JP6697720B2 - 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置 - Google Patents
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Description
まず、図1乃至図5により、本発明による半導体装置の一実施の形態について説明する。図1乃至図5は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す図である。
次に、図1乃至図5に示す半導体装置20を製造する際に用いられるリードフレーム10(多面付リードフレーム)の製造方法について、図6(a)−(f)を用いて説明する。
次に、図1乃至図5に示す半導体装置20の製造方法について、図9(a)−(f)により説明する。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図10を用いて説明する。
図10は、本実施の形態による照明装置を示す概略図である。
このことにより、樹脂部分から金属部分が脱落することを防止することができ、また、使用環境においてストレスが加わった際の耐破壊性を向上することができる。さらに、水分やガスが半導体装置20の内部に侵入することにより、半導体装置20の輝度が低下したり信頼性が低下したりすることを防止することが可能である。
以下、本実施の形態による半導体装置の各種変形例(変形例1〜変形例3)について、図11乃至図13を参照して説明する。図11乃至図13は、それぞれ半導体装置の変形例を示す断面図(図3に対応する図)である。図11乃至図13において、図1乃至図10に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図11は、本実施の形態の一変形例(変形例1)による半導体装置20Aを示している。図11に示す半導体装置20Aにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、連結部27は、裏面側からではなく表面側から薄肉化されている。
図12は、本実施の形態の一変形例(変形例2)による半導体装置20Bを示している。図12に示す半導体装置20Bは、図11に示す変形例1において、ダイパッド25の表面に、さらに凹形状からなる素子載置用薄肉部47を形成したものである。
図13は、本実施の形態の一変形例(変形例3)による半導体装置20Cを示している。
本実施の形態による実施例として、それぞれ図1乃至図5に示す構成からなる、4種類の半導体装置20(実施例1〜4)を作製した。これら4種類の半導体装置20(実施例1〜4)は、そのパッケージサイズのみが互いに異なっており(表1参照)、それ以外の構成は互いに同一である。この場合、リードフレーム10の板厚は全て0.25mmとした。また、本体部11、めっき層12および外側樹脂部23の材質として、それぞれ銅、銀および白色のエポキシ系樹脂を採用した。
比較例として、図14に示す構成からなる、4種類の半導体装置100(比較例1〜4)を作製した。図14に示す半導体装置100は、連結部27の断面厚みがリードフレーム10の他の部分の断面厚みと同一になっているものであり、その他の構成は図1乃至図5に示す半導体装置20と略同一である。なお、比較例1〜4に係る半導体装置100のパッケージサイズは、それぞれ実施例1〜4に係る半導体装置20のパッケージサイズと同一とした。
11 本体部
12 めっき層
20、20A〜20C 半導体装置
21 LED素子
22 ボンディングワイヤ(導電部)
23 外側樹脂部
24 封止樹脂部
25 ダイパッド
26 リード部
27 連結部
31 金属基板
47 素子載置用薄肉部
48 ボンディング用薄肉部
Claims (4)
- 半導体装置において、
ダイパッドと、前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、前記ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、
前記リードフレームの前記ダイパッド上に載置されたLED素子と、
前記リード部と前記LED素子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを備え、
前記リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、前記連結部は、前記外側樹脂部の側面外方へ露出して露出面を構成し、
前記連結部が露出する前記外側樹脂部の側面における前記連結部の断面厚みは、前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記外側樹脂部は、光反射剤を有し、
前記連結部は、表面側から薄肉化されることにより、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記連結部の薄肉化された部分は曲面を有し、前記曲面において、前記連結部の厚みは前記ダイパッド側で最も厚く、前記外側樹脂部の側面に向かって次第に薄くなっており、
前記ダイパッド表面に、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄い素子載置用薄肉部が形成され、前記LED素子は、前記素子載置用薄肉部に配置され、
前記リード部の表面には、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄いボンディング用薄肉部が形成され、前記ボンディングワイヤは、前記ボンディング用薄肉部に接続され、
前記素子載置用薄肉部の表面と、前記ボンディング用薄肉部の表面と、前記ダイパッドと前記リード部との間に充填された前記外側樹脂部の表面とは、互いに同一平面上に位置していることを特徴とする半導体装置。 - 前記外側樹脂部は、前記LED素子を取り囲む樹脂凹部を有し、前記外側樹脂部の前記樹脂凹部内に、透光性の封止樹脂部が充填されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法において、
銅または銅合金からなる金属基板を準備する工程と、
前記金属基板にエッチングを施すことにより、複数のダイパッドと、各ダイパッドから離間して配置されたリード部と、各ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームを作製する工程と、
前記リードフレームを覆って外側樹脂部を設ける工程と、
前記リードフレームの各ダイパッドに、それぞれLED素子を載置する工程と、
前記リード部と前記LED素子とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
各半導体装置毎に前記外側樹脂部および前記連結部を切断する工程とを備え、
前記外側樹脂部および前記連結部を切断することにより、前記連結部は、前記外側樹脂部の側面外方へ露出して露出面を構成し、
前記連結部が露出する前記外側樹脂部の側面における前記連結部の断面厚みは、前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記外側樹脂部は、光反射剤を有し、
前記連結部は、表面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記連結部の薄肉化された部分は曲面を有し、前記曲面において、前記連結部の厚みは前記ダイパッド側で最も厚く、前記外側樹脂部の側面に向かって次第に薄くなっており、
前記ダイパッド表面に、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄い素子載置用薄肉部が形成され、前記LED素子は、前記素子載置用薄肉部に配置され、
前記リード部の表面には、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄いボンディング用薄肉部が形成され、前記ボンディングワイヤは、前記ボンディング用薄肉部に接続され、
前記素子載置用薄肉部の表面と、前記ボンディング用薄肉部の表面と、前記ダイパッドと前記リード部との間に充填された前記外側樹脂部の表面とは、互いに同一平面上に位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 照明装置において、
基板と、
前記基板上に配置された半導体装置と、
前記基板上に設けられ、前記半導体装置を覆うカバーとを備え、
前記半導体装置は、
ダイパッドと、前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、前記ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、
前記リードフレームの前記ダイパッド上に載置されたLED素子と、
前記リード部と前記LED素子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを有し、
前記リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、前記連結部は、前記外側樹脂部の側面外方へ露出して露出面を構成し、
前記連結部が露出する前記外側樹脂部の側面における前記連結部の断面厚みは、前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記外側樹脂部は、光反射剤を有し、
前記連結部は、表面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっており、
前記連結部の薄肉化された部分は曲面を有し、前記曲面において、前記連結部の厚みは前記ダイパッド側で最も厚く、前記外側樹脂部の側面に向かって次第に薄くなっており、
前記ダイパッド表面に、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄い素子載置用薄肉部が形成され、前記LED素子は、前記素子載置用薄肉部に配置され、
前記リード部の表面には、その断面厚みが前記リードフレームの他の部分の断面厚みより薄いボンディング用薄肉部が形成され、前記ボンディングワイヤは、前記ボンディング用薄肉部に接続され、
前記素子載置用薄肉部の表面と、前記ボンディング用薄肉部の表面と、前記ダイパッドと前記リード部との間に充填された前記外側樹脂部の表面とは、互いに同一平面上に位置していることを特徴とする照明装置。
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JP2018195106A JP6697720B2 (ja) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
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JP2019012854A JP2019012854A (ja) | 2019-01-24 |
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JP2018195106A Active JP6697720B2 (ja) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
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