JPS63136655A - チツプキヤリア - Google Patents
チツプキヤリアInfo
- Publication number
- JPS63136655A JPS63136655A JP61281851A JP28185186A JPS63136655A JP S63136655 A JPS63136655 A JP S63136655A JP 61281851 A JP61281851 A JP 61281851A JP 28185186 A JP28185186 A JP 28185186A JP S63136655 A JPS63136655 A JP S63136655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- chip
- circuit chip
- mounting base
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路チップを支持固定するチップキャリ
アに関する。
アに関する。
集積回路チップは、通常、配線基板上に支持固定され、
その配線パタンにボンディングワイヤにより電気接続さ
れて使用される。近年、回路製造技術の進歩により、こ
の種の回路の高密度化が進み、集積回路チップの単位体
積あたりの発熱量が増大している。そこで、回路を正常
にかつ安定に動作させるために、集積回路チップの冷却
に種々の工夫がなされている。
その配線パタンにボンディングワイヤにより電気接続さ
れて使用される。近年、回路製造技術の進歩により、こ
の種の回路の高密度化が進み、集積回路チップの単位体
積あたりの発熱量が増大している。そこで、回路を正常
にかつ安定に動作させるために、集積回路チップの冷却
に種々の工夫がなされている。
例えば、特開昭５９−５６７４６号公報に紹介された技
術を第２図に示す。これは、集積回路チップ１を金属製
冷却モジュール２上に直接固定して、これを絶縁性枠体
３で取り囲んだものである。
術を第２図に示す。これは、集積回路チップ１を金属製
冷却モジュール２上に直接固定して、これを絶縁性枠体
３で取り囲んだものである。
冷却モジュール２は、良熱伝導性の金属から構成され、
放熱フィン２１を設けたものである。また絶縁性枠体３
は、冷却モジュール２上で、集積回路チップ１を取り囲
み、蓋体４と共にこれを密封して保護するものである。
放熱フィン２１を設けたものである。また絶縁性枠体３
は、冷却モジュール２上で、集積回路チップ１を取り囲
み、蓋体４と共にこれを密封して保護するものである。
枠体３の上面には、集積回路チップ１とボンディングワ
イヤ５で接続される配線パタンか形成されている。
イヤ５で接続される配線パタンか形成されている。
チップキャリアをこのような構成にすれば、放熱効果が
高く、集積回路チップ１の高密度化に対応できる。
高く、集積回路チップ１の高密度化に対応できる。
一方、集積回路チップの電気的な絶縁性に着目すると、
第２図において、集積回路チップ１と金属製の冷却モジ
ュール２とが直接接触しているこ゛とは、放熱性が向上
する反面、冷却モジュール２と集積回路チップ１中の回
路との間の短絡の危険性が増大する。
第２図において、集積回路チップ１と金属製の冷却モジ
ュール２とが直接接触しているこ゛とは、放熱性が向上
する反面、冷却モジュール２と集積回路チップ１中の回
路との間の短絡の危険性が増大する。
この絶縁性を高めるために、例えば配線基板の上面に集
積回路チップを固定し、配線基板の下面に冷却モジュー
ルを取り付けることも考えられる。
積回路チップを固定し、配線基板の下面に冷却モジュー
ルを取り付けることも考えられる。
しかし、配線基板は、その強度を保つために一定の厚み
が必要であって、一定の厚みのある配線基板を集積回路
チップと冷却モジュールとの間に介在させると、放熱効
果が著しく低下してしまうという問題があった。
が必要であって、一定の厚みのある配線基板を集積回路
チップと冷却モジュールとの間に介在させると、放熱効
果が著しく低下してしまうという問題があった。
本発明は以上の点に着目してなされたもので、放熱効果
を低下させることな（一定の絶縁性を確保したチップキ
ャリアを提供することを目的とするものである。
を低下させることな（一定の絶縁性を確保したチップキ
ャリアを提供することを目的とするものである。
本発明のチップキャリアは、集積回路チップと、この集
積回路チップを上面に固定し、良熱伝導性の金属からな
るチップ取り付け台と、このチップ取り付け台の下面に
絶縁性薄層を介して固着され、上記集積回路チップの放
熱を行う冷却モジコールと、上面に上記集積回路チップ
の端子と電気接続するための配線パタンを有し、下面に
上記チップ取り付け台を、上記集積回路チップを固着し
た側を上方に向けて固着し、この集積回路チップ、の近
傍において、この集積回路チップの上方を開放するよう
な貫通孔が設けられた配線基板とから成ることを特徴と
するものである。
積回路チップを上面に固定し、良熱伝導性の金属からな
るチップ取り付け台と、このチップ取り付け台の下面に
絶縁性薄層を介して固着され、上記集積回路チップの放
熱を行う冷却モジコールと、上面に上記集積回路チップ
の端子と電気接続するための配線パタンを有し、下面に
上記チップ取り付け台を、上記集積回路チップを固着し
た側を上方に向けて固着し、この集積回路チップ、の近
傍において、この集積回路チップの上方を開放するよう
な貫通孔が設けられた配線基板とから成ることを特徴と
するものである。
以上のチップキャリアにおいて、集積回路チップは、放
熱効果の高い良熱伝導性の金属からなるチップ取り付け
台上に直接支持固定されている。
熱効果の高い良熱伝導性の金属からなるチップ取り付け
台上に直接支持固定されている。
さらに、このチップ取り付け台は、冷却モジュール上に
、絶縁性薄層を介して支持固定されており、一定の絶縁
性が確保されている。
、絶縁性薄層を介して支持固定されており、一定の絶縁
性が確保されている。
一方、チップ取り付け台の上面には配線基板が固着され
るが、配線基板には、チップ取り付け台の上面にある集
積回路チップの上方を開放するように、貫通孔が設けら
れている。これにより、集積回路チップはチップ取り付
け台上で配線基板に取り囲まれ、配線基板の上面に形成
された配線パタンにボンディングワイヤを介して電気接
続することが可能になる。
るが、配線基板には、チップ取り付け台の上面にある集
積回路チップの上方を開放するように、貫通孔が設けら
れている。これにより、集積回路チップはチップ取り付
け台上で配線基板に取り囲まれ、配線基板の上面に形成
された配線パタンにボンディングワイヤを介して電気接
続することが可能になる。
第１図は、本発明のチップキャリアの実施例を示す縦断
面図である。
面図である。
図において、集積回路チップ１は、ハンダ付け等によっ
てチップ取り付け台１２の上面に固定されている。チッ
プ取り付け台１２は、例えば銅合金等の良熱伝導性の金
属から構成され、集積回路チップのある程度の放熱を確
保できるような大きさとする。
てチップ取り付け台１２の上面に固定されている。チッ
プ取り付け台１２は、例えば銅合金等の良熱伝導性の金
属から構成され、集積回路チップのある程度の放熱を確
保できるような大きさとする。
このチップ取り付け台１２の下面には、無機絶縁ペース
トあるいは有機絶縁ペーストを塗布して硬化させた絶縁
性薄層１３が形成されている。無機絶縁ペーストとして
は例えばガラスペーストを使用する。また、有機絶縁ペ
ーストとしては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂
を使用する。
トあるいは有機絶縁ペーストを塗布して硬化させた絶縁
性薄層１３が形成されている。無機絶縁ペーストとして
は例えばガラスペーストを使用する。また、有機絶縁ペ
ーストとしては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂
を使用する。
いずれの場合も、その厚さは、数十ミクロンメータ（μ
ｍ）程度のものとする。
ｍ）程度のものとする。
チップ取り付け台１２はこの絶縁性薄層１３を介して、
冷却モジュール１５に接着剤１４等により接着固定され
る。冷却モジニール１５は、放熱フィンを設けたアルミ
ニウム合金等から構成される。
冷却モジュール１５に接着剤１４等により接着固定され
る。冷却モジニール１５は、放熱フィンを設けたアルミ
ニウム合金等から構成される。
一方、チップ取り付け台１２の上面には、ロウ付け゛等
によって配線基板１６が固着される。この配線基板１６
は、セラミック等からなり、その上面に配線パタン１７
が形成され、外部回路と接続するための端子２０等が設
けられている。この配線基板１６が、いわゆる多層構造
のものであれば、配線パタンは配線基板１６の内部に埋
め込まれる。
によって配線基板１６が固着される。この配線基板１６
は、セラミック等からなり、その上面に配線パタン１７
が形成され、外部回路と接続するための端子２０等が設
けられている。この配線基板１６が、いわゆる多層構造
のものであれば、配線パタンは配線基板１６の内部に埋
め込まれる。
また、この配線基板１６には、集積回路チップ１の位置
する部分に貫通孔１８が設けられ、集積回路チップ１を
含むその周辺の上方を開放している。集積回路チップ１
は、ボンディングワイヤ１９によって配線基板１６の配
線パタンに電気接続されている。なお、この基板の上方
には、図示しない蓋が取り付けられ、集積回路チップを
気密封止する。
する部分に貫通孔１８が設けられ、集積回路チップ１を
含むその周辺の上方を開放している。集積回路チップ１
は、ボンディングワイヤ１９によって配線基板１６の配
線パタンに電気接続されている。なお、この基板の上方
には、図示しない蓋が取り付けられ、集積回路チップを
気密封止する。
以上の構成の本発明のチップキャリアによれば、集積回
路チップ１が熱伝導性の良いチップ取り付け台１２上に
直接支持固定されているので、集積回路チップ１が発熱
してもその熱はチップ取り付け台１２に向かって速やか
に拡散する。
路チップ１が熱伝導性の良いチップ取り付け台１２上に
直接支持固定されているので、集積回路チップ１が発熱
してもその熱はチップ取り付け台１２に向かって速やか
に拡散する。
また、集積回路チップ１がチップ取り付け台１２に電気
的に接触していたとしても、チップ取り付け台１２の下
面に形成された絶縁性薄層により、冷却モジュールとの
絶縁性は確保される。
的に接触していたとしても、チップ取り付け台１２の下
面に形成された絶縁性薄層により、冷却モジュールとの
絶縁性は確保される。
本発明のチップキャリアは以上の実施例に限定されない
。
。
チップ取り付け台や冷却モジュールあるいは配線基板の
形状や大きさ等は、必要に応じて種々変更してさしつか
えない。また、集積回路チップが２以上チップ取り付け
台上に支持固定されていてもさしつかえない。
形状や大きさ等は、必要に応じて種々変更してさしつか
えない。また、集積回路チップが２以上チップ取り付け
台上に支持固定されていてもさしつかえない。
以上説明した本発明のチップキャリアによれば、集積回
路チップを直接支持したチップ取り付け台によって一定
の放熱が確保され、さらにこれに絶縁性薄層を介して冷
却モジニールを固着しているので、絶縁性が確保されか
つ十分高い放熱効果が得られる。
路チップを直接支持したチップ取り付け台によって一定
の放熱が確保され、さらにこれに絶縁性薄層を介して冷
却モジニールを固着しているので、絶縁性が確保されか
つ十分高い放熱効果が得られる。
第１図は本発明のチップキャリアの実施例を示す縦断面
図、第２図は従来のチップキャリアの一例を示す縦断面
図である。 １・・・・・・集積回路チップ、 １２・・・・・・チップ取り付け台、 １３・・・・・・絶縁性薄層、 １５・・・・・・冷却モジュール、 １６・・・・・・配線基板、 １７・・・・・・配線パタン、１８・・・・・・貫通孔
。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人
図、第２図は従来のチップキャリアの一例を示す縦断面
図である。 １・・・・・・集積回路チップ、 １２・・・・・・チップ取り付け台、 １３・・・・・・絶縁性薄層、 １５・・・・・・冷却モジュール、 １６・・・・・・配線基板、 １７・・・・・・配線パタン、１８・・・・・・貫通孔
。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 集積回路チップと、この集積回路チップを上面に固定し
、良熱伝導性の金属からなるチップ取り付け台と、この
チップ取り付け台の下面に絶縁性薄層を介して固着され
、前記集積回路チップの放熱を行う冷却モジュールと、
上面に前記集積回路チップの端子と電気接続するための
配線パタンを有し、下面に前記チップ取り付け台を、前
記集積回路チップを固着した側を上方に向けて固着し、
この集積回路チップの近傍において、この集積回路チッ
プの上方を開放するような貫通孔が設けられた配線基板
とから成ることを特徴とするチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281851A JPS63136655A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | チツプキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281851A JPS63136655A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | チツプキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136655A true JPS63136655A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17644883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281851A Pending JPS63136655A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | チツプキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136655A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358455A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体パッケージ |
| JPH03124639U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-17 | ||
| JPH04246850A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US7038311B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Thermally enhanced semiconductor package |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61281851A patent/JPS63136655A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358455A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体パッケージ |
| JPH03124639U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-17 | ||
| JPH04246850A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US7038311B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Thermally enhanced semiconductor package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5650662A (en) | Direct bonded heat spreader | |
| US6002169A (en) | Thermally enhanced tape ball grid array package | |
| US5598031A (en) | Electrically and thermally enhanced package using a separate silicon substrate | |
| US6972479B2 (en) | Package with stacked substrates | |
| JPH0917919A (ja) | 半導体装置 | |
| US6778398B2 (en) | Thermal-conductive substrate package | |
| JP2006073699A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
| JPS63136655A (ja) | チツプキヤリア | |
| GB2168533A (en) | Package for integrated circuits having improved heat sinking capabilities | |
| JP2005332918A (ja) | 電子装置 | |
| JP2620611B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
| JPH0922970A (ja) | 電子部品 | |
| JP2795063B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3048707B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2907187B2 (ja) | ベアチップ実装方法および半導体集積回路装置 | |
| JP2690248B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH0196952A (ja) | 気密封止チツプキヤリア | |
| JP2919313B2 (ja) | プリント配線基板及びその実装方法 | |
| JP3011502B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2649251B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2504262Y2 (ja) | 半導体モジュ―ル | |
| JPH0786497A (ja) | インテリジェントパワーモジュール | |
| JP2603101B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH053744B2 (ja) |