JPH0536274Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0536274Y2 JPH0536274Y2 JP1991029095U JP2909591U JPH0536274Y2 JP H0536274 Y2 JPH0536274 Y2 JP H0536274Y2 JP 1991029095 U JP1991029095 U JP 1991029095U JP 2909591 U JP2909591 U JP 2909591U JP H0536274 Y2 JPH0536274 Y2 JP H0536274Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- heat sink
- resin
- legs
- sealing body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本考案は、回路基板を備
え且つ樹脂封止体で封止された樹脂封止形電子部
品に係わるものである。
え且つ樹脂封止体で封止された樹脂封止形電子部
品に係わるものである。
【0002】
【従来の技術】 回路基板と、回路基板の載置さ
れた放熱板と、回路基板にその一端側が固着され
た外部リードとを有し、回路基板及び放熱板の全
面と外部リードの一端側とを樹脂封止体で被覆し
たハイブリツドICがある。特開昭58−39018号公
報には、放熱板より外側に突出した回路基板を２
又状に形成した外部リードの一端により挟持する
構造が開示されている。 また、図３は粉体塗装で樹脂封止された従来のハ
イブリツドICの一例を示す。図において、１は
アルミナ製の回路基板、２は銀−パラジウム系の
厚膜導体、５はパワートランジスタチツプ、７は
ラバー系の接着剤、８は銅製の放熱板、９はシリ
コン樹脂から成る保護用樹脂、１０は粉体塗装で
被覆されたエポキシ樹脂から成る樹脂封止体であ
る。
れた放熱板と、回路基板にその一端側が固着され
た外部リードとを有し、回路基板及び放熱板の全
面と外部リードの一端側とを樹脂封止体で被覆し
たハイブリツドICがある。特開昭58−39018号公
報には、放熱板より外側に突出した回路基板を２
又状に形成した外部リードの一端により挟持する
構造が開示されている。 また、図３は粉体塗装で樹脂封止された従来のハ
イブリツドICの一例を示す。図において、１は
アルミナ製の回路基板、２は銀−パラジウム系の
厚膜導体、５はパワートランジスタチツプ、７は
ラバー系の接着剤、８は銅製の放熱板、９はシリ
コン樹脂から成る保護用樹脂、１０は粉体塗装で
被覆されたエポキシ樹脂から成る樹脂封止体であ
る。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】 ところが、図
３に示す構造のハイブリツドICは耐環境性能が
不足することが判明した。すなわち、図３のハイ
ブリツドICを温度サイクル試験に共したとこと、
樹脂封止体１０に亀裂が生じることがあつた。こ
の亀裂が生ずると、樹脂封止体１０の封止効果が
不完全となつて短期間でハイブリツドICの電気
的特性が劣化する。また、この様な構造では、熱
ストレス等によつて回路基板に応力が加わり、長
期間使用した場合や過酷な環境下で使用した場合
には特性変動をきたすものが見られた。 そこで、本考案は上記問題の生じない回路基板を
備えた樹脂封止形電子部品を提供することを目的
とする。
３に示す構造のハイブリツドICは耐環境性能が
不足することが判明した。すなわち、図３のハイ
ブリツドICを温度サイクル試験に共したとこと、
樹脂封止体１０に亀裂が生じることがあつた。こ
の亀裂が生ずると、樹脂封止体１０の封止効果が
不完全となつて短期間でハイブリツドICの電気
的特性が劣化する。また、この様な構造では、熱
ストレス等によつて回路基板に応力が加わり、長
期間使用した場合や過酷な環境下で使用した場合
には特性変動をきたすものが見られた。 そこで、本考案は上記問題の生じない回路基板を
備えた樹脂封止形電子部品を提供することを目的
とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】 本考案による樹
脂封止形電子部品は、回路基板と、回路基板に固
定された複数の外部リードと、回路基板に固着さ
れた放熱板と、放熱板と回路基板とを被覆する樹
脂封止体とを有する。放熱板は一方の端部に形成
された凹部と、凹部によつて形成された脚部とを
有し、回路基板は放熱板の脚部に跨つて配置さ
れ、複数の外部リードは放熱板の凹部内で回路基
板に固定され、放熱板の脚部と外部リードは樹脂
封止体から突出している。
脂封止形電子部品は、回路基板と、回路基板に固
定された複数の外部リードと、回路基板に固着さ
れた放熱板と、放熱板と回路基板とを被覆する樹
脂封止体とを有する。放熱板は一方の端部に形成
された凹部と、凹部によつて形成された脚部とを
有し、回路基板は放熱板の脚部に跨つて配置さ
れ、複数の外部リードは放熱板の凹部内で回路基
板に固定され、放熱板の脚部と外部リードは樹脂
封止体から突出している。
【0005】
【作用】 本考案の樹脂封止形電子部品によれ
ば、回路基板の外部リードの固定された側が放熱
板の脚部に保持されるため回路基板に伝わる不要
な応力を低減できる。又、これらの脚部は樹脂封
止体から突出し、プリント基板への樹脂封止形電
子部品の実装時にストツパとして機能する。
ば、回路基板の外部リードの固定された側が放熱
板の脚部に保持されるため回路基板に伝わる不要
な応力を低減できる。又、これらの脚部は樹脂封
止体から突出し、プリント基板への樹脂封止形電
子部品の実装時にストツパとして機能する。
【0006】
【実施例】 以下、本考案の実施例を図１及び図
２に基づいて説明する。図１及び図２では図３に
示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、説
明を省略する。図において、３は酸化ルテニウム
系厚膜抵抗、４はチツプコンデンサ、６はAg製
のリード線、１１はニツケル被覆鉄材から成る外
部リードである。
２に基づいて説明する。図１及び図２では図３に
示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、説
明を省略する。図において、３は酸化ルテニウム
系厚膜抵抗、４はチツプコンデンサ、６はAg製
のリード線、１１はニツケル被覆鉄材から成る外
部リードである。
【0007】 外部リード１１は、２又状に形成され
た一端部が回路基板１１を挟持するようにして回
路基板１に固着されている。樹脂封止体１０は、
粉体塗装（粉末樹脂を被封止体に融着する方法）
により形成されている。粉体塗装は粉末樹脂を被
封止体に被着させる方式の違いによつて種々の方
法があるが、ここでは半導体装置の封止用として
一般的に利用されている流動浸漬法を採用してい
る。図１は回路基板の表面（回路面）に形成され
る各種電子部品のうち代表的な一部の電子部品２
〜５を示す。図１は保護樹脂９及び保護樹脂１０
を破断面で表示し、保護樹脂９及び保護樹脂１０
で隠れた回路基板１及び放熱板８の外形を破線で
表示する。
た一端部が回路基板１１を挟持するようにして回
路基板１に固着されている。樹脂封止体１０は、
粉体塗装（粉末樹脂を被封止体に融着する方法）
により形成されている。粉体塗装は粉末樹脂を被
封止体に被着させる方式の違いによつて種々の方
法があるが、ここでは半導体装置の封止用として
一般的に利用されている流動浸漬法を採用してい
る。図１は回路基板の表面（回路面）に形成され
る各種電子部品のうち代表的な一部の電子部品２
〜５を示す。図１は保護樹脂９及び保護樹脂１０
を破断面で表示し、保護樹脂９及び保護樹脂１０
で隠れた回路基板１及び放熱板８の外形を破線で
表示する。
【0008】 ところで、回路基板１の上縁部１ａか
ら放熱板８の上縁部８ａが突出することにより、
段差部１２ａが形成されている。さらに、回路基
板１の右側縁部１ｂ及び左側縁部１ｃからそれぞ
れ放熱板８の右側縁部８ｂ及び左側縁部８ｃが突
出することにより、それぞれ段差部１２ａ，１２
ｃが形成されている。一方、回路基板１の下縁部
１ｄでは、放熱板８の凹部８ｄから回路基板１の
下縁部１ｄが逆に突出することにより、段差部１
２ｄが形成されている。放熱板８には一対の脚部
８ｅ，８ｆが形成されているため、段差部１２
ａ，１２ｂ，１２ｃと同様に放熱板８の上面側に
段差部１２ｇ，１２ｈが形成され、回路基板１の
裏面側に段差部１２ｅ，１２ｆ及び１２ｄが形成
される。段差部１２ａ〜１２ｈは、段差部１２ｅ
と１２ｇの間及び段差部１２ｆと１２ｈの間で厳
密には不連続になつているが、実質的には全体と
して環状に連続していると見なせる。したがつ
て、図３のように、回路基板１と放熱板８の周縁
部が揃つた形状で樹脂封止されている部分は、実
質的に存在しない。換言すれば、本考案では、回
路基板１と放熱板８のうちいずれか一方の周縁が
他方の周縁に対して突出することにより、回路基
板１と放熱板８の全周縁部に沿つて段差部１２が
形成される。
ら放熱板８の上縁部８ａが突出することにより、
段差部１２ａが形成されている。さらに、回路基
板１の右側縁部１ｂ及び左側縁部１ｃからそれぞ
れ放熱板８の右側縁部８ｂ及び左側縁部８ｃが突
出することにより、それぞれ段差部１２ａ，１２
ｃが形成されている。一方、回路基板１の下縁部
１ｄでは、放熱板８の凹部８ｄから回路基板１の
下縁部１ｄが逆に突出することにより、段差部１
２ｄが形成されている。放熱板８には一対の脚部
８ｅ，８ｆが形成されているため、段差部１２
ａ，１２ｂ，１２ｃと同様に放熱板８の上面側に
段差部１２ｇ，１２ｈが形成され、回路基板１の
裏面側に段差部１２ｅ，１２ｆ及び１２ｄが形成
される。段差部１２ａ〜１２ｈは、段差部１２ｅ
と１２ｇの間及び段差部１２ｆと１２ｈの間で厳
密には不連続になつているが、実質的には全体と
して環状に連続していると見なせる。したがつ
て、図３のように、回路基板１と放熱板８の周縁
部が揃つた形状で樹脂封止されている部分は、実
質的に存在しない。換言すれば、本考案では、回
路基板１と放熱板８のうちいずれか一方の周縁が
他方の周縁に対して突出することにより、回路基
板１と放熱板８の全周縁部に沿つて段差部１２が
形成される。
【0009】 放熱板８に設けられた一対の脚部８
ｅ，８ｆは外部リード１１の導出方向に延在し、
これらの先端部は樹脂封止体１０で被覆されてい
ない。脚部８ｅ，８ｆの先端は、外部リード１１
の先端１１ａと外部リード１１を被覆する樹脂封
止体１０の先端１０ｂの中間に位置する。
ｅ，８ｆは外部リード１１の導出方向に延在し、
これらの先端部は樹脂封止体１０で被覆されてい
ない。脚部８ｅ，８ｆの先端は、外部リード１１
の先端１１ａと外部リード１１を被覆する樹脂封
止体１０の先端１０ｂの中間に位置する。
【0010】 図３のハイブリツドICと同じ条件で
図１に示すハイブリツドICの温度サイクル試験
を行つたところ、樹脂封止体１０に亀裂等の異常
は発生しなかつた。熱膨張の差に基づくストレス
は、回路基板１と放熱板８の境界部に隣接する樹
脂封止体１０に最も顕著に作用する。図３の従来
構造では、上記境界部において上記ストレスに厚
みｌの樹脂封止体１０で抗することになり、上記
ストレスに耐え切れずに上記境界部の近傍で樹脂
封止体１０に亀裂が発生すると考えられる。とこ
ろが、実施例の構造では、図２に示すように、段
差部１２ａがあるために図３のｌに相当する樹脂
封止体１０の厚みがＬとなり、従来に比べて大幅
に厚くなつている。また、段差部１２ａでの熱変
形に起因するストレスを緩和するように樹脂封止
体１０が緩慢なカーブの曲線を描いて被覆され
る。すなわち、Ｌとｌの比率で単純な比較はでき
ないが、段差部１２ａの近傍において樹脂封止体
１０は実質的に比較的厚く被覆される。段差部１
２ａ〜１２ｈについても同様である。したがつ
て、段差部１２ａ〜１２ｈの存在によつて上記ス
トレスが顕著に作用する部分の樹脂封止体１０の
厚みが大きくなり、ストレスに耐える抵抗力がそ
の分大きくなつて、樹脂封止体１０に亀裂が発生
しなくなる。
図１に示すハイブリツドICの温度サイクル試験
を行つたところ、樹脂封止体１０に亀裂等の異常
は発生しなかつた。熱膨張の差に基づくストレス
は、回路基板１と放熱板８の境界部に隣接する樹
脂封止体１０に最も顕著に作用する。図３の従来
構造では、上記境界部において上記ストレスに厚
みｌの樹脂封止体１０で抗することになり、上記
ストレスに耐え切れずに上記境界部の近傍で樹脂
封止体１０に亀裂が発生すると考えられる。とこ
ろが、実施例の構造では、図２に示すように、段
差部１２ａがあるために図３のｌに相当する樹脂
封止体１０の厚みがＬとなり、従来に比べて大幅
に厚くなつている。また、段差部１２ａでの熱変
形に起因するストレスを緩和するように樹脂封止
体１０が緩慢なカーブの曲線を描いて被覆され
る。すなわち、Ｌとｌの比率で単純な比較はでき
ないが、段差部１２ａの近傍において樹脂封止体
１０は実質的に比較的厚く被覆される。段差部１
２ａ〜１２ｈについても同様である。したがつ
て、段差部１２ａ〜１２ｈの存在によつて上記ス
トレスが顕著に作用する部分の樹脂封止体１０の
厚みが大きくなり、ストレスに耐える抵抗力がそ
の分大きくなつて、樹脂封止体１０に亀裂が発生
しなくなる。
【0011】 また、このハイブリツトICでは、回
路基板１の下縁側１ｄが一対の脚部８ｅ，８ｆに
よつて保持されているので、回路基板１を放熱板
８から突出させても回路基板１に大きな応力が伝
わることがない。このため、長期間又は過酷な環
境下で使用しても回路基板１に形成された各種電
子部品に特性変動が生じない。更に、このハイブ
リツドICでは、放熱板８の脚部８ｅ，８ｆが外
部リード１１の両端側で外部リードの延伸する方
向と同一の方向に延伸する。このため、実装時に
プリント基板に設けた孔に外部リード１１を挿入
したとき、脚部８ｅ，８ｆはストツパとして有効
に機能する。結果として、プリント基板に対して
ハイブリツドICを一定の高さに取付けられ、取
付作業も容易となる。また、脚部８ｅ，８ｆによ
つて外部リード１１を取付ける回路基板１の下縁
部１ｄが短く制限されない。脚部８ｅ，８ｆの先
端位置の精度もよい。
路基板１の下縁側１ｄが一対の脚部８ｅ，８ｆに
よつて保持されているので、回路基板１を放熱板
８から突出させても回路基板１に大きな応力が伝
わることがない。このため、長期間又は過酷な環
境下で使用しても回路基板１に形成された各種電
子部品に特性変動が生じない。更に、このハイブ
リツドICでは、放熱板８の脚部８ｅ，８ｆが外
部リード１１の両端側で外部リードの延伸する方
向と同一の方向に延伸する。このため、実装時に
プリント基板に設けた孔に外部リード１１を挿入
したとき、脚部８ｅ，８ｆはストツパとして有効
に機能する。結果として、プリント基板に対して
ハイブリツドICを一定の高さに取付けられ、取
付作業も容易となる。また、脚部８ｅ，８ｆによ
つて外部リード１１を取付ける回路基板１の下縁
部１ｄが短く制限されない。脚部８ｅ，８ｆの先
端位置の精度もよい。
【0012】 本考案は、実施例に限定されることは
なく、本考案の趣旨の範囲で種々変更が可能であ
る。例えば、放熱板８の縁部を回路基板１の内側
に配置しても良いし、脚部８ｅ，８ｆをプリント
基板の孔に差し込んで実装時のICの保持力を高
めても良い。
なく、本考案の趣旨の範囲で種々変更が可能であ
る。例えば、放熱板８の縁部を回路基板１の内側
に配置しても良いし、脚部８ｅ，８ｆをプリント
基板の孔に差し込んで実装時のICの保持力を高
めても良い。
【0013】
【考案の効果】 以上述べたように、本考案によ
れば、回路基板や樹脂封止体に加わるストレスが
有効に緩和され、樹脂封止体で封止された電子部
品を長期間使用したり厳しい環境下で使用しても
電子部品の特性変動を抑制することができる。
れば、回路基板や樹脂封止体に加わるストレスが
有効に緩和され、樹脂封止体で封止された電子部
品を長期間使用したり厳しい環境下で使用しても
電子部品の特性変動を抑制することができる。
【図１】一部を破断面で示す本考案によるハイブ
リツドICの斜視図
リツドICの斜視図
【図２】図１の−線に沿う断面図
【図３】従来のハイブリツドICの一部を示す断
面図
面図
１……回路基板
１ａ……上縁部
１ｂ……右側縁部
１ｃ……左側縁部
１ｄ……下縁部
２〜５……電子部品
７……接着剤
８……放熱板
８ａ……上縁部
８ｂ……右側縁部
８ｃ……左側縁部
８ｄ……凹部
８ｅ，８ｆ……脚部
９……保護樹脂
１０……樹脂封止体
１１……外部リード
１２ａ〜１２ｈ……段差部。
Claims (2)
- 【請求項１】 回路基板と、該回路基板に固定さ
れた複数の外部リードと、前記回路基板に固着さ
れた放熱板と、該放熱板と前記回路基板とを被覆
する樹脂封止体とを有する樹脂封止形電子部品に
おいて、 前記放熱板は一方の端部に形成された凹部と、該
凹部によつて形成された脚部とを有し、前記回路
基板は前記放熱板の脚部に跨つて配置され、前記
複数の外部リードは前記放熱板の凹部内で前記回
路基板に固定され、前記放熱板の脚部と前記外部
リードは前記樹脂封止体から突出していることを
特徴とする樹脂封止形電子部品。 - 【請求項２】 前記放熱板は前記複数の外部リー
ドの両側に配置された一対の脚部を有し、該一対
の脚部と前記複数の外部リードは前記樹脂封止体
から同一の方向に突出している「請求項１」に記
載の樹脂封止形電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991029095U JPH0536274Y2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991029095U JPH0536274Y2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497351U JPH0497351U (ja) | 1992-08-24 |
| JPH0536274Y2 true JPH0536274Y2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=31764119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991029095U Expired - Lifetime JPH0536274Y2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536274Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP1991029095U patent/JPH0536274Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0497351U (ja) | 1992-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930020649A (ko) | 리이드프레임 및 그것을 사용한 반도체집적회로장치와 그 제조방법 | |
| JPS634950B2 (ja) | ||
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0536274Y2 (ja) | ||
| JPS62118555A (ja) | 集積回路パツケ−ジ | |
| JP2579222Y2 (ja) | 樹脂封止型回路装置 | |
| JPH046209Y2 (ja) | ||
| JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
| US20060108681A1 (en) | Semiconductor component package | |
| JP2003197828A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03255655A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20070067382A (ko) | 반도체 패키지용 기판 | |
| JP2583242Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04247645A (ja) | 金属基板の実装構造 | |
| KR930009035A (ko) | 접착리드를 이용한 반도체 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
| JP2532400Y2 (ja) | ハイブリットｉｃ | |
| JPS6334277Y2 (ja) | ||
| JP2504262Y2 (ja) | 半導体モジュ―ル | |
| JPH11340377A (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH066465Y2 (ja) | 混成集積回路の組立構造 | |
| JPH0533535B2 (ja) | ||
| JPH0380599A (ja) | 電子回路モジュール | |
| JPH02205056A (ja) | 集積回路パッケージ | |
| JP2904175B2 (ja) | 集積回路装置の実装構造および集積回路実装用ケース | |
| JP2707899B2 (ja) | 混成集積回路装置 |