JP2003115681A - 電子部品の実装構造 - Google Patents
電子部品の実装構造Info
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- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱素子を含む電子部品を回路基板の上に実
装してなる実装構造において、発熱素子の放熱性を向上
させる。 【解決手段】 回路基板４０の上に搭載された電子部品
としてのモールド素子２０は、ヒートシンク２３の上に
発熱素子２４を搭載し、発熱素子２４とリードフレーム
２２とをボンディングワイヤ２５により結線し、これら
各部２２〜２５をヒートシンク２３の下面を露出した状
態で樹脂２１によりモールドしてなる。回路基板４０の
うち発熱素子２４の下方に位置する部位には、貫通穴４
１が設けられ、ヒートシンク２３と筐体１０の突起部１
３とが貫通穴４１を介して接触していることにより、モ
ールド素子２０と筐体１０とが熱伝達可能となってい
る。
装してなる実装構造において、発熱素子の放熱性を向上
させる。 【解決手段】 回路基板４０の上に搭載された電子部品
としてのモールド素子２０は、ヒートシンク２３の上に
発熱素子２４を搭載し、発熱素子２４とリードフレーム
２２とをボンディングワイヤ２５により結線し、これら
各部２２〜２５をヒートシンク２３の下面を露出した状
態で樹脂２１によりモールドしてなる。回路基板４０の
うち発熱素子２４の下方に位置する部位には、貫通穴４
１が設けられ、ヒートシンク２３と筐体１０の突起部１
３とが貫通穴４１を介して接触していることにより、モ
ールド素子２０と筐体１０とが熱伝達可能となってい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ等の発熱素子を含む電子部品を回路基板の上に実装し
てなる実装構造に関し、特に放熱性の向上に関する。
Ｔ等の発熱素子を含む電子部品を回路基板の上に実装し
てなる実装構造に関し、特に放熱性の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なこの種の実装構造を図１
５に概略断面構成として示す。放熱部材としてのヒート
シンク２３の上にパワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー素子と
しての発熱素子２４がＡｇペースト２７を介して搭載さ
れており、発熱素子２４はリードフレーム（インナーリ
ード）２２とボンディングワイヤ２５により結線され電
気的に接続されている。
５に概略断面構成として示す。放熱部材としてのヒート
シンク２３の上にパワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー素子と
しての発熱素子２４がＡｇペースト２７を介して搭載さ
れており、発熱素子２４はリードフレーム（インナーリ
ード）２２とボンディングワイヤ２５により結線され電
気的に接続されている。
【０００３】そして、これら発熱素子２４、リードフレ
ーム２２、ヒートシンク２３およびボンディングワイヤ
２５は、ヒートシンク２３の下面を露出した状態で樹脂
２１により包み込まれるようにモールドされている。こ
のように樹脂モールドされた電子部品（モールド素子）
２０は、回路基板４０上に搭載されている。
ーム２２、ヒートシンク２３およびボンディングワイヤ
２５は、ヒートシンク２３の下面を露出した状態で樹脂
２１により包み込まれるようにモールドされている。こ
のように樹脂モールドされた電子部品（モールド素子）
２０は、回路基板４０上に搭載されている。
【０００４】また、この電子部品２０を回路基板４０へ
実装した構造体は、自動車のＥＣＵ等に適用する場合等
には、当該構造体を筐体１０へ収納した形となる。この
ような図１５に示す従来の実装構造においては、発熱素
子２４からの熱は、ヒートシンク２３を介して回路基板
４０へ放熱されるようになっている。
実装した構造体は、自動車のＥＣＵ等に適用する場合等
には、当該構造体を筐体１０へ収納した形となる。この
ような図１５に示す従来の実装構造においては、発熱素
子２４からの熱は、ヒートシンク２３を介して回路基板
４０へ放熱されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
１５に示した従来の構造では、ヒートシンク２３は放熱
性の悪い回路基板（プリント基板、セラミック基板等）
４０に接するか、または近接しており、発熱素子２４の
放熱性を向上させるには限度がある。
１５に示した従来の構造では、ヒートシンク２３は放熱
性の悪い回路基板（プリント基板、セラミック基板等）
４０に接するか、または近接しており、発熱素子２４の
放熱性を向上させるには限度がある。
【０００６】特に、このような実装構造が、上記した自
動車のＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ
Ｕｎｉｔ）等に適用される場合、電子部品２０が実装
された回路基板４０は、筐体１０に収納されるため、熱
の逃げ場が無いので、いっそうの放熱性の向上が望まれ
る。
動車のＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ
Ｕｎｉｔ）等に適用される場合、電子部品２０が実装
された回路基板４０は、筐体１０に収納されるため、熱
の逃げ場が無いので、いっそうの放熱性の向上が望まれ
る。
【０００７】また、ヒートシンクを用いずに発熱素子を
直接回路基板に搭載する構成も考えられるが、いずれに
せよ、発熱素子を含む電子部品を回路基板の上に実装す
る場合、発熱素子の熱は回路基板を介して放熱されてい
るのが現状であり、放熱性の向上が望まれている。
直接回路基板に搭載する構成も考えられるが、いずれに
せよ、発熱素子を含む電子部品を回路基板の上に実装す
る場合、発熱素子の熱は回路基板を介して放熱されてい
るのが現状であり、放熱性の向上が望まれている。
【０００８】そこで、本発明は上記問題に鑑み、発熱素
子を含む電子部品を回路基板の上に実装してなる実装構
造において、発熱素子の放熱性を向上させることを目的
とする。
子を含む電子部品を回路基板の上に実装してなる実装構
造において、発熱素子の放熱性を向上させることを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、発熱素子（２４）を含
む電子部品（２０）を回路基板（４０）の上に実装して
なる電子部品の実装構造において、回路基板のうち発熱
素子の下方に位置する部位に、回路基板を貫通する貫通
穴（４１）が設けられていることを特徴とする。
め、請求項１に記載の発明では、発熱素子（２４）を含
む電子部品（２０）を回路基板（４０）の上に実装して
なる電子部品の実装構造において、回路基板のうち発熱
素子の下方に位置する部位に、回路基板を貫通する貫通
穴（４１）が設けられていることを特徴とする。
【００１０】それによれば、発熱素子（２４）の熱を、
放熱性の悪い回路基板（４０）ではなく貫通穴（４１）
を介して逃すことが可能となるため、発熱素子の放熱性
を向上させることができる。
放熱性の悪い回路基板（４０）ではなく貫通穴（４１）
を介して逃すことが可能となるため、発熱素子の放熱性
を向上させることができる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１の実装構造において、回路基板（４０）は筐体（１
０）に収納されており、筐体と発熱素子（２４）とが貫
通穴（４１）を介して熱的に接続されていることを特徴
とする。
１の実装構造において、回路基板（４０）は筐体（１
０）に収納されており、筐体と発熱素子（２４）とが貫
通穴（４１）を介して熱的に接続されていることを特徴
とする。
【００１２】それによれば、回路基板（４０）が筐体
（１０）に収納された構造において、発熱素子（２４）
の熱を貫通穴（４１）を介して筐体に逃がすことができ
る。なお、筐体と発熱素子とが熱的に接続されていると
は、発熱素子の熱の筐体への伝達方法が熱伝導の場合で
も、熱放射の場合でも良いことを意味する。
（１０）に収納された構造において、発熱素子（２４）
の熱を貫通穴（４１）を介して筐体に逃がすことができ
る。なお、筐体と発熱素子とが熱的に接続されていると
は、発熱素子の熱の筐体への伝達方法が熱伝導の場合で
も、熱放射の場合でも良いことを意味する。
【００１３】また、請求項３に記載の発明では、請求項
２の実装構造において、電子部品（２０）において、発
熱素子（２４）と貫通穴（４１）との間にはヒートシン
ク（２３）が介在されていることを特徴とする。
２の実装構造において、電子部品（２０）において、発
熱素子（２４）と貫通穴（４１）との間にはヒートシン
ク（２３）が介在されていることを特徴とする。
【００１４】それによれば、発熱素子（２４）は放熱部
材としてのヒートシンク（２３）を介して筐体（１０）
と熱的に接続された形となり、発熱素子の熱を、ヒート
シンクを介して貫通穴から筐体に逃がすことができるた
め、より放熱性の向上が図れる。
材としてのヒートシンク（２３）を介して筐体（１０）
と熱的に接続された形となり、発熱素子の熱を、ヒート
シンクを介して貫通穴から筐体に逃がすことができるた
め、より放熱性の向上が図れる。
【００１５】また、請求項４に記載の発明では、請求項
３の実装構造において、ヒートシンク（２３）と筐体
（１０）とが貫通穴（４１）を介して接触していること
を特徴とする。
３の実装構造において、ヒートシンク（２３）と筐体
（１０）とが貫通穴（４１）を介して接触していること
を特徴とする。
【００１６】それによれば、筐体（１０）と発熱素子
（２４）との熱的な接続において、熱伝達方法が熱伝導
となるため、さらなる放熱性の向上が図れる。
（２４）との熱的な接続において、熱伝達方法が熱伝導
となるため、さらなる放熱性の向上が図れる。
【００１７】また、請求項５に記載の発明では、請求項
４の実装構造において、ヒートシンク（２３）が貫通穴
（４１）を貫通し、筐体（１０）側へ伸張していること
を特徴とする。また、請求項６に記載の発明では、請求
項４または請求項５の実装構造において、筐体（１０）
には、ヒートシンク（２３）側へ伸張している突起部
（１３）が形成されていることを特徴とする。
４の実装構造において、ヒートシンク（２３）が貫通穴
（４１）を貫通し、筐体（１０）側へ伸張していること
を特徴とする。また、請求項６に記載の発明では、請求
項４または請求項５の実装構造において、筐体（１０）
には、ヒートシンク（２３）側へ伸張している突起部
（１３）が形成されていることを特徴とする。
【００１８】これら請求項５および請求項６に記載のヒ
ートシンク（２３）や筐体（１０）の形状を採用するこ
とにより、請求項４の実装構造のような、ヒートシンク
と筐体とが回路基板（４０）の貫通穴（４１）を介して
接触する構成を、好適に実現することができる。
ートシンク（２３）や筐体（１０）の形状を採用するこ
とにより、請求項４の実装構造のような、ヒートシンク
と筐体とが回路基板（４０）の貫通穴（４１）を介して
接触する構成を、好適に実現することができる。
【００１９】また、請求項７に記載の発明では、発熱素
子（２４）を樹脂（２１）によりモールドしてなるモー
ルド素子（２０）と、モールド素子を搭載する回路基板
（４０）と、回路基板を収納する筐体（１０）とを有
し、回路基板には貫通穴（４１）が形成されており、こ
の貫通穴を介してモールド素子と筐体とが熱伝達可能と
なっていることを特徴とする。
子（２４）を樹脂（２１）によりモールドしてなるモー
ルド素子（２０）と、モールド素子を搭載する回路基板
（４０）と、回路基板を収納する筐体（１０）とを有
し、回路基板には貫通穴（４１）が形成されており、こ
の貫通穴を介してモールド素子と筐体とが熱伝達可能と
なっていることを特徴とする。
【００２０】それによれば、モールド素子（２０）にお
ける発熱素子（２４）の熱を、放熱性の悪い回路基板
（４０）ではなく貫通（４１）穴を介して逃すことが可
能となるため、発熱素子の放熱性を向上させることがで
きる。
ける発熱素子（２４）の熱を、放熱性の悪い回路基板
（４０）ではなく貫通（４１）穴を介して逃すことが可
能となるため、発熱素子の放熱性を向上させることがで
きる。
【００２１】また、請求項８に記載の発明では、請求項
７の実装構造において、モールド素子（２０）は、発熱
素子（２４）をヒートシンク（２３）に搭載し、このヒ
ートシンクの一部を露出させた状態で発熱素子およびヒ
ートシンクを樹脂（２１）にてモールドしてなるもので
あり、ヒートシンクの露出部と筐体（１０）とが貫通穴
（４１）を介して接触していることを特徴とする。
７の実装構造において、モールド素子（２０）は、発熱
素子（２４）をヒートシンク（２３）に搭載し、このヒ
ートシンクの一部を露出させた状態で発熱素子およびヒ
ートシンクを樹脂（２１）にてモールドしてなるもので
あり、ヒートシンクの露出部と筐体（１０）とが貫通穴
（４１）を介して接触していることを特徴とする。
【００２２】それによれば、発熱素子（２４）の熱は、
放熱部材としてのヒートシンク（２３）を介して筐体
（１０）へ熱伝導の形で放熱されるため、より放熱性の
向上が図れる。
放熱部材としてのヒートシンク（２３）を介して筐体
（１０）へ熱伝導の形で放熱されるため、より放熱性の
向上が図れる。
【００２３】また、請求項９に記載の発明では、請求項
８の実装構造において、ヒートシンク（２３）の露出部
が貫通穴（４１）を貫通し、筐体（１０）側へ伸張して
いることを特徴とする。また、請求項１０に記載の発明
では、請求項８または請求項９の実装構造において、筐
体（１０）には、ヒートシンク（２３）の露出部側へ伸
張している突起部（１３）が形成されていることを特徴
とする。
８の実装構造において、ヒートシンク（２３）の露出部
が貫通穴（４１）を貫通し、筐体（１０）側へ伸張して
いることを特徴とする。また、請求項１０に記載の発明
では、請求項８または請求項９の実装構造において、筐
体（１０）には、ヒートシンク（２３）の露出部側へ伸
張している突起部（１３）が形成されていることを特徴
とする。
【００２４】これら請求項９および請求項１０に記載の
ヒートシンク（２３）の露出部や筐体（１０）の形状を
採用することにより、請求項８の実装構造のような、ヒ
ートシンクの露出部と筐体とが回路基板（４０）の貫通
穴（４１）を介して接触する構成を、好適に実現するこ
とができる。
ヒートシンク（２３）の露出部や筐体（１０）の形状を
採用することにより、請求項８の実装構造のような、ヒ
ートシンクの露出部と筐体とが回路基板（４０）の貫通
穴（４１）を介して接触する構成を、好適に実現するこ
とができる。
【００２５】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電
子部品の実装構造を収納した筐体およびその内部構成を
示す一部切り欠き斜視図である。
について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電
子部品の実装構造を収納した筐体およびその内部構成を
示す一部切り欠き斜視図である。
【００２７】図１において、筐体１０内には、各種の電
子部品２０、３０を搭載した回路基板４０が収納されて
おり、この筐体１０およびその内部の部品により、例え
ば自動車のＥＣＵを構成するものである。なお、図１
中、筐体１０の切りかかれた部分の外形線は、一点鎖線
にて示してある。
子部品２０、３０を搭載した回路基板４０が収納されて
おり、この筐体１０およびその内部の部品により、例え
ば自動車のＥＣＵを構成するものである。なお、図１
中、筐体１０の切りかかれた部分の外形線は、一点鎖線
にて示してある。
【００２８】図１では、筐体１０は略直方体の箱形状を
なしており、放熱性に優れた材質（例えば、アルミニウ
ムや鉄等の金属や樹脂等）からなる。この筐体１０はプ
レス加工やダイカスト等の型加工により成形することが
できる。
なしており、放熱性に優れた材質（例えば、アルミニウ
ムや鉄等の金属や樹脂等）からなる。この筐体１０はプ
レス加工やダイカスト等の型加工により成形することが
できる。
【００２９】回路基板４０は、プリント基板やセラミッ
ク基板等を用いることができる。この回路基板４０は、
図１に示すように、筐体１０の底面から突出する支持部
１１にねじ１２を用いてねじ止めされており、それによ
って、回路基板４０は筐体１０に取り付けられ支持され
ている。
ク基板等を用いることができる。この回路基板４０は、
図１に示すように、筐体１０の底面から突出する支持部
１１にねじ１２を用いてねじ止めされており、それによ
って、回路基板４０は筐体１０に取り付けられ支持され
ている。
【００３０】なお、回路基板４０の筐体１０への取り付
け方法は、上記のねじ結合以外に限定されるものではな
い。例えば、筐体１０の一部を回路基板４０にかしめる
方法や、筐体１０の内面に溝を形成し、この溝に回路基
板４０を嵌め合わせる方法等によって行うことも可能で
ある。
け方法は、上記のねじ結合以外に限定されるものではな
い。例えば、筐体１０の一部を回路基板４０にかしめる
方法や、筐体１０の内面に溝を形成し、この溝に回路基
板４０を嵌め合わせる方法等によって行うことも可能で
ある。
【００３１】電子部品２０は、発熱素子（後述の図２参
照）を樹脂２１によりモールドしてなるモールド素子で
あり、樹脂２１からは複数本のリードフレーム（アウタ
ーリード）２２が突出して延びている。このリードフレ
ーム２２は回路基板４０上のランド（図示せず）にはん
だ付け等により接合されており、モールド素子２０は回
路基板４０の上に実装され、電気的に接続されている。
照）を樹脂２１によりモールドしてなるモールド素子で
あり、樹脂２１からは複数本のリードフレーム（アウタ
ーリード）２２が突出して延びている。このリードフレ
ーム２２は回路基板４０上のランド（図示せず）にはん
だ付け等により接合されており、モールド素子２０は回
路基板４０の上に実装され、電気的に接続されている。
【００３２】また、モールド素子２０以外の電子部品３
０は、例えばマイコンやコンデンサや抵抗素子等の様々
な電子部品であり、回路基板４０の上に実装され電気的
に接続されている。そして、回路基板４０には、図示し
ない配線が形成され、これら電子部品２０、３０ととも
に電気回路を構成している。
０は、例えばマイコンやコンデンサや抵抗素子等の様々
な電子部品であり、回路基板４０の上に実装され電気的
に接続されている。そして、回路基板４０には、図示し
ない配線が形成され、これら電子部品２０、３０ととも
に電気回路を構成している。
【００３３】このような構成においては、筐体１０内に
回路基板４０が収納されているので、回路基板４０上の
発熱素子の熱の逃げ場を確保することが重要である。そ
こで、本実施形態では、図１中において、本発明でいう
電子部品であるモールド素子２０の実装構造において、
次に述べるような放熱性向上を考慮した構成を採用して
いる。
回路基板４０が収納されているので、回路基板４０上の
発熱素子の熱の逃げ場を確保することが重要である。そ
こで、本実施形態では、図１中において、本発明でいう
電子部品であるモールド素子２０の実装構造において、
次に述べるような放熱性向上を考慮した構成を採用して
いる。
【００３４】図２は、モールド素子２０の実装構造を示
す概略断面図であり、モールド素子２０、回路基板４０
および筐体１０を含めた概略断面構成を示している。
す概略断面図であり、モールド素子２０、回路基板４０
および筐体１０を含めた概略断面構成を示している。
【００３５】モールド素子２０は、ヒートシンク２３
と、ヒートシンク２３の上に搭載された発熱素子２４
と、発熱素子２４とボンディングワイヤ２５により結線
されたリードフレーム（インナーリード）２２とを備
え、これら各部２２〜２５がヒートシンク２３の下面を
露出した状態で樹脂２１により包み込まれるようにモー
ルドされてなる。
と、ヒートシンク２３の上に搭載された発熱素子２４
と、発熱素子２４とボンディングワイヤ２５により結線
されたリードフレーム（インナーリード）２２とを備
え、これら各部２２〜２５がヒートシンク２３の下面を
露出した状態で樹脂２１により包み込まれるようにモー
ルドされてなる。
【００３６】図２に示す例では、ヒートシンク２３は、
２層のヒートシンク２３ａと２３ｂとが積層されてお
り、発熱素子２４を搭載した上側のヒートシンク（第１
のヒートシンク）２３ａと、この第１のヒートシンク２
３ａの下側に設けられ樹脂２１から露出する第２のヒー
トシンク２３ｂとからなる。
２層のヒートシンク２３ａと２３ｂとが積層されてお
り、発熱素子２４を搭載した上側のヒートシンク（第１
のヒートシンク）２３ａと、この第１のヒートシンク２
３ａの下側に設けられ樹脂２１から露出する第２のヒー
トシンク２３ｂとからなる。
【００３７】これらヒートシンク２３ａ、２３ｂは、発
熱素子２４の放熱部材として用いられ、例えば銅やアル
ミ等からなる板材を採用することができる。そして、第
１のヒートシンク２３ａと第２のヒートシンク２３ｂと
の間には、シリコーン系等の接着材（ヒートシンク用接
着材）２６が介在し、両ヒートシンクを適切に密着させ
ている。なお、このヒートシンク用接着材２６はグリス
等でも良い。
熱素子２４の放熱部材として用いられ、例えば銅やアル
ミ等からなる板材を採用することができる。そして、第
１のヒートシンク２３ａと第２のヒートシンク２３ｂと
の間には、シリコーン系等の接着材（ヒートシンク用接
着材）２６が介在し、両ヒートシンクを適切に密着させ
ている。なお、このヒートシンク用接着材２６はグリス
等でも良い。
【００３８】ヒートシンク２３の上面（第１のヒートシ
ンク２３ａの上面）に搭載された発熱素子２４は、上記
ＥＣＵにおける電源やアクチュエータの駆動回路等とし
て機能するパワー素子（パワーＩＣ）であり、例えばＭ
ＯＳＦＥＴとバイポーラトランジスタとが組み合わされ
て形成された単結晶シリコン等の半導体チップからな
る。この発熱素子２４は、Ａｇペーストやはんだ等の接
合部材２７を介してヒートシンク２３の上面に接着され
ている。
ンク２３ａの上面）に搭載された発熱素子２４は、上記
ＥＣＵにおける電源やアクチュエータの駆動回路等とし
て機能するパワー素子（パワーＩＣ）であり、例えばＭ
ＯＳＦＥＴとバイポーラトランジスタとが組み合わされ
て形成された単結晶シリコン等の半導体チップからな
る。この発熱素子２４は、Ａｇペーストやはんだ等の接
合部材２７を介してヒートシンク２３の上面に接着され
ている。
【００３９】リードフレーム２２は、例えば銅または銅
合金等からなる板材をエッチングまたはプレス等により
所定形状に加工したものであり、ヒートシンク２３に対
し図示しない部位にてかしめ等によって取り付けられて
いる。なお、ヒートシンク２３とリードフレーム２２と
は、樹脂２１のモールドにより一体化されていれば良
く、上記かしめ等による一体化がなされていなくても良
い。
合金等からなる板材をエッチングまたはプレス等により
所定形状に加工したものであり、ヒートシンク２３に対
し図示しない部位にてかしめ等によって取り付けられて
いる。なお、ヒートシンク２３とリードフレーム２２と
は、樹脂２１のモールドにより一体化されていれば良
く、上記かしめ等による一体化がなされていなくても良
い。
【００４０】ボンディングワイヤ２５は、金やアルミ等
のワイヤボンディングを行うことにより形成されるもの
で、発熱素子２４とリードフレーム（インナーリード）
２２とを結線して電気的に接続している。
のワイヤボンディングを行うことにより形成されるもの
で、発熱素子２４とリードフレーム（インナーリード）
２２とを結線して電気的に接続している。
【００４１】そして、樹脂２１は、エポキシ系樹脂等よ
りなり、ヒートシンク２３の下面側の部位（本例では、
第１のヒートシンク２３ａの下面側および第２のヒート
シンク２３ｂ）およびリードフレーム２２のアウターリ
ードを露出させつつ、上記各部品２２〜２５を包み込む
ように封止している。
りなり、ヒートシンク２３の下面側の部位（本例では、
第１のヒートシンク２３ａの下面側および第２のヒート
シンク２３ｂ）およびリードフレーム２２のアウターリ
ードを露出させつつ、上記各部品２２〜２５を包み込む
ように封止している。
【００４２】このような構成を有するモールド素子２０
は、回路基板４０の上に実装され、上記図１に示したよ
うに、リードフレーム（アウターリード）２２を介して
回路基板４０と電気的、機械的に接続されている。
は、回路基板４０の上に実装され、上記図１に示したよ
うに、リードフレーム（アウターリード）２２を介して
回路基板４０と電気的、機械的に接続されている。
【００４３】さらに、図２に示す実装構造において、回
路基板４０のうち発熱素子２４の下方に位置する部位に
は、回路基板４０を貫通する貫通穴４１が設けられてい
る。そして、発熱素子２４と貫通穴４１との間にはヒー
トシンク２３が介在した形となっており、ヒートシンク
２３（第２のヒートシンク２３ｂ）と筐体１０の底面と
が貫通穴４１を介して接触している。
路基板４０のうち発熱素子２４の下方に位置する部位に
は、回路基板４０を貫通する貫通穴４１が設けられてい
る。そして、発熱素子２４と貫通穴４１との間にはヒー
トシンク２３が介在した形となっており、ヒートシンク
２３（第２のヒートシンク２３ｂ）と筐体１０の底面と
が貫通穴４１を介して接触している。
【００４４】図２に示す例では、ヒートシンク２３にお
いて第２のヒートシンク２３ｂを貫通穴４１よりも小さ
くすることにより、第２のヒートシンク２３ｂが貫通穴
４１を貫通し、筐体１０側へ伸張するようにしている。
また、筐体１０の底面にも、ヒートシンク２３側へ伸張
する突起部１３を形成している。
いて第２のヒートシンク２３ｂを貫通穴４１よりも小さ
くすることにより、第２のヒートシンク２３ｂが貫通穴
４１を貫通し、筐体１０側へ伸張するようにしている。
また、筐体１０の底面にも、ヒートシンク２３側へ伸張
する突起部１３を形成している。
【００４５】そして、筐体１０の突起部１３の上面（先
端面）とヒートシンク２３の下面側の部位（第２のヒー
トシンク２３ｂの下面）とが、接着材（筐体用接着材）
５０を介して接触している。この筐体用接着材５０は、
上記したヒートシンク用接着材２６やグリスと同様のも
のを採用することができる。この筐体用接着材５０によ
り、ヒートシンク２３と筐体１０とが適切に密着してい
る。
端面）とヒートシンク２３の下面側の部位（第２のヒー
トシンク２３ｂの下面）とが、接着材（筐体用接着材）
５０を介して接触している。この筐体用接着材５０は、
上記したヒートシンク用接着材２６やグリスと同様のも
のを採用することができる。この筐体用接着材５０によ
り、ヒートシンク２３と筐体１０とが適切に密着してい
る。
【００４６】このように、本実施形態では、ヒートシン
ク２３の露出部である第２のヒートシンク２３ｂと筐体
１０の突起部１３とが貫通穴４１を介して接触している
ため、筐体１０と発熱素子２４とが貫通穴４１を介して
熱的に接続されている。言い換えれば、発熱素子２４を
樹脂２１によりモールドしてなるモールド素子２０と筐
体１０とが、回路基板４０の貫通穴４１を介して熱伝達
可能となっている。
ク２３の露出部である第２のヒートシンク２３ｂと筐体
１０の突起部１３とが貫通穴４１を介して接触している
ため、筐体１０と発熱素子２４とが貫通穴４１を介して
熱的に接続されている。言い換えれば、発熱素子２４を
樹脂２１によりモールドしてなるモールド素子２０と筐
体１０とが、回路基板４０の貫通穴４１を介して熱伝達
可能となっている。
【００４７】ここで、回路基板４０の貫通穴４１は、回
路基板４０に対してパンチング加工を行ったり、回路基
板４０を構成する樹脂やセラミックのシートを成型する
際に同時に型成形する等により形成することができる。
また、筐体１０の突起部１３は、プレス加工や型成型時
に形成したり、切削加工する等により形成することがで
きる。
路基板４０に対してパンチング加工を行ったり、回路基
板４０を構成する樹脂やセラミックのシートを成型する
際に同時に型成形する等により形成することができる。
また、筐体１０の突起部１３は、プレス加工や型成型時
に形成したり、切削加工する等により形成することがで
きる。
【００４８】図２に示す実装構造は、例えば次に示す組
付方法によって形成することができる。まず、ヒートシ
ンク２３のうち第１のヒートシンク２３ａとリードフレ
ーム２２とをかしめることにより一体化する。次に、第
１のヒートシンク２３ａの上面に、接合部材２７を介し
て発熱素子２４を搭載し接着する。
付方法によって形成することができる。まず、ヒートシ
ンク２３のうち第１のヒートシンク２３ａとリードフレ
ーム２２とをかしめることにより一体化する。次に、第
１のヒートシンク２３ａの上面に、接合部材２７を介し
て発熱素子２４を搭載し接着する。
【００４９】次に、ワイヤボンディングを行うことによ
り、リードフレーム２２と発熱素子２４とをワイヤ２５
により接続する。このようにしてできたワークを成形型
に投入し、樹脂成形を行うことにより、第１のヒートシ
ンク２３ａの下面が露出した状態で樹脂２１によって上
記部品２２〜２５が封止された樹脂封止体を形成する。
り、リードフレーム２２と発熱素子２４とをワイヤ２５
により接続する。このようにしてできたワークを成形型
に投入し、樹脂成形を行うことにより、第１のヒートシ
ンク２３ａの下面が露出した状態で樹脂２１によって上
記部品２２〜２５が封止された樹脂封止体を形成する。
【００５０】そして、貫通穴４１が形成された回路基板
４０に対して、第１のヒートシンク２３ａの下面が貫通
穴４１上に位置するように、上記樹脂封止体を回路基板
４０の上に搭載するとともに、リードフレーム（アウタ
ーリード）２２を回路基板４０にはんだ付けする。
４０に対して、第１のヒートシンク２３ａの下面が貫通
穴４１上に位置するように、上記樹脂封止体を回路基板
４０の上に搭載するとともに、リードフレーム（アウタ
ーリード）２２を回路基板４０にはんだ付けする。
【００５１】一方、突起部１３を有する筐体１０を用意
し、筐体１０の突起部１３の先端面に、筐体用接着材５
０を介して第２のヒートシンク２３ｂを接着する。次
に、上記樹脂封止体が実装された回路基板４０を筐体１
０内に設置するが、このとき、回路基板４０の貫通穴４
１から露出する第１のヒートシンク２３ａの下面および
第２のヒートシンク２３ｂの上面の少なくとも一方に、
ヒートシンク用接着材２６を設けておく。
し、筐体１０の突起部１３の先端面に、筐体用接着材５
０を介して第２のヒートシンク２３ｂを接着する。次
に、上記樹脂封止体が実装された回路基板４０を筐体１
０内に設置するが、このとき、回路基板４０の貫通穴４
１から露出する第１のヒートシンク２３ａの下面および
第２のヒートシンク２３ｂの上面の少なくとも一方に、
ヒートシンク用接着材２６を設けておく。
【００５２】そして、回路基板４０を筐体１０にねじ止
めするとともに、第１のヒートシンク２３ａの下面と第
２のヒートシンク２３ｂの上面とをヒートシンク用接着
材２６を介して接着する。こうして、図２に示す電子部
品（モールド素子２０）の実装構造ができあがる。
めするとともに、第１のヒートシンク２３ａの下面と第
２のヒートシンク２３ｂの上面とをヒートシンク用接着
材２６を介して接着する。こうして、図２に示す電子部
品（モールド素子２０）の実装構造ができあがる。
【００５３】なお、上記組付例では、第１および第２の
ヒートシンク２３ａ、２３ｂは、モールド素子２０側と
筐体１０側とに分けた状態で組み付けられているが、両
ヒートシンク２３ａ、２３ｂを予め一体化し、モールド
素子２０として回路基板４０に実装した後、回路基板４
０を筐体１０に組み付けても良い。
ヒートシンク２３ａ、２３ｂは、モールド素子２０側と
筐体１０側とに分けた状態で組み付けられているが、両
ヒートシンク２３ａ、２３ｂを予め一体化し、モールド
素子２０として回路基板４０に実装した後、回路基板４
０を筐体１０に組み付けても良い。
【００５４】ところで、図２に示す実装構造によれば、
回路基板４０には貫通穴４１が形成されており、ヒート
シンク２３の露出部と筐体１０とが貫通穴４１を介して
接触することにより、この貫通穴４１を介してモールド
素子２０と筐体１０とが熱伝達可能となっている。
回路基板４０には貫通穴４１が形成されており、ヒート
シンク２３の露出部と筐体１０とが貫通穴４１を介して
接触することにより、この貫通穴４１を介してモールド
素子２０と筐体１０とが熱伝達可能となっている。
【００５５】それによって、モールド素子２０における
発熱素子２４の熱を、放熱性の悪い回路基板４０を介さ
ずに貫通穴４１を介して逃すことが可能となるため、発
熱素子２４の放熱性を向上させることができる。特に、
本実施形態では、発熱素子２４の熱が放熱部材としての
ヒートシンク２３を介して筐体１０へ熱伝導の形で放熱
されるため、より放熱性の向上が図れる。
発熱素子２４の熱を、放熱性の悪い回路基板４０を介さ
ずに貫通穴４１を介して逃すことが可能となるため、発
熱素子２４の放熱性を向上させることができる。特に、
本実施形態では、発熱素子２４の熱が放熱部材としての
ヒートシンク２３を介して筐体１０へ熱伝導の形で放熱
されるため、より放熱性の向上が図れる。
【００５６】ここで、筐体１０と発熱素子２４との熱的
な接続は、ヒートシンク２３と筐体１０とを接触させる
ことで熱伝導という形を採らなくても、ヒートシンク２
３と筐体１０とを離して位置させることで熱放射（放射
伝熱）という形を採っても良い。この筐体１０と発熱素
子２４との熱的な接続が熱放射による場合の概略断面構
成を、本実施形態の第１変形例〜第６変形例としてそれ
ぞれ、図３〜図８に示す。
な接続は、ヒートシンク２３と筐体１０とを接触させる
ことで熱伝導という形を採らなくても、ヒートシンク２
３と筐体１０とを離して位置させることで熱放射（放射
伝熱）という形を採っても良い。この筐体１０と発熱素
子２４との熱的な接続が熱放射による場合の概略断面構
成を、本実施形態の第１変形例〜第６変形例としてそれ
ぞれ、図３〜図８に示す。
【００５７】図３〜図８に示す各実装構造では、筐体１
０の底面には、上記した突起部１３は形成されておら
ず、ヒートシンク２３の露出部と筐体１０とは離間して
いる。それにより、発熱素子２４の熱は、ヒートシンク
２３へ熱伝導により伝達され、ヒートシンク２３の下面
から熱放射により、回路基板４０の下面側の空間を介し
て筐体１０へ伝達されるという形で放熱される。
０の底面には、上記した突起部１３は形成されておら
ず、ヒートシンク２３の露出部と筐体１０とは離間して
いる。それにより、発熱素子２４の熱は、ヒートシンク
２３へ熱伝導により伝達され、ヒートシンク２３の下面
から熱放射により、回路基板４０の下面側の空間を介し
て筐体１０へ伝達されるという形で放熱される。
【００５８】これら図３〜図８に示す実装構造において
は、上記図２に示した熱伝導の場合よりも多少は放熱性
が劣ると考えられるものの、発熱素子２４の熱を、放熱
性の悪い回路基板４０を介さずに貫通穴４１を介して逃
すようにしているため、従来に比べて、発熱素子２４の
放熱性を向上させることができる。また、筐体１０に突
起部１３を形成する必要が無く、構成や製造工程の簡略
化という利点もある。
は、上記図２に示した熱伝導の場合よりも多少は放熱性
が劣ると考えられるものの、発熱素子２４の熱を、放熱
性の悪い回路基板４０を介さずに貫通穴４１を介して逃
すようにしているため、従来に比べて、発熱素子２４の
放熱性を向上させることができる。また、筐体１０に突
起部１３を形成する必要が無く、構成や製造工程の簡略
化という利点もある。
【００５９】これら図３〜図８に示す第１〜第６変形例
の実装構造は、上記図２の実装構造の組付方法に準じて
形成することができるが、ここで、図３〜図８の各例に
ついて、その他の特徴を述べておく。まず、図３に示す
第１変形例では、ヒートシンク２３を第１のヒートシン
ク２３ａのみからなる単層構造としたものである。
の実装構造は、上記図２の実装構造の組付方法に準じて
形成することができるが、ここで、図３〜図８の各例に
ついて、その他の特徴を述べておく。まず、図３に示す
第１変形例では、ヒートシンク２３を第１のヒートシン
ク２３ａのみからなる単層構造としたものである。
【００６０】図４に示す第２変形例では、上記第１変形
例（図３参照）に対して、回路基板４０の貫通穴４１を
ヒートシンク２３（第１のヒートシンク２３ａ）よりも
大きくしたものである。この場合、貫通穴４１を介した
ヒートシンク２３の筐体１０への露出度を大きくするこ
とができるため、放熱性の向上にとって有利である。
例（図３参照）に対して、回路基板４０の貫通穴４１を
ヒートシンク２３（第１のヒートシンク２３ａ）よりも
大きくしたものである。この場合、貫通穴４１を介した
ヒートシンク２３の筐体１０への露出度を大きくするこ
とができるため、放熱性の向上にとって有利である。
【００６１】図５に示す第３変形例では、上記第２変形
例（図４参照）に対して、樹脂２１によるヒートシンク
２３の封止形状を変えることで、貫通穴４１から露出す
るヒートシンク２３を回路基板４０の下面よりも筐体１
０側へ近くなるようにしたものである。この場合、ヒー
トシンク２３と筐体１０との間の距離をより近くするこ
とができるため、さらなる放熱性の向上が図れる。
例（図４参照）に対して、樹脂２１によるヒートシンク
２３の封止形状を変えることで、貫通穴４１から露出す
るヒートシンク２３を回路基板４０の下面よりも筐体１
０側へ近くなるようにしたものである。この場合、ヒー
トシンク２３と筐体１０との間の距離をより近くするこ
とができるため、さらなる放熱性の向上が図れる。
【００６２】図６に示す第４変形例では、上記第２変形
例（図４参照）に対して、ヒートシンク２３（第１のヒ
ートシンク２３ａ）を厚くして貫通穴４１を貫通させる
ことにより、貫通穴４１から露出するヒートシンク２３
を回路基板４０の下面よりも筐体１０側へ近くなるよう
にしたものである。この場合も、上記第３変形例（図５
参照）と同様の効果が発揮される。
例（図４参照）に対して、ヒートシンク２３（第１のヒ
ートシンク２３ａ）を厚くして貫通穴４１を貫通させる
ことにより、貫通穴４１から露出するヒートシンク２３
を回路基板４０の下面よりも筐体１０側へ近くなるよう
にしたものである。この場合も、上記第３変形例（図５
参照）と同様の効果が発揮される。
【００６３】図７に示す第５変形例では、上記第２変形
例（図４参照）に対して、ヒートシンク２３を第１のヒ
ートシンク２３ａと第２のヒートシンク２３ｂとの２層
にすることで、ヒートシンク２３を厚くして貫通穴４１
を貫通させることにより、上記第３変形例と同様の効果
が発揮されるようにしている。
例（図４参照）に対して、ヒートシンク２３を第１のヒ
ートシンク２３ａと第２のヒートシンク２３ｂとの２層
にすることで、ヒートシンク２３を厚くして貫通穴４１
を貫通させることにより、上記第３変形例と同様の効果
が発揮されるようにしている。
【００６４】なお、この第５変形例では、第２のヒート
シンク２３ｂの無い状態（第１のヒートシンク２３ａ単
層の状態）でモールド素子２０を回路基板４０に実装
し、この実装の後、第２のヒートシンク２３ｂを第１の
ヒートシンク２３ａに一体化させることができる。その
ため、上記第４変形例（図６参照）のように、厚くする
ことで大型化、重量化したヒートシンク２３を有するモ
ールド素子２０に比べて、組付工程等における取り扱い
が容易になる。
シンク２３ｂの無い状態（第１のヒートシンク２３ａ単
層の状態）でモールド素子２０を回路基板４０に実装
し、この実装の後、第２のヒートシンク２３ｂを第１の
ヒートシンク２３ａに一体化させることができる。その
ため、上記第４変形例（図６参照）のように、厚くする
ことで大型化、重量化したヒートシンク２３を有するモ
ールド素子２０に比べて、組付工程等における取り扱い
が容易になる。
【００６５】図８に示す第６変形例では、上記第５変形
例（図７参照）に対して、ヒートシンク２３における第
２のヒートシンク２３ｂを貫通穴４１よりも大きいもの
とし、この第２のヒートシンク２３ｂを回路基板４０の
下面に接着材６０を介して接着した構成としている。な
お、第２のヒートシンク２３ｂと回路基板４０とはねじ
止め等による固定でも良い。
例（図７参照）に対して、ヒートシンク２３における第
２のヒートシンク２３ｂを貫通穴４１よりも大きいもの
とし、この第２のヒートシンク２３ｂを回路基板４０の
下面に接着材６０を介して接着した構成としている。な
お、第２のヒートシンク２３ｂと回路基板４０とはねじ
止め等による固定でも良い。
【００６６】この第６変形例によれば、貫通穴４１を介
したヒートシンク２３の筐体１０への露出度を大きくす
ることができるとともに、ヒートシンク２３と筐体１０
との間の距離をより近くすることができるため、さらな
る放熱性の向上が図れる。
したヒートシンク２３の筐体１０への露出度を大きくす
ることができるとともに、ヒートシンク２３と筐体１０
との間の距離をより近くすることができるため、さらな
る放熱性の向上が図れる。
【００６７】また、これら熱放射による放熱形態より
も、上記図２に示したような熱伝導による放熱形態の方
が、放熱性の向上という点では有利と考えられるが、こ
の筐体１０と発熱素子２４との熱的な接続が熱伝導によ
る場合の変形例を、本実施形態の第７変形例〜第１２変
形例としてそれぞれ、図９〜図１４に示す。
も、上記図２に示したような熱伝導による放熱形態の方
が、放熱性の向上という点では有利と考えられるが、こ
の筐体１０と発熱素子２４との熱的な接続が熱伝導によ
る場合の変形例を、本実施形態の第７変形例〜第１２変
形例としてそれぞれ、図９〜図１４に示す。
【００６８】図９〜図１４に示す各実装構造では、上記
図２と同様、筐体１０とヒートシンク２３とが貫通穴４
１を介して接触しているため、発熱素子２４の熱は、ヒ
ートシンク２３から筐体１０へ熱伝導により伝達され、
良好な放熱がなされる。
図２と同様、筐体１０とヒートシンク２３とが貫通穴４
１を介して接触しているため、発熱素子２４の熱は、ヒ
ートシンク２３から筐体１０へ熱伝導により伝達され、
良好な放熱がなされる。
【００６９】ここで、図９に示す第７変形例では、第１
のヒートシンク２３ａ単層からなるヒートシンク２３を
厚くすることで、筐体１０に突起部１３を形成すること
無く、ヒートシンク２３と筐体１０との接触を実現して
いるため、構成や製造工程の簡略化という利点がある。
のヒートシンク２３ａ単層からなるヒートシンク２３を
厚くすることで、筐体１０に突起部１３を形成すること
無く、ヒートシンク２３と筐体１０との接触を実現して
いるため、構成や製造工程の簡略化という利点がある。
【００７０】また、第８変形例（図１０）、第９変形例
（図１１）、第１０変形例（図１２）、第１１変形例
（図１３）および第１２変形例（図１４）は、筐体１０
の底面に突起部１３を形成しているが、第８〜第１１変
形例の突起部１３は、例えばダイカストにより形成し、
第１２変形例の突起部１３は、例えばプレス加工により
形成することができる。
（図１１）、第１０変形例（図１２）、第１１変形例
（図１３）および第１２変形例（図１４）は、筐体１０
の底面に突起部１３を形成しているが、第８〜第１１変
形例の突起部１３は、例えばダイカストにより形成し、
第１２変形例の突起部１３は、例えばプレス加工により
形成することができる。
【００７１】そして、上記図２に示す例および図９〜図
１４に示す各変形例からわかるように、ヒートシンク２
３が貫通穴４１を貫通し筐体１０側へ伸張している構成
や、ヒートシンク２３側へ伸張している突起部１３が筐
体１０に形成されている構成を採用することにより、ヒ
ートシンク２３と筐体１０とが貫通穴４１を介して接触
する構成を、好適に実現することができる。
１４に示す各変形例からわかるように、ヒートシンク２
３が貫通穴４１を貫通し筐体１０側へ伸張している構成
や、ヒートシンク２３側へ伸張している突起部１３が筐
体１０に形成されている構成を採用することにより、ヒ
ートシンク２３と筐体１０とが貫通穴４１を介して接触
する構成を、好適に実現することができる。
【００７２】（他の実施形態）なお、回路基板４０に設
ける貫通穴４１は、丸穴、角穴等、形状は任意であり、
上記各図からわかるように、各例に適した大きさや形状
とすれば良い。ただし、電子部品２０が搭載可能なよう
に（回路基板４０から落ちないように）、貫通穴４１の
大きさや形状を選択することは勿論である。
ける貫通穴４１は、丸穴、角穴等、形状は任意であり、
上記各図からわかるように、各例に適した大きさや形状
とすれば良い。ただし、電子部品２０が搭載可能なよう
に（回路基板４０から落ちないように）、貫通穴４１の
大きさや形状を選択することは勿論である。
【００７３】また、モールド素子２０としては、少なく
とも発熱素子２４を有し、この発熱素子２４を樹脂２１
によりモールドしてなるものであれば良く、ヒートシン
クを有しないものであっても良い。
とも発熱素子２４を有し、この発熱素子２４を樹脂２１
によりモールドしてなるものであれば良く、ヒートシン
クを有しないものであっても良い。
【００７４】この場合、樹脂モールドされた発熱素子２
４の下の回路基板４０に貫通穴４１を設ければ、発熱素
子２４の熱を、放熱性の悪い回路基板４０ではなく貫通
穴４１を介して筐体１０へ逃すことが可能となる。ただ
し、発熱素子２４をヒートシンク２３に搭載した方が、
放熱部材としてのヒートシンクを介して放熱できるた
め、放熱の効率は良くなる。
４の下の回路基板４０に貫通穴４１を設ければ、発熱素
子２４の熱を、放熱性の悪い回路基板４０ではなく貫通
穴４１を介して筐体１０へ逃すことが可能となる。ただ
し、発熱素子２４をヒートシンク２３に搭載した方が、
放熱部材としてのヒートシンクを介して放熱できるた
め、放熱の効率は良くなる。
【００７５】また、回路基板４０は筐体１０に収納され
たものでなくても良い。この場合でも、発熱素子２４の
熱を、放熱性の悪い回路基板４０ではなく貫通穴４１を
介して外部へ逃すことが可能となるため、放熱性が向上
する。
たものでなくても良い。この場合でも、発熱素子２４の
熱を、放熱性の悪い回路基板４０ではなく貫通穴４１を
介して外部へ逃すことが可能となるため、放熱性が向上
する。
【００７６】また、発熱素子２４は、パワー素子として
のトランジスタ以外にも、発熱するものであれば何でも
良い。また、本発明の電子部品はモールド素子以外に
も、樹脂でモールドされていない発熱素子であっても良
い。
のトランジスタ以外にも、発熱するものであれば何でも
良い。また、本発明の電子部品はモールド素子以外に
も、樹脂でモールドされていない発熱素子であっても良
い。
【図１】本発明の実施形態に係る筐体およびその内部収
納部品の構成を示す一部切り欠き斜視図である。
納部品の構成を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】上記実施形態に係る電子部品の実装構造を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】上記実施形態の第１変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図４】上記実施形態の第２変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図５】上記実施形態の第３変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図６】上記実施形態の第４変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図７】上記実施形態の第５変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図８】上記実施形態の第６変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図９】上記実施形態の第７変形例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図１０】上記実施形態の第８変形例を示す概略断面図
である。
である。
【図１１】上記実施形態の第９変形例を示す概略断面図
である。
である。
【図１２】上記実施形態の第１０変形例を示す概略断面
図である。
図である。
【図１３】上記実施形態の第１１変形例を示す概略断面
図である。
図である。
【図１４】上記実施形態の第１２変形例を示す概略断面
図である。
図である。
【図１５】従来の一般的な電子部品の実装構造を示す概
略断面図である。
略断面図である。
１０…筐体、１３…突起部、２０モールド素子（電子部
品）、２１…樹脂、２３…ヒートシンク、２４…発熱素
子、４０…回路基板、４１…貫通穴。
品）、２１…樹脂、２３…ヒートシンク、２４…発熱素
子、４０…回路基板、４１…貫通穴。
Claims (10)
- 【請求項１】 発熱素子（２４）を含む電子部品（２
０）を回路基板（４０）の上に実装してなる電子部品の
実装構造において、 前記回路基板のうち前記発熱素子の下方に位置する部位
に、前記回路基板を貫通する貫通穴（４１）が設けられ
ていることを特徴とする電子部品の実装構造。 - 【請求項２】 前記回路基板（４０）は筐体（１０）に
収納されており、 前記筐体と前記発熱素子（２４）とが前記貫通穴（４
１）を介して熱的に接続されていることを特徴とする請
求項１に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項３】 前記電子部品（２０）において、前記発
熱素子（２４）と前記貫通穴（４１）との間にはヒート
シンク（２３）が介在されていることを特徴とする請求
項２に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項４】 前記ヒートシンク（２３）と前記筐体
（１０）とが前記貫通穴（４１）を介して接触している
ことを特徴とする請求項３に記載の電子部品の実装構
造。 - 【請求項５】 前記ヒートシンク（２３）が前記貫通穴
（４１）を貫通し、前記筐体（１０）側へ伸張している
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装構
造。 - 【請求項６】 前記筐体（１０）には、前記ヒートシン
ク（２３）側へ伸張している突起部（１３）が形成され
ていることを特徴とする請求項４または５に記載の電子
部品の実装構造。 - 【請求項７】 発熱素子（２４）を樹脂（２１）により
モールドしてなるモールド素子（２０）と、 前記モールド素子を搭載する回路基板（４０）と、 前記回路基板を収納する筐体（１０）とを有し、 前記回路基板には貫通穴（４１）が形成されており、こ
の貫通穴を介して前記モールド素子と前記筐体とが熱伝
達可能となっていることを特徴とする電子部品の実装構
造。 - 【請求項８】 前記モールド素子（２０）は、前記発熱
素子（２４）をヒートシンク（２３）に搭載し、このヒ
ートシンクの一部を露出させた状態で前記発熱素子およ
び前記ヒートシンクを前記樹脂（２１）にてモールドし
てなるものであり、 前記ヒートシンクの露出部と前記筐体（１０）とが前記
貫通穴（４１）を介して接触していることを特徴とする
請求項７に記載の電子部品の実装構造。 - 【請求項９】 前記ヒートシンク（２３）の露出部が前
記貫通穴（４１）を貫通し、前記筐体（１０）側へ伸張
していることを特徴とする請求項８に記載の電子部品の
実装構造。 - 【請求項１０】 前記筐体（１０）には、前記ヒートシ
ンク（２３）の露出部側へ伸張している突起部（１３）
が形成されていることを特徴とする請求項８または９に
記載の電子部品の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308904A JP2003115681A (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 電子部品の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308904A JP2003115681A (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 電子部品の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115681A true JP2003115681A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19128142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001308904A Pending JP2003115681A (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 電子部品の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115681A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7230320B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device with reduced breaking and cracking |
| DE102009031388A1 (de) | 2008-11-20 | 2010-06-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Elektronische Trägervorrichtung |
| JP2010205863A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 車載用電子制御装置 |
| WO2010146652A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
| JP2011159702A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2011121779A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 富士通株式会社 | マルチチップモジュール、プリント配線基板ユニット、マルチチップモジュールの製造方法およびプリント配線基板ユニットの製造方法 |
| JP2012216871A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-11-08 | Daikin Ind Ltd | 電装品ユニット |
| CN103167787A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 陈夏新 | 电动车辆控制器以及包含所述电动车辆控制器的车辆 |
| JP2013123011A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Denso Corp | 電子装置 |
| CN103841804A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 李尔公司 | 用于在电动交通工具（ev）或混合动力电动交通工具（hev）中使用的冷却板 |
| JP2015502053A (ja) * | 2011-12-15 | 2015-01-19 | ヴァレオ システム ドゥ コントロール モトゥール | 少なくとも１つの電子部品及び全体的又は部分的に金属である放熱器の間の熱伝導性及び電気絶縁性の結合 |
| DE102014201032A1 (de) | 2014-01-21 | 2015-07-23 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektrisches Steuergerät, Getriebe mit einem elektrischen Steuergerät und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Steuergeräts |
| JP2017505991A (ja) * | 2014-01-13 | 2017-02-23 | アウト カーベル マネージメントゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プリント回路基板、回路、及び回路を製造するための方法 |
| JP2018142565A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
| JP2019169602A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03155197A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Fujitsu Ltd | 回路モジュールの実装方法 |
| JPH0955459A (ja) * | 1995-06-06 | 1997-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH09213848A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Sony Corp | 電子部品のヒートシンク |
| JPH1174439A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 樹脂モールドパッケージ |
| JPH11150216A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体部品及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-10-04 JP JP2001308904A patent/JP2003115681A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03155197A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Fujitsu Ltd | 回路モジュールの実装方法 |
| JPH0955459A (ja) * | 1995-06-06 | 1997-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH09213848A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Sony Corp | 電子部品のヒートシンク |
| JPH1174439A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 樹脂モールドパッケージ |
| JPH11150216A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体部品及びその製造方法 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7230320B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device with reduced breaking and cracking |
| DE102009031388A1 (de) | 2008-11-20 | 2010-06-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Elektronische Trägervorrichtung |
| US8014152B2 (en) | 2008-11-20 | 2011-09-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Electronic substrate device |
| US8284556B2 (en) | 2008-11-20 | 2012-10-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Electronic substrate device |
| JP2010205863A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 車載用電子制御装置 |
| JP5218657B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2013-06-26 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
| WO2010146652A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
| US9507108B2 (en) | 2009-06-15 | 2016-11-29 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical module |
| JP2011159702A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2011121779A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 富士通株式会社 | マルチチップモジュール、プリント配線基板ユニット、マルチチップモジュールの製造方法およびプリント配線基板ユニットの製造方法 |
| JPWO2011121779A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-07-04 | 富士通株式会社 | マルチチップモジュール、プリント配線基板ユニット、マルチチップモジュールの製造方法およびプリント配線基板ユニットの製造方法 |
| JP2013123011A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2015502053A (ja) * | 2011-12-15 | 2015-01-19 | ヴァレオ システム ドゥ コントロール モトゥール | 少なくとも１つの電子部品及び全体的又は部分的に金属である放熱器の間の熱伝導性及び電気絶縁性の結合 |
| JP2012216871A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-11-08 | Daikin Ind Ltd | 電装品ユニット |
| CN103841804A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 李尔公司 | 用于在电动交通工具（ev）或混合动力电动交通工具（hev）中使用的冷却板 |
| CN103167787A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 陈夏新 | 电动车辆控制器以及包含所述电动车辆控制器的车辆 |
| JP2017505991A (ja) * | 2014-01-13 | 2017-02-23 | アウト カーベル マネージメントゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プリント回路基板、回路、及び回路を製造するための方法 |
| DE102014201032A1 (de) | 2014-01-21 | 2015-07-23 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektrisches Steuergerät, Getriebe mit einem elektrischen Steuergerät und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Steuergeräts |
| JP2018142565A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
| JP2019169602A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| JP7001960B2 (ja) | 2018-03-23 | 2022-01-20 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
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