JPS61269333A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61269333A
JPS61269333A JP11035085A JP11035085A JPS61269333A JP S61269333 A JPS61269333 A JP S61269333A JP 11035085 A JP11035085 A JP 11035085A JP 11035085 A JP11035085 A JP 11035085A JP S61269333 A JPS61269333 A JP S61269333A
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JP
Japan
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wiring
stress
pellet
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sharing
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Pending
Application number
JP11035085A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Itagaki
板垣 達夫
Susumu Okikawa
進 沖川
Tokuji Toida
戸井田 徳次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11035085A priority Critical patent/JPS61269333A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体素子ペレット(以下、ペレットという
)のコーナ(Corner) mに加わる外部応力を緩
和するようにした半導体装置に関する。
〔背景技術〕
第5図に示すようにリードフレーム1上にペレット2を
マウントし、ボンディングした後、これをたとえば樹脂
(レジン)3でモールドして封止すると、樹脂3とペレ
ット2との熱膨張差が非常に大きく、しかも樹脂3の熱
膨張がペレット2のそれよりも大きいので、樹脂3が硬
化収縮する過程でペレット2表面、特にペレット2のコ
ーナ部表面に非常に大きな応力(特にせん断応力)が図
示矢印方向に作用し、第6図に示すようにコーナ部にク
ラック4が生じ易い。
更に第7図、第8図を用いて具体的に以下説明する。
第7図はA41層配線の場合のペレットコーナ部を示し
、同図において5はペレットにおするSi基板、6はS
in、膜、7は人を配線、8はパッシベーション膜であ
る。第8図はA22層配線の場合のペレットコーナ部を
示し、同図において、9は1層目の人り配線7上に形成
された眉間絶縁膜、10はこの眉間絶縁膜9上に形成さ
れた2層目のAl配線、11はパッシベーション膜であ
る。
これら第7図や第8図の場合、図示矢印12゜13方向
に前述した応力が作用し、第7図ではAl配線7上の絶
縁保護膜であるパッシベーション膜8の段差部(図示黒
縁14の光枠部分)に、また第8図では1層目Al配線
7と2層目Al配線10間の眉間絶縁膜9の段差部(図
示点線15の光枠部分)に応力が加わりやすく(集中し
やすり)、前記段差部でクラックが生じ易く、しかもク
ラックが生じると水分が入ったりしてkA腐食反応を起
こしたり、また1層目Al配線7と2層目Al配線10
とがショートしたりするという問題を生ずる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ペレットコーナ部の配線に加わる外部
応力を小さくし、これによりクラックの発生およびこれ
に伴う配線間のシ冒−トや配線の腐食反応を夫々防止し
て一層信頼度の向上を図るようにした半導体装置を提供
することにある。
本発明の前記ならびKそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、ペレットのコーナ部の配線パターンの外側に
近接して、外部応力を分担するための応力分担部材を配
設し、これにより前記コーナ部の内部配線に加わる外部
応力(ペレットを樹脂モールドした場合の硬化応力〕を
小さくし、もってクラックの発生およびこれに伴う配線
間のショートや配線の腐食反応を夫々防止して一層信頼
度の向上を図るものである。
〔実施例1〕 第1図は本発明による半導体装置の第1実施例を示し、
A21層配線の場合のペレットコーナ部を示している。
同図において、21はペレット20のシリコン基板、2
2は5iO1膜、23はAl配線、24は人り配線23
の外側に近接して第4図に示すようにkl配線パターン
23に沿って配設された、外部応力を分担するためのL
字形状の応力分担部材であって、この応力分担部材24
の高さはht配線23と同等以上(ここでは同等の場合
を図示しである。)である。この応力分担部材24とし
ては、ここではhtを用いており、Al配線23の形成
プロセスで同時に形成できる。なお、応力分担部材24
としては、ガラス質のものやその他硬質なものなどでも
よいが、強度の大きいものが好適である。25はAl配
線23および応力分担部材24上に形成された絶縁保護
膜としてのパッシベーション膜である。
このような構成のペレット20をリードフレームにマウ
ントし、ボンディング後、樹脂(レジン)でモールドし
て封止した場合、樹脂の硬化収縮過程でペレット20の
コーナ部表面に図示矢印26方向に大きな硬化応力(以
下、外部応力という。)が作用する。本発明では、この
ような外部応力の加わる箇所に応力分担部材24を配設
しであるので、外部応力が、この応力分担部材24に当
り、この応力分担部材24で加わる外部応力を分担し、
その残りの外部応力がkL配線23上のパッシベーショ
ン膜250段差部27に加わることになる。
従って、内部配線であるAl配線23に加わる外部応力
が従来に比べ著しく小さくなり、前記段差部27にクラ
ックが入らす人り配線23にもクラックが入らない。ま
た段差部27のパッシベーション膜25にクラックが入
らないことにより水分の侵入が防止されAL腐食反応が
防止される。このようにして一層の信頼度向上が図られ
る。また応力分担部材24をAl配線23の外側に近接
して配設することで、ペレット20のコーナ部の隅まで
有効に利用できるので設計の自由度が増し、効率的であ
る。
〔実施例2〕 第2図は本発明による半導体装置の第2実施例を示し、
Al2層配線の場合のペレットコーナ部を示している。
同図において、31はペレットのシリコン基板、32は
Sin、膜、33は第1層目のAA配線、34はAl配
線33の外側に近接して実施例1の第4図と同様にAL
配線パターン33に沿って配設され、かつ外部応力を分
担するための応力分担部材であって、この応力分担部材
34の高さはAl配線33と同等以上(ここでは同等の
場合を図示し℃ある。)である。応力分担部材34とし
ては、ここではAlを用いており)Al配線33の形成
プロセスで同時に形成できる。また35はこれらAl配
線33および応力分担部材34上に形成された眉間絶縁
膜、36は第2層目の人り配線、37は応力分担部材3
4上の眉間絶縁膜35上に、しかもAl配線36の外側
に近接して実施例1の第4図の場合と同様にkA配線パ
ターン36に沿って配設された、外部応力を分担するた
めの応力分担部材である。この応力分担部材37の高さ
はAl配線36と同等以上(ここでは同等の場合を図示
しである。)である。この応力分担部材37としては、
ここではkAを用いており、Al配線36の形成プロセ
スで同時に形成することができる。なお、応力分担部材
34,37とし℃は、Alの他に、ガラス質のものや、
その他硬質のものなどでもよいが、強度の大きいものが
好適である。また38はAl配線36および応力分担部
材37上に形成されたバッジページ1ン膜である。
このような構成のペレットをリードフレームにマウント
し、ボンディング後、樹脂(レジン)でモールドして封
止した場合、樹脂の硬化収縮過程でペレットのコーナ部
表面に図示矢印39方向に外部応力が作用する。本発明
では外部応力の加わる箇所に、2層のAl配線33.3
6に対応して応力分担部材34.37を配設しであるの
で、外部応力がこれらの応力分担部材34.37に当り
、応力分担部材34.37は加わる外部応力を分担し、
その残りの外部応力がAl配線33と36間の眉間絶縁
膜350段差部40に加わることになる。この場合、応
力分担部材34.37で外部応力を受けとめているが、
これらの応力分担部材34.37はSin、膜32や層
間絶縁膜35と一体化されているので、最終的には応力
分担部材34.37の両側のS io、膜32が固着さ
れているつげ根の部分41 (図示斜線で示す部分〕で
外部応力を受けとめていることになる。
このように応力分担部材34.37を配設したことによ
り、これらが前記外部応力を分担してくれるので段差部
400部分に加わる外部応力が著しく小さくなり、内部
配線であるAl配線33や36に加わる外部応力も著し
く小さくなり前記段差部40にクラックが入らすAl配
線33と36がショートしたりすることも起こらない。
また、Al配線33,36にもクラックが入らない。ま
た段差部40の層間絶縁膜35およびパックベージ冒ン
膜38にクラックが入らぬことにより、水分の侵入が防
止されkA腐食反応が防止される。
このようにしてより一層の信頼度の向上が図られる。ま
た応力分担部材34.37をAl配線33゜36の外側
に近接して配設することで、ペレットのコーナ部の隅ま
で有効に利用できるので設計の自由度が増し効率的であ
る。
〔実施例3〕 第3図は本発明による半導体装置の第3笑施例な示し、
kLQ層配線の場合のペレットコーナ部を示している。
同図において、第2図と同一あるいは相当部分には同符
号を用いている。同図においては、応力分担部材34.
37を用いない代りに、Al配線による段差部40の外
側に近接してバッジベージ冒ン膜38上に実施例1の第
4図と同様にA/、配線バター/36に沿って配設され
、かつ外部応力を分担するための応力分担部材42を用
いている。
この応力分担部材42の上面位置はバッジページ  ゛
冒ン膜38の表面位置と略同等にしである。この応力分
担部材42としては、ここではAlを用いている。なお
応力分担部材42としては、kAの他に、ガラス質のも
のや、その他硬質のものなどでもよいが、強度の大きい
ものが好適である。
このような構成のペレットをリード7ノームにマウント
し、ボンディング後樹脂(レジン)でモールドして封止
した場合、前述したと同様にペレットのコーナ部表面忙
図示矢印43方向に外部応力が作用する。本発明では、
外部応力の加わる箇所に、応力分担部材42を配設しで
あるので、外部応力がこの応力分担部材42に当り、応
力分担部材42は加わる外部応力を分担し、その残りの
外部応力が段差部40に加わることになる。この場合、
応力分担部材42で外部応力を受けとめているが、応力
分担部材42は下地のパッジベージ菖ン膜389層間絶
縁膜35 、8i0.膜32と一体化されているので、
最終的には応力分担部材42直下のS io、膜32が
固着されている部分44(図示斜線で示す部分)で外部
応力を受けとめていることになる。
このように応力分担部材42を配設したことにより、前
記外部応力を分担してくれるので1段差部40部分に加
わる外部応力が著しく小さくなり、内部配線であるAl
配線33.31m加わる外部応力も著しく小さくなる。
従って段差部40にクラックが入らず、人を配線33と
36がシ曹−トしたりすることも起こらない。またAl
配線33や36にクラックも入ることはない。その他実
施例2と同様の作用効果を奏する。
〔効果〕
(1)ペレットコーナ部の配線パターンの外側に近接し
℃応力分担部材を配設することにより、ペレットコーナ
部の配線に加わる外部応力を小さくすることかできる。
(2)  (1)によりクラックの発生およびこれに伴
う配線間のショートや配線の腐食反応を防止することが
でき、もって一層信頼性の向上を図ることができる。
(3)ペレットコーナ部の隅まで有効に利用できるので
、設計の自由度が増し効率的である。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、第1図〜第
3図では、夫々応力分担部材(24;34 、 37;
42)を用いた、外部応力を分担する箇所を1箇所配設
した場合であるが、これらの分担箇所と夫々並行して、
同様の構成の分担箇所を複数箇所、間隔をおいて配設し
た場合でもよい。この場合には第1図〜第3図の段差部
27.40に加わる外部応力をさらに著しく小さくする
ことができ、より一層の効果が得られる。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるA21層配線やA2
2層配線の場合の半導体装置のペレットコ・−す部に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、一般に多層配線構造の半導体装置
(大チップLSI)のペレットコーナ部などに適用でき
る。本発明は、少なくとも加わる応力の大きい箇所の、
その応力を小さくしたい場合にその箇所に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体装置の第1実施例を示す要
部断面図、 第2図は本発明による半導体装置の第2実施例な示す要
部断面図、 第3図は本発明の第3実施例を示す要部断面図、第4図
は第1図のペレットコーナ部の簡略要部説明図、 第5図はレジンモールド素子の簡略断面図、第6図はペ
レットにおけるクラックの入る箇所を説明するための図
、 第7図および第8図は夫々従来の半導体装置の各側を示
す要部断面図である。 20・・・ペレット、21.31・・・シリコン基板、
22.32・・・Sin、膜、23・・・kA配線、2
4゜34.37.42・・・応力分担部材、25.38
・・・パッシベーション膜、27.40・・・段差部、
33・・・第2層目Al配線、35・・・層間絶縁膜、
36・・・第2層目Al配線。 第   1  図          第  2  図
第  3  図 第  5  図 第  6  図 第  7  図 第  8  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子ペレットのコーナ部の配線パターンの外
    側に近接して外部応力を分担するための応力分担部材を
    配設してなることを特徴とする半導体装置。 2、前記応力分担部材として、硬質部材やAlなどを用
    いてなる特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP11035085A 1985-05-24 1985-05-24 半導体装置 Pending JPS61269333A (ja)

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JP11035085A JPS61269333A (ja) 1985-05-24 1985-05-24 半導体装置

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JPS61269333A true JPS61269333A (ja) 1986-11-28

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ID=14533534

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JP11035085A Pending JPS61269333A (ja) 1985-05-24 1985-05-24 半導体装置

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JP (1) JPS61269333A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288948A (en) * 1989-06-26 1994-02-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Structure of a semiconductor chip having a conductive layer
JP2002319685A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2006100558A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2006318988A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009021528A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Toshiba Corp 半導体装置

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