JP2015012061A - 電子装置およびその電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置およびその電子装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015012061A JP2015012061A JP2013134842A JP2013134842A JP2015012061A JP 2015012061 A JP2015012061 A JP 2015012061A JP 2013134842 A JP2013134842 A JP 2013134842A JP 2013134842 A JP2013134842 A JP 2013134842A JP 2015012061 A JP2015012061 A JP 2015012061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- substrate
- air vent
- resin
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態にかかる電子装置S1の全体構成について説明する。この電子装置S1は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各装置を駆動するための装置として適用される。なお、図1は、電子装置S1の断面図であるが、図2中のI−I線上における断面に相当している。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して成形型90が型踏部16と当接する範囲を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して型踏部16の構造を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、多連基板、つまり1枚の母材から基板10を複数枚製造するような場合において、モールド樹脂40も複数枚同時に形成する場合について説明する。本実施形態のその他の部分については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
11 一面
16 型踏部
16a 金属パターン
16b ソルダレジスト
16c スリット
17 エアベント
20、30 電子部品
40 モールド樹脂
90 金型
92 上型
Claims (7)
- 一面(11)および前記一面の反対面となる他面(12)とを有する基板(10)と、
前記基板の一面側に実装された電子部品(20、30)と、
前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備え、
前記基板の一面側において、前記モールド樹脂の外縁に沿って形成され、前記基板の一面から突出させられた突起状の型踏部(16)を有し、
前記型踏部には、該型踏部の内周から外周に至ることで前記モールド樹脂の外縁と交差し、かつ、該型踏部における前記基板の一面からの高さを部分的に低くする部分、もしくは、該型踏部を部分的に分断するスリット(16c)にて構成されるエアベント(17)が設けられていることを特徴とする電子装置。 - 前記型踏部は、前記エアベントが形成されている位置において、前記モールド樹脂の外側に向かって突き出していることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記型踏部は、前記エアベントが形成されている位置において、前記モールド樹脂の外側に向かって突き出していると共に、該エアベントよりも前記モールド樹脂の外方において閉じていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。
- 前記型踏部は、金属パターン(16a)の表面をソルダレジスト(16b)で覆った構造とされ、
前記エアベントの位置において前記金属パターンにスリット(16c)が設けられると共に、該スリットとされた部分にも前記ソルダレジストが配置され、前記金属パターンにおける前記スリット以外の部分よりも前記スリットとされた部分において、前記ソルダレジストの表面における前記基板の一面からの高さが低くなることで前記エアベントが構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置。 - 前記型踏部は、金属パターン(16a)もしくはソルダレジスト(16b)によって構成され、
前記エアベントの位置において前記金属パターンもしくは前記ソルダレジストに前記スリットが設けられることで、前記エアベントが構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置。 - 一面(11)および前記一面の反対面となる他面(12)とを有する基板(10、100)と、
前記基板の一面側に実装された電子部品(20、30)と、
前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備える電子装置の製造方法であって、
前記基板として、前記基板の一面側において、前記モールド樹脂の外縁に沿って形成された枠形状で、前記基板の一面から突出させられた突起状の型踏部(16)を有し、該型踏部に、該型踏部の内周から外周に至ることで前記モールド樹脂の外縁と交差し、かつ、該型踏部における前記基板の一面からの高さを部分的に低くする部分、もしくは、該型踏部を部分的に分断するスリット(16c)にて構成されるエアベント(17)が設けられた基板を用意する工程と、
前記基板の一面に前記電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板の他面側に第1型(91)を配置すると共に、前記基板の一面側にキャビティが設けられた第2型(92)を配置し、前記型踏部の表面に前記第2型の先端面を当接させつつ、前記エアベントを通じて前記第2型に設けられたキャビティの内外を連通させるように成形型(90)を配置する工程と、
前記エアベントを通じて前記キャビティ内の空気抜きを行いつつ前記キャビティ内に樹脂材料を充填することで前記モールド樹脂を形成する工程とを含んでいることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記基板を用意する工程では、前記エアベントが形成されている位置において前記モールド樹脂の外側に向かって突き出した構造の前記型踏部を有するものを用意し、
前記成形型を配置する工程では、前記第2型の先端面によって前記型踏部における前記モールド樹脂の外側に向かって突き出した部分の全域を覆うことを特徴とする請求項6に記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134842A JP2015012061A (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 電子装置およびその電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134842A JP2015012061A (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 電子装置およびその電子装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015012061A true JP2015012061A (ja) | 2015-01-19 |
Family
ID=52304986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013134842A Pending JP2015012061A (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 電子装置およびその電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015012061A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075498A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297921A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用フレームおよびその製造方法並びに半導体装置用フレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2000260795A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用基板及び樹脂封止半導体装置 |
JP2003060131A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007294767A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008227317A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、そのための配線基板、封止金型、および製造方法 |
JP2008235615A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板、それを用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2012248780A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法 |
-
2013
- 2013-06-27 JP JP2013134842A patent/JP2015012061A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297921A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用フレームおよびその製造方法並びに半導体装置用フレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2000260795A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用基板及び樹脂封止半導体装置 |
JP2003060131A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007294767A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008227317A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、そのための配線基板、封止金型、および製造方法 |
JP2008235615A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板、それを用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2012248780A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075498A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6044473B2 (ja) | 電子装置およびその電子装置の製造方法 | |
WO2014184846A1 (ja) | 電子モジュールおよびその製造方法 | |
JP6528620B2 (ja) | 回路構成体および電気接続箱 | |
JP2008199022A (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP5096094B2 (ja) | 回路装置 | |
EP2057679B1 (en) | Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities | |
US9147630B2 (en) | Power semiconductor assembly and module | |
JP2017093243A (ja) | 回路構成体および電気接続箱 | |
JP5169964B2 (ja) | モールドパッケージの実装構造および実装方法 | |
JP2003115681A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
JP2015185835A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
EP2057665B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities | |
JP2015012061A (ja) | 電子装置およびその電子装置の製造方法 | |
JP2005191147A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JP6171631B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
KR20190077469A (ko) | 회로 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP2015002323A (ja) | 電子装置 | |
WO2015052880A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005228799A (ja) | 回路構成体及びその製造方法 | |
WO2014208006A1 (ja) | 電子装置およびその電子装置の製造方法 | |
JP2003332500A (ja) | 電子回路装置 | |
JP2016004792A (ja) | 半導体装置とその製造方法および機器 | |
JP5147929B2 (ja) | スイッチングユニット | |
JP2011066281A (ja) | 発熱デバイス | |
JP2015012161A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170718 |