JP3198243B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特にリードフレームをエッチング技術
を用いてエッチングすることにより外部接続端子を形成
した半導体装置及びその製造方法に関する。
製造方法に係り、特にリードフレームをエッチング技術
を用いてエッチングすることにより外部接続端子を形成
した半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、電子機器の小型，薄型化及び高速，
高機能化へのニーズが高まる中で、電子機器に組み込ま
れる半導体装置においても小型化，高密度化，高機能化
が要求されている。一方、上記のニーズに加えて電子機
器には高い信頼性も要求されており、よって半導体装置
においても高い信頼性を実現させる必要がある。
高機能化へのニーズが高まる中で、電子機器に組み込ま
れる半導体装置においても小型化，高密度化，高機能化
が要求されている。一方、上記のニーズに加えて電子機
器には高い信頼性も要求されており、よって半導体装置
においても高い信頼性を実現させる必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来より、小型化及び低コスト化を図っ
た半導体装置としてＢＧＡ(Ball GridArray) タイプの
半導体装置が知られている。このＢＧＡタイプの半導体
装置は、多層のプリント基板の上面に半導体素子及び封
止樹脂を搭載しており、また下面には半田ボールよりな
る外部接続端子がマトリックス状に形成されている。
た半導体装置としてＢＧＡ(Ball GridArray) タイプの
半導体装置が知られている。このＢＧＡタイプの半導体
装置は、多層のプリント基板の上面に半導体素子及び封
止樹脂を搭載しており、また下面には半田ボールよりな
る外部接続端子がマトリックス状に形成されている。
【０００４】半導体素子とプリント基板の上面に形成さ
れた電極とはワイヤにより電気的に接続されており、ま
た電極は多層プリント基板に内設された内部配線により
基板下面に引き出され外部接続端子となる半田ボールと
電気的に接続された構成とされている。
れた電極とはワイヤにより電気的に接続されており、ま
た電極は多層プリント基板に内設された内部配線により
基板下面に引き出され外部接続端子となる半田ボールと
電気的に接続された構成とされている。
【０００５】しかるに、ＢＧＡタイプの半導体装置は外
部接続端子となる半田ボールをプリント基板に形成する
ために面倒な工程を必要とし、半導体装置の製造工程が
面倒となると共に製品コストが高くなってしまう。そこ
で、上記の問題点を解決するために本発明者は、先に特
願平７−２１６１２７号に開示した半導体装置を提案し
た。同出願に開示された半導体装置は、リードフレーム
をエッチング処理することにより柱状の外部接続端子
（以下、柱状端子という）を形成することを特徴とする
ものである。
部接続端子となる半田ボールをプリント基板に形成する
ために面倒な工程を必要とし、半導体装置の製造工程が
面倒となると共に製品コストが高くなってしまう。そこ
で、上記の問題点を解決するために本発明者は、先に特
願平７−２１６１２７号に開示した半導体装置を提案し
た。同出願に開示された半導体装置は、リードフレーム
をエッチング処理することにより柱状の外部接続端子
（以下、柱状端子という）を形成することを特徴とする
ものである。
【０００６】具体的には、導電性金属材よりなる平板状
リードフレームの両面に柱状端子となる部位を残してハ
ーフエッチングを行うことによりディンプル部（凹部）
を形成し、続いてこれをモールド金型にクランプして上
下面に形成されたディンプル部の内、上面に配設された
ディンプル部にのみ端子間樹脂を充填する。
リードフレームの両面に柱状端子となる部位を残してハ
ーフエッチングを行うことによりディンプル部（凹部）
を形成し、続いてこれをモールド金型にクランプして上
下面に形成されたディンプル部の内、上面に配設された
ディンプル部にのみ端子間樹脂を充填する。
【０００７】次に、上記構成とされたリードフレームの
上面に絶縁層を配設すると共に、柱状端子となる部位
（柱状突起という）と対向する位置にビアホールを形成
する。この絶縁層の上部には配線層が形成され、更に配
線層の上部には絶縁性接着剤により半導体素子が搭載さ
れる。この半導体素子と配線層とはワイヤにより接続さ
れ、その後にリードフレームの上面には封止樹脂がモー
ルドされ半導体素子は封止される。
上面に絶縁層を配設すると共に、柱状端子となる部位
（柱状突起という）と対向する位置にビアホールを形成
する。この絶縁層の上部には配線層が形成され、更に配
線層の上部には絶縁性接着剤により半導体素子が搭載さ
れる。この半導体素子と配線層とはワイヤにより接続さ
れ、その後にリードフレームの上面には封止樹脂がモー
ルドされ半導体素子は封止される。
【０００８】上記の処理が終了すると、リードフレーム
に対してエッチング処理を行い、ハーフエッチング部分
を除去する。これにより柱状突起は独立し、柱状端子が
形成される。またこの状態において、隣接する柱状端子
の間には端子間樹脂が存在するため、各柱状端子は夫々
電気的に独立した状態で保持された構成となる。
に対してエッチング処理を行い、ハーフエッチング部分
を除去する。これにより柱状突起は独立し、柱状端子が
形成される。またこの状態において、隣接する柱状端子
の間には端子間樹脂が存在するため、各柱状端子は夫々
電気的に独立した状態で保持された構成となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、本発
明者が先に提案した特願平７−２１６１２７号に開示し
た半導体装置によれば、半田ボールをプリント基板に形
成するために面倒な工程が不要となり、半導体装置の製
造効率の向上及び製品コストの低減を図ることができ
る。
明者が先に提案した特願平７−２１６１２７号に開示し
た半導体装置によれば、半田ボールをプリント基板に形
成するために面倒な工程が不要となり、半導体装置の製
造効率の向上及び製品コストの低減を図ることができ
る。
【００１０】ところで、リードフレームをエッチング処
理することにより柱状端子を形成する構成の半導体装置
では、その製造段階においてリードフレームに形成され
たディンプル部に端子間樹脂を充填する必要がある。こ
れは、端子間樹脂を充填しないと、ハーフエッチング部
分を除去し柱状端子が独立した際に柱状端子が保持され
ないからである。
理することにより柱状端子を形成する構成の半導体装置
では、その製造段階においてリードフレームに形成され
たディンプル部に端子間樹脂を充填する必要がある。こ
れは、端子間樹脂を充填しないと、ハーフエッチング部
分を除去し柱状端子が独立した際に柱状端子が保持され
ないからである。
【００１１】しかるに、従来では柱状端子と接触する金
型の面は鏡面とされていたため、クランプ状態の不均
一，リードフレームの寸法誤差，或いはリードフレーム
の反り等が存在する場合には、金型と柱状突起との間に
微細な間隙が形成されるおそれがある。この間隙が金型
と柱状突起との間に発生した場合、端子間樹脂を充填し
た際に端子間樹脂は間隙内にも侵入し、柱状突起の上面
を覆ってしまう。
型の面は鏡面とされていたため、クランプ状態の不均
一，リードフレームの寸法誤差，或いはリードフレーム
の反り等が存在する場合には、金型と柱状突起との間に
微細な間隙が形成されるおそれがある。この間隙が金型
と柱状突起との間に発生した場合、端子間樹脂を充填し
た際に端子間樹脂は間隙内にも侵入し、柱状突起の上面
を覆ってしまう。
【００１２】このように、外部端子となる柱状突起の上
面が端子間樹脂に覆われ絶縁されると、柱状突起と半導
体素子との電気的な接続が良好に或いは全くできなくな
り、半導体装置の信頼性及び歩留りが低下してしまうと
いう問題点があった。また、上記した出願に係る半導体
装置は、金属製のリードフレーム上に封止樹脂を形成す
るため、リードフレームと封止樹脂との接合性が弱いと
いう問題点もあった。
面が端子間樹脂に覆われ絶縁されると、柱状突起と半導
体素子との電気的な接続が良好に或いは全くできなくな
り、半導体装置の信頼性及び歩留りが低下してしまうと
いう問題点があった。また、上記した出願に係る半導体
装置は、金属製のリードフレーム上に封止樹脂を形成す
るため、リードフレームと封止樹脂との接合性が弱いと
いう問題点もあった。
【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、信頼性及び製造効率の向上を図りうる半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
あり、信頼性及び製造効率の向上を図りうる半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明では、半導体素子と、前
記半導体素子と電気的に接続される配線層と、前記半導
体素子を覆う封止樹脂と、上端部に形成された接続部が
前記配線層と電気的に接続されると共に端子間樹脂によ
り所定ピッチに保持された外部端子としての柱状端子
と、前記柱状端子の配設位置の外周位置に配設された枠
体部とを具備し、前記柱状端子がリードフレームをエッ
チングすることにより形成される半導体装置において、
前記柱状端子の接続部に微細な凹凸または小突起を形成
したことを特徴とするものである。
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明では、半導体素子と、前
記半導体素子と電気的に接続される配線層と、前記半導
体素子を覆う封止樹脂と、上端部に形成された接続部が
前記配線層と電気的に接続されると共に端子間樹脂によ
り所定ピッチに保持された外部端子としての柱状端子
と、前記柱状端子の配設位置の外周位置に配設された枠
体部とを具備し、前記柱状端子がリードフレームをエッ
チングすることにより形成される半導体装置において、
前記柱状端子の接続部に微細な凹凸または小突起を形成
したことを特徴とするものである。
【００１５】上記のように柱状端子の接続部に微細な凹
凸または小突起を形成することにより、接続部における
表面積が広くなり、配線層との電気的な接続を確実に行
うことができる。また、請求項２記載の発明では、前記
請求項１記載の半導体装置において、枠体部の上面に封
止樹脂が係合する溝部を形成したことを特徴とするもの
である。
凸または小突起を形成することにより、接続部における
表面積が広くなり、配線層との電気的な接続を確実に行
うことができる。また、請求項２記載の発明では、前記
請求項１記載の半導体装置において、枠体部の上面に封
止樹脂が係合する溝部を形成したことを特徴とするもの
である。
【００１６】上記のように溝部を形成することにより、
枠体部と封止樹脂との接合性を向上することができ、封
止樹脂の剥離を防止することができる。また、請求項３
記載の発明では、前記請求項１記載の半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、導電性金属基板の
両面に、少なくとも前記外部端子となる柱状突起部と前
記枠体部となる外周突起部とを除き凹部を形成すると共
に、端子間樹脂が充填される所定部位に樹脂注入孔を形
成してリードフレームを形成するリードフレーム形成工
程と、前記リードフレーム形成工程で形成されたリード
フレームを、少なくとも前記柱状突起部と対向する部位
に微細な凹凸が形成された金型でクランプし、前記樹脂
注入孔より前記リードフレームの上面に形成された凹部
に対し前記端子間樹脂を充填する端子間樹脂充填工程
と、前記リードフレームの前記端子間樹脂が形成される
上面に、前記絶縁層，配線層及び半導体素子を配設する
と共に所定の電気的な接続処理を行う半導体素子搭載工
程と、前記前記外部端子と外周突起部とを露出させ、前
記半導体チップを前記封止樹脂により封止する樹脂封止
工程と、前記リードフレームにエッチング処理を行うこ
とにより、前記枠体部部と前記柱状端子部との連結状態
及び前記各柱状端子部間の連結状態を分離させるエッチ
ング工程とを含むことを特徴とするものである。
枠体部と封止樹脂との接合性を向上することができ、封
止樹脂の剥離を防止することができる。また、請求項３
記載の発明では、前記請求項１記載の半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、導電性金属基板の
両面に、少なくとも前記外部端子となる柱状突起部と前
記枠体部となる外周突起部とを除き凹部を形成すると共
に、端子間樹脂が充填される所定部位に樹脂注入孔を形
成してリードフレームを形成するリードフレーム形成工
程と、前記リードフレーム形成工程で形成されたリード
フレームを、少なくとも前記柱状突起部と対向する部位
に微細な凹凸が形成された金型でクランプし、前記樹脂
注入孔より前記リードフレームの上面に形成された凹部
に対し前記端子間樹脂を充填する端子間樹脂充填工程
と、前記リードフレームの前記端子間樹脂が形成される
上面に、前記絶縁層，配線層及び半導体素子を配設する
と共に所定の電気的な接続処理を行う半導体素子搭載工
程と、前記前記外部端子と外周突起部とを露出させ、前
記半導体チップを前記封止樹脂により封止する樹脂封止
工程と、前記リードフレームにエッチング処理を行うこ
とにより、前記枠体部部と前記柱状端子部との連結状態
及び前記各柱状端子部間の連結状態を分離させるエッチ
ング工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１７】上記の半導体装置の製造方法では、端子間
樹脂充填工程において、少なくとも柱状突起部と対向す
る部位に微細な凹凸が形成された金型でリードフレーム
をクランプして端子間樹脂を充填する。従って、クラン
プを行った際に金型に形成された微細な凹凸は柱状突起
部の上面に食い込んだ状態となり、金型と柱状突起部と
は隙間無く係合（対峙）した状態となる。
樹脂充填工程において、少なくとも柱状突起部と対向す
る部位に微細な凹凸が形成された金型でリードフレーム
をクランプして端子間樹脂を充填する。従って、クラン
プを行った際に金型に形成された微細な凹凸は柱状突起
部の上面に食い込んだ状態となり、金型と柱状突起部と
は隙間無く係合（対峙）した状態となる。
【００１８】このため、端子間樹脂を充填しても金型と
柱状突起部との間に端子間樹脂が侵入することはなく、
よって柱状突起部と配線層との電気的接続を確実に行う
ことができる。また、請求項４記載の発明では、前記請
求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記端子
間樹脂充填工程に用いる金型として、前記柱状突起部と
対向する部位に微細な凹凸が形成された金型に代えて、
前記柱状突起部と対向する部位に小突起が形成された金
型を用いたことを特徴とするものである。
柱状突起部との間に端子間樹脂が侵入することはなく、
よって柱状突起部と配線層との電気的接続を確実に行う
ことができる。また、請求項４記載の発明では、前記請
求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記端子
間樹脂充填工程に用いる金型として、前記柱状突起部と
対向する部位に微細な凹凸が形成された金型に代えて、
前記柱状突起部と対向する部位に小突起が形成された金
型を用いたことを特徴とするものである。
【００１９】上記のように、柱状突起部と対向する部位
に小突起が形成された金型を用いた場合でも、クランプ
を行った際に金型に形成された小突起は柱状突起部の上
面に強く当接した状態となり、金型と柱状突起部とは隙
間無く係合（対峙）した状態となる。よって、金型と柱
状突起部との間に端子間樹脂が侵入することはなく、柱
状突起部と配線層との電気的接続を確実に行うことがで
きる。
に小突起が形成された金型を用いた場合でも、クランプ
を行った際に金型に形成された小突起は柱状突起部の上
面に強く当接した状態となり、金型と柱状突起部とは隙
間無く係合（対峙）した状態となる。よって、金型と柱
状突起部との間に端子間樹脂が侵入することはなく、柱
状突起部と配線層との電気的接続を確実に行うことがで
きる。
【００２０】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項３または４記載の半導体装置の製造方法において、前
記リードフレーム形成工程で、前記導電性金属基板の前
記封止樹脂の形成範囲位置内に対向する一対の溝部を形
成したことを特徴とするものである。
項３または４記載の半導体装置の製造方法において、前
記リードフレーム形成工程で、前記導電性金属基板の前
記封止樹脂の形成範囲位置内に対向する一対の溝部を形
成したことを特徴とするものである。
【００２１】上記のようにリードフレーム形成工程にお
いて溝部を形成しておくことにより、後に実施される樹
脂封止工程において封止樹脂は溝部内に流入する。よっ
て、溝部に流入し固化した樹脂は封止樹脂をリードフレ
ームに固定する機能を奏するため、リードフレームと封
止樹脂との接合性を向上することができ、封止樹脂の剥
離を防止することができる。
いて溝部を形成しておくことにより、後に実施される樹
脂封止工程において封止樹脂は溝部内に流入する。よっ
て、溝部に流入し固化した樹脂は封止樹脂をリードフレ
ームに固定する機能を奏するため、リードフレームと封
止樹脂との接合性を向上することができ、封止樹脂の剥
離を防止することができる。
【００２２】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載の半導体装置の製造方法において、前記導電性
金属基板の前記端子間樹脂が形成される上面に形成され
た溝部の形成位置と、下面に形成される溝部の形成位置
をずらして形成したことを特徴とするものである。
項５記載の半導体装置の製造方法において、前記導電性
金属基板の前記端子間樹脂が形成される上面に形成され
た溝部の形成位置と、下面に形成される溝部の形成位置
をずらして形成したことを特徴とするものである。
【００２３】上記構成とすることにより、後に実施され
るエッチング工程において、上下の溝部の連通性が向上
し、エッチングの制御を容易に行うことができる。
るエッチング工程において、上下の溝部の連通性が向上
し、エッチングの制御を容易に行うことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態について図
面と共に説明する。図１は本発明の一実施例である半導
体装置１を示す断面図である。半導体装置１は、大略す
ると柱状端子２，枠体部部３，絶縁層４，配線層５，半
導体素子６，端子間樹脂７，及び封止樹脂８等により構
成されている。
面と共に説明する。図１は本発明の一実施例である半導
体装置１を示す断面図である。半導体装置１は、大略す
ると柱状端子２，枠体部部３，絶縁層４，配線層５，半
導体素子６，端子間樹脂７，及び封止樹脂８等により構
成されている。
【００２５】柱状端子２及び枠体部部３は例えば銅（Ｃ
ｕ）により形成されており、後述するように図２に示さ
れるリードフレーム９をアルカリ系エッチャント（エッ
チング液）によりエッチングすることにより所定の形状
に成形されるものである。柱状端子２は半導体装置１を
実装する実装基板（図示せず）に接続される外部端子と
して機能するものであり、マトリックス状或いは所定の
配列で複数個配設されている。また、各柱状端子２の表
面には半田メッキ膜１０が形成されており、実装時にお
ける実装基板との接続性の向上が図られている。また枠
体部部３は、この複数個の柱状端子２を囲繞するように
配設されている。
ｕ）により形成されており、後述するように図２に示さ
れるリードフレーム９をアルカリ系エッチャント（エッ
チング液）によりエッチングすることにより所定の形状
に成形されるものである。柱状端子２は半導体装置１を
実装する実装基板（図示せず）に接続される外部端子と
して機能するものであり、マトリックス状或いは所定の
配列で複数個配設されている。また、各柱状端子２の表
面には半田メッキ膜１０が形成されており、実装時にお
ける実装基板との接続性の向上が図られている。また枠
体部部３は、この複数個の柱状端子２を囲繞するように
配設されている。
【００２６】上記の隣接する柱状端子２の間及び隣接す
る柱状端子２と枠体部部３との間には端子間樹脂７（濃
い梨地で示す）が配設されている。この端子間樹脂７
は、隣接する柱状端子２の間及び隣接する柱状端子２と
枠体部部３との間を絶縁する機能を有すると共に、柱状
端子２及び枠体部部３を保持する機能を奏する。よっ
て、柱状端子２及び枠体部部３は、互いに絶縁された状
態を維持しつつ所定の位置に保持される。
る柱状端子２と枠体部部３との間には端子間樹脂７（濃
い梨地で示す）が配設されている。この端子間樹脂７
は、隣接する柱状端子２の間及び隣接する柱状端子２と
枠体部部３との間を絶縁する機能を有すると共に、柱状
端子２及び枠体部部３を保持する機能を奏する。よっ
て、柱状端子２及び枠体部部３は、互いに絶縁された状
態を維持しつつ所定の位置に保持される。
【００２７】更に、本実施例に係る半導体装置１は、柱
状端子２の上面（以下、接続部という）１２及び枠体部
部３の上面１３に微細な凹凸が形成されている。この接
続部１２及び上面１３に形成される凹凸は、その表面粗
さが約１２μｍとされており、後述するようにモールド
金型１４にクランプされることにより形成されるもので
ある（図３参照）。尚、理解を容易とするために、図１
では接続部１２及び上面１３に形成される凹凸を誇張し
て描いている。
状端子２の上面（以下、接続部という）１２及び枠体部
部３の上面１３に微細な凹凸が形成されている。この接
続部１２及び上面１３に形成される凹凸は、その表面粗
さが約１２μｍとされており、後述するようにモールド
金型１４にクランプされることにより形成されるもので
ある（図３参照）。尚、理解を容易とするために、図１
では接続部１２及び上面１３に形成される凹凸を誇張し
て描いている。
【００２８】絶縁層４は例えばエポキシ製の接着剤或い
は絶縁フィルム等により形成されており、前記した柱状
端子２の形成位置の上部に配設されている。また絶縁層
４には複数のビアホール１１が形成されており、このビ
アホール１１の形成位置は柱状端子２の配設位置と対応
するよう構成されている。ビアホール１１は例えば絶縁
層４に形成された小孔に銅を充填した構成を有してお
り、よってビアホール１１と柱状端子２の接続部１２と
は電気的に接続する。
は絶縁フィルム等により形成されており、前記した柱状
端子２の形成位置の上部に配設されている。また絶縁層
４には複数のビアホール１１が形成されており、このビ
アホール１１の形成位置は柱状端子２の配設位置と対応
するよう構成されている。ビアホール１１は例えば絶縁
層４に形成された小孔に銅を充填した構成を有してお
り、よってビアホール１１と柱状端子２の接続部１２と
は電気的に接続する。
【００２９】この際、上記のしたように柱状端子２の接
続部１２には微細な凹凸が形成されているため、その表
面積は大きくなつている。よって、微細な凹凸が形成さ
れた接続部１２の上部にビアホール１１が形成されるこ
とにより、接続部１２とビアホール１１との電気的接続
を確実に行うことができる。
続部１２には微細な凹凸が形成されているため、その表
面積は大きくなつている。よって、微細な凹凸が形成さ
れた接続部１２の上部にビアホール１１が形成されるこ
とにより、接続部１２とビアホール１１との電気的接続
を確実に行うことができる。
【００３０】配線層５は例えば銅箔により形成された配
線パターンであり、絶縁層４の上面に形成されている。
この配線層５の上部には、絶縁性接着剤１５を介して半
導体素子６が搭載されている。半導体素子６と配線層５
との間にはワイヤ１６が配設されており、このワイヤ１
６により半導体素子６と配線層５とは電気的に接続され
る。また、配線層５と前記したビアホール１１も電気的
に接続された構成とされており、よって柱状端子２と半
導体装置６とはビアホール１１，配線層５，ワイヤ１６
を介して電気的に接続される。
線パターンであり、絶縁層４の上面に形成されている。
この配線層５の上部には、絶縁性接着剤１５を介して半
導体素子６が搭載されている。半導体素子６と配線層５
との間にはワイヤ１６が配設されており、このワイヤ１
６により半導体素子６と配線層５とは電気的に接続され
る。また、配線層５と前記したビアホール１１も電気的
に接続された構成とされており、よって柱状端子２と半
導体装置６とはビアホール１１，配線層５，ワイヤ１６
を介して電気的に接続される。
【００３１】封止樹脂８（薄い梨地で示す）は例えばエ
ポキシ系の樹脂であり、柱状端子２及び枠体部３の下面
を露出した状態で、半導体素子６，絶縁層４，配線層５
を封止した構成とされている。この封止樹脂８は、後述
するようにモールド金型１４を用いて樹脂モールドする
ことにより形成される。
ポキシ系の樹脂であり、柱状端子２及び枠体部３の下面
を露出した状態で、半導体素子６，絶縁層４，配線層５
を封止した構成とされている。この封止樹脂８は、後述
するようにモールド金型１４を用いて樹脂モールドする
ことにより形成される。
【００３２】また、枠体部３の外周部には、溝部１７が
形成されており、封止樹脂８はこの溝部１７内にも入り
込んだ状態となっている。このように、封止樹脂８の一
部が枠体部３に形成された溝部１７内に入り込んだ構成
とすることにより、枠体部３と封止樹脂８との機械的接
合強度を向上させることができ、よって封止樹脂８の剥
離を防止することができる。
形成されており、封止樹脂８はこの溝部１７内にも入り
込んだ状態となっている。このように、封止樹脂８の一
部が枠体部３に形成された溝部１７内に入り込んだ構成
とすることにより、枠体部３と封止樹脂８との機械的接
合強度を向上させることができ、よって封止樹脂８の剥
離を防止することができる。
【００３３】続いて、上記構成とされた半導体装置１の
製造方法について、図２乃至図７を用いて説明する。
尚、各図において、図１に示した半導体装置１の構成と
対応する部分については同一符号を附して説明する。半
導体装置６０は、リードフレーム形成工程，端子間樹脂
充填工程，半導体素子搭載工程，封止樹脂配設工程，エ
ッチング工程の各工程を実施することにより製造され
る。以下、各工程について説明する。
製造方法について、図２乃至図７を用いて説明する。
尚、各図において、図１に示した半導体装置１の構成と
対応する部分については同一符号を附して説明する。半
導体装置６０は、リードフレーム形成工程，端子間樹脂
充填工程，半導体素子搭載工程，封止樹脂配設工程，エ
ッチング工程の各工程を実施することにより製造され
る。以下、各工程について説明する。
【００３４】リードフレーム形成工程では、先ず銅（Ｃ
ｕ）等の導電性金属基板に所定のパターンを有するレジ
ストを形成した上で塩化第二鉄（エッチング液）を用い
てハーフエッチングを行い、導電性金属基板の両面に柱
状端子２となる柱状突起部２０及び枠体部３となる外周
突起部２１を形成する。具体的には、図２に示されるよ
うに、柱状突起部２０及び外周突起部２１の形成位置を
除き、たの部分にハーフエッチングを行い凹部２２を形
成する。
ｕ）等の導電性金属基板に所定のパターンを有するレジ
ストを形成した上で塩化第二鉄（エッチング液）を用い
てハーフエッチングを行い、導電性金属基板の両面に柱
状端子２となる柱状突起部２０及び枠体部３となる外周
突起部２１を形成する。具体的には、図２に示されるよ
うに、柱状突起部２０及び外周突起部２１の形成位置を
除き、たの部分にハーフエッチングを行い凹部２２を形
成する。
【００３５】また、凹部２２の形成と同時に、外周突起
部２１より外周位置には溝部１７が、また矩形状とされ
た凹部２２の四隅位置には、後述する端子間樹脂充填工
程において端子間樹脂７が注入される樹脂注入口２３及
び端子間樹脂７が注入される際の空気抜きとして機能す
る空気抜き口２４（本実施例では３個設けられている）
が合わせて形成される。この樹脂注入口２３及び空気抜
き口２４は、リードフレーム９の一方の面（半導体素子
６が配設される面）のみに形成されている。
部２１より外周位置には溝部１７が、また矩形状とされ
た凹部２２の四隅位置には、後述する端子間樹脂充填工
程において端子間樹脂７が注入される樹脂注入口２３及
び端子間樹脂７が注入される際の空気抜きとして機能す
る空気抜き口２４（本実施例では３個設けられている）
が合わせて形成される。この樹脂注入口２３及び空気抜
き口２４は、リードフレーム９の一方の面（半導体素子
６が配設される面）のみに形成されている。
【００３６】図２は、リードフレーム形成工程を実施す
ることにより製造されたリードフレーム９を示してい
る。このリードフレーム９の製造は、単に所定位置にレ
ジストを配設した上でエッチング処理を行う処理である
ため、容易かつ低コストで行うことができる。
ることにより製造されたリードフレーム９を示してい
る。このリードフレーム９の製造は、単に所定位置にレ
ジストを配設した上でエッチング処理を行う処理である
ため、容易かつ低コストで行うことができる。
【００３７】尚、図中２５で示すのは、後述する端子間
樹脂充填工程において、端子間樹脂７が溝部１７に流入
するのを防止する流入防止ブレードである。この流入防
止ブレード２５は、図２に示されるようにリードフレー
ム９に設けた構成としても、またモールド金型１４に設
けた構成としても良い。この流入防止ブレード２５の機
能については、説明の便宜上、後述するものとする。
樹脂充填工程において、端子間樹脂７が溝部１７に流入
するのを防止する流入防止ブレードである。この流入防
止ブレード２５は、図２に示されるようにリードフレー
ム９に設けた構成としても、またモールド金型１４に設
けた構成としても良い。この流入防止ブレード２５の機
能については、説明の便宜上、後述するものとする。
【００３８】また、図２では１個分の半導体装置に対応
する部分を示しているが、導電性金属基板に図２に示さ
れる構成を複数個形成し、いわゆる多数個取りを行いう
る構成のリードフレームとしてもよい。上記したリード
フレーム形成工程を実施することによりリードフレーム
９が形成されると、続いて端子間樹脂充填工程が実施さ
れる。図３は端子間樹脂充填工程を説明するための図で
ある。
する部分を示しているが、導電性金属基板に図２に示さ
れる構成を複数個形成し、いわゆる多数個取りを行いう
る構成のリードフレームとしてもよい。上記したリード
フレーム形成工程を実施することによりリードフレーム
９が形成されると、続いて端子間樹脂充填工程が実施さ
れる。図３は端子間樹脂充填工程を説明するための図で
ある。
【００３９】この端子間樹脂充填工程では、上型２６と
下型２７とにより構成されるモールド金型１４にリード
フレーム９をクランプし、リードフレーム９の両面に形
成された凹部２２の内、一方の面（半導体素子６が配設
される面）に形成された凹部２２のみに端子間樹脂７を
充填する。
下型２７とにより構成されるモールド金型１４にリード
フレーム９をクランプし、リードフレーム９の両面に形
成された凹部２２の内、一方の面（半導体素子６が配設
される面）に形成された凹部２２のみに端子間樹脂７を
充填する。
【００４０】具体的には、上型２６にはトランスファポ
ット２８及びプランジャ２９が配設されており、またト
ランスファポット２８はリードフレーム９に形成された
樹脂注入口２３と連通するよう構成されている。 よっ
て、トランスファポット２８内で加熱された端子間樹脂
７は、プランジャ２９に押圧されることにより、樹脂注
入口２３を通り凹部２２内に充填されていく。
ット２８及びプランジャ２９が配設されており、またト
ランスファポット２８はリードフレーム９に形成された
樹脂注入口２３と連通するよう構成されている。 よっ
て、トランスファポット２８内で加熱された端子間樹脂
７は、プランジャ２９に押圧されることにより、樹脂注
入口２３を通り凹部２２内に充填されていく。
【００４１】図４は、樹脂注入口２３より端子間樹脂７
が凹部２２内に充填されている様子を示す図である。同
図に示されるように、樹脂注入口２３と溝部１７との交
錯位置には流入防止ブレード２５が形成されている。こ
の流入防止ブレード２５は、リードフレーム９或いはモ
ールド金型１４（下型２７）に配設されており、樹脂注
入口２３から注入される端子間樹脂７が溝部１７に流入
するのを防止する機能を奏するものである。この流入防
止ブレード２５を設けことにより、端子間樹脂充填工程
において溝部１７が埋まってしまうことを防止すること
ができる。
が凹部２２内に充填されている様子を示す図である。同
図に示されるように、樹脂注入口２３と溝部１７との交
錯位置には流入防止ブレード２５が形成されている。こ
の流入防止ブレード２５は、リードフレーム９或いはモ
ールド金型１４（下型２７）に配設されており、樹脂注
入口２３から注入される端子間樹脂７が溝部１７に流入
するのを防止する機能を奏するものである。この流入防
止ブレード２５を設けことにより、端子間樹脂充填工程
において溝部１７が埋まってしまうことを防止すること
ができる。
【００４２】ここで、図５にリードフレーム９と下型２
７との接合部分を拡大して示す。同図に示される用に、
下型２７のリードフレーム９と対向する接合面３０には
微細な凹凸が予め形成されている。この接合面３０に形
成された微細な凹凸は、表面粗さにして約１２μｍとさ
れている。
７との接合部分を拡大して示す。同図に示される用に、
下型２７のリードフレーム９と対向する接合面３０には
微細な凹凸が予め形成されている。この接合面３０に形
成された微細な凹凸は、表面粗さにして約１２μｍとさ
れている。
【００４３】従って、リードフレーム９が上型２６と下
型２７との間にクランプされた状態で、微細な凹凸が形
成された接合面３０は柱状突起部２０の上面に食い込ん
だ状態となり、下型２７と柱状突起部２０とは隙間無く
係合（対峙）した状態となる。このため、端子間樹脂７
を充填しても下型２７と柱状突起部２０の上面との間に
端子間樹脂７が侵入することはなくなる。
型２７との間にクランプされた状態で、微細な凹凸が形
成された接合面３０は柱状突起部２０の上面に食い込ん
だ状態となり、下型２７と柱状突起部２０とは隙間無く
係合（対峙）した状態となる。このため、端子間樹脂７
を充填しても下型２７と柱状突起部２０の上面との間に
端子間樹脂７が侵入することはなくなる。
【００４４】前記したように、柱状突起部２０は柱状端
子２となるものであり、かつその上面は接続部１２とな
る部位である。前述したように、接続部１２にはビアホ
ール１１が電気的に接続されるため、接続部１２に端子
間樹脂７が付着すると電気的接続が不良或いは全くでき
なくなり、半導体装置１の信頼性が低下する。しかる
に、上記の製造方法を採用することにより、柱状突起部
２０の上面に端子間樹脂７が付着することを確実に防止
でき、よって半導体装置１の信頼性を向上させることが
できる。
子２となるものであり、かつその上面は接続部１２とな
る部位である。前述したように、接続部１２にはビアホ
ール１１が電気的に接続されるため、接続部１２に端子
間樹脂７が付着すると電気的接続が不良或いは全くでき
なくなり、半導体装置１の信頼性が低下する。しかる
に、上記の製造方法を採用することにより、柱状突起部
２０の上面に端子間樹脂７が付着することを確実に防止
でき、よって半導体装置１の信頼性を向上させることが
できる。
【００４５】また、上記のように下型２７の接合面３０
に微細な凹凸を形成することにより、クランプ時におい
て柱状端子２となる柱状突起部２０及び枠体部３となる
外周突起部２１の上面にも微細な凹凸が形成されること
となる。よって、前述したように柱状突起部２０とビア
ホール１１との電気的接合性、及び枠体部３と封止樹脂
８との機械的接合性を向上することができ、これによっ
ても半導体装置１の信頼性を向上させることができる。
に微細な凹凸を形成することにより、クランプ時におい
て柱状端子２となる柱状突起部２０及び枠体部３となる
外周突起部２１の上面にも微細な凹凸が形成されること
となる。よって、前述したように柱状突起部２０とビア
ホール１１との電気的接合性、及び枠体部３と封止樹脂
８との機械的接合性を向上することができ、これによっ
ても半導体装置１の信頼性を向上させることができる。
【００４６】一方、図５に示す例では、下型２７のリー
ドフレーム９と対向する接合面３０に微細な凹凸を形成
することにより半導体装置１の信頼性を向上させる構成
を示したが、図６に示されるように、下型２７Ａの柱状
突起部２０と対向する部位に小突起３１を形成すること
によっても同様の効果を実現することができる。
ドフレーム９と対向する接合面３０に微細な凹凸を形成
することにより半導体装置１の信頼性を向上させる構成
を示したが、図６に示されるように、下型２７Ａの柱状
突起部２０と対向する部位に小突起３１を形成すること
によっても同様の効果を実現することができる。
【００４７】即ち、下型２７Ａに小突起３１を形成する
ことにより、リードフレーム９をモールド金型１４にク
ランプした際に、小突起２１は柱状突起部２０に食い込
んだ状態となり、柱状突起部２０と下型２７Ａとの間に
間隙が発生することを防止することができる。よって、
図６に示す構成においても柱状突起部２０の上面に端子
間樹脂７が付着することを確実に防止でき、よって半導
体装置１の信頼性を向上させることができる。
ことにより、リードフレーム９をモールド金型１４にク
ランプした際に、小突起２１は柱状突起部２０に食い込
んだ状態となり、柱状突起部２０と下型２７Ａとの間に
間隙が発生することを防止することができる。よって、
図６に示す構成においても柱状突起部２０の上面に端子
間樹脂７が付着することを確実に防止でき、よって半導
体装置１の信頼性を向上させることができる。
【００４８】上記のように、端子間樹脂充填工程を実施
することにより端子間樹脂７が形成されると、続いて半
導体素子搭載工程が実施される。この半導体素子搭載工
程では、リードフレーム９の端子間樹脂７が形成された
上面に、ビアホール１１を有した絶縁層１４を形成する
と共に、その上部に配線層５を形成する。続いて、配膳
層５の上部に絶縁性接着剤１５を塗布した上で半導体素
子６を搭載、この半導体素子６と配線層５の所定位置を
ワイヤ１６を配設する。
することにより端子間樹脂７が形成されると、続いて半
導体素子搭載工程が実施される。この半導体素子搭載工
程では、リードフレーム９の端子間樹脂７が形成された
上面に、ビアホール１１を有した絶縁層１４を形成する
と共に、その上部に配線層５を形成する。続いて、配膳
層５の上部に絶縁性接着剤１５を塗布した上で半導体素
子６を搭載、この半導体素子６と配線層５の所定位置を
ワイヤ１６を配設する。
【００４９】上記した半導体素子搭載工程が終了する
と、続いて樹脂封止工程が実施される。この樹脂封止工
程では、柱状突起部２０及び外周突起部２１が露出され
た状態となるよう、半導体素子６を封止樹脂８により封
止する処理を行う。この封止樹脂８の形成は、モールド
成形してもよく、またポッティングを用いることも可能
である。また、封止樹脂８を形成する際、封止樹脂８は
溝部１７の内部にも入り込み、よって封止樹脂８の剥離
を防止できることは前述した通りである。封止樹脂８を
形成することにより、半導体素子６，ワイヤ１６等は保
護された状態となる。
と、続いて樹脂封止工程が実施される。この樹脂封止工
程では、柱状突起部２０及び外周突起部２１が露出され
た状態となるよう、半導体素子６を封止樹脂８により封
止する処理を行う。この封止樹脂８の形成は、モールド
成形してもよく、またポッティングを用いることも可能
である。また、封止樹脂８を形成する際、封止樹脂８は
溝部１７の内部にも入り込み、よって封止樹脂８の剥離
を防止できることは前述した通りである。封止樹脂８を
形成することにより、半導体素子６，ワイヤ１６等は保
護された状態となる。
【００５０】樹脂封止工程が終了すると、続いてエッチ
ング工程が実施される。エッチング工程では、リードフ
レーム９にノズルからエッチング液を噴霧することによ
り、銅（Ｃｕ）により形成されたリードフレーム９の凹
部２２が形成された部位、及び溝部１７の対向部位をエ
ッチングにより除去する。これにより、柱状突起部２０
及び外周突起部２１は分離されて柱状端子２及び枠体部
３が形成される。
ング工程が実施される。エッチング工程では、リードフ
レーム９にノズルからエッチング液を噴霧することによ
り、銅（Ｃｕ）により形成されたリードフレーム９の凹
部２２が形成された部位、及び溝部１７の対向部位をエ
ッチングにより除去する。これにより、柱状突起部２０
及び外周突起部２１は分離されて柱状端子２及び枠体部
３が形成される。
【００５１】この分離状態において、各柱状端子２及び
枠体部３は電気的に独立した状態となる。また、この分
離された状態において、隣接する柱状端子２の間、及び
柱状端子２と枠体部３との間には端子間樹脂７が介在す
るため、上記エッチング処理を行った後においても各柱
状端子２及び枠体部３は所定位置に保持された状態を維
持する。
枠体部３は電気的に独立した状態となる。また、この分
離された状態において、隣接する柱状端子２の間、及び
柱状端子２と枠体部３との間には端子間樹脂７が介在す
るため、上記エッチング処理を行った後においても各柱
状端子２及び枠体部３は所定位置に保持された状態を維
持する。
【００５２】一方、上記のエッチング工程では、リード
フレーム９がエッチングされることにより対向配設され
た溝部１７は連通することとなる。この際、図７（Ａ）
に示されるように、対向する溝部１７の形成位置を若干
量ずらしておくことにより、溝部１７同士の対向面積が
広くなるため、図７（Ｂ）に示されるようにエッチング
処理時に溝部１７間の連通性が向上し、エッチングの制
御を容易に行うことができる。尚、半導体装置１の分離
は、この溝部１７内の樹脂を割ることにより行うことが
可能となり、分離作業の容易化を図ることができる。
フレーム９がエッチングされることにより対向配設され
た溝部１７は連通することとなる。この際、図７（Ａ）
に示されるように、対向する溝部１７の形成位置を若干
量ずらしておくことにより、溝部１７同士の対向面積が
広くなるため、図７（Ｂ）に示されるようにエッチング
処理時に溝部１７間の連通性が向上し、エッチングの制
御を容易に行うことができる。尚、半導体装置１の分離
は、この溝部１７内の樹脂を割ることにより行うことが
可能となり、分離作業の容易化を図ることができる。
【００５３】続いて、形成された複数の柱状端子２に対
し、例えば無電解メッキ等により半田メッキ膜１０が形
成され、以上の工程を経ることにより図１に示す半導体
装置１が製造される。
し、例えば無電解メッキ等により半田メッキ膜１０が形
成され、以上の工程を経ることにより図１に示す半導体
装置１が製造される。
【００５４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の効果
を実現することができる。請求項１及び請求項５記載の
発明によれば、外部端子と配線層との電気的な接続を確
実に行うことができる。
を実現することができる。請求項１及び請求項５記載の
発明によれば、外部端子と配線層との電気的な接続を確
実に行うことができる。
【００５５】また、請求項２記載の発明によれば、枠体
部と封止樹脂との接合性を向上することができ、よって
封止樹脂の剥離を防止することができる。また、請求項
３及び４記載の発明によれば、端子間樹脂を充填しても
金型と柱状突起部との間に端子間樹脂が侵入することは
なく、よって柱状突起部と配線層との電気的接続を確実
に行うことができる。
部と封止樹脂との接合性を向上することができ、よって
封止樹脂の剥離を防止することができる。また、請求項
３及び４記載の発明によれば、端子間樹脂を充填しても
金型と柱状突起部との間に端子間樹脂が侵入することは
なく、よって柱状突起部と配線層との電気的接続を確実
に行うことができる。
【００５６】また、請求項６記載の発明によれば、エッ
チング工程において上下の溝部の連通性が向上し、よっ
てエッチングの制御を容易に行うことができる。
チング工程において上下の溝部の連通性が向上し、よっ
てエッチングの制御を容易に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例であるリードフレームを示す
図であり、（Ａ）は平面図，（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ
−Ｘ線に沿う断面図である。
図であり、（Ａ）は平面図，（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ
−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】端子間樹脂充填工程を説明するための図であ
る。
る。
【図４】端子間樹脂充填工程における樹脂注入口近傍を
拡大して示す図である。
拡大して示す図である。
【図５】金型とリードフレームの接合位置を拡大して示
す図である。
す図である。
【図６】金型とリードフレームの接合位置を拡大して示
す図である。
す図である。
【図７】溝部を拡大して示す図であり、（Ａ）はエッチ
ング処理前の状態を示す図であり、（Ｂ）はエッチング
処理後の状態を示す図である。
ング処理前の状態を示す図であり、（Ｂ）はエッチング
処理後の状態を示す図である。
１ 半導体装置 ２ 柱状端子 ３ 枠体部 ４ 絶縁層 ５ 配線層 ６ 半導体素子 ７ 端子間樹脂 ９ リードフレーム １１ ビアホール １２ 接続部 １４ モールド金型 １７ 溝部 ２０ 柱状突起部 ２１ 外周突起部 ２２ 凹部 ２３ 樹脂注入口 ２５ 流入防止ブレード ２６ 上型 ２７，２７Ａ 下型 ３０ 接合面 ３１ 小突起
フロントページの続き (72)発明者 米田 義之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 辻 和人 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 織茂 政一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 迫田 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 埜本 隆司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 佐久間 正夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通オートメーション株式会社内 (72)発明者 鈴木 義美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通オートメーション株式会社内 (72)発明者 加藤 洋 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通オートメーション株式会社内 (72)発明者 増子 隆 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通オートメーション株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−99278（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169898（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−268091（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子と、前記半導体素子と電気的
に接続される配線層と、前記半導体素子を覆う封止樹脂
と、上端部に形成された接続部が前記配線層と電気的に
接続されると共に端子間樹脂により所定ピッチに保持さ
れた外部端子としての柱状端子と、前記柱状端子の配設
位置の外周位置に配設された枠体部とを具備し、前記柱
状端子がリードフレームをエッチングすることにより形
成される半導体装置であって、 前記柱状端子の接続部に微細な凹凸または小突起を形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記枠体部の上面に前記封止樹脂が係合する溝部を形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置を製造する半
導体装置の製造方法であって、 導電性金属基板の両面に、少なくとも前記外部端子とな
る柱状突起部と前記枠体部となる外周突起部とを除き凹
部を形成すると共に、端子間樹脂が充填される所定部位
に樹脂注入孔を形成してリードフレームを形成するリー
ドフレーム形成工程と、 前記リードフレーム形成工程で形成されたリードフレー
ムを、少なくとも前記柱状突起部と対向する部位に微細
な凹凸が形成された金型でクランプし、前記樹脂注入孔
より前記リードフレームの上面に形成された凹部に対し
前記端子間樹脂を充填する端子間樹脂充填工程と、 前記リードフレームの前記端子間樹脂が形成される上面
に、前記絶縁層，配線層及び半導体素子を配設すると共
に所定の電気的な接続処理を行う半導体素子搭載工程
と、 前記柱状突起部と外周突起部とを露出させ、前記半導体
チップを前記封止樹脂により封止する樹脂封止工程と、 前記リードフレームにエッチング処理を行うことによ
り、前記枠体部部と前記柱状端子部との連結状態及び前
記各柱状端子部間の連結状態を分離させるエッチング工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記端子間樹脂充填工程に用いる金型として、前記柱状
突起部と対向する部位に微細な凹凸が形成された金型に
代えて、前記柱状突起部と対向する部位に小突起が形成
された金型を用いたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の半導体装置の製
造方法において、 前記リードフレーム形成工程で、前記導電性金属基板の
前記封止樹脂の形成範囲位置内に対向する一対の溝部を
形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記導電性金属基板の前記端子間樹脂が形成される上面
に形成された溝部の形成位置と、下面に形成される溝部
の形成位置をずらして形成したことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP32479695A JP3198243B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| JP32479695A JP3198243B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| JPH09162342A JPH09162342A (ja) | 1997-06-20 |
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