JPS58128753A - 電気構成部分のためのケ−シング - Google Patents

電気構成部分のためのケ−シング

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JPS58128753A
JPS58128753A JP58008011A JP801183A JPS58128753A JP S58128753 A JPS58128753 A JP S58128753A JP 58008011 A JP58008011 A JP 58008011A JP 801183 A JP801183 A JP 801183A JP S58128753 A JPS58128753 A JP S58128753A
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metal
alloy
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シエルドン・エツチ・バツト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は′?導体tケー・スに入わ、るための方決と装
置とし間し、特に、粘着剤を使用して′@封され且つ接
合された極めて確実な全農ケーシングを提供するiめの
方法と騎獣とに間”ケるものである。
塊在電干工業において、基本的には、2つの型式の半導
体パッケージが最も集積された回路のため使用されてい
る。その1つは成形された7#ラスチツク製パツケージ
で、その内部に、リードフレーム上に支持された電子装
置が鋳込まれあるいは封入されている。このグラスチッ
ク製のパフケージは幾つかの信頼性のiimを有してい
る。先ず第1に、金属に対するf5−スナックの結合力
の減退により、道が提供され、この道を通っで電気と(
の他の汚染物が電子装置に達して腐食の故障の原因とな
り得る。この間−は大プリテン島σ、)ペルだ−出版社
により[!イクロエレクトロニツタ^アンrリライアピ
リテイJ巻16(1977年)の161−164ページ
にて公表されているネイl(−アンドホワイトによる「
プラスチックに:封入されたマイク+3電子装置内のア
、A/<ニラ五の相互連結腐食を支配する因子−1なる
置割の1−文にて十分に睨明され且つ婆証されている5
、 たとえこの柵の故障が生じないj46合でも、おそらく
fフスグ・ツタの緩徐な劣化の1&#j釆として生ずる
″fテスチック′を趙j7エの汚染物の拡散が故障船虫
ずるかもしれない。
この型の故障は大!リチン島のベルが−モン串版社によ
り[マイクロエレクトロニクスアントリライ了ピリテ′
イJ1115、(1976年)601−611ページに
公表されたオルパーグアンドポデーλによる[プラスチ
ック入内に封入されたセミ半導体装置上のアルミニウム
金属の腐食に寄与する因子jなる表着の論文に記載され
ている。
他の型のパラ乍−ジにおいて、アルtす七9ミックの2
片が密封した、セラミック2重インティ> zf ツケ
ージ(cgRDIP )を形成するように適当なソール
ダガラスでり−P7レームにがラス密封される。このC
ERI)IPパッケージはプラスチック成形パッケージ
と関連された間meなくしている。だが、この型のパッ
ケージはきわめて高価である。
この技術の分Wにおいて知られている他の技法は半導体
装置を会員のパッケージ内に完全に囲むとともに、冷間
圧接を使用してこのベッナ〜・ジを密封することである
。電気構成部分を金属ハウジング内に密封するこの方法
は米国特許 第2.? 99,194号および米国特許第3.988
,825号の各明細書に開示されている。
電子装置のための、熱を用いることなくIl達された、
密封囲いe提供することもまた先行技術において知られ
ている。この着想は章!i!*許第5.113,2.5
2号の明細書に開示されている。
完全に密封されたパッケージと関連された高価格をとも
なうことなく、高度の信頼性を有している、電気構成部
分のための、パッケージを提供することが本発明の下に
横たわる一tm題である。
前記の先行技術の配列の前記の制限ならびに献点の1つ
またはそれ以上を排除した、電気#I成部分のためのケ
ーシングを提供することが本発明の一利点である。
汚染物の拡散に実質上抵抗する、電気構成部分のための
ケーシングを提供することが本発明のさらに他の利点で
ある。
比較的に廉価に製造できる、vl&気構成部分のための
う°−シングを提供することが本発明のさらに他の利点
である。
熱を用いることなく組立てられる、電気構成部分のため
のケーシングを提供することが本発明のさらに他の利点
である。
本発明にしたがって、金属の基底部材を含んだ、電気構
成部分のためのケーシングが提供された。
金属のハウジング部材は電気構成部分を受は入れるため
の、四方を囲まれた中空ケーシングを提供するように前
記の基底部材上に装架されている。
金属のり−P7レームが前記の西方4i:囲まれたケー
シング内に提供され且つ前記の電気構成部分に電気的に
接続されている。前記リードフレームは前記基底部材と
前記ハウジング部拐との間にて前記ケーシングの外部へ
と突出した永久的リード線を有している。この改善は前
記のJIi底部材を補強するとともに1熱を前記ケーシ
ングから付加的に伝達するための、前記基底部材から延
びた要素を含むことができる。また前記の四方を+H1
rれたケーシングの形成のため、粘着材が端子リード線
を前記ペース部材とハウジング部材との両方に密封し且
つ接合している。
以下添付11W面に図示されている本発明の好ましい実
施例について本発明を詳述する。
第1図には、電気構成部分12のためのケーシング10
が例示されている。このケーシングは金属の基底部材1
4を含んでいる。金属ハウジング部材16が電気構成部
分を受は入れるための四方を囲まれた中空ケーシングを
提供するように基底部材14上に装架されている。前記
の四方を囲まれたケーシング内の金属のリードフレーム
18は電!120により前記電気構成部分に電気的に*
IIされている。リードフレーム18は基底部材14と
ハウジング部材16との間をケーシング10の外部に突
出した喝子リード1i122および24を有している。
この改善装置は四方を囲まれたケーシングの形成のため
前記端子リード線を基底部材と、ハウジング部材との両
方に封増し且つ接合するための粘着材26を含んでいる
たとえば半導体素子のごとき電気構付部分を密封するた
めのこのパッケージは任意の所望の形状と厚さとを有す
る金属の基底部材14を含んで、いる、この半導体素子
またはチップ12はたとえば任意の先行技術のプラスチ
ック内に封入されたパッケージ内にエポキシ粘着剤を使
用して基底部材上に装架されることができる。リードフ
レーム18の底部表面はエポキシ粘着剤26の使用で基
底部材14に密封され且つ接合されている。チップ12
と前記り−rフレームとの間の電気結線は従来どおりに
電[2Gによりなされている。次でハウジング部材16
はエポキシ26の使用で前記リードフレームの頂部表面
に密封され且つ接合される。
第1図に図示されているように、端子リード線22およ
び24が前記基底部材とハウジング部材との間でケーシ
ング10の外部へ突出している。
できれば端子リーPlIIがこのケーシングの全ての側
面から突出することが好ましいが、前記端子リード線が
任意の数の側面から突出していることが本発明の範囲内
である。互いに接触している表面区域がハウジング部材
10と基底部材14との間に存在することができる。し
たがってこれ等の表面区域の相互間に提供された粘着剤
がこれ等の表面区域を互いに接合し且つ密封するであろ
う、*記へウジング部材はチップまたは電線20のじゃ
亥とならないように図示されているがごとき中空の囲い
を形成する形状にされてもよい、だが、ケーシングの精
確な形状は本発明の一部を形成せず、したがって任意の
所望の形状であってよい。
基底部材と、ハウジング部材と、リードフレームとに使
用される金属は粘着剤と強力に接合する任意の所望の金
属あるいは合金であってよい。だが本発明によれば、耐
火性の酸化物層を有する鋼および銅ベースの合金が各種
の粘着剤ときわめて強力に接合し、それにより苓ポキシ
と金属の基体との間における汚染物の拡散を防止するこ
とが判明している。本発明で使用するのに適した鯛べ一
一スの合金は2から12襲のアルミニウムを含んでいる
。特に、2.5から6.1≦までのアル1=ウムと、1
.5から2.1%までのケイ素と、0.25から0.5
511までのコパルシとを含んだ、米国特許第5.67
6,292号の明細書記載のODA合金658が本発明
にしたがった金属の提供に最も有用である。所望の環境
で接合を妨げない不純物は存在してもよい、さらにその
上に、米国特許第5,541.569号の明細書記載の
CDA合金6381を使用することも望ましいであろう
。合金6681はコバルトを含んでいない点を除いて合
金638に類似している。このコバルトを含んでいない
ことで、コストが軽減され且つ焼きなまされた機械的性
質がある程度減ぜられることになる。
本発明に関して有用な合金、特に合金668倉たは63
81は粘着剤と接触している表向に耐大性の酸化物の層
を被着される。この酸化物の層はたとえば、アル建す、
シリカ、す覧、鉄り四ミア。
亜鉛、およびマンガンのごとき元素で形成される錯酸化
物を含むことができる。最も好ましくは、耐火性酸化物
の層が実質上酸化アル1=ウム(Altos)である、
この耐火性酸化物は任意の所望の方法で基体に被着され
ることができる。たとえば1合金668のごとき鋼ベー
スの合金が酸素含有量のきわめて低いガス内で事前酸化
される。この合金638は4襲の水素と、96搭の窒素
と、ガス中に混入されている痕跡量の水から解放された
痕跡量の酸素とともに容器内に配置される。このガスは
約630℃と約820℃、との間の温度まで加熱される
。上記合金が上記の加熱されたガス内に放置される時間
の総計と上記温度次第で決まる所望の厚さの耐火性酸化
物の層が上記合金の表面上に形成される。エポキシと接
触している各の素子の全表面に上記の耐火性酸化物の層
を被着することもまた本発明の範囲内である。
予め酸化された表面を有する合金638を使用する利点
は、この合金がたとえばエポキシのごとき粘着剤に十分
に接着し、したがって、上記エポキシと金員の基体との
間における汚染物の拡散に対し実質上不浸透性であるこ
とである。また、この予め酸化された表面はこの金属を
直接通り抜ける汚染物に対する優れた障壁である。かく
して、本発明のケーシングは、パッケージの大半が金属
でありまた相互拡散がこのパッケージを密封する粘着剤
の比較的に薄い層内でのみ実質上手ずることができるの
で、汚染物の相互拡散の可能性を軽減する。
本発明は、任意の金属または合金、できれば予め酸化さ
れた668または6681のごとき耐火性の酸化物の表
面層を有している金属または合金と強力に接合するエポ
キシのごとき任意の粘着剤2Bを使用している。
耐火性酸化物の層を互いに接合し且つ密封するための多
数の各種の粘着剤が今までに発見されている。その中の
数例が下記の表内に提供されている。
型       各  称      製造業者基体1
4は主たる強度と剛性とをパッケージに提供する。一般
的に、上記基体は前記のごとき合金668または668
1から形成される。さらにその上にこの基体を通して熱
を消散することが、しばしば必要である。その場合には
、上記の熱の消散は、熱伝導性を着しく増加するように
、たとえば両会151のごとき他の合金で合金668*
たは6681を被覆することで、改善されるであろう、
所望の特性を有する任意の他の金属または金属の合金を
、少くとも1つの表面に耐火性の酸化物の層を有する金
属または合金に被覆することもまた本発明の1iFM内
である。
鋼合金の基体の熱膨張係数とチップ12の熱膨張係数と
の間にはかなりの差異があるかも知れないので、たとえ
ばポリイくドのごとき高温粘着剤を用いてチップを基体
上に装架する必要があるかも知れない。
第2図には第1図の実施例に類似している本発明の第2
の実施例28が例示されている。基底部材または基体3
1に周辺裾部3oが付加されている。裾部30は基体3
1の底部表[133から任意の所望の角度、できればは
鵞90度の角度をなして基体31または基底部材から延
びることができる。上記裾部は基体31に付加的な強度
および剛性を与える。上記裾部の補剛効果は基体の厚さ
のかなりの減小を許しそれによりコストの軽減の姐源と
なっている。裾部30はまた空気またはllK塊への対
流による熱伝達を促進するための付加的熱伝達表面を提
供することで前記基体の熱消散をも促進する。
第6図には、付加的な冷却ひれ36を有する以外、第2
図の実施例に類似した本発明の実施例34が例示されて
いる。上記ひれは合金151のごときできれば高い熱伝
導性を有する合金の単数または複数のストリップから構
成されて、任意の先行技術の方法たとえばはんだ付けに
より基体31の底部表面に結合されてもよい。上記ひれ
がU形状に曲げられた材料のストリップであるとして例
示されているが、各が任意の所望の形状を有している材
料の任意の枚数のストリップから形成された任意の置数
の冷却ひれを提供することが本発明の範囲内である。
第4図には、第2図の実施例と実質上同一であって、I
i部付きの基体を有する半導体ケーシング28が、プリ
ント回路盤40で、埋込まれて貫通して延びたヒートシ
ンク/接地板42を有しているプリント回路盤40に結
合されている実施例が例示されている。この回路盤は金
属または合金の層52および54から従来どおりに構成
されてたとえば従来どおりの有機エポキシのごとき材料
56により互いに接合されてもよい、接地板42はでき
れば高い電気と熱の伝導性を有するを可と40はリード
フレーム57の、それぞれ、端部48および50を受は
入れるための貫通孔44および46を設けられている。
上記貫通孔ははんだを受は入れて外側の層52および5
4を結合するようにめっきをされることができる。裾部
3Gはこのパッケージからの熱の消散を促進するように
ヒートシンク/接地板42と接触して配置されることが
できる。できれば、上記裾部は任意の所望の手段たとえ
ばはんだにより板42に結合されることが好ましい。
第5図には、ケーシング59が中心落込み基体60を含
んでいる本発明の他の実施例5Bが例示されている。こ
の基体はたとえばスタンピングのごとき任意の従来の手
段による基体の材料の1m#りにより形成されることが
できる。この実施例において、カバー62は、チップの
た吟必費とされる空間が成形された基体により提供され
るので、実質上平坦であってよい。プリント回路盤65
に存在する中空部分64により、基体60の一部分また
は区域86は、たとえばはんだ付けのごとき任意の従来
の手段により、前記プリント回路内に埋込まれているヒ
ートシンク/接地板68に直接給金されることができる
。この基体の熱膨張係数はヒートシンク/接地板68の
熱膨張係数と緻密に釣合うように選択されることができ
る。かくして、特に、大きな結合区域66における、熱
膨張係数の不釣合いから生ずるおそれのある困雌な問題
は実質上排除される。
再び第5図において、湿気または汚染物吸収用材料の層
TOが、このパッケージ内へ拡散するおそれのある水蒸
気および(あるいは)その他の汚染物を掃除するように
ふた62の内側表[172に取付けられることができる
。この層はたとえばシリカ−rル、活性炭、等あるいは
そのような材料の混合物から成ってもよい。この材料は
、粘着剤によるかあるいは容器内に配置し且つこの容器
を表11jf72に取付けるがごとき任意の先行技術の
方法で取付けられてよい。この選択が第5図に例示され
ているが、この選択は本文記載のいずれの実施例にもま
た任意のパッケージ内で適用されることができる。また
、この材料は任意の所望の内側表面に取付けられてよい
本発明により1以上で述べられた目的、手段および利点
を完全に満足させる、電気構成部分のためのケーシング
と、この構成部分を形成する方法とが提供されたことは
明らかである。以上において、本発明が特定の実施例と
関連して述べられたが、多くの変更および変化は以上の
説明に照らして当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にしたがった、電気構成部分のための、
ケーシングの横断面図、第2図は裾部付きの基体を有す
るケーシングの横断面図、第iQは冷葺用ひれを有する
裾部付きの基体を備えたケーシングの横断面図、第4図
はプリント回路盤内のと一ドシンクに接触している裾部
付きの基体を有するケーシングの横断面図、第5図はプ
リント回路盤内のヒートシンクに接触する中心落込み画
体ヲ有するケーシングの横断面図である。 10・・・ケーシング、12・・・電気、14・・・金
jls底部材、16・・・金褐へウジング部材、18・
・・金属リードフレーム、2G・・・電線、22.24
・・・端子リード線、26・・・エポキシ粘着剤、28
・・・第2の実施例、30・・・屑辺纏部、31・・・
基体、34・・・実施例、36・・・冷却用ひれ、38
・・・実施例、40・・・プリント回路盤、42・・・
ヒートシンク/接地板、44.46・・・貫通孔、48
.50・・・端部、52゜54・・・金員または合金の
層、56・・・材料、57・・・リードフレーム、59
・・・ケーシング、60・・・中心落込み基体、62・
・・カバー、64・・・中空部分、65・・・プリント
回路盤、6B・・・ヒートシンク/接地板、70・・・
吸収層、T2・・・内側表面。 代理人 洩 村   皓 外4名

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  電気構成部分のためのケーシングで、金員の
    基底部材と;前記電気構成部分を受は入れるための四方
    を囲まれた中空のケーシングを提供するように前記基底
    部材上に装架されている金属のへウジング部材と;前記
    電気構成部分への電気接続のための、前記の四方をI!
    lまれたケーシング内の電気リードフレームで、前記基
    底部材と前記へウゾング部材との間を前記ケーシングの
    外部へ突出した端子リード線を有する金属リードフレー
    ムとを有しているケーシングにおいて、前記の四方を囲
    まれたケーシングが形成されるように前記端子リーps
    it−前記基底部材と前記へウジング部材との両方に密
    封し且つ接合するための粘着装置とを有していることを
    特徴とするケーシング。 (2)  特許請求の範囲第1項記載の装置において、
    前記金属が、前記粘着装置と接触する表面上に薄い耐火
    性酸化物の層を有する鯛または一ベースの合金であるこ
    とを特徴とする装置。 (8)  #許請求ノ#il!I第2JJ[記載)装置
    f ニa イr、前記鯛ペース合金が2から12%まで
    のアルミニウムと、残部実質上鋼とから成ることを特徴
    とする装置。 (4)特許請求の範囲第6項記載の装置において、前記
    鋼ペースの合金が実質上2.5から6.1%のアルミニ
    ウムと、1.5から2.1%のケイ素と、残部実質上鋼
    とから成ることを特徴とする装置。 (6)特許請求の範囲第4項記載の装置において、前記
    の耐火性の酸化物の層がM2O3を含んでいることを特
    徴とする装置。 (6)  特許請求の範囲第1項記載の装置において、
    前記基底部材を強化し且つ前記ケーシングからの付加的
    熱伝達を提供するための、前記基底部材から延びた装置
    をさらに含んでいることを特徴とする装置。 (7)特許請求の範囲第6項記載の装置において、前記
    基底部材の底部表面に結合されている前記す−シングを
    冷却するためのひ口装置とを有していることをさらに特
    徴とする装置。 (8)特許請求の範囲第6項記載の装置において、第1
    の金属または合金の構成部分を有する印刷回路盤と;第
    2の金属または合金の構成部分と;前記第1と第2の構
    成部分を互いに接合するための装置と;前記接合装置に
    埋込まれたヒートシンク板と;前記の延びた装置が前記
    ヒートシンク板に結合されることができるように前記の
    延びた装置を受は入れるため前記ヒートシンク板から延
    びた少くとも1つの空洞とをさらに含んでいることを特
    徴とする装置。 (9)回路盤構造体において、電気構成部分のためのケ
    ーシングを有し、このケーシングが凹所を設けられた金
    属または合金のハウジング部材と;前記凹所の四方を取
    り囲み且つ前記電気構成部分を受は入れるための四方を
    取り囲まれた中空ケーシングを提供するように前記ペー
    ス部材上に装架されている金属または合金のハウジング
    部材と;前記電気構成部分への接続のための、前記基底
    部材!!!まれたケーシング内の金属または合金のリー
    ドフレームとを有していることに特徴を有し;前記リー
    ドフレームが前記回路盤構造体への接続のため前記基底
    部材と前記ハウジング部材との間を前記ケーシングの外
    部へ突出した端子リード線を有し、前記回路盤が第1の
    金属または合金の構成部分と;第2の金属または合金の
    構成部分と;前記の第1と第2の構成部分を互いに接合
    するための装置と;前記接合装置に埋込まれたヒートシ
    ンク板と;前記基底部を受は入れのため前記ヒートシン
    ク板から延びた空洞と;前記板に結合されている前記基
    底部材の外側表面の一部分とから成っていることを特徴
    とする回路I11構造体。 ■ 特許請求の範囲第9項記載の装置において、前記電
    気構成部分が、熱が前記構成部分から有効に伝達される
    ことができるように、l!iI紀基底部材の外側表面に
    対向した表面上にて前記基底部材の前記凹所内に取付け
    られていることに特徴を有する装置。 (ロ)特許1求の1is第6項または第9−項のいずれ
    かの1つの項に記載されているケーシングにおいて、汚
    染物を吸収するための、前記の四方を囲まれたケーシン
    グ内の吸収装置を有していることに特徴を有するケーシ
    ング。 (ロ)電気構成部分のためのケーシングを形成する方法
    で、金属の基底部材を準備する段階と;前記電気構成部
    分を受は入れるための四方を囲われた中空ケーシングを
    提供するように金属ハウジング部材を前記基底部材上に
    装架する段階と;前記基底部材と前記ハウジング部材と
    の間を前記ケーシングの外部へ突出した端子リード線を
    有する金属のリードフレームを前記の四方を囲われた中
    空ケーシング内に提供する段階と;前記電気構成部分を
    前記IJ −y 7レームに電気的に接続する段階とを
    有して成る方法において、前記の四方を囲われたケーシ
    ングの形成のため前記端子リード線を前記基底部材と前
    記ハウジング部材との両方に密封し且つ接合するための
    粘着装置を被着する段階を含んでいることに特徴を有す
    る方法。 (ロ)特許請求の範囲第12項記載の方法において、前
    記基底部材と、ハウジング部材と、リーげ7し触する、
    前記基底部材と、lSウジング部材と、リードフレーム
    との表面上に耐火性の酸化物の層を形成することとを特
    徴とする方法。 に) 特許請求の範囲第16項記載の方法において、前
    記鋼ベースの合金が2から12%のアルミニウムと残部
    実質上鋼とから成ることを特徴とする方法。 (ロ)特許請求の範囲第14項記載の方法において、前
    記鋼ベースの合金が実質上2.5から6.1%までのア
    ルミニウムと、1.5から2.1%までのケイ素と、残
    部実質上鋼とから成ることに特徴を有する方法。 に)特許請求の範囲第15墳記載の方法において、前記
    の耐火性酸化物の層がM、03を含んでいることに特徴
    を有する方法。
JP58008011A 1982-01-21 1983-01-20 電気構成部分のためのケ−シング Pending JPS58128753A (ja)

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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851615A (en) * 1982-04-19 1989-07-25 Olin Corporation Printed circuit board
US4570337A (en) * 1982-04-19 1986-02-18 Olin Corporation Method of assembling a chip carrier
JPS58190046A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4889960A (en) * 1983-03-21 1989-12-26 Olin Corporation Sealed semiconductor casing
USRE32942E (en) * 1983-10-06 1989-06-06 Olin Corporation Low thermal expansivity and high thermal conductivity substrate
US4736236A (en) * 1984-03-08 1988-04-05 Olin Corporation Tape bonding material and structure for electronic circuit fabrication
US4577056A (en) * 1984-04-09 1986-03-18 Olin Corporation Hermetically sealed metal package
US4752521A (en) * 1984-09-19 1988-06-21 Olin Corporation Sealing glass composite
US4805009A (en) * 1985-03-11 1989-02-14 Olin Corporation Hermetically sealed semiconductor package
US4775647A (en) * 1984-09-19 1988-10-04 Olin Corporation Sealing glass composite
US4853491A (en) * 1984-10-03 1989-08-01 Olin Corporation Chip carrier
US4840654A (en) * 1985-03-04 1989-06-20 Olin Corporation Method for making multi-layer and pin grid arrays
US4594641A (en) * 1985-05-03 1986-06-10 Rogers Corporation Decoupling capacitor and method of formation thereof
US4771537A (en) * 1985-12-20 1988-09-20 Olin Corporation Method of joining metallic components
US4743299A (en) * 1986-03-12 1988-05-10 Olin Corporation Cermet substrate with spinel adhesion component
US4793967A (en) * 1986-03-12 1988-12-27 Olin Corporation Cermet substrate with spinel adhesion component
US4748537A (en) * 1986-04-24 1988-05-31 Rogers Corporation Decoupling capacitor and method of formation thereof
US4812896A (en) * 1986-11-13 1989-03-14 Olin Corporation Metal electronic package sealed with thermoplastic having a grafted metal deactivator and antioxidant
JPH02501967A (ja) * 1987-01-12 1990-06-28 オリン コーポレーション 半導体パッケージの成形可能な高強度リードフレームの製造方法
US4769345A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Olin Corporation Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor
US4839716A (en) * 1987-06-01 1989-06-13 Olin Corporation Semiconductor packaging
US4888449A (en) * 1988-01-04 1989-12-19 Olin Corporation Semiconductor package
US4897508A (en) * 1988-02-10 1990-01-30 Olin Corporation Metal electronic package
US5013871A (en) * 1988-02-10 1991-05-07 Olin Corporation Kit for the assembly of a metal electronic package
US5155299A (en) * 1988-10-05 1992-10-13 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US5023398A (en) * 1988-10-05 1991-06-11 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US4939316A (en) * 1988-10-05 1990-07-03 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US5205036A (en) * 1988-10-17 1993-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame
US5025114A (en) * 1989-10-30 1991-06-18 Olin Corporation Multi-layer lead frames for integrated circuit packages
US5073521A (en) * 1989-11-15 1991-12-17 Olin Corporation Method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed
US5103292A (en) * 1989-11-29 1992-04-07 Olin Corporation Metal pin grid array package
US5098864A (en) * 1989-11-29 1992-03-24 Olin Corporation Process for manufacturing a metal pin grid array package
US5043534A (en) * 1990-07-02 1991-08-27 Olin Corporation Metal electronic package having improved resistance to electromagnetic interference
US5122858A (en) * 1990-09-10 1992-06-16 Olin Corporation Lead frame having polymer coated surface portions
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame
US5328870A (en) * 1992-01-17 1994-07-12 Amkor Electronics, Inc. Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices
JPH06120374A (ja) * 1992-03-31 1994-04-28 Amkor Electron Inc 半導体パッケージ構造、半導体パッケージ方法及び半導体パッケージ用放熱板
US5239131A (en) * 1992-07-13 1993-08-24 Olin Corporation Electronic package having controlled epoxy flow
US5367196A (en) * 1992-09-17 1994-11-22 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including an aluminum alloy heat spreader
TW238419B (ja) 1992-08-21 1995-01-11 Olin Corp
US5608267A (en) * 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
US6262477B1 (en) 1993-03-19 2001-07-17 Advanced Interconnect Technologies Ball grid array electronic package
US5477008A (en) * 1993-03-19 1995-12-19 Olin Corporation Polymer plug for electronic packages
US5580825A (en) * 1993-09-20 1996-12-03 International Technology Exchange Corp. Process for making multilevel interconnections of electronic components
US5540378A (en) * 1993-09-27 1996-07-30 Olin Corporation Method for the assembly of an electronic package
US5452511A (en) * 1993-11-04 1995-09-26 Chang; Alexander H. C. Composite lead frame manufacturing method
US5360942A (en) * 1993-11-16 1994-11-01 Olin Corporation Multi-chip electronic package module utilizing an adhesive sheet
US5701034A (en) * 1994-05-03 1997-12-23 Amkor Electronics, Inc. Packaged semiconductor die including heat sink with locking feature
US5436407A (en) * 1994-06-13 1995-07-25 Integrated Packaging Assembly Corporation Metal semiconductor package with an external plastic seal
US5455387A (en) * 1994-07-18 1995-10-03 Olin Corporation Semiconductor package with chip redistribution interposer
DE102008025945A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines vakuumdichten Verbundes zwischen einer Glasscheibe und einem Metallrahmen sowie Glasscheibenverbund
US20160099200A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Stmicroelectronics S.R.L. Aluminum alloy lead frame for a semiconductor device and corresponding manufacturing process

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB818464A (en) * 1956-03-12 1959-08-19 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
US3113252A (en) * 1958-02-28 1963-12-03 Gen Motors Corp Means for encapsulating transistors
US3341369A (en) * 1965-03-03 1967-09-12 Olin Mathieson Copper base alloys and process for preparing same
US3676748A (en) * 1970-04-01 1972-07-11 Fuji Electrochemical Co Ltd Frame structures for electronic circuits
US3676059A (en) * 1970-06-01 1972-07-11 Albert B Welty Jr Sulfate control in ammonia flue gas desulfurization
US3676292A (en) * 1970-10-07 1972-07-11 Olin Corp Composites of glass-ceramic-to-metal,seals and method of making same
US3726987A (en) * 1970-10-07 1973-04-10 Olin Corp Glass or ceramic-to-metal seals
US3826629A (en) * 1970-10-07 1974-07-30 Olin Corp Products formed of glass or ceramicmetal composites
US3684818A (en) * 1970-10-20 1972-08-15 Sprague Electric Co Multi-layer beam-lead wiring for semiconductor packages
US3740920A (en) * 1971-05-26 1973-06-26 Us Air Force Method for packaging hybrid circuits
US3762039A (en) * 1971-09-10 1973-10-02 Mos Technology Inc Plastic encapsulation of microcircuits
DE2158188A1 (de) * 1971-11-24 1973-06-07 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Kaltpresschweissbare und kaltpressloetbare druckglasdurchfuehrungen
US3714370A (en) * 1972-01-24 1973-01-30 North American Rockwell Plastic package assembly for electronic circuit and process for producing the package
US3801728A (en) * 1972-10-20 1974-04-02 Bell Telephone Labor Inc Microelectronic packages
US3914858A (en) * 1974-08-23 1975-10-28 Nitto Electric Ind Co Method of making sealed cavity molded semiconductor devices
US4105861A (en) * 1975-09-29 1978-08-08 Semi-Alloys, Inc. Hermetically sealed container for semiconductor and other electronic devices
US4204247A (en) * 1978-09-22 1980-05-20 Cps, Inc. Heat dissipating circuit board assembly

Also Published As

Publication number Publication date
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