JPH01241134A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01241134A JPH01241134A JP6841588A JP6841588A JPH01241134A JP H01241134 A JPH01241134 A JP H01241134A JP 6841588 A JP6841588 A JP 6841588A JP 6841588 A JP6841588 A JP 6841588A JP H01241134 A JPH01241134 A JP H01241134A
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- JP
- Japan
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- film
- stress
- oxide film
- films
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- Pending
Links
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- 101150116295 CAT2 gene Proteins 0.000 description 1
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- 101100126846 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) katG gene Proteins 0.000 description 1
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の電極配線上のパブシベーシ９ン
膜の構造に閃する。
膜の構造に閃する。
半導体装置の電極配線上のバプシベーシ、ン膜の形成に
おいて、許容温度範囲内（以下常昌と略）で、圧縮応力
の働く膜と常温で引張り応力の働く膜を交互に繰り返し
形成することにより、パフシベーシ！１：’膜から発生
する応力は、引張り応力と圧縮応力が相殺し合い小さく
なるものである。
おいて、許容温度範囲内（以下常昌と略）で、圧縮応力
の働く膜と常温で引張り応力の働く膜を交互に繰り返し
形成することにより、パフシベーシ！１：’膜から発生
する応力は、引張り応力と圧縮応力が相殺し合い小さく
なるものである。
従来のパフシベーシ、ン膜構造は、第１図の３に示す如
く、単一応力が働く膜を単層で形成していた。ここで、
応力の高い膜、もしくは、厚膜を形成すると、ウェハー
がそってしまう。
く、単一応力が働く膜を単層で形成していた。ここで、
応力の高い膜、もしくは、厚膜を形成すると、ウェハー
がそってしまう。
しかし、前述の従来技術では、パッシベーションの下層
に位置する膜や、電極配線にクラックやボイドを生じ、
半導体装置の信頼性低下を招（問題点があった。
に位置する膜や、電極配線にクラックやボイドを生じ、
半導体装置の信頼性低下を招（問題点があった。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところは、単に応力でかつ高応力、もしくは、厚
膜のパフシベーシｙン膜を形成することによる上下層の
電極配線及び、下層の膜のクラックやボイドを軽減する
膜構造を提供することにある。
とするところは、単に応力でかつ高応力、もしくは、厚
膜のパフシベーシｙン膜を形成することによる上下層の
電極配線及び、下層の膜のクラックやボイドを軽減する
膜構造を提供することにある。
半導体装置の電極配線上のパッシベーション膜の形成に
おいて、常温で圧縮応力の働く膜と、常温で引張り応力
の働く膜を交互に繰り返し形成し、多層膜構造を存する
ことを特徴とする。
おいて、常温で圧縮応力の働く膜と、常温で引張り応力
の働く膜を交互に繰り返し形成し、多層膜構造を存する
ことを特徴とする。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第２図は、従来技術を用いた半導体装置の断面構造図で
ある。
ある。
第１図、第３図は、本発明による半導体装置の断面構造
図である。第１図の場合、Ａ、Ｉ２配線とフィールド酸
化膜上に直接、常温で引張り応力の働＜ ＣＶＤ酸化膜
を形成するのではな（常温で圧縮応力の働＜ ＣＶＤ酸
化膜を形成した後に、常温で引張り応力の働＜Ｃ−ＶＤ
ｍ化膜を形成する構造を繰り返し形成し、パッシベーシ
ョン膜全体から発生する応力を減少させている。又、Ａ
β配腺は、引張り応力に弱いので、圧縮応力の働＜ Ｃ
ＶＤ酸化膜を形成した後に、引張り応力の働＜ＣＶＤ酸
化膜を形成する構造とし、又、その逆の構造も場合によ
っては、行なっている。さらに、膜応力の強さのｔＪ！
Ｉ整、膜厚の調整で、要求に応じた、応力のバッジベー
ジｇ／膜の形成が可能である。上記説明の中では、常温
で引張り応力の働く膜としてＣＶＤ酸化膜を挙げたが、
その他には、プラズマナイトライド、プラズマオキシナ
イトライド、プラズマオキサイド等も同様な応力を発す
る膜である。
図である。第１図の場合、Ａ、Ｉ２配線とフィールド酸
化膜上に直接、常温で引張り応力の働＜ ＣＶＤ酸化膜
を形成するのではな（常温で圧縮応力の働＜ ＣＶＤ酸
化膜を形成した後に、常温で引張り応力の働＜Ｃ−ＶＤ
ｍ化膜を形成する構造を繰り返し形成し、パッシベーシ
ョン膜全体から発生する応力を減少させている。又、Ａ
β配腺は、引張り応力に弱いので、圧縮応力の働＜ Ｃ
ＶＤ酸化膜を形成した後に、引張り応力の働＜ＣＶＤ酸
化膜を形成する構造とし、又、その逆の構造も場合によ
っては、行なっている。さらに、膜応力の強さのｔＪ！
Ｉ整、膜厚の調整で、要求に応じた、応力のバッジベー
ジｇ／膜の形成が可能である。上記説明の中では、常温
で引張り応力の働く膜としてＣＶＤ酸化膜を挙げたが、
その他には、プラズマナイトライド、プラズマオキシナ
イトライド、プラズマオキサイド等も同様な応力を発す
る膜である。
本発明の効果は、常温で、圧縮応力の働く膜と、常温で
引張り応力の働く膜を交互に繰り返し形成することによ
って、バッジベージＨ７Ｇに接する上下の膜及び電極配
線に与える応力を、膜厚及び膜応力及び、膜形成の順序
の組み合わせでコントロールすることが容易にでき、パ
ッシベーション膜の上下層のＴＴｉ極配線及び、膜のク
ラックやボイドをなくすことができた。又、これにより
、半導体装置の併願性及び歩留りが向上した。
引張り応力の働く膜を交互に繰り返し形成することによ
って、バッジベージＨ７Ｇに接する上下の膜及び電極配
線に与える応力を、膜厚及び膜応力及び、膜形成の順序
の組み合わせでコントロールすることが容易にでき、パ
ッシベーション膜の上下層のＴＴｉ極配線及び、膜のク
ラックやボイドをなくすことができた。又、これにより
、半導体装置の併願性及び歩留りが向上した。
第１図は、本発明を用いた実施例の単層配線の半導体装
置の断面構造図である。 第２図は、従来技術を用いた、単層配線の半導体装置の
断面構造図である。 第３図は、本発明を用いた実施例の二層配線の半導体装
置の断面構造図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・フィールド酸化膜 ３・・・引張り応力の働く膜 ４・・・第１層目の配線 ５・・・圧縮応力の働く膜 ６・・・ＬＯＧＯ３ ７・・・第２層目の配線 ８−Ｐ ｏ Ｌ Ｙ −Ｓ ｉ配腺 以 上 ′猫２．囚 帥１図
置の断面構造図である。 第２図は、従来技術を用いた、単層配線の半導体装置の
断面構造図である。 第３図は、本発明を用いた実施例の二層配線の半導体装
置の断面構造図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・フィールド酸化膜 ３・・・引張り応力の働く膜 ４・・・第１層目の配線 ５・・・圧縮応力の働く膜 ６・・・ＬＯＧＯ３ ７・・・第２層目の配線 ８−Ｐ ｏ Ｌ Ｙ −Ｓ ｉ配腺 以 上 ′猫２．囚 帥１図
Claims (1)
- 許容温度範囲内において、圧縮応力の働く膜と引張り
応力の働く膜を交互に繰り返し形成した多層膜構造を有
することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6841588A JPH01241134A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6841588A JPH01241134A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241134A true JPH01241134A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13373022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6841588A Pending JPH01241134A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241134A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03133131A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2010035481A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010080773A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016076688A (ja) * | 2014-06-10 | 2016-05-12 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | 基板 |
| JP2018067633A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP6841588A patent/JPH01241134A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03133131A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2010035481A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010080773A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| CN102165576A (zh) * | 2008-09-26 | 2011-08-24 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
| US9735110B2 (en) | 2008-09-26 | 2017-08-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| JP2016076688A (ja) * | 2014-06-10 | 2016-05-12 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | 基板 |
| JP2018067633A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
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