JP2003060131A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はレジスト表面保護を行ったインター
ポーザを使用した樹脂封止型の半導体装置及びその製造
方法に関し、封止樹脂の成形不良の発生を低減させるこ
とを課題とする。 【解決手段】 金型３５を用いて、インターポーザ２３
の素子搭載面３２上に搭載された半導体素子２２を覆う
よう封止樹脂２４を形成する工程を有する半導体装置の
製造方法において、インターポーザ２３の素子搭載面３
２に外周縁２３ａまで達する凹部４０を形成しておき、
この凹部４０が金型３５に形成された上型キャビティ３
６Ａと連通するようインターポーザ２３を金型３５内に
装着し、この凹部４０をエアーベントとして用いて封止
樹脂２４を形成する。
ポーザを使用した樹脂封止型の半導体装置及びその製造
方法に関し、封止樹脂の成形不良の発生を低減させるこ
とを課題とする。 【解決手段】 金型３５を用いて、インターポーザ２３
の素子搭載面３２上に搭載された半導体素子２２を覆う
よう封止樹脂２４を形成する工程を有する半導体装置の
製造方法において、インターポーザ２３の素子搭載面３
２に外周縁２３ａまで達する凹部４０を形成しておき、
この凹部４０が金型３５に形成された上型キャビティ３
６Ａと連通するようインターポーザ２３を金型３５内に
装着し、この凹部４０をエアーベントとして用いて封止
樹脂２４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特にレジスト表面保護を行ったインタ
ーポーザを使用した樹脂封止型の半導体装置及びその製
造方法に関する。
製造方法に係り、特にレジスト表面保護を行ったインタ
ーポーザを使用した樹脂封止型の半導体装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の薄型化は急激な勢いで
進んでいる。従って、半導体素子を封止する封止樹脂に
ついても薄型化を図る必要がある。そこで、薄型化され
ても確実に高い信頼性を持って封止樹脂を形成する技術
が望まれている。
進んでいる。従って、半導体素子を封止する封止樹脂に
ついても薄型化を図る必要がある。そこで、薄型化され
ても確実に高い信頼性を持って封止樹脂を形成する技術
が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図１乃至図３は、従来の半導体装置１を
示している。図１は半導体装置１の断面図であり、図２
は半導体装置１の封止樹脂４を取り除いた状態の底面図
であり、更に図３は半導体装置１のインターポーザ３を
拡大して示す平面図である。
示している。図１は半導体装置１の断面図であり、図２
は半導体装置１の封止樹脂４を取り除いた状態の底面図
であり、更に図３は半導体装置１のインターポーザ３を
拡大して示す平面図である。
【０００４】半導体装置１は、大略すると半導体素子
２，インターポーザ３，封止樹脂４，及びハンダボール
５等により構成されている。半導体素子２は、インター
ポーザ３の中央に接合材を用いて固定されている。
２，インターポーザ３，封止樹脂４，及びハンダボール
５等により構成されている。半導体素子２は、インター
ポーザ３の中央に接合材を用いて固定されている。
【０００５】インターポーザ３は、基材６，レジスト
７，及び配線８等により構成されている。基材６の半導
体素子２が搭載される面１２（以下、素子搭載面１２と
いう）には配線８が形成されており、この配線８の外側
端部にはハンダボール５が接合されるパッド部９が一体
的に形成されている。
７，及び配線８等により構成されている。基材６の半導
体素子２が搭載される面１２（以下、素子搭載面１２と
いう）には配線８が形成されており、この配線８の外側
端部にはハンダボール５が接合されるパッド部９が一体
的に形成されている。
【０００６】また、配線８の内側位置は、半導体素子２
に形成された電極パッド１１とワイヤ１０を用いて電気
的に接続される。これにより、半導体素子２は配線８，
パッド部９を介してハンダボール５と電気的に接続され
る。
に形成された電極パッド１１とワイヤ１０を用いて電気
的に接続される。これにより、半導体素子２は配線８，
パッド部９を介してハンダボール５と電気的に接続され
る。
【０００７】レジスト７は絶縁性の樹脂膜であり、隣接
する配線８を電気的に絶縁する機能を奏するものであ
る。このレジスト７は、図２及び図３に示すように基材
６の素子搭載面１２に配設されている。この際、レジス
ト７は封止樹脂４の形成位置を除いて配設される。これ
は、封止樹脂４とレジスト７は接合性が悪いため、封止
樹脂４を基材６に接合させた方がレジスト７に接合させ
た場合に比べて接合強度が高くなり、信頼性の向上が図
れるためである。
する配線８を電気的に絶縁する機能を奏するものであ
る。このレジスト７は、図２及び図３に示すように基材
６の素子搭載面１２に配設されている。この際、レジス
ト７は封止樹脂４の形成位置を除いて配設される。これ
は、封止樹脂４とレジスト７は接合性が悪いため、封止
樹脂４を基材６に接合させた方がレジスト７に接合させ
た場合に比べて接合強度が高くなり、信頼性の向上が図
れるためである。
【０００８】封止樹脂４は、後述するように金型１５を
用いてモールド成型される。この封止樹脂４は半導体素
子２，ワイヤ１０，及び配線８の所定範囲を覆うよう形
成され、これによりこれらの構成要素２，８，１０を保
護する。また、外部接続端子として機能するハンダボー
ル５は、レジスト７から露出した配線８のパッド部９に
接合される。
用いてモールド成型される。この封止樹脂４は半導体素
子２，ワイヤ１０，及び配線８の所定範囲を覆うよう形
成され、これによりこれらの構成要素２，８，１０を保
護する。また、外部接続端子として機能するハンダボー
ル５は、レジスト７から露出した配線８のパッド部９に
接合される。
【０００９】図４は、上記構成とされた半導体装置１の
製造方法の内、封止樹脂４を形成する工程を説明するた
めの図である。金型１５は、上型１５Ａと下型１５Ｂと
により構成されている。上型１５Ａには封止樹脂４の形
状に対応した上型キャビティ１６Ａが、また下型１５Ｂ
にはインターポーザ３を装着するための下型キャビティ
１６Ｂが形成されている。
製造方法の内、封止樹脂４を形成する工程を説明するた
めの図である。金型１５は、上型１５Ａと下型１５Ｂと
により構成されている。上型１５Ａには封止樹脂４の形
状に対応した上型キャビティ１６Ａが、また下型１５Ｂ
にはインターポーザ３を装着するための下型キャビティ
１６Ｂが形成されている。
【００１０】半導体素子２が搭載されると共にワイヤ１
０が配設されたインターポーザ３は、この金型１５に装
着される。この装着状態において、インターポーザ３は
上型１５Ａと下型１５Ｂとの間でクランプされる。ま
た、このクランプ位置は、インターポーザ３上でレジス
ト７が形成された位置である。これは、配線８（パッド
部９）の形成位置で金型１５をクランプさせると、配線
８（パッド部９）に傷が付くおそれがあるからである。
０が配設されたインターポーザ３は、この金型１５に装
着される。この装着状態において、インターポーザ３は
上型１５Ａと下型１５Ｂとの間でクランプされる。ま
た、このクランプ位置は、インターポーザ３上でレジス
ト７が形成された位置である。これは、配線８（パッド
部９）の形成位置で金型１５をクランプさせると、配線
８（パッド部９）に傷が付くおそれがあるからである。
【００１１】上記のようにインターポーザ３が金型１５
内に装着されると、封止樹脂４となる樹脂１７がゲート
１３からキャビティ１６Ａ，１６Ｂ内に注入され、これ
により封止樹脂４が形成される。
内に装着されると、封止樹脂４となる樹脂１７がゲート
１３からキャビティ１６Ａ，１６Ｂ内に注入され、これ
により封止樹脂４が形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置１では、レジスト７がインターポーザ３の外
周全体を覆うように配設されていたため、インターポー
ザ３を上型１５Ａと下型１５Ｂとの間でクランプした
際、ゲート１３を除き上型キャビティ１６Ａは密封され
てしまう（図４参照）。このため、樹脂１７の封止時に
金型１５内部のエアーが抜けきれず、樹脂１７が完全に
充填されず封止樹脂４に外形不良が発生するおそれがあ
るという問題点があった。
半導体装置１では、レジスト７がインターポーザ３の外
周全体を覆うように配設されていたため、インターポー
ザ３を上型１５Ａと下型１５Ｂとの間でクランプした
際、ゲート１３を除き上型キャビティ１６Ａは密封され
てしまう（図４参照）。このため、樹脂１７の封止時に
金型１５内部のエアーが抜けきれず、樹脂１７が完全に
充填されず封止樹脂４に外形不良が発生するおそれがあ
るという問題点があった。
【００１３】この問題点を解決する手法として、金型１
５にエアー抜きのためのエアーベント１９を形成するこ
とが考えられる。しかしながら、樹脂漏れを考慮すると
エアーベント１９を有効に機能させることができない。
５にエアー抜きのためのエアーベント１９を形成するこ
とが考えられる。しかしながら、樹脂漏れを考慮すると
エアーベント１９を有効に機能させることができない。
【００１４】即ち，ハンダボール５が接合されるパッド
部９は、封止樹脂４のモールド時に樹脂漏れが発生して
覆われるとハンダボール５の接合ができなくなるため、
樹脂漏れの発生を抑制する必要がある。このため、上型
１５Ａの上型キャビティ１６Ａにフィルム状の漏洩防止
用シート１８を配設した上で封止樹脂４を形成すること
が行なわれている。
部９は、封止樹脂４のモールド時に樹脂漏れが発生して
覆われるとハンダボール５の接合ができなくなるため、
樹脂漏れの発生を抑制する必要がある。このため、上型
１５Ａの上型キャビティ１６Ａにフィルム状の漏洩防止
用シート１８を配設した上で封止樹脂４を形成すること
が行なわれている。
【００１５】しかしながら、このように上型キャビティ
１６Ａに漏洩防止用シート１８を配設すると、エアー抜
きを行なうために金型１５にエアーベント１９を設けて
も、このエアーベント１９は漏洩防止用シート１８で塞
がれてしまう。このため、金型１５にエアーベント１９
を設けてもこれを有効に機能させることができず、また
エアーベント１９を有効に機能させようとすると樹脂漏
れが発生しハンダボール５の接合不良が発生するという
問題点があった。
１６Ａに漏洩防止用シート１８を配設すると、エアー抜
きを行なうために金型１５にエアーベント１９を設けて
も、このエアーベント１９は漏洩防止用シート１８で塞
がれてしまう。このため、金型１５にエアーベント１９
を設けてもこれを有効に機能させることができず、また
エアーベント１９を有効に機能させようとすると樹脂漏
れが発生しハンダボール５の接合不良が発生するという
問題点があった。
【００１６】本発明は上記の点を鑑みてなされたもので
あり、金型内に存在するエアーを効率良く排出すること
で封止樹脂の成形不良の発生低減を図った半導体装置及
びその製造方法を提供する事を目的とする。
あり、金型内に存在するエアーを効率良く排出すること
で封止樹脂の成形不良の発生低減を図った半導体装置及
びその製造方法を提供する事を目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１８】請求項１記載の発明は、半導体素子と、外
部接続端子と、前記半導体素子及び前記外部接続端子が
設けられると共に、前記半導体素子と前記外部接続端子
とを電気的に接続するインターポーザと、該インターポ
ーザの半導体素子搭載面に配設され、前記半導体素子を
保護する封止樹脂とを有する半導体装置において、前記
インターポーザの前記半導体素子搭載面に外周縁まで達
する凹部を形成すると共に、該凹部内に前記封止樹脂の
一部が一体的に形成される構成としたことを特徴とする
ものである。
部接続端子と、前記半導体素子及び前記外部接続端子が
設けられると共に、前記半導体素子と前記外部接続端子
とを電気的に接続するインターポーザと、該インターポ
ーザの半導体素子搭載面に配設され、前記半導体素子を
保護する封止樹脂とを有する半導体装置において、前記
インターポーザの前記半導体素子搭載面に外周縁まで達
する凹部を形成すると共に、該凹部内に前記封止樹脂の
一部が一体的に形成される構成としたことを特徴とする
ものである。
【００１９】上記発明によれば、封止樹脂の一部がイン
ターポーザの半導体素子搭載面に形成された凹部内に一
体的に形成されているため、封止樹脂の凹部内に形成さ
れた部分はアンカー効果を奏し、封止樹脂がインターポ
ーザから離脱してしまうことを防止できる。
ターポーザの半導体素子搭載面に形成された凹部内に一
体的に形成されているため、封止樹脂の凹部内に形成さ
れた部分はアンカー効果を奏し、封止樹脂がインターポ
ーザから離脱してしまうことを防止できる。
【００２０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置において、前記インターポーザは前記半
導体素子搭載面にレジストが配設されており、前記凹部
は該レジストを除去することにより形成された構成であ
ることを特徴とするものである。
載の半導体装置において、前記インターポーザは前記半
導体素子搭載面にレジストが配設されており、前記凹部
は該レジストを除去することにより形成された構成であ
ることを特徴とするものである。
【００２１】上記発明によれば、凹部はインターポーザ
の半導体素子搭載面に形成されたレジストを除去するこ
とより形成されるため、容易に形成することができる。
また、封止樹脂は凹部にレジストが存在しないため、直
接インターポーザの基材に接合することとなり、接合強
度を増大させることができる。
の半導体素子搭載面に形成されたレジストを除去するこ
とより形成されるため、容易に形成することができる。
また、封止樹脂は凹部にレジストが存在しないため、直
接インターポーザの基材に接合することとなり、接合強
度を増大させることができる。
【００２２】また、請求項３記載の発明は、金型を用い
て、インターポーザの半導体素子搭載面上に搭載された
半導体素子を覆うよう封止樹脂を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法において、前記インターポーザの
前記半導体素子搭載面に外周縁まで達する凹部を形成す
る凹部工程と、前記凹部が前記金型に形成されたキャビ
ティと連通するよう前記インターポーザを前記金型内に
装着し、前記凹部をエアーベントとして用いて前記封止
樹脂を形成する樹脂形成工程とを有することを特徴とす
るものである。
て、インターポーザの半導体素子搭載面上に搭載された
半導体素子を覆うよう封止樹脂を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法において、前記インターポーザの
前記半導体素子搭載面に外周縁まで達する凹部を形成す
る凹部工程と、前記凹部が前記金型に形成されたキャビ
ティと連通するよう前記インターポーザを前記金型内に
装着し、前記凹部をエアーベントとして用いて前記封止
樹脂を形成する樹脂形成工程とを有することを特徴とす
るものである。
【００２３】上記発明によれば、金型側ではなく、封止
樹脂が形成されるインターポーザ側にエアーベントとし
て機能する凹部を形成しているため、樹脂のモールド時
において、凹部を介してキャビティ内の空気を確実にキ
ャビティの外部に排出することができる。よって、形成
される封止樹脂に変形が発生することを防止できると共
に、封止樹脂内にボイドが発生することを防止すること
ができる。
樹脂が形成されるインターポーザ側にエアーベントとし
て機能する凹部を形成しているため、樹脂のモールド時
において、凹部を介してキャビティ内の空気を確実にキ
ャビティの外部に排出することができる。よって、形成
される封止樹脂に変形が発生することを防止できると共
に、封止樹脂内にボイドが発生することを防止すること
ができる。
【００２４】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置の製造方法において、前記凹部形成工程
で前記凹部を形成する際、予め前記インターポーザの基
材にレジストを形成しておき、該レジストを押し潰すこ
とにより前記凹部を形成することを特徴とするものであ
る。
載の半導体装置の製造方法において、前記凹部形成工程
で前記凹部を形成する際、予め前記インターポーザの基
材にレジストを形成しておき、該レジストを押し潰すこ
とにより前記凹部を形成することを特徴とするものであ
る。
【００２５】また、請求項５記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置の製造方法において、前記凹部形成工程
で前記凹部を形成する際、予め前記インターポーザの基
材にレジストを形成しておき、該レジストを除去するこ
とにより前記凹部を形成することを特徴とするものであ
る。
載の半導体装置の製造方法において、前記凹部形成工程
で前記凹部を形成する際、予め前記インターポーザの基
材にレジストを形成しておき、該レジストを除去するこ
とにより前記凹部を形成することを特徴とするものであ
る。
【００２６】上記の請求項４及び請求項５記載の発明に
よれば、レジストを押し潰すことにより、或いはレジス
トを除去することにより凹部を形成するため、容易かつ
確実に凹部を形成することができる。
よれば、レジストを押し潰すことにより、或いはレジス
トを除去することにより凹部を形成するため、容易かつ
確実に凹部を形成することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
て図面と共に説明する。
【００２８】図５及び図７は、本発明の一実施例である
半導体装置２０を示している。図５は半導体装置２０の
断面図であり、図６は半導体素子２２の封止樹脂２４を
取り除いた状態の底面図である。また、図７（Ａ）は半
導体装置２０のインターポーザ２３の側面図であり、図
７（Ｂ）はインターポーザ２３の平面図である。
半導体装置２０を示している。図５は半導体装置２０の
断面図であり、図６は半導体素子２２の封止樹脂２４を
取り除いた状態の底面図である。また、図７（Ａ）は半
導体装置２０のインターポーザ２３の側面図であり、図
７（Ｂ）はインターポーザ２３の平面図である。
【００２９】半導体装置２０はいわゆるＢＧＡ(Ball Gr
id Array)タイプの装置であり、後述するように半導体
素子２２が封止樹脂２４により封止される構造のもので
ある。この半導体装置２０は、大略すると半導体素子２
２，インターポーザ２３，封止樹脂２４，及びハンダボ
ール２５等により構成されている。
id Array)タイプの装置であり、後述するように半導体
素子２２が封止樹脂２４により封止される構造のもので
ある。この半導体装置２０は、大略すると半導体素子２
２，インターポーザ２３，封止樹脂２４，及びハンダボ
ール２５等により構成されている。
【００３０】半導体素子２２は、インターポーザ２３の
素子搭載面３２の中央に、ダイ付け材等の接合材（図示
せず）を用いて搭載される。この半導体素子２２の回路
形成面（図５における下面）には、複数の電極パッド３
１が形成されている。
素子搭載面３２の中央に、ダイ付け材等の接合材（図示
せず）を用いて搭載される。この半導体素子２２の回路
形成面（図５における下面）には、複数の電極パッド３
１が形成されている。
【００３１】インターポーザ２３は、基材２６，レジス
ト２７，及び配線２８等により構成されている。基材２
６は、例えばガラス−エポキシ製の回路基板であり、半
導体素子２２が搭載される面１２（以下、素子搭載面３
２という）には配線２８が形成されている。
ト２７，及び配線２８等により構成されている。基材２
６は、例えばガラス−エポキシ製の回路基板であり、半
導体素子２２が搭載される面１２（以下、素子搭載面３
２という）には配線２８が形成されている。
【００３２】この配線２８は銅膜により構成されてお
り、例えばメッキ法を用いて所定の形状にパターニング
されている。このパターニングの際、配線２８の外側端
部にはパッド部２９が一体的に形成される。このパッド
部２９には、ハンダボール２５が接合される。また配線
２８の内側位置は、半導体素子２２の電極パッド３１と
ワイヤ３０を用いて電気的に接続される。よって、半導
体素子２２は、配線２８，パッド部２９を介してハンダ
ボール２５と電気的に接続される。
り、例えばメッキ法を用いて所定の形状にパターニング
されている。このパターニングの際、配線２８の外側端
部にはパッド部２９が一体的に形成される。このパッド
部２９には、ハンダボール２５が接合される。また配線
２８の内側位置は、半導体素子２２の電極パッド３１と
ワイヤ３０を用いて電気的に接続される。よって、半導
体素子２２は、配線２８，パッド部２９を介してハンダ
ボール２５と電気的に接続される。
【００３３】レジスト２７は絶縁性の樹脂膜であり、隣
接する配線２８を電気的に絶縁する機能を奏するもので
ある。このレジスト２７は、図６及び図７に示すように
基材２６の素子搭載面１２に枠状に配設されている。
接する配線２８を電気的に絶縁する機能を奏するもので
ある。このレジスト２７は、図６及び図７に示すように
基材２６の素子搭載面１２に枠状に配設されている。
【００３４】この際、レジスト２７は封止樹脂２４の形
成位置を除いて配設される。これは、封止樹脂２４とレ
ジスト２７は接合性が悪いため、封止樹脂２４を基材２
６に接合させた方がレジスト２７に接合させた場合に比
べて接合強度が高くなり、信頼性の向上が図れるためで
ある。
成位置を除いて配設される。これは、封止樹脂２４とレ
ジスト２７は接合性が悪いため、封止樹脂２４を基材２
６に接合させた方がレジスト２７に接合させた場合に比
べて接合強度が高くなり、信頼性の向上が図れるためで
ある。
【００３５】更に本実施例では、インターポーザ２３の
素子搭載面３２に外周縁２３ａまで達する凹部４０を形
成した構成としている。本実施例では、この基材２６に
枠状に形成されたレジスト２７の一部を除去することに
より凹部４０を形成している。従って、凹部４０では基
材２６が露出された状態となり、また凹部４０の深さは
レジスト２７の厚さと等しくなる（図７（Ａ）参照）。
素子搭載面３２に外周縁２３ａまで達する凹部４０を形
成した構成としている。本実施例では、この基材２６に
枠状に形成されたレジスト２７の一部を除去することに
より凹部４０を形成している。従って、凹部４０では基
材２６が露出された状態となり、また凹部４０の深さは
レジスト２７の厚さと等しくなる（図７（Ａ）参照）。
【００３６】このように、本実施例ではインターポーザ
２３に形成されたレジスト２７を除去することより凹部
４０を形成することとしており、またレジスト２７は前
記のように絶縁性樹脂を基材２６上に配設（塗布）した
構成であるため、簡単に除去できる。よって、凹部４０
の形成は、容易に行なうことができる。
２３に形成されたレジスト２７を除去することより凹部
４０を形成することとしており、またレジスト２７は前
記のように絶縁性樹脂を基材２６上に配設（塗布）した
構成であるため、簡単に除去できる。よって、凹部４０
の形成は、容易に行なうことができる。
【００３７】更に、図５に示されるように、この凹部４
０には封止樹脂２４の一部が一体的に形成された構成と
なっている。これにより、従来に比べて封止樹脂２４が
基材２６と接する面積を増大させることができる。ま
た、封止樹脂２４の一部は凹部４０内に埋め込まれた状
態で形成される。
０には封止樹脂２４の一部が一体的に形成された構成と
なっている。これにより、従来に比べて封止樹脂２４が
基材２６と接する面積を増大させることができる。ま
た、封止樹脂２４の一部は凹部４０内に埋め込まれた状
態で形成される。
【００３８】従って、封止樹脂２４の凹部４０内に形成
された部分はアンカー効果を奏し（以下、封止樹脂２４
の凹部４０内に形成された部分をアンカー部４１とい
う）、封止樹脂２４がインターポーザ２３から離脱する
ことを防止することができる。この際、前記のように凹
部４０の形成位置にはレジスト２７が存在しないため、
封止樹脂２４は直接インターポーザ２３の基材２６と接
合する。基材２６と封止樹脂２４との接合強度は高いた
め、これによっても封止樹脂２４がインターポーザ２３
から離脱することを防止することができる。
された部分はアンカー効果を奏し（以下、封止樹脂２４
の凹部４０内に形成された部分をアンカー部４１とい
う）、封止樹脂２４がインターポーザ２３から離脱する
ことを防止することができる。この際、前記のように凹
部４０の形成位置にはレジスト２７が存在しないため、
封止樹脂２４は直接インターポーザ２３の基材２６と接
合する。基材２６と封止樹脂２４との接合強度は高いた
め、これによっても封止樹脂２４がインターポーザ２３
から離脱することを防止することができる。
【００３９】一方、封止樹脂２４は、後述するように金
型３５を用いてモールド成型される。この封止樹脂２４
は半導体素子２２，ワイヤ３０，及び配線２８の所定範
囲を覆うよう形成され、これによりこれらの構成要素２
２，２８，３０を保護する。また、外部接続端子として
機能するハンダボール２５は、レジスト２７から露出し
た配線２８のパッド部２９に接合される。
型３５を用いてモールド成型される。この封止樹脂２４
は半導体素子２２，ワイヤ３０，及び配線２８の所定範
囲を覆うよう形成され、これによりこれらの構成要素２
２，２８，３０を保護する。また、外部接続端子として
機能するハンダボール２５は、レジスト２７から露出し
た配線２８のパッド部２９に接合される。
【００４０】本実施例では、図５に示すように、ハンダ
ボール２５はインターポーザ２３の素子搭載面３２に配
設される。即ち、ハンダボール２５は、インターポーザ
２３の封止樹脂２４が形成される側の面に形成される。
ボール２５はインターポーザ２３の素子搭載面３２に配
設される。即ち、ハンダボール２５は、インターポーザ
２３の封止樹脂２４が形成される側の面に形成される。
【００４１】このため、ハンダボール２５の直径に対
し、封止樹脂２４の高さは低くなるよう構成されてい
る。これにより、半導体装置２０を実装基板（図示せ
ず）に実装する際、封止樹脂２４が実装基板に接する前
にハンダボール２５が実装基板に接することとなり、ハ
ンダボール２５を素子搭載面３２に配設しても、半導体
装置２０を実装することが可能となる。また、ハンダボ
ール２５をインターポーザ２３の素子搭載面３２に配設
することにより、素子搭載面３２の反対側の面にハンダ
ボール２５を配設する構成にくらべ、半導体装置２０の
薄型化を図ることができる。
し、封止樹脂２４の高さは低くなるよう構成されてい
る。これにより、半導体装置２０を実装基板（図示せ
ず）に実装する際、封止樹脂２４が実装基板に接する前
にハンダボール２５が実装基板に接することとなり、ハ
ンダボール２５を素子搭載面３２に配設しても、半導体
装置２０を実装することが可能となる。また、ハンダボ
ール２５をインターポーザ２３の素子搭載面３２に配設
することにより、素子搭載面３２の反対側の面にハンダ
ボール２５を配設する構成にくらべ、半導体装置２０の
薄型化を図ることができる。
【００４２】続いて、上記構成とさたれ半導体装置２０
の製造方法について説明する。尚、本実施例における半
導体装置２０の製造方法は、封止樹脂２４を形成する工
程に特徴を有し、他の製造工程は周知の方法を用いてい
る。このため、以下の説明では、封止樹脂２４を形成す
る工程についてのみ説明し、他の製造工程の説明は省略
するものとする。
の製造方法について説明する。尚、本実施例における半
導体装置２０の製造方法は、封止樹脂２４を形成する工
程に特徴を有し、他の製造工程は周知の方法を用いてい
る。このため、以下の説明では、封止樹脂２４を形成す
る工程についてのみ説明し、他の製造工程の説明は省略
するものとする。
【００４３】図８は、上記構成とされた半導体装置２０
の製造方法の内、封止樹脂２４を形成する工程を説明す
るための図である。金型３５は、上型３５Ａと下型３５
Ｂとにより構成されている。上型３５Ａには封止樹脂２
４の形状に対応した上型キャビティ３６Ａが、また下型
３５Ｂにはインターポーザ２３を装着するための下型キ
ャビティ３６Ｂが形成されている。また、本実施例で用
いる金型３５は、従来の金型１５（図４参照）と異なり
エアーベント１９は形成されていない。このため、エア
ーベント１９を形成しない分だけ金型３５の低コスト化
が図られている。
の製造方法の内、封止樹脂２４を形成する工程を説明す
るための図である。金型３５は、上型３５Ａと下型３５
Ｂとにより構成されている。上型３５Ａには封止樹脂２
４の形状に対応した上型キャビティ３６Ａが、また下型
３５Ｂにはインターポーザ２３を装着するための下型キ
ャビティ３６Ｂが形成されている。また、本実施例で用
いる金型３５は、従来の金型１５（図４参照）と異なり
エアーベント１９は形成されていない。このため、エア
ーベント１９を形成しない分だけ金型３５の低コスト化
が図られている。
【００４４】インターポーザ２３には、予め凹部４０が
形成される。この凹部４０の形成は、例えばレーザー加
工を用いてレジスト２７を除去することにより形成する
ことができる。また、基材２６が直接的に露出する構成
とはならないが、レジスト２７を形成した後、プレス加
工を用いてレジスト２７を潰すことにより凹部４０を形
成することもできる。いずれの方法を用いた場合でも、
インターポーザ２３に凹部４０を容易に形成することが
できる。
形成される。この凹部４０の形成は、例えばレーザー加
工を用いてレジスト２７を除去することにより形成する
ことができる。また、基材２６が直接的に露出する構成
とはならないが、レジスト２７を形成した後、プレス加
工を用いてレジスト２７を潰すことにより凹部４０を形
成することもできる。いずれの方法を用いた場合でも、
インターポーザ２３に凹部４０を容易に形成することが
できる。
【００４５】この凹部４０が形成されたインターポーザ
２３には、半導体素子２２が搭載され、配線２８と電極
パッド３１との間にワイヤ３０が配設される。このよう
に、半導体素子２２が搭載されたインターポーザ２３
は、金型３５に装着される。
２３には、半導体素子２２が搭載され、配線２８と電極
パッド３１との間にワイヤ３０が配設される。このよう
に、半導体素子２２が搭載されたインターポーザ２３
は、金型３５に装着される。
【００４６】この装着状態において、インターポーザ２
３は上型３５Ａと下型３５Ｂとの間でクランプされる。
このクランプ位置は、配線２８（パッド部２９）に損傷
が発生するのを防止するため、インターポーザ２３上で
レジスト２７が形成された位置に選定されている。
３は上型３５Ａと下型３５Ｂとの間でクランプされる。
このクランプ位置は、配線２８（パッド部２９）に損傷
が発生するのを防止するため、インターポーザ２３上で
レジスト２７が形成された位置に選定されている。
【００４７】上記のようにインターポーザ２３が金型３
５内に装着されると、封止樹脂２４となる樹脂３７がゲ
ート３３からキャビティ３６Ａ，３６Ｂ内に注入され、
これにより封止樹脂２４が形成される。本実施例では、
レジスト２７がインターポーザ２３の外周全体を覆って
はおらず、レジスト２７を除去することにより２箇所の
凹部４０が形成されている。また、この凹部４０の形成
位置は、樹脂３７が注入されるゲート３３の位置と異な
る位置に設定されている。更に、凹部４０は、インター
ポーザ２３の外周縁２３ａまで形成された構成となって
いる。
５内に装着されると、封止樹脂２４となる樹脂３７がゲ
ート３３からキャビティ３６Ａ，３６Ｂ内に注入され、
これにより封止樹脂２４が形成される。本実施例では、
レジスト２７がインターポーザ２３の外周全体を覆って
はおらず、レジスト２７を除去することにより２箇所の
凹部４０が形成されている。また、この凹部４０の形成
位置は、樹脂３７が注入されるゲート３３の位置と異な
る位置に設定されている。更に、凹部４０は、インター
ポーザ２３の外周縁２３ａまで形成された構成となって
いる。
【００４８】従って、インターポーザ２３を金型３５で
クランプした状態において、上型３５Ａとインターポー
ザ２３との間にはレジスト２７の厚さ分の間隙が形成さ
れ、上型キャビティ３６Ａはこの凹部４０を介して上型
キャビティ３６Ａの外部と連通した状態となる。これに
より、凹部４０は、エアーベントと同様の機能を奏する
こととなる。
クランプした状態において、上型３５Ａとインターポー
ザ２３との間にはレジスト２７の厚さ分の間隙が形成さ
れ、上型キャビティ３６Ａはこの凹部４０を介して上型
キャビティ３６Ａの外部と連通した状態となる。これに
より、凹部４０は、エアーベントと同様の機能を奏する
こととなる。
【００４９】上記の装着状態において、金型３５に対し
封止樹脂２４となる樹脂３７がゲート３３から注入され
ると、図８において樹脂３７は上型キャビティ３６Ａ内
を図中左側に向け充填されていく。またこれに伴い、上
型キャビティ３６Ａ内に存在していた空気は樹脂３７に
より押しやられる。
封止樹脂２４となる樹脂３７がゲート３３から注入され
ると、図８において樹脂３７は上型キャビティ３６Ａ内
を図中左側に向け充填されていく。またこれに伴い、上
型キャビティ３６Ａ内に存在していた空気は樹脂３７に
より押しやられる。
【００５０】しかしながら本実施例では、エアーベント
として機能する凹部４０により、上型キャビティ３６Ａ
は金型３５の外部（大気）と連通した状態となっている
ため、上型キャビティ３６Ａ内の空気は凹部４０を介し
て円滑に外部に排出される。よって、形成される封止樹
脂２４に変形が発生することを防止できると共に、封止
樹脂２４内にボイドが発生することを防止することがで
きる。これにより、半導体装置２０を高い信頼性を持っ
て製造することができる。
として機能する凹部４０により、上型キャビティ３６Ａ
は金型３５の外部（大気）と連通した状態となっている
ため、上型キャビティ３６Ａ内の空気は凹部４０を介し
て円滑に外部に排出される。よって、形成される封止樹
脂２４に変形が発生することを防止できると共に、封止
樹脂２４内にボイドが発生することを防止することがで
きる。これにより、半導体装置２０を高い信頼性を持っ
て製造することができる。
【００５１】また本実施例では、ハンダボール２５が接
合されるパッド部２９に樹脂漏れが発生することを防止
するため、上型３５Ａの上型キャビティ３６Ａにフィル
ム状の漏洩防止用シート３８を配設した上で封止樹脂２
４を形成している。しかしながら、このように漏洩防止
用シート３８を用いても、本実施例では凹部４０がエア
ーベントの作用を行なうため、漏洩防止用シート３８に
起因して上型キャビティ３６Ａ内の空気が金型３５の外
部に排出されなくなるようなことはない。
合されるパッド部２９に樹脂漏れが発生することを防止
するため、上型３５Ａの上型キャビティ３６Ａにフィル
ム状の漏洩防止用シート３８を配設した上で封止樹脂２
４を形成している。しかしながら、このように漏洩防止
用シート３８を用いても、本実施例では凹部４０がエア
ーベントの作用を行なうため、漏洩防止用シート３８に
起因して上型キャビティ３６Ａ内の空気が金型３５の外
部に排出されなくなるようなことはない。
【００５２】尚、本実施例では半導体装置２０としてＢ
ＧＡタイプの半導体装置を例に挙げて説明したが、本発
明の適用はこれに限定されるものではなく、インターポ
ーザを用い、かつ封止樹脂をモールド成型する構成の半
導体装置であれば、本発明を適用することができる。
ＧＡタイプの半導体装置を例に挙げて説明したが、本発
明の適用はこれに限定されるものではなく、インターポ
ーザを用い、かつ封止樹脂をモールド成型する構成の半
導体装置であれば、本発明を適用することができる。
【００５３】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
種々の効果を実現することができる。
【００５４】請求項１記載の発明によれば、封止樹脂の
一部がインターポーザの半導体素子搭載面に形成された
凹部内に一体的に形成されているため、封止樹脂の凹部
内に形成された部分はアンカー効果を奏し、封止樹脂が
インターポーザから離脱してしまうことを防止できる。
一部がインターポーザの半導体素子搭載面に形成された
凹部内に一体的に形成されているため、封止樹脂の凹部
内に形成された部分はアンカー効果を奏し、封止樹脂が
インターポーザから離脱してしまうことを防止できる。
【００５５】また、請求項２記載の発明によれば、凹部
はインターポーザの半導体素子搭載面に形成されたレジ
ストを除去することより形成されるため、容易に形成す
ることができる。また、封止樹脂は凹部にレジストが存
在しないため、直接インターポーザの基材に接合するこ
ととなり、接合強度を増大させることができる。
はインターポーザの半導体素子搭載面に形成されたレジ
ストを除去することより形成されるため、容易に形成す
ることができる。また、封止樹脂は凹部にレジストが存
在しないため、直接インターポーザの基材に接合するこ
ととなり、接合強度を増大させることができる。
【００５６】また、請求項３記載の発明によれば、金型
側ではなく、封止樹脂が形成されるインターポーザ側に
エアーベントとして機能する凹部を形成しているため、
樹脂のモールド時において、凹部を介してキャビティ内
の空気を確実にキャビティの外部に排出することができ
る。よって、形成される封止樹脂に変形が発生すること
を防止できると共に、封止樹脂内にボイドが発生するこ
とを防止することができる。
側ではなく、封止樹脂が形成されるインターポーザ側に
エアーベントとして機能する凹部を形成しているため、
樹脂のモールド時において、凹部を介してキャビティ内
の空気を確実にキャビティの外部に排出することができ
る。よって、形成される封止樹脂に変形が発生すること
を防止できると共に、封止樹脂内にボイドが発生するこ
とを防止することができる。
【００５７】また、請求項４及び請求項５記載の発明に
よれば、容易かつ確実に凹部を形成することができる。
よれば、容易かつ確実に凹部を形成することができる。
【図１】従来の一例である半導体装置の断面図である。
【図２】従来の一例である半導体装置の封止樹脂を取り
除いた状態の底面図である。
除いた状態の底面図である。
【図３】従来の一例である半導体装置のインターポーザ
を示す図である。
を示す図である。
【図４】従来の一例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図５】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の一実施例である半導体装置の封止樹脂
を取り除いた状態の底面図である。
を取り除いた状態の底面図である。
【図７】本発明の一実施例である半導体装置のインター
ポーザを示す図である。
ポーザを示す図である。
【図８】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
２０ 半導体装置
２２ 半導体素子
２３ インターポーザ
２４ 封止樹脂
２５ ハンダボール
２６ 基材
２７ レジスト
２８ 配線
３５ 金型
３５Ａ 上型
３５Ｂ 下型
３６Ａ 上型キャビティ
３６Ｂ 下型キャビティ
３７ 樹脂
３８ 漏洩防止用シート
３２ 凹部
３３ アンカー部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子と、 外部接続端子と、 前記半導体素子及び前記外部接続端子が設けられると共
に、前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接
続するインターポーザと、 該インターポーザの半導体素子搭載面に配設され、前記
半導体素子を保護する封止樹脂とを有する半導体装置に
おいて、 前記インターポーザの前記半導体素子搭載面に外周縁ま
で達する凹部を形成すると共に、該凹部内に前記封止樹
脂の一部が一体的に形成される構成としたことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記インターポーザは前記半導体素子搭載面にレジスト
が配設されており、前記凹部は該レジストを除去するこ
とにより形成された構成であることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項３】 金型を用いて、インターポーザの半導体
素子搭載面上に搭載された半導体素子を覆うよう封止樹
脂を形成する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、 前記インターポーザの前記半導体素子搭載面に外周縁ま
で達する凹部を形成する凹部工程と、 前記凹部が前記金型に形成されたキャビティと連通する
よう前記インターポーザを前記金型内に装着し、前記凹
部をエアーベントとして用いて前記封止樹脂を形成する
樹脂形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記凹部形成工程で前記凹部を形成する際、予め前記イ
ンターポーザの基材にレジストを形成しておき、該レジ
ストを押し潰すことにより前記凹部を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記凹部形成工程で前記凹部を形成する際、予め前記イ
ンターポーザの基材にレジストを形成しておき、該レジ
ストを除去することにより前記凹部を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246223A JP2003060131A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246223A JP2003060131A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060131A true JP2003060131A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19075829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001246223A Withdrawn JP2003060131A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003060131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199065A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | リジット基板を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2015012061A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその電子装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-14 JP JP2001246223A patent/JP2003060131A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199065A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | リジット基板を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP4691575B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2011-06-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | リジット基板を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2015012061A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその電子装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081104 |