JPH05299456A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、薄型で高信頼性な樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。 【構成】各半導体チップ1は各々アイランド2上にマウ
ントされる。半導体チップ1上に設けられているパッド
と第一リ−ド3または第二リ−ド4とをボンディングワ
イヤ6により接続し、各半導体チップ1毎にモ−ルド樹
脂7により樹脂封止する。各半導体チップ1は個別に樹
脂封止され、第二リ−ド4により各半導体チップ1間が
配線されている。
装置を提供することを目的とする。 【構成】各半導体チップ1は各々アイランド2上にマウ
ントされる。半導体チップ1上に設けられているパッド
と第一リ−ド3または第二リ−ド4とをボンディングワ
イヤ6により接続し、各半導体チップ1毎にモ−ルド樹
脂7により樹脂封止する。各半導体チップ1は個別に樹
脂封止され、第二リ−ド4により各半導体チップ1間が
配線されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂封止実
装構造に関し、特に複数の半導体チップを搭載する樹脂
封止型半導体装置に関するものである。
装構造に関し、特に複数の半導体チップを搭載する樹脂
封止型半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ノ−トブック型パソコンや電子手帳等に
代表される高度なパ−ソナル電子機器の普及にともな
い、それらを構成する電子部品には、小型化の要求が増
々強まっている。さらに、EWS(エンジニアリング
ワ−ク ステ−ション)やス−パコンピュ−タ−等の専
用電子機器においても、性能向上のため電子部品の実装
密度の増加が要求されている。このように、電子部品の
今以上の小型化は必須である。また、これらの電子部品
には、今まで以上の高信頼性の確保が必要であるのはい
うまでもない。以下に、電子部品の代表である樹脂封止
型半導体装置の従来例について述べる。
代表される高度なパ−ソナル電子機器の普及にともな
い、それらを構成する電子部品には、小型化の要求が増
々強まっている。さらに、EWS(エンジニアリング
ワ−ク ステ−ション)やス−パコンピュ−タ−等の専
用電子機器においても、性能向上のため電子部品の実装
密度の増加が要求されている。このように、電子部品の
今以上の小型化は必須である。また、これらの電子部品
には、今まで以上の高信頼性の確保が必要であるのはい
うまでもない。以下に、電子部品の代表である樹脂封止
型半導体装置の従来例について述べる。
【0003】複数、例えば2つの半導体チップを搭載す
る樹脂封止型半導体装置を図4より説明する。半導体チ
ップ11をマウントするためのアイランド12とリ−ド
13を有するリ−ドフレ−ムがある。アイランド12上
にペ−スト14(同図(b))を介して各々の半導体チ
ップ11が所定の位置にマウントされ、各半導体チップ
11間を電気的に接続するために、配線が施された絶縁
回路基板15が用いられている。絶縁回路基板15は各
半導体チップ11の間に位置され、かつ各半導体チップ
11がマウントされているアイランド12上にペ−スト
14を介してマウントされている。半導体チップ11と
絶縁回路基板15はボンディングワイヤ16により接続
され、半導体チップ11とリ−ド13も同様にボンディ
ングワイヤ16により接続される。その後、モ−ルド樹
脂17により封止され樹脂封止型半導体装置が形成され
る。
る樹脂封止型半導体装置を図4より説明する。半導体チ
ップ11をマウントするためのアイランド12とリ−ド
13を有するリ−ドフレ−ムがある。アイランド12上
にペ−スト14(同図(b))を介して各々の半導体チ
ップ11が所定の位置にマウントされ、各半導体チップ
11間を電気的に接続するために、配線が施された絶縁
回路基板15が用いられている。絶縁回路基板15は各
半導体チップ11の間に位置され、かつ各半導体チップ
11がマウントされているアイランド12上にペ−スト
14を介してマウントされている。半導体チップ11と
絶縁回路基板15はボンディングワイヤ16により接続
され、半導体チップ11とリ−ド13も同様にボンディ
ングワイヤ16により接続される。その後、モ−ルド樹
脂17により封止され樹脂封止型半導体装置が形成され
る。
【0004】ところで、樹脂封止型半導体装置は、アイ
ランド12とモ−ルド樹脂17との密着性が悪いため、
モ−ルド樹脂17に吸湿されている水分及びリ−ド13
等とモ−ルド樹脂17の界面から侵入する水分が、アイ
ランド12の下面とモ−ルド樹脂17との界面に集ま
る。そのため、電子機器の実装時における高温により、
この水分が水蒸気となり半導体装置内で多大な応力が発
生する。この結果、特にモ−ルド樹脂17の厚さ(半導
体装置の厚さ)が薄くなると、発生した応力に耐えられ
なくなりモ−ルド樹脂クラック18(同図(b))やボ
ンディングワイヤ切断等が発生する。
ランド12とモ−ルド樹脂17との密着性が悪いため、
モ−ルド樹脂17に吸湿されている水分及びリ−ド13
等とモ−ルド樹脂17の界面から侵入する水分が、アイ
ランド12の下面とモ−ルド樹脂17との界面に集ま
る。そのため、電子機器の実装時における高温により、
この水分が水蒸気となり半導体装置内で多大な応力が発
生する。この結果、特にモ−ルド樹脂17の厚さ(半導
体装置の厚さ)が薄くなると、発生した応力に耐えられ
なくなりモ−ルド樹脂クラック18(同図(b))やボ
ンディングワイヤ切断等が発生する。
【0005】該ボンディングワイヤ切断等は電子機器に
実装した後に、電子機器の試験で不良に直結し除外でき
るが、モ−ルド樹脂クラック18は不良に直結せず、そ
の後の信頼性の低下を引き起こす。従って、モ−ルド樹
脂17の厚さをいたずらに薄くすることはできず、アイ
ランド12の面積に比例してモ−ルド樹脂17の厚さが
決まる。そのため、各半導体チップ11間の配線に絶縁
回路基板15を用いる構造の樹脂封止型半導体装置は、
アイランド12の面積が広いため、モ−ルド樹脂17の
厚さを薄くすることは難しい。
実装した後に、電子機器の試験で不良に直結し除外でき
るが、モ−ルド樹脂クラック18は不良に直結せず、そ
の後の信頼性の低下を引き起こす。従って、モ−ルド樹
脂17の厚さをいたずらに薄くすることはできず、アイ
ランド12の面積に比例してモ−ルド樹脂17の厚さが
決まる。そのため、各半導体チップ11間の配線に絶縁
回路基板15を用いる構造の樹脂封止型半導体装置は、
アイランド12の面積が広いため、モ−ルド樹脂17の
厚さを薄くすることは難しい。
【0006】また、テストをする時に、各半導体チップ
11を個別に測定することは難しく、システムの性能し
か見ることができない。更に、絶縁回路基板15を使用
するため、工程数の増加やコストの増大につながる。
11を個別に測定することは難しく、システムの性能し
か見ることができない。更に、絶縁回路基板15を使用
するため、工程数の増加やコストの増大につながる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、モ−ル
ド樹脂クラックの発生を防ぐため、アイランドの面積の
増大にあわせて、モ−ルド樹脂の厚さを増大しなければ
ならない。そのため、小型化及び薄型化することが困難
である。いいかえれば、薄型かつ高機能な樹脂封止型半
導体装置を形成することと、各単体機能を有する半導体
チップを複合化し一つの樹脂封止型半導体装置を形成す
ることとは相入れないことである。それ故に、本発明は
薄型で高信頼性な樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
ド樹脂クラックの発生を防ぐため、アイランドの面積の
増大にあわせて、モ−ルド樹脂の厚さを増大しなければ
ならない。そのため、小型化及び薄型化することが困難
である。いいかえれば、薄型かつ高機能な樹脂封止型半
導体装置を形成することと、各単体機能を有する半導体
チップを複合化し一つの樹脂封止型半導体装置を形成す
ることとは相入れないことである。それ故に、本発明は
薄型で高信頼性な樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
半導体チップを搭載する樹脂封止型半導体装置は、アウ
タ−リ−ドを用いて各半導体チップ間を配線しかつ各半
導体チップ毎に樹脂封止がなされたものである。ここで
用いられるリ−ドフレ−ムは、各半導体チップ毎に載置
されるアイランドと、各半導体チップ間を電気的に接続
する一体成形されたアウタ−リ−ドと、外部電極に接続
するためのアウタ−リ−ドを有するものである。
半導体チップを搭載する樹脂封止型半導体装置は、アウ
タ−リ−ドを用いて各半導体チップ間を配線しかつ各半
導体チップ毎に樹脂封止がなされたものである。ここで
用いられるリ−ドフレ−ムは、各半導体チップ毎に載置
されるアイランドと、各半導体チップ間を電気的に接続
する一体成形されたアウタ−リ−ドと、外部電極に接続
するためのアウタ−リ−ドを有するものである。
【0009】
【作用】以上のような構成により、各半導体チップ毎に
樹脂封止するためアイランド面積を小さくすることがで
きる。従って、モ−ルド樹脂クラックの発生を防ぐため
に必要とされるモ−ルド樹脂の厚さを低減することがで
き、薄型かつ高性能な樹脂封止型半導体装置となる。ま
た、各半導体チップを配線するためのアウタ−リ−ドは
リ−ドフレ−ムを形成される際に同時に形成され、絶縁
回路基板の形成及び載置等の工程を要することがないた
め、製造工程を簡略化することができる。
樹脂封止するためアイランド面積を小さくすることがで
きる。従って、モ−ルド樹脂クラックの発生を防ぐため
に必要とされるモ−ルド樹脂の厚さを低減することがで
き、薄型かつ高性能な樹脂封止型半導体装置となる。ま
た、各半導体チップを配線するためのアウタ−リ−ドは
リ−ドフレ−ムを形成される際に同時に形成され、絶縁
回路基板の形成及び載置等の工程を要することがないた
め、製造工程を簡略化することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例、例えば2つの半導体
チップを搭載する樹脂封止型半導体装置を図面を参照し
て詳細に説明する。図1に示されるような、半導体チッ
プ1が載置されるアイランド2と、外部電極に接続され
る第一リ−ド3と、2つの半導体チップ1間を接続する
ための第二リ−ド4を有するリ−ドフレ−ムは化学エッ
チングまたはプレス等で一体成形されている。このよう
な形状のリ−ドフレ−ムを用いて、半導体チップ1はペ
−スト5(図2)を介してそれぞれのアイランド2上に
マウントされる。半導体チップ1上に設けられているパ
ッドと第一リ−ド3または第二リ−ド4とをボンディン
グワイヤ6により接続する。その後、各半導体チップ1
毎にモ−ルド樹脂7により樹脂封止する。
チップを搭載する樹脂封止型半導体装置を図面を参照し
て詳細に説明する。図1に示されるような、半導体チッ
プ1が載置されるアイランド2と、外部電極に接続され
る第一リ−ド3と、2つの半導体チップ1間を接続する
ための第二リ−ド4を有するリ−ドフレ−ムは化学エッ
チングまたはプレス等で一体成形されている。このよう
な形状のリ−ドフレ−ムを用いて、半導体チップ1はペ
−スト5(図2)を介してそれぞれのアイランド2上に
マウントされる。半導体チップ1上に設けられているパ
ッドと第一リ−ド3または第二リ−ド4とをボンディン
グワイヤ6により接続する。その後、各半導体チップ1
毎にモ−ルド樹脂7により樹脂封止する。
【0011】図2に示されるように、各半導体チップ1
を個別に樹脂封止し、第二リ−ド4により各半導体チッ
プ1間を連結することにより、樹脂封止型半導体装置内
に特別な配線基板を配置する必要がない。従って、アイ
ランド面積を増大させる必要がなく、モ−ルド樹脂クラ
ックの発生を防止するに必要なモ−ルド樹脂の厚さを厚
くすることもない。つまり、1つの半導体装置内に搭載
される半導体チップの個数の増加に比例すること無く、
半導体装置は一定の厚さに保つことができる。
を個別に樹脂封止し、第二リ−ド4により各半導体チッ
プ1間を連結することにより、樹脂封止型半導体装置内
に特別な配線基板を配置する必要がない。従って、アイ
ランド面積を増大させる必要がなく、モ−ルド樹脂クラ
ックの発生を防止するに必要なモ−ルド樹脂の厚さを厚
くすることもない。つまり、1つの半導体装置内に搭載
される半導体チップの個数の増加に比例すること無く、
半導体装置は一定の厚さに保つことができる。
【0012】図3は、図2に示されるような2つの半導
体チップからなる半導体装置パッケ−ジを示したもので
ある。同図(a)は、SOP(Small Outline Package
)タイプの場合であり、同図(b)はSIP(Single
Inline Package )タイプの場合である。いずれの場合
においても、各半導体チップ毎に樹脂封止されており、
各半導体チップ間を第二リ−ドで連結しており、外部電
極用には第一リ−ドが用いられている。
体チップからなる半導体装置パッケ−ジを示したもので
ある。同図(a)は、SOP(Small Outline Package
)タイプの場合であり、同図(b)はSIP(Single
Inline Package )タイプの場合である。いずれの場合
においても、各半導体チップ毎に樹脂封止されており、
各半導体チップ間を第二リ−ドで連結しており、外部電
極用には第一リ−ドが用いられている。
【0013】いうまでもなく、樹脂封止型半導体装置に
搭載される半導体チップの個数は、2個以上の場合にも
適用できる。その際に少なくとも他の1個の半導体チッ
プとアウタ−リ−ドにより接続されており、各半導体チ
ップは個別に樹脂封止されている。
搭載される半導体チップの個数は、2個以上の場合にも
適用できる。その際に少なくとも他の1個の半導体チッ
プとアウタ−リ−ドにより接続されており、各半導体チ
ップは個別に樹脂封止されている。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、各半導体チップ間を接
続するために配線が施された絶縁回路基板を用いること
なく、複数の半導体チップから構成される樹脂封止型半
導体装置を形成することができる。従って、絶縁回路基
板を形成する工程や樹脂封止型半導体装置に組込む工程
等を除くことができ、樹脂封止型半導体装置の製造工程
が簡略化され、製造コストを押さえることができる。
続するために配線が施された絶縁回路基板を用いること
なく、複数の半導体チップから構成される樹脂封止型半
導体装置を形成することができる。従って、絶縁回路基
板を形成する工程や樹脂封止型半導体装置に組込む工程
等を除くことができ、樹脂封止型半導体装置の製造工程
が簡略化され、製造コストを押さえることができる。
【0015】また、各半導体チップは個別に樹脂封止さ
れるため、半導体チップがマウントされているアイラン
ドの面積は小さくなり、モ−ルド樹脂クラックの発生を
防止するに必要なモ−ルド樹脂の厚さを低減でき、高信
頼性を保証しつつ薄型の樹脂封止型半導体装置を実現で
き電子機器の小型化や性能向上を飛躍的に計ることがで
きる。
れるため、半導体チップがマウントされているアイラン
ドの面積は小さくなり、モ−ルド樹脂クラックの発生を
防止するに必要なモ−ルド樹脂の厚さを低減でき、高信
頼性を保証しつつ薄型の樹脂封止型半導体装置を実現で
き電子機器の小型化や性能向上を飛躍的に計ることがで
きる。
【図1】本発明の一実施例の半導体装置において、リ−
ドフレ−ム上に半導体チップがマウントされた状態を表
す平面図である。
ドフレ−ム上に半導体チップがマウントされた状態を表
す平面図である。
【図2】本発明の一実施例における半導体装置の断面図
である。
である。
【図3】本発明による半導体装置パッケ−ジを表す概略
図である。
図である。
【図4】従来の半導体装置の平面図(a)とXX断面を
表す断面図(b)である。
表す断面図(b)である。
1…半導体チップ、2…アイランド、3…第一リ−ド、
4…第二リ−ド、5…ペ−スト、6…ボンディングワイ
ヤ、7…モ−ルド樹脂。
4…第二リ−ド、5…ペ−スト、6…ボンディングワイ
ヤ、7…モ−ルド樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 X 9272−4M 25/10 25/18 // B29K 105:20 B29L 31:34 4F
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体チップを載置するアイランドと両
辺に設けられた複数個のアウタ−リ−ドとを有する少な
くとも第1および第2のリ−ドフレ−ム部材を含み、互
いに隣接する第1および第2のリ−ドフレ−ム部材のア
ウタ−リ−ドを一体に形成して半導体チップ間を電気的
に接続する外部リ−ドとすると共に、第1および第2の
リ−ドフレ−ム部材のアイランドに載置された半導体チ
ップを別個に樹脂封止することを特徴とする樹脂封止半
導体装置。 - 【請求項2】 半導体チップ間を電気的に接続する上記
外部リ−ドが露出するように、第1および第2のリ−ド
フレ−ム部材のアイランドに載置された半導体チップを
別個に樹脂封止することを特徴とする請求項1記載の樹
脂封止半導体装置。 - 【請求項3】 第1および第2のリ−ドフレ−ム部材の
アイランドに載置された半導体チップの機能が異なるこ
とを特徴とする請求項1記載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項4】 半導体チップを載置するアイランドと、
両辺に設けられた複数個のアウタ−リ−ドとを有する少
なくとも第1および第2のリ−ドフレ−ム部材からな
り、互いに隣接する第1および第2のリ−ドフレ−ム部
材のアウタ−リ−ドを一体に形成して半導体チップ間を
電気的に接続する外部リ−ドとすることを特徴とするリ
−ドフレ−ム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4099591A JPH05299456A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
US08/047,399 US5349233A (en) | 1992-04-20 | 1993-04-19 | Lead frame and semiconductor module using the same having first and second islands and three distinct pluralities of leads and semiconductor module using the lead frame |
KR1019930006603A KR970004949B1 (ko) | 1992-04-20 | 1993-04-20 | 수지밀봉형 반도체장치 및 그 리드프레임 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4099591A JPH05299456A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05299456A true JPH05299456A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14251341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4099591A Pending JPH05299456A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5349233A (ja) |
JP (1) | JPH05299456A (ja) |
KR (1) | KR970004949B1 (ja) |
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WO2006070581A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Kokusan Denki Co., Ltd. | 半導体装置 |
JP2012195502A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Yazaki Corp | モジュールの端子構造 |
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JP3650001B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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US7629675B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-12-08 | Marvell International Technology Ltd. | System and method for routing signals between side-by-side die in lead frame type system in a package (SIP) devices |
US7537965B2 (en) * | 2006-06-21 | 2009-05-26 | Delphi Technologies, Inc. | Manufacturing method for a leadless multi-chip electronic module |
US7759806B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-07-20 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with multiple device units |
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---|---|---|---|---|
JP2582013B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPS63296292A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH01273343A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Nec Corp | リードフレーム |
JPH03218059A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
US5245216A (en) * | 1990-09-11 | 1993-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic-molded type semiconductor device |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP4099591A patent/JPH05299456A/ja active Pending
-
1993
- 1993-04-19 US US08/047,399 patent/US5349233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-20 KR KR1019930006603A patent/KR970004949B1/ko not_active IP Right Cessation
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US7741708B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-06-22 | Kokusan Denki Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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US5349233A (en) | 1994-09-20 |
KR970004949B1 (ko) | 1997-04-10 |
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