JP2715456B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2715456B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非熔断固定記憶装置の構造及び材料構成に
関する。
〔従来の技術〕
従来、非熔断固定記憶装置は、第３図に示す如き構造
をとっていた。すなわち、Siから成る半導体基板21の表
面には、SiO2から成る絶縁膜22が形成され、該絶縁膜22
に開けられた窓から拡散層から成る第１の電極23を形成
し、該第１の電極23の表面の一部にオキシナイトライド
（SiON）から成る薄い絶縁膜24を形成し、該薄い絶縁膜
24の表面に第２の電極25を形成して成るのが通例であっ
た。本例の反熔断固定装置としての動作は、第１の電極
23と第２の電極25との間に電圧を印加し、薄い絶縁膜24
を絶縁破壊されて第１の電極23と第２の電極25とを導通
状態となさせるもので、非熔断固定記憶動作となるわけ
である。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来技術によると半導体基板には、出来
る限りトランジスタを多数形成し、集積度を高めようと
するのに対し、非熔断固定記憶装置を半導体基板に形成
するわけであるから集積回路の集積度の向上には向かな
いと云う課題があった。
本発明、かかる従来技術の課題を解決し、半導体集積
回路装置における非熔断固定記憶装置部を３次元的に配
置し、半導体集積回路装置の集積度の向上を計る事を目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板上方に設けられた第一絶縁膜、
前記第一絶縁膜上の同一平面上に設けられた第一電極及
び第二電極、少なくとも前記第一電極及び前記第二電極
間に設けられ、且つ、前記第一電極と前記第二電極に電
圧を印加することで導通する薄い第二絶縁膜を有するこ
とを特徴とする半導体装置。
〔実 施 例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。第１図及び第
２図は本発明の実施例を示す非熔断固定記憶装置の要部
の断面図である。
第１図では、Siから成る半導体基板１の表面に、SiO2
から成る絶縁膜２を形成し、該絶縁膜２の表面に、多結
晶Si、Al、、WSi等から成る第１の電極３を形成し、C
VDSiO2等による、層間絶縁膜６を更に、その上に形成後
該層間絶縁膜６の第１の電極３上の一部を窓開けし、CV
D法や酸化法により、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3等の薄
い絶縁膜４を形成し、該薄い絶縁膜４上に、多結晶Si、
Al、Ｗ、WSi等から成る第２の電極５を形成して成る。
尚薄い絶縁膜４は第１の電極３の側面に迄形成され、そ
の上に、第２の電極５が第１の電極３の側面の一部に迄
延在して形成されてもよく、又、この場合には、必ずし
も空間絶縁膜６はなくても良い。
第２図では、Siから成る半導体基板１の表面には、Si
O2等から成る絶縁膜12が形成され、該絶縁膜12の表面に
は多結晶Si、Al、、WSi等から成る第１の電極３と第
２の電極５が形成され、該第１の電極３と第２の電極５
の少くともギャップ間に、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3等
から成る薄い絶縁膜14がCVD法や酸化法により形成され
て成る。尚薄い絶縁膜４は第１の電極３や第２の電極５
の表面や側面に延在して形成されても良い。
〔発明の効果〕
本発明により半導体集積回路装置に非熔断固定記憶装
置を集積度高く形成する事ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す非熔断固定記
憶装置の要部の断面図であり、第３図は従来技術におけ
る非熔断固定記憶装置の要部の断面図である。 １、11、21……半導体基板 ２、12、22……絶縁膜 ３、13、23……第１の電極 ４、14、24……薄い絶縁膜 ５、15、25……第２の電極 ６……層間絶縁膜

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上方に設けられた第一絶縁膜、
    前記第一絶縁膜上の同一平面上に設けられた第一電極及
    び第二電極、少なくとも前記第一電極及び前記第二電極
    間に設けられ、且つ、前記第一電極と前記第二電極に電
    圧を印加することで導通する薄い第二絶縁膜を有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記第二絶縁膜は、SiO2、SiON、Si3N4、A
    l2O3から選ばれることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  3. 【請求項３】前記第一電極及び前記第二電極は多結晶Si
    であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装
    置。
  4. 【請求項４】前記第一電極及び前記第二電極はAlである
    ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
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