JP6528620B2 - 回路構成体および電気接続箱 - Google Patents

Description

本明細書では、回路構成体および当該回路構成体を備えた電気接続箱に関し、詳しくは、回路構成体が備える回路基板に含まれる電子部品と、バスバーとを半田付する技術に関する。

従来、上記電子部品と、バスバーとを半田付する技術として、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１には、バスバーに半導体スイッチング素子等の電子部品を半田付する際に、半田拡がりを規制して、電子部品を精度良く正規の実装面に位置させるために、電子部品の裏面に設けられた接続端子の外縁に沿う外側のバスバーのスリットあるいは小穴からなる打抜部を設ける技術が開示されている。その際、その打抜部によって、バスバーの端子実装面上に塗布されるベースト状の半田の拡がりが遮断される。それによって、半田に表面張力による膨らみを発生させ、この膨らみを端子外面に押し当てて正規の実装位置からズレることなく、電子部品をバスバーに実装するようにしている。

特開２００４−１４７４１６号公報

しかしながら、上記従来の技術では、正規の実装位置からズレることなく、電子部品をバスバーに実装できるものの、バスバーにスリットあるいは小穴からなる打抜部を設けるためのスペースが必要とされる。そのため、回路構成体の更なる小型化にとっては不都合であった。また、半田の表面張力を利用しているため、精度良く半田拡がりを規制することは容易とは言えなかった。

本明細書に開示される技術は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、本明細書は、電子部品をバスバーに半田付けする際に、回路構成体の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる回路構成体を提供する。

本明細書に開示される回路構成体は、接続用開口部を有する回路基板と、前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、を備え、前記半田規制層は、絶縁性を有し、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に配置され、前記複数のバスバーの、前記回路基板に対向する対向面に粘着される粘着シートによって構成され、前記粘着シートは、前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に、平面視において前記接続用開口部より小さく、前記バスバーの前記半田付領域より大きいシート開口部を有する。

本構成によれば、電子部品の接続端子をバスバーの半田付領域に半田付する際に、半田規制層が有する、半田付領域を取り囲むパターンによって半田付領域からの半田の拡がりを規制することができる。半田規制層として、例えば、通常、使用される、回路基板と複数のバスバーとの間に設けられ、電子部品の接続のための開口部を有する粘着シートを利用することができる。その際、開口部を、半田付領域を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、開口部を形成する粘着シートの端部を半田の拡がりを規制する壁として利用できる。
粘着シートは、例えば、回路基板の小型化に応じて小型化できる。また、開口部の平面形状は精度良く形成することができる。そのため、電子部品をバスバーに半田付けする際に、回路構成体の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる。さらに、精度良く半田拡がりを規制することができるため、電子部品の位置決めも精度良くできる。
また、本構成によれば、半田規制層は、粘着シートによって構成され、粘着シートは、パターンとして、接続用開口部に対応した位置に、平面視において接続用開口部より小さく、接続端子が半田付されるバスバーの半田付領域より大きいシート開口部を有する。そのため、シート開口部を、半田付領域を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、シート開口部を形成する粘着シートの端部を半田の拡がりを規制する壁として利用できる。

本明細書に開示される回路構成体は、接続用開口部を有する回路基板と、前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、を備え、前記半田規制層は、絶縁性を有し、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に配置され、前記回路基板と前記複数のバスバーとを貼り付ける接着シートによって構成され、前記接着シートは、前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に、平面視において前記接続用開口部より小さく、前記バスバーの前記半田付領域より大きいシート開口部を有する。
本構成によれば、電子部品の接続端子をバスバーの半田付領域に半田付する際に、半田規制層が有する、半田付領域を取り囲むパターンによって半田付領域からの半田の拡がりを規制することができる。半田規制層として、例えば、通常、使用される、回路基板と複数のバスバーとの間に設けられ、電子部品の接続のための開口部を有する接着シートを利用することができる。その際、開口部を、半田付領域を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、開口部を形成する接着シートの端部を半田の拡がりを規制する壁として利用できる。
接着シートは、例えば、回路基板の小型化に応じて小型化できる。また、開口部の平面形状は精度良く形成することができる。そのため、電子部品をバスバーに半田付けする際に、回路構成体の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる。さらに、精度良く半田拡がりを規制することができるため、電子部品の位置決めも精度良くできる。
本構成によれば、半田規制層は、接着シートによって構成され、接着シートは、パターンとして、接続用開口部に対応した位置に、平面視において接続用開口部より小さく、接続端子が半田付されるバスバーの半田付領域より大きいシート開口部を有する。そのため、この場合であっても、シート開口部を、半田付領域を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、シート開口部を形成する接着シートの端部を半田の拡がりを規制する壁として利用できる。

本明細書に開示される回路構成体は、接続用開口部を有する回路基板と、前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、を備え、前記半田規制層は、前記複数のバスバーの前記電子部品に対向する対向面上に印刷された半田レジスト膜によって構成され、前記半田レジスト膜は、前記半田付領域を取り囲む前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に形成されている。
本構成によれば、半田レジスト膜が、バスバーの半田付領域を取り囲むパターンとして形成されている。半田レジスト膜は、半田との親和性を有さない、すなわち、半田レジスト膜は半田濡れ性を有さない。そのため、半田レジスト膜は半田を弾くことができ、それによって、半田レジスト膜は、半田付領域から半田が拡がることを規制することができる。

また、本明細書に開示される電気接続箱は、上記いずれかの回路構成体と、前記回路構成体を収容するケースと、を備える。

本発明によれば、電子部品をバスバーに半田付けする際に、回路構成体の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる。

実施形態１の電気接続箱を示す概略的な断面図 実施形態１の回路構成体を示す概略的な平面図 図２のＡ−Ａ断面図 バスバーに第２回路基板が圧入された状態を示す概略的な平面図 粘着シートを示す概略的な平面図 バスバーに粘着シートが粘着された状態を示す概略的な平面図 第１回路基板を示す概略的な平面図 粘着シート上に第１回路基板を重ねた状態を示す概略的な平面図 実施形態２の回路構成体を示す概略的な部分断面図 バスバーに半田レジスト膜が印刷された状態を示す平面図 バスバーに粘着シートが粘着された状態を示す概略的な平面図 粘着シート上に第１回路基板を重ねた状態を示す概略的な平面図 実施形態２の回路構成体を示す概略的な平面図

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図８までを参照しつつ説明する。

電気接続箱１０は、例えば、車両のバッテリ等の電源と、ランプ、ワイパー等の車載電装品等からなる負荷との間の電力供給経路に配され、例えばＤＣ−ＤＣコンバータやインバータ等に用いることができる。以下では、Ｘ方向を右方、Ｙ方向を前方、Ｚ方向を上方として説明する。

１．電気接続箱
電気接続箱１０は、図１に示すように、回路構成体２０と、回路構成体２０を収容するケース１１とを備える。ケース１１は、回路構成体２０が載置される放熱部材１２と、回路構成体２０の上方側を覆うカバー１５とを備えている。

放熱部材１２はアルミニウム合金等の熱伝導性が高い金属材料からなり、基板２１の全体を載置可能な大きさの平坦な上面を有し、底面側に櫛刃状に並んで配された複数の放熱フィン１３を有している。放熱部材１２の上面には、ネジ４１でネジ留めするためのネジ溝を有するネジ孔１４が形成されている。カバー１５は、合成樹脂製又は金属製であって、下方側が開口した箱形である。

２．回路構成体
回路構成体２０は、図２，図３に示すように、基板２１と、基板２１に実装される電子部品３６とを備える。基板２１は、第１回路基板２２と、第１回路基板２２の裏面に重ねられた複数のバスバー２７と、第１回路基板２２の裏面に重ねられ、複数のバスバー２７と同層に配された第２回路基板３０とを備えている。

第１回路基板２２は、絶縁材料からなる絶縁板であり、第１回路基板２２の上面にはプリント配線技術により銅箔等からなる導電路（図示しない）が形成されている。また、第１回路基板２２には、電子部品３６が挿通され、対応するバスバー２７に接続される接続用開口部２３と、スルーホール２４と、ネジ４１の軸部を通す通し孔２６とが貫通形成されている（図２および図７参照）。第１回路基板２２の裏面とは、接続用開口部２３に電子部品３６を挿入する側の面と反対側の面であり、言い換えれば、上記導電路が形成されている上面（表面）とは反対側の面である。第１回路基板２２は、「回路基板」の一例である。

接続用開口部２３は、長方形状であって、第１回路基板２２の中央部及び周縁部から離れた位置に複数（本実施形態では４つ）形成されている（図７参照）。スルーホール２４は、各接続用開口部２３の近傍の所定寸法離れた位置に、複数（本実施形態では４つ）形成されている。各スルーホール２４の内壁面および上下の開口縁部には、導電性の中継部２５が形成されている。中継部２５は、第１回路基板２２の上面（表面）の導電路と電気的に接続されている。

電子部品３６は、本実施形態では、いわゆるリードレス部品であり、例えば、並列接続された複数のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Field effect transistor）によって構成される。電子部品３６（以下、単に「ＭＯＳＦＥＴ」と記す場合がある）は、本体３７と、複数の端子３８とを有する。複数の端子３８は、ドレイン端子３８Ｄ（「接続端子」の一例）、ゲート端子３８Ｇ、および複数のソース端子３８Ｓ（「接続端子」の一例）を含む。

本体３７は、直方体状であって、合成樹脂製の外装体３７Ａでモールドされている。外装体３７Ａの底面側から露出する端子３８Ｓ，３８Ｇが、外装体３７Ａの底面３７Ｂに沿うように配されている。一方、ドレイン端子３８Ｄは、平面視において電子部品３６とほぼ同じ大きさを有する板状の端子であり、電子部品３６の底面３７Ｂに露出して配置されている（図３参照）。

各バスバー２７は、銅や銅合金等の金属からなる板状であって、金属板材を導電路の形状に応じた形状に打ち抜いて形成され、同一平面上に間隔を空けて配されている。隣り合うバスバー２７の一方のバスバー２７の側縁には、図４に示すように、バスバー２７の側縁を切り欠いた形状の切欠部２８Ａ、２８Ｂが形成されている。この切欠部２８Ａ、２８Ｂには、図６に示すように、第２回路基板３０が圧入される。複数のバスバー２７には、ネジ４１の軸部を通す通し孔２７Ａが貫通形成されている。また、バスバー２７の第１回路基板２２に対向する対向面２７Ｓは、ドレイン端子３８Ｄが半田付される半田付領域ＳＲ１、および複数のソース端子３８Ｓが半田付される半田付領域ＳＲ２を含む（図８参照）。

また、第１回路基板２２と複数のバスバー２７との間には粘着シート２９が設けられている。粘着シート２９は絶縁性を有し、複数のバスバー２７の第１回路基板２２に対向する対向面２７Ｓに粘着される。なお。本実施形態では、粘着シート２９は、複数のバスバー２７に対向する裏面２９Ｒにのみ、粘着性を有する。

また、粘着シート２９は、第１回路基板２２の各接続用開口部２３に対応した位置に、平面視において接続用開口部２３より小さく、バスバー２７の半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）より大きいシート開口部２９Ａを有している。シート開口部２９Ａは、「接続端子が半田付されるバスバーの半田付領域を取り囲むパターン」の一例である。
また、粘着シート２９は、シート開口部２９Ａと連なる基板用開口部２９Ｂを有している。シート開口部２９Ａと基板用開口部２９Ｂとの境界の例を、二点鎖線（仮想線）で示す（図５参照）。また、ネジ４１の軸部を通す通し孔２９Ｃが貫通形成されている。

シート開口部２９Ａとの境界に位置する粘着シート２９は、言い換えれば、シート開口部２９Ａを形成する粘着シート２９の端部２９Ｗは、複数のバスバー２７の対向面２７Ｓ上において、半田付されるＭＯＳＦＥＴ３６の端子３８Ｄ、３８Ｇ、３８Ｓを囲む周辺領域に位置し、半田Ｓに対する壁を形成している。言い換えれば、シート開口部２９Ａは、バスバー２７の半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲んでいる。なお、本実施形態では、電子部品３６の半田付けは、リフローによって行われる。

粘着シート２９の端部２９Ｗは、特に、電子部品３６のドレイン端子３８Ｄを対応するバスバー２７にリフロー半田付けする際に、半田Ｓの拡がりを規制する。すなわち、ドレイン端子３８Ｄは端子面積が大きく、半田付けの用の半田量が多い。そのため、リフロー時に、溶けた半田Ｓの移動に伴ってＭＯＳＦＥＴ３６が移動しやすい。そのような、リフロー時の半田の移動を規制するために、本実施形態では、粘着シート２９の開口面積を通常よりも小さく形成して、粘着シート２９がＭＯＳＦＥＴ３６のドレイン端子３８Ｄのより近くまで達するようにしている（図３参照）。このようにＭＯＳＦＥＴ３６をバスバー２７に半田付する際に半田Ｓの移動を規制する粘着シート２９は、「半田規制層」の一例である。

第２回路基板３０は、ＭＯＳＦＥＴ３６のゲート端子３８Ｇを接続するための小さい基板である。第２回路基板３０の上面には、銅箔等からなる導電路３１が形成されている。導電路３１は、スルーホール２４の中継部２５を介して、第１回路基板２２の表面に形成された導電路(図示せず)に接続される。ゲート端子３８Ｇと導電路３１、導電路３１と中継部２５とは、それぞれ半田付けされる。

３．電気接続箱の製造方法
次に、図４から図８までを参照して電気接続箱１０の製造方法について概略的に説明する。

図４に示すように、バスバー２７の切欠部２８Ａ、２８Ｂに第２回路基板３０を圧入して第２回路基板付きのバスバー２７を形成する。次に、第２回路基板付きのバスバー２７に隣り合うバスバー２７を第２回路基板３０に密着させて配置する。次に、バスバー２７の表面２７Ｓに、図５に示される粘着シート２９の裏面２９Ｒを圧着して貼り合わせる（図６参照）。

次いで、バスバー２７と、第２回路基板３０の所定の位置に半田ペーストＳを塗布し、第１回路基板２２を粘着シート２９上に重ね合わせる（図８参照）。次いで、リフロー炉を通してＭＯＳＦＥＴ３６を所定のバスバー２７に半田付けする。それによって、ＭＯＳＦＥＴ３６の複数の端子３８Ｄ、３８Ｇ、３８Ｓが所定のバスバー２７に半田Ｓで半田付けされるとともに、中継部２５が第２回路基板３０の導電路３１に半田Ｓで半田付けされる。これによって、図２および図３に示される回路構成体２０が形成される。

次に、放熱部材１２の上に絶縁層４０を介して回路構成体２０を載置する。そして、ネジ４１の軸部を、ワッシャー４２，第１回路基板２２の通し孔２６，バスバー２７の通し孔２７Ａ等に通し、放熱部材１２のネジ孔１４にネジ留めすることで、回路構成体２０が放熱部材１２に固定される。そして、回路構成体２０の上からカバー１５を被せることで、図１に示される電気接続箱１０が形成される。

４．実施形態１の効果
上記実施形態１によれば、ＭＯＳＦＥＴ３６のドレイン端子３８Ｄおよびソース端子３８Ｓをバスバー２７の半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）に半田付する際に、粘着シート２９（半田規制層）が有する、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むシート開口部２９Ａ（パターン）によって半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）からの半田Ｓの拡がりを規制することができる。すなわち、半田規制層として、通常、使用される、第１回路基板２２と複数のバスバー２７との間に設けられ、電子部品３６の接続のためのシート開口部２９Ａを有する粘着シート２９を利用することができる。その際、シート開口部２９Ａを、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、シート開口部２９Ａを形成する粘着シート２９の端部２９Ｗを半田Ｓの拡がりを規制する壁として利用できる。

粘着シート２９は、例えば、第１回路基板２２の小型化に応じて小型化できる。また、シート開口部２９Ａの平面形状は精度良く形成することができる。そのため、電子部品３６をバスバー２７に半田付けする際に、回路構成体２０の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる。さらに、精度良く半田拡がりを規制することができるため、電子部品３６の位置決めも精度良くできる。

また、実施形態１では、半田規制層は、粘着シート２９によって構成され、粘着シート２９は、パターンとして、接続用開口部２３に対応した位置に、平面視において接続用開口部２３より小さく、ドレイン端子３８Ｄおよびソース端子３８Ｓが半田付されるバスバーの半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）より大きいシート開口部２９Ａを有する（図８参）。そのため、シート開口部２９Ａを、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むパターンとして利用できる。

＜実施形態２＞
次に、実施形態２を図９から図１３までを参照して説明する。なお、実施形態１と異なる構成についてのみ説明し、実施形態１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。なお、図９は、実施形態２の回路構成体２０Ａの、図３に相当する箇所の部分断面図である。

実施形態１とは、半田規制層の構成が異なる。すなわち、実施形態２では、半田規制層は、複数のバスバー２７の電子部品３６に対向する対向面２７Ｓ上に印刷された半田レジスト膜３２によって構成されている。その際、半田レジスト膜３２は、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むパターンとして形成されている。半田レジスト膜３２は、「接続端子が半田付されるバスバーの半田付領域を取り囲むパターン」の一例である。

詳しくは、半田レジスト膜３２は、図１０に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ３６のドレイン端子３８Ｄが半田付けされる半田付領域ＳＲ１を囲む第１パターンＰ１と、ソース端子３８Ｓが半田付けされる半田付領域ＳＲ２を囲む第２パターンＰ２とを含む。

また、実施形態２においては、粘着シート２９のシート開口部２９Ａは、平面視において接続用開口部２３よりも大きい形状を有している。（図１１および図１３参照）。

４．電気接続箱の製造方法
次に、図１０から図１３を参照して、実施形態２の電気接続箱１０の製造方法について概略的に説明する。

図１０に示すように、バスバー２７のＭＯＳＦＥＴ３６に対向する対向面２７Ｓ上に、ＭＯＳＦＥＴ３６の接続端子３８が半田付けされる半田付領域ＳＲ１、ＳＲ２をそれぞれ囲むパターンＰ１、Ｐ２の半田レジスト膜３２を印刷して形成する。

次に、バスバー２７の各切欠部２８Ａ、２８Ｂに第２回路基板３０を圧入して第２回路基板付きのバスバー２７を形成する。次に、バスバー２７の表面２７Ｓに、粘着シート２９の裏面２９Ｒを圧着して貼り合わせる（図１１参照）。

次いで、バスバー２７と、第２回路基板３０の所定の位置に半田ペーストＳを塗布し、第１回路基板２２を粘着シート２９上に重ね合わせる（図１２参照）。次いで、リフロー炉を通してＭＯＳＦＥＴ３６を所定のバスバー２７に半田付けする。それによって、ＭＯＳＦＥＴ３６の複数の端子３８Ｄ、３８Ｇ、３８Ｓが所定のバスバー２７に半田Ｓで半田付けされるとともに、中継部２５が第２回路基板３０の導電路３１に半田Ｓで半田付けされる。これによって、図９に示される回路構成体２０Ａが形成される。

次に、実施形態１と同様に、放熱部材１２の上に絶縁層４０を介して回路構成体２０Ａを載置する。そして、ネジ４１の軸部を、ワッシャー４２，第１回路基板２２の通し孔２６，バスバー２７の通し孔２７Ａ等に通し、放熱部材１２のネジ孔１４にネジ留めすることで、回路構成体２０Ａが放熱部材１２に固定される。そして、回路構成体２０Ａの上からカバー１５を被せることで、電気接続箱１０が形成される（図１参照）。

５．実施形態２の効果
実施形態２では、半田レジスト膜３２が、バスバー２７の半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むパターンとして形成されている。半田レジスト膜３２は、半田Ｓとの親和性を有さない、すなわち、半田レジスト膜３２は半田濡れ性を有さない。そのため、半田レジスト膜３２は半田Ｓを弾くことができ、それによって、半田レジスト膜３２は、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）から半田Ｓが拡がることを規制することができる。

また、半田レジスト膜３２は、電子部品３６の大きさに応じて精度良く形成することができる。そのため、電子部品３６をバスバー２７に半田付けする際に、回路構成体２０の更なる小型化を可能にしつつ精度良く半田拡がりを規制することができる。さらに、精度良く半田拡がりを規制することができるため、電子部品３６の位置決めも精度良くできる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記実施形態１では、粘着シート２９はその裏面２９Ｒにのみ粘着性（粘着剤）を有する構成としたがこれに限られず、その表面（第１回路基板２２側の面）も粘着性を有する構成としてもよい。
また、シート開口部２９Ａの平面形状も、図５に示されたもの（領域ＳＲ１および領域ＳＲ２より大きい平面形状）に限られない。例えば、接続用開口部２３より小さく、ドレイン端子（あるいは、ＭＯＳＦＥＴの型等に応じてソース端子）のみが半田付されるバスバー２７の領域ＳＲ１より大きい平面形状とされてもよい。要は、シート開口部２９Ａの形状は、平面視において接続用開口部２３より小さく、電子部品の接続端子が半田付されるバスバーの領域より大きい形状であればよい。

（２）上記実施形態１では、半田規制層を粘着シート２９によって構成する例を示したがこれに限られない。粘着シート２９に代えて接着シートによって半田規制層を構成するようにしてもよい。
すなわち、回路構成体は、絶縁性を有し、回路基板と複数のバスバー２７との間に配置され、回路基板と複数のバスバーとを貼り付ける接着シートを備える。そして、半田規制層は、接着シートによって構成され、接着シートは、パターンとして、回路基板の接続用開口部２３に対応した位置に、平面視において接続用開口部２３より小さく、バスバー２７の半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）より大きいシート開口部を有する構成としてもよい。
この場合であっても、シート開口部を、半田付領域（ＳＲ１、ＳＲ２）を取り囲むパターンとして利用できる。すなわち、シート開口部を形成する接着シートの端部を半田Ｓの拡がりを規制する壁として利用できる。

（３）上記各実施形態では、第２回路基板３０を設け、ＭＯＳＦＥＴ３６のゲート端子３８Ｇを第２回路基板３０に接続する構成を示したがこれに限られない。例えば、ＭＯＳＦＥＴ３６として、ドレイン端子３８Ｄのみが裏面に設けられ、バスバー２７に接続される構成のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを使用してもよい。この場合、ゲート端子３８Ｇおよびソース端子３８Ｇは第１回路基板２２の表面側で所定の配線に接続されるため、第２回路基板３０、スルーホール２４等は省略される。

（４）上記実施形態２において、パターン印刷される半田レジスト膜３２のパターンは、図１０に示されたものに限られない。例えば、ソース端子３８Ｓが半田付けされる領域Ｒ２を囲む第２パターンＰ２（半田レジスト膜３２）は、省略されてもよい。ソース端子３８Ｇの半田付けに要する半田量は、ドレイン端子３８Ｄの半田量に比べて少ないためである。

（５）上記各実施形態では、電子部品３６としては、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴに限られず、種々の電子部品を用いることができる。例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、メカニカルリレー、コイル、コンデンサ等としてもよい。

１０…電気接続箱
１１…ケース
２０、２０Ａ…回路構成体
２２…第１回路基板（回路基板）
２３…接続用開口部
２７…バスバー
２９…粘着シート（半田規制層）
２９Ａ…シート開口部（パターン）
３２…半田レジスト膜（半田規制層、パターン）
３６…ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（電子部品）
３８Ｄ…ドレイン端子（接続端子）
３８Ｓ…ソース端子（接続端子）
ＳＲ１、ＳＲ２…半田付領域

Claims (4)

1. 接続用開口部を有する回路基板と、
   前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、
   前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、
   前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、
   を備え、
   前記半田規制層は、絶縁性を有し、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に配置され、前記複数のバスバーの、前記回路基板に対向する対向面に粘着される粘着シートによって構成され、
   前記粘着シートは、前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に、平面視において前記接続用開口部より小さく、前記バスバーの前記半田付領域より大きいシート開口部を有する、回路構成体。
2. 接続用開口部を有する回路基板と、
   前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、
   前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、
   前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、
   を備え、
   前記半田規制層は、絶縁性を有し、前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に配置され、前記回路基板と前記複数のバスバーとを貼り付ける接着シートによって構成され、
   前記接着シートは、前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に、平面視において前記接続用開口部より小さく、前記バスバーの前記半田付領域より大きいシート開口部を有する、回路構成体。
3. 接続用開口部を有する回路基板と、
   前記回路基板の裏面側に設けられた複数のバスバーと、
   前記接続用開口部を通して露出された対応するバスバーに半田付される接続端子を有する電子部品と、
   前記回路基板と前記複数のバスバーとの間に設けられ、前記接続端子が半田付される前記バスバーの半田付領域を取り囲むパターンを有する半田規制層と、
   を備え、
   前記半田規制層は、前記複数のバスバーの前記電子部品に対向する対向面上に印刷された半田レジスト膜によって構成され、
   前記半田レジスト膜は、前記半田付領域を取り囲む前記パターンとして、前記回路基板の前記接続用開口部の内側の位置に形成されている、回路構成体。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の回路構成体と、
   前記回路構成体を収容するケースと、
   を備える、電気接続箱。

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