JPH0410742B2 - - Google Patents
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- JPH0410742B2 JPH0410742B2 JP59071653A JP7165384A JPH0410742B2 JP H0410742 B2 JPH0410742 B2 JP H0410742B2 JP 59071653 A JP59071653 A JP 59071653A JP 7165384 A JP7165384 A JP 7165384A JP H0410742 B2 JPH0410742 B2 JP H0410742B2
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- Japan
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- heat sink
- power transistor
- groove
- resin layer
- hybrid integrated
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は混成集積回路、特にパワートランジス
タを組込んだ混成集積回路の封止構造の改良に関
する。
タを組込んだ混成集積回路の封止構造の改良に関
する。
(ロ) 従来技術
従来の混成集積回路は第１図に示す如く、セラ
ミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニウ
ム等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状に
設けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着さ
れたヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着さ
れたパワートランジスタ４と、パワートランジス
タ４を被覆保護する封止樹脂層５と、基板１の周
端に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７と
で構成されていた。
ミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニウ
ム等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状に
設けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着さ
れたヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着さ
れたパワートランジスタ４と、パワートランジス
タ４を被覆保護する封止樹脂層５と、基板１の周
端に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７と
で構成されていた。
斯る構造の混成集積回路はテレビ、ラジオ、ス
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如く極めて使用環境の悪
いものにおいては十分な封止構造とは言えず、特
に電力を消費するパワートランジスタの劣化が極
めて問題となつていた。即ちヒートサイクルの結
果、封止樹脂層５にクラツクが発生し、クラツク
から入る酸素により半田酸化が起こり、パワート
ランジスタ４とヒートシンク３との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ４が二次破壊されるので
ある。
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如く極めて使用環境の悪
いものにおいては十分な封止構造とは言えず、特
に電力を消費するパワートランジスタの劣化が極
めて問題となつていた。即ちヒートサイクルの結
果、封止樹脂層５にクラツクが発生し、クラツク
から入る酸素により半田酸化が起こり、パワート
ランジスタ４とヒートシンク３との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ４が二次破壊されるので
ある。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、パワー
トランジスタの良好な封止構造を有する混成集積
回路を実現するものである。
トランジスタの良好な封止構造を有する混成集積
回路を実現するものである。
(ニ) 発明の構成
本発明による混成集積回路に依れば、絶縁基板
１１と、絶縁基板１１上に設けた導電路１２と、
導電路１２上に固着したヒートシンク１３と、ヒ
ートシンク１３上に固着したパワートランジスタ
１４と、パワートランジスタ１４を被覆する封止
樹脂層１５とを備え、ヒートシンク１３の周辺に
本発明の特徴とする逆テーパー面１８を有する溝
１９を設けて構成される。
１１と、絶縁基板１１上に設けた導電路１２と、
導電路１２上に固着したヒートシンク１３と、ヒ
ートシンク１３上に固着したパワートランジスタ
１４と、パワートランジスタ１４を被覆する封止
樹脂層１５とを備え、ヒートシンク１３の周辺に
本発明の特徴とする逆テーパー面１８を有する溝
１９を設けて構成される。
(ホ) 実施例
本発明に依る混成集積回路は第２図に示す如
く、セラミツクスあるいは表面を陽極酸化したア
ルミニウム等の絶縁基板１１と、該基板１１上に
任意の形状に設けた銅箔より成る銅電路１２と、
銅電路１２上に半田で固着されたヒートシンク１
３と、ヒートシンク１３上に固着したパワートラ
ンジスタ１４と、本発明の特徴とする溝１９と、
パワートランジスタ１４を被覆する封止樹脂層１
５より成る。
く、セラミツクスあるいは表面を陽極酸化したア
ルミニウム等の絶縁基板１１と、該基板１１上に
任意の形状に設けた銅箔より成る銅電路１２と、
銅電路１２上に半田で固着されたヒートシンク１
３と、ヒートシンク１３上に固着したパワートラ
ンジスタ１４と、本発明の特徴とする溝１９と、
パワートランジスタ１４を被覆する封止樹脂層１
５より成る。
ヒートシンク１３は13mm角で厚さ３mmの銅片を
用い、ヒートシンク１３の周辺に連続してあるい
は不連続して本考案の特徴とする溝１９を設け
る。この溝１９は逆テーパー面１８を有し、封止
樹脂層１５のヒートサイクルによるヒートシンク
１３からの剥離を防止する働きを持つ。逆テーパ
ー面１８は〓字形の溝を形成した後に内側の溝端
部をプレスして形成している。
用い、ヒートシンク１３の周辺に連続してあるい
は不連続して本考案の特徴とする溝１９を設け
る。この溝１９は逆テーパー面１８を有し、封止
樹脂層１５のヒートサイクルによるヒートシンク
１３からの剥離を防止する働きを持つ。逆テーパ
ー面１８は〓字形の溝を形成した後に内側の溝端
部をプレスして形成している。
パワートランジスタ１４はヒートシンク１３の
溝１９の内側に半田で固着され、エポキシ樹脂等
の封止樹脂層１５を塗布してパワートランジスタ
１４を被覆して保護する。この際封止樹脂層１５
は溝１９内にも充填される。
溝１９の内側に半田で固着され、エポキシ樹脂等
の封止樹脂層１５を塗布してパワートランジスタ
１４を被覆して保護する。この際封止樹脂層１５
は溝１９内にも充填される。
第３図に本発明の他の実施例を示す。このヒー
トシンク１３では逆テーパー面１８を〓字型の溝
を形成後に、更に内側にＶ溝２０を設けて形成し
ている。
トシンク１３では逆テーパー面１８を〓字型の溝
を形成後に、更に内側にＶ溝２０を設けて形成し
ている。
なお逆テーパー面１８は溝１９の内側でも外側
でも形成して良い。
でも形成して良い。
(ヘ) 発明の効果
本発明に依れば溝１９の逆テーパー面１８によ
りパワートランジスタ１４の封止樹脂層１５のヒ
ートサイクルによる剥離を未然に防止できるの
で、良好な封止構造を実現できる。また封止樹脂
層１５はヒートシンク１３上のみに塗布するだけ
で足り、簡便な封止構造を実現できる。
りパワートランジスタ１４の封止樹脂層１５のヒ
ートサイクルによる剥離を未然に防止できるの
で、良好な封止構造を実現できる。また封止樹脂
層１５はヒートシンク１３上のみに塗布するだけ
で足り、簡便な封止構造を実現できる。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本
発明を説明する断面図、第３図は本発明の他の実
施例を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は絶縁基板、１３はヒー
トシンク、１４はパワートランジスタ、１９は
溝、１８は逆テーパー面である。
発明を説明する断面図、第３図は本発明の他の実
施例を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は絶縁基板、１３はヒー
トシンク、１４はパワートランジスタ、１９は
溝、１８は逆テーパー面である。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上にヒートシンクを介して固着した
パワートランジスタを具備する混成集積回路にお
いて、前記ヒートシンク上面の周辺部に逆テーパ
ー面を有する溝を設け、前記溝に囲まれた領域に
前記パワートランジスタが固着搭載され、前記溝
内部に充填されると共に前記ヒートシンク上にの
み前記パワートランジスタを保護する封止樹脂層
を配置したことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165384A JPS6065553A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165384A JPS6065553A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065553A JPS6065553A (ja) | 1985-04-15 |
| JPH0410742B2 true JPH0410742B2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=13466778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7165384A Granted JPS6065553A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065553A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230256A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4702196B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-06-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643166B2 (ja) * | 1976-11-15 | 1981-10-09 | ||
| JPS5840848A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Hitachi Ltd | 絶縁型半導体装置 |
| JPS6233330U (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-27 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643166U (ja) * | 1979-09-10 | 1981-04-20 |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP7165384A patent/JPS6065553A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643166B2 (ja) * | 1976-11-15 | 1981-10-09 | ||
| JPS5840848A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Hitachi Ltd | 絶縁型半導体装置 |
| JPS6233330U (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6065553A (ja) | 1985-04-15 |
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