３０としては、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等が挙げられる。この受動素子３０は、はんだ等のダイボンド材３１により基板１０に備えられたランドに接続されている。これらの構成により、電子部品２０、３０は、基板１０に形成された配線パターンに電気的に接続され、配線パターンに接続されたスルーホール１３を通じて外部と電気的に接続可能とされている。
モールド樹脂４０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等より構成されるもので、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。本実施形態の場合、基板１０の一面１１側をモールド樹脂４０で封止しつつ、基板１０の他面１２側をモールド樹脂４０で封止せずに露出させた、いわゆるハーフモールド構造とされている。
また、モールド樹脂４０は、図２に示すように上面形状が矩形状とされ、基板１０の相対する二辺、具体的には基板１０のうち長手方向と垂直な両辺を露出させるように、この両辺よりも内側にのみ形成されている。つまり、基板１０の長手方向両端がモールド樹脂４０からはみ出してモールド樹脂４０から露出させられている。このモールド樹脂４０から露出させられている部分にスルーホール１３が配置されており、このスルーホール１３を通じて、基板１０に形成された配線パターンと外部との電気的接続が可能とされている。また、基板１０の両辺がモールド樹脂４０から露出させられることで、基板１０の四隅が露出させられており、このモールド樹脂４０から露出させられた部分において、上記したように基板１０がケース６０に支持されている。
ヒートシンク５０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、基板１０の他面１２側に、接合部材５１を介して密着させられている。接合部材５１としては、例えば金属フィラーを含有した導電性接着剤、はんだ材料などの導電材料、放熱ゲルや放熱シートなどの絶縁材料を用いている。ヒートシンク５０は、電子部品２０、３０が発した熱が基板１０の他面１２側から伝えられると、それを放熱させる役割を果たすものであり、熱伝導率の高い金属材料、例えば銅などにより構成されている。特に、半導体素子２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴによって構成される場合、これらが発熱素子であることから、多くの熱を発するが、この熱がヒートシンク５０に伝えられることで、半導体素子２０や受動素子３０の高温化が抑制されるようになっている。本実施形態の場合、ヒートシンク５０は、放熱ゲル８０を介して蓋７０に対して熱的に接続されており、基板１０の裏面から伝えられた熱を更に放熱ゲル８０を通じて蓋７０に伝え、蓋７０から外部に放熱させるようにしている。
ケース６０は、基板１０の一面１１側に電子部品２０、３０を実装してモールド樹脂４０で封止したものを収容する長方体形状の筐体となるものである。本実施形態の場合、ケース６０は、底面６１の周囲を側壁面６２によって覆った収容凹部６３を構成する部材とされ、電子部品２０、３０を実装してモールド樹脂４０で封止した基板１０を、一面１１側が底面６１側を向くようにして収容凹部６３内に収容している。
ケース６０の底面６１には、上記したように基板１０を支持する機械的接続部６４が形成されている。機械的接続部６４は、底面６１から垂直方向に突出し、部分的に断面寸法が変化させられた段付き棒状部材とされている。具体的には、機械的接続部６４は、基板１０を固定する前の状態では、底面側の断面寸法が基板１０に形成した固定用孔１４より大きく、先端側の断面寸法が固定用孔１４とほぼ同じもしくは若干小さくされている。このような寸法とされているため、機械的接続部６４は、先端側が固定用孔１４に挿入されつつ、先端側と底面側との段差部にて基板１０を保持する。そして、機械的接続部６４の先端側が固定用孔１４内に嵌め込まれてから熱かしめされることで、基板１０から突き出した部分が固定用孔１４よりも断面寸法が大きくされ、その部分と段差部との間に基板１０が挟み込まれて支持されている。
なお、機械的接続部６４の突き出し量は、側壁面６２の高さよりも低くされており、基板１０が側壁面６２の先端よりも収容凹部６３の内側に入り込むようにしてある。
さらに、ケース６０の底面６１には、複数本の接続端子６５が底面６１に対して垂直方向に立設されている。例えば、各接続端子６５は、銅合金に錫メッキやニッケルメッキが施されたものにより構成されている。複数本の接続端子６５は、それぞれ、基板１０に形成されたスルーホール１３に挿通させられており、はんだ等の接続部材１５を介してスルーホール１３に電気的に接続されている。ケース６０は、基本的にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂をベースとした絶縁体によって構成されているが、ケース６０の外部まで延設された配線パターンを備えている。この配線パターンに対して複数本の接続端子６５が接続され、各接続端子６５および配線パターンを通じて、各電子部品２０、３０が実装された基板１０の配線パターンと外部との電気的接続がなされている。
蓋７０は、ケース６０の開口端、つまり側壁面６２の先端に接続されることで、ケース６０内を密閉するものである。蓋７０は、例えば接着剤などを介してケース６０に固定される。本実施形態の場合、蓋７０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、矩形板状部材によって構成されている。
放熱ゲル８０は、ヒートシンク５０と蓋７０との間に配置されており、これら両方に接するように配置されることで、ヒートシンク５０から蓋７０への伝熱を行う。例えば、放熱ゲル８０は、熱伝導率の高いシリコーンオイルコンパウンドなどによって構成されている。放熱ゲル８０をなくしてヒートシンク５０と蓋７０とが直接接する構造とすることもできるが、ヒートシンク５０の高さ合わせなどが難しく、蓋７０を固定する際にヒートシンク５０を押圧してしまう可能性があることから、変形自在な放熱ゲル８０を備えると好ましい。
以上のようにして、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が構成されている。このような電子装置Ｓ１は、次のような製造方法により製造される。
まず、配線パターンおよびスルーホール１３などが形成された基板１０を用意したのち、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装する。次に、電子部品２０、３０が実装された基板１０を、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法によってモールド樹脂４０で封止する。そして、基板１０の他面１２側に接合部材５１を介してヒートシンク５０を接合したのち、基板１０をケース６０の収容凹部６３内に、一面１１側が底面６１側を向くようにして配置する。このとき、スルーホール１３に複数の接続端子６５が挿入され、固定用孔１４内に機械的接続部６４の先端が嵌め込まれるようにする。
その後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすると共に、はんだ付けなどによりスルーホール１３と複数の接続端子６５とを接続部材１５にて接続する。最後に、ヒートシンク５０の表面に放熱ゲル８０を配置したのち、その上に蓋７０を配置し、蓋７０とケース６０の側壁面６２との間を接着剤などによって固定することで、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が完成する。
そして、このような製造方法を用いる場合において、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装したのち、モールド樹脂４０で封止する際に、モールド樹脂４０に気泡が残り得る。これを防ぐ為には、基板１０に対してエアベント１６を形成しておけば良いが、単にエアベント１６を形成しただけでは金型と基板１０の他面１２とが密着してエアベント１６の開口端とも密着してしまうため、樹脂を受ける部分がなくなってしまう。これに対して、本実施形態では、他面１２をソルダレジスト１７で覆いつつ、エアベント１６の周囲にはソルダレジスト１７をなくしていることから、空間１８を樹脂溜まりとして機能させられる。この様子について、図５を参照して説明する。
図５は、例えばコンプレッション成形によってモールド樹脂４０による樹脂封止を行う場合の様子を示している。この図に示すように、成形型となる金型９０として、下型（第１型）９１と上型（第２型）９２およびプランジャ９３を用いる。まず、下型９１の上に基板１０を配置する。下型９１側に他面１２側が向くようにして配置する。このとき、他面１２の表面にソルダレジスト１７を備えてあり、かつ、エアベント１６と対応する位置においてソルダレジスト１７に開口部１７ａを形成しているため、基板１０の他面１２と下型９１との間に空間１８が構成された状態となる。
続いて、上型９２を配置したのち、コンプレッション成形に用いる樹脂粉末を上型９２の開口部９２ａ内に充填してから、プランジャ９３を開口部９２ａ内において摺動させ、加熱加圧することで樹脂成形を行う。これにより、モールド樹脂４０が形成される。このとき、エアベント１６が形成されていることから、金型９０によって構成されるキャビティ内の空気がエアベント１６を通じて抜けるようにできる。他面１２の表面をソルダレジスト１７で覆っているが、ソルダレジスト１７の表面には凹凸があることから、その凹凸に起因した隙間を通じて下型９１とソルダレジスト１７との間からも空気が抜ける。
これにより、モールド樹脂４０に気泡が残ることを抑制することが可能になる。特に、他面１２に配線パターンを形成し、この配線パターン上にソルダレジスト１７を成膜する場合には、配線パターンの凹凸に起因してソルダレジスト１７の表面にも凹凸が残り易い。このため、他面１２に配線パターンを形成するような場合には、下型９１とソルダレジスト１７との間からより確実に空気抜きが行えるようにできる。
そして、エアベント１６を通じて樹脂が流れ出してきた場合には、空間１８が存在しているため、ソルダレジスト１７がダムとなって空間１８内に樹脂が堰き止められ、ソルダレジスト１７と下型９１との間の隙間からの流れ出しを最小限に食い止めることができる。
以上説明したように、本実施形態では、基板１０にエアベント１６を形成しているため、樹脂成形時には、成形型である金型９０によって構成されるキャビティ内の空気がエアベント１６を通じて抜けるようにできる。また、基板１０の他面１２にソルダレジスト１７を配置し、ソルダレジスト１７のうちエアベント１６と対応する位置に開口部１７ａを形成するようにしている。このため、ソルダレジスト１７の表面の凹凸に基づいて下型９１とソルダレジスト１７との間からも空気が抜けるようにでき、かつ、基板１０の他面１２と下型９１との間に構成される空間１８に樹脂が留まるようにできる。
これにより、基板１０にエアベント１６を形成する場合において、エアベント１６を通過した樹脂の流れ出しを抑制すると共に、基板１０と成形型である金型９０とが密着することでエアベント１６として機能しなくなることを防止することが可能となる。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してソルダレジスト１７の構造を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図６に示すように、本実施形態では、ソルダレジスト１７によってエアベント１６を１周全周囲むのではなく、ソルダレジスト１７に対して開口部１７ａに繋がる溝部１７ｂを形成することで、エアベント１６をソルダレジスト１７でＣ字状に囲んだ構造としている。溝部１７ｂは、樹脂が流れ出しても問題ない方向に向けて形成されており、例えば基板１０の端部まで延設されている。このような、溝部１７ｂを備えておけば、この溝部１７ｂを通じて空気抜きが行える。したがって、樹脂成形時に金型９０によって構成されるキャビティ内の空気をより確実に抜くことが可能となり、より確実にモールド樹脂４０に気泡が残ることが抑制できる。
なお、溝部１７ｂの幅については任意であるが、空気の流動抵抗にならずに樹脂の流動抵抗にはなる程度の幅となるようにすると好ましい。このようにすれば、仮に溝部１７ｂを通じて樹脂が流れ出そうとしても、溝部１７ｂ内に樹脂の流れ出しが止まるようにできる。
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して他面１２に形成される配線パターン形状およびソルダレジスト１７の構造を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図７および図８に示すように、本実施形態では、他面１２に形成される配線パターンの一部にて構成される導体パターン１２ａをエアベント１６の周囲を１周囲むように形成している。導体パターン１２ａは、例えば、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成された表層配線の一部によって構成されている。そして、この導体パターン１２ａを覆うようにソルダレジスト１７を形成している。このような構成とすることで、ソルダレジスト１７のうち導体パターン１２ａを覆っている部分において、導体パターン１２ａを覆っていない部分よりも、他面１２からソルダレジスト１７の表面までの高さが高くなる。このようにすることで、エアベント１６の周囲において、他面１２からソルダレジスト１７の表面までの高さを稼ぐことができ、より空間１８の容量を大きくできる。したがって、空間１８による樹脂溜まりの容量をより多くすることが可能となり、空間１８から外への樹脂の流れ出しを更に抑制することが可能となる。
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対してエアベント１６の周りに配置する導体パターン１２ａのレイアウトを変更したものであり、その他については第３実施形態と同様であるため、第３実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図９に示すように、本実施形態では、他面１２に形成される導体パターン１２ａにてエアベント１６を１周全周囲むのではなく、導体パターン１２ａを一部分切り欠いて囲むようにしている。具体的には、エアベント１６の周囲を導体パターン１２ａでＣ字状に囲んだ構造としている。このため、導体パターン１２ａが切り欠かれた部分において、切り欠かれていない部分よりもソルダレジスト１７の表面の高さが低くなり、その部分において樹脂成形時に下型９１とソルダレジスト１７との間に隙間が形成される。したがって、第２実施形態のようにソルダレジスト１７に溝部１７ｂを形成した場合と同様、導体パターン１２ａが切り欠かれた部分を通じて空気抜きが行える。これにより、樹脂成形時に金型９０によって構成されるキャビティ内の空気をより確実に抜くことが可能となり、より確実にモールド樹脂４０に気泡が残ることが抑制できる。
なお、導体パターン１２ａのうち切り欠いた部分の幅については任意であるが、空気の流動抵抗にならずに樹脂の流動抵抗にはなる程度の幅となるようにすると好ましい。このようにすれば、仮に導体パターン１２ａのうち切り欠いた部分を通じて樹脂が流れ出そうとしても、その部分で樹脂の流れ出しが止まるようにできる。
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、上記各実施形態では、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装したのち、電子部品２０、３０をモールド樹脂４０で樹脂封止する形態が適用された電子装置Ｓ１の一例を示したが、上記各実施形態で説明した構造でなくても良い。例えば、基板１０の一面１１側、つまりモールド樹脂４０側がケース６０の底面６１側に向けられるように配置しているが、他面１２側、つまりモールド樹脂４０と反対側が底面６１側に向けられるように配置しても良い。
また、機械的接続部６４による基板１０の固定手法も、熱かしめに限らず、圧入やネジ締めやネジ締め固定などであっても良い。また、接続端子６５とスルーホール１３との接続も、はんだ付けに限らず、プレスフィットなどであっても良い。
１０ 基板
１１ 一面
１２ 他面
１２ａ 導体パターン
１６ エアベント
１７ ソルダレジスト
１７ａ 開口部
１７ｂ 溝部
１８ 空間
２０、３０ 電子部品
４０ モールド樹脂
９０ 金型

Claims (3)

  1. 一面（１１）および前記一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、
    前記基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、
    前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
    前記基板のうち前記モールド樹脂で覆われる位置に、該基板の一面と他面との間を貫通する貫通孔にて構成されたエアベント（１６）が形成されていると共に、前記基板の他面は前記エアベントと対応する位置に開口部（１７ａ）が形成されたソルダレジスト（１７）で覆われており、該ソルダレジストによって前記エアベントの周囲が囲まれていて、
    前記ソルダレジストには前記開口部に繋がる溝部（１７ｂ）が形成されていることを特徴とする電子装置。
  2. 一面（１１）および前記一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、
    前記基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、
    前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
    前記基板のうち前記モールド樹脂で覆われる位置に、該基板の一面と他面との間を貫通する貫通孔にて構成されたエアベント（１６）が形成されていると共に、前記基板の他面は前記エアベントと対応する位置に開口部（１７ａ）が形成されたソルダレジスト（１７）で覆われており、該ソルダレジストによって前記エアベントの周囲が囲まれていて、
    前記基板の他面には、前記エアベントの周囲を１周全周を囲んで配置された導体パターン（１２ａ）が形成されており、
    前記ソルダレジストは、前記導体パターンを覆うことで、該導体パターンを覆っている部分が前記導体パターンを覆っていない部分よりも、前記基板の他面からの高さが高くされていることを特徴とする電子装置。
  3. 一面（１１）および前記一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、
    前記基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、
    前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
    前記基板のうち前記モールド樹脂で覆われる位置に、該基板の一面と他面との間を貫通する貫通孔にて構成されたエアベント（１６）が形成されていると共に、前記基板の他面は前記エアベントと対応する位置に開口部（１７ａ）が形成されたソルダレジスト（１７）で覆われており、該ソルダレジストによって前記エアベントの周囲が囲まれていて、
    前記基板の他面には、前記エアベントの周囲を一部切り欠いた状態で囲む導体パターン（１２ａ）が形成されており、
    前記ソルダレジストは、前記導体パターンを覆うことで、該導体パターンを覆っている部分において前記導体パターンが切り欠かれた部分よりも、前記基板の他面からの高さが高くされていることを特徴とする電子装置。
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