JPS58197856A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58197856A JPS58197856A JP8094082A JP8094082A JPS58197856A JP S58197856 A JPS58197856 A JP S58197856A JP 8094082 A JP8094082 A JP 8094082A JP 8094082 A JP8094082 A JP 8094082A JP S58197856 A JPS58197856 A JP S58197856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- nitride film
- covered
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、特に配線ツクターン上に
パッジベージ冒ン膜を被着した半導体装置の耐湿性の改
善に関する。
パッジベージ冒ン膜を被着した半導体装置の耐湿性の改
善に関する。
半導体装置特に集積回路の配線は半導体領域から引き出
され、絶縁膜上に形成される０集積回路では殆んどアル
ミニウムが配線材料として用いられているが、アルミ；
ラム配線の！″を部からの機械的損傷に対する保護及び
外部からの湿気その他の有害物質の侵入防止のため、ア
ルミニウム配線又はその上のアルミナ、気相成長酸化膜
等の絶縁膜−Ｆにプラズマ窒化シリコン膜（以下プラズ
マ窒化膜と記す）を被着する。
され、絶縁膜上に形成される０集積回路では殆んどアル
ミニウムが配線材料として用いられているが、アルミ；
ラム配線の！″を部からの機械的損傷に対する保護及び
外部からの湿気その他の有害物質の侵入防止のため、ア
ルミニウム配線又はその上のアルミナ、気相成長酸化膜
等の絶縁膜−Ｆにプラズマ窒化シリコン膜（以下プラズ
マ窒化膜と記す）を被着する。
一般の内部配線部分はこれで保護が可能であるが、第１
図のようにペレットの端部ではプラズマ窒化膜５の下の
気相成長酸化膜、気相成長リンドープ酸化等の絶縁膜４
が算出しているため、それらの絶縁膜や絶縁膜同志の界
面から湿気その他の有害物質が侵入し、アルミニウム配
線が変質したり溶断したりする事故が発生していた。
図のようにペレットの端部ではプラズマ窒化膜５の下の
気相成長酸化膜、気相成長リンドープ酸化等の絶縁膜４
が算出しているため、それらの絶縁膜や絶縁膜同志の界
面から湿気その他の有害物質が侵入し、アルミニウム配
線が変質したり溶断したりする事故が発生していた。
従って本発明の目的は以上述べた問題を除去し、バッフ
ベージ冒ン被膜を被着してなる半導体装置において、ペ
レット端部からの水分その他の侵入を防止した信頼性の
高い半導体装置を提供することにある。
ベージ冒ン被膜を被着してなる半導体装置において、ペ
レット端部からの水分その他の侵入を防止した信頼性の
高い半導体装置を提供することにある。
すなわち本発明の要旨はアルミ配線上をプラズマ窒化膜
で被ってなる半導体装置において、前記半導体装置のチ
ップの端部で前記プラズマ窒化膜下の少くとも一層の薄
膜の端部を前記プラズマ窒化膜で被ったことを特徴とす
る半導体装置にある。
で被ってなる半導体装置において、前記半導体装置のチ
ップの端部で前記プラズマ窒化膜下の少くとも一層の薄
膜の端部を前記プラズマ窒化膜で被ったことを特徴とす
る半導体装置にある。
以下図面を参照し、本発明につき説明する。第１図は従
来技術の断面図の一例を示すものである。
来技術の断面図の一例を示すものである。
即ちシリコン基板ｌ上の熱成長酸化膜２の上にアルミ配
線膜３が形成してあり、その上をノンドープ又はリンド
ープの気相成長酸化膜４で被い、さらにプラズマ窒化膜
５で被り九構造になっている。
線膜３が形成してあり、その上をノンドープ又はリンド
ープの気相成長酸化膜４で被い、さらにプラズマ窒化膜
５で被り九構造になっている。
しかしながらこの構造で社ペレットの端部において気相
成長酸化ｐｌｓ４の端部が算出しているので、この膜や
この膜と上下の膜との外向を通して湿気その他の有害物
が侵入し、アルミ配置３に達し、アルミの腐食、変質、
溶断等が発生する、という問題があった。
成長酸化ｐｌｓ４の端部が算出しているので、この膜や
この膜と上下の膜との外向を通して湿気その他の有害物
が侵入し、アルミ配置３に達し、アルミの腐食、変質、
溶断等が発生する、という問題があった。
これに対し第２図は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。即ち本実施例では気相成長酸化膜４の端部をプ
ラズマ屋化膜５で被う構造になっている。従って湿気そ
の他の有害物質の侵入が妨げられ、耐湿性の良好が半導
体装置が得られる。
である。即ち本実施例では気相成長酸化膜４の端部をプ
ラズマ屋化膜５で被う構造になっている。従って湿気そ
の他の有害物質の侵入が妨げられ、耐湿性の良好が半導
体装置が得られる。
次に第３図は２層配線構造等で、アルミ配置１３が気相
成長酸化膜４′上に形成されている場合に本発明を適用
した例であり、アルミ配ｆｌＪａ上の気相成長酸化１１
１１！４の端部のみ彦らずアルミ配線３下の気相成長酸
化膜４′の端部をもプラズマ窒化膜５で被っているので
、前者のみを被う場合よシ一層確実に耐湿性の向上を計
ることができる。
成長酸化膜４′上に形成されている場合に本発明を適用
した例であり、アルミ配ｆｌＪａ上の気相成長酸化１１
１１！４の端部のみ彦らずアルミ配線３下の気相成長酸
化膜４′の端部をもプラズマ窒化膜５で被っているので
、前者のみを被う場合よシ一層確実に耐湿性の向上を計
ることができる。
＋７ ニア品種の耐湿性試験（プレッシャークツカーテ
スト）において、従来構造では１００時間以内で端部か
らの水分等の侵入によるアルミの腐食が発生していたが
、この構造を使用することにより３００時間経っても端
部からの水分等の侵入による腐食が発生しなくなる、と
いう大なる効果が得られた。
スト）において、従来構造では１００時間以内で端部か
らの水分等の侵入によるアルミの腐食が発生していたが
、この構造を使用することにより３００時間経っても端
部からの水分等の侵入による腐食が発生しなくなる、と
いう大なる効果が得られた。
尚、本発明はプラズマ窒化膜下の絶縁膜として上記の他
にアルミナや気相成長窒化膜、又配線用材料としてシリ
コン人りアルミ Ｃｕ１人ルアルミが含まれることはも
ちろんである。
にアルミナや気相成長窒化膜、又配線用材料としてシリ
コン人りアルミ Ｃｕ１人ルアルミが含まれることはも
ちろんである。
第１図は従来技術を示す半導体ウェハーを示すす断面図
、紺２図と第３図は夫々本発明の第１と第２の実施例を
示す半導体ウェハーの断面図である０ 図中、ｌ・・・・・・７リコン基板、２・・・・・・熱
成長酸化膜、３・・・・・・配線用アルミ膜、４．４′
・・・・・・気相成長酸化膜、５・・・・・・プラズマ
窒化膜。 牟７ ノ Ｉｉ÷１１ 率２図 第３ 図
、紺２図と第３図は夫々本発明の第１と第２の実施例を
示す半導体ウェハーの断面図である０ 図中、ｌ・・・・・・７リコン基板、２・・・・・・熱
成長酸化膜、３・・・・・・配線用アルミ膜、４．４′
・・・・・・気相成長酸化膜、５・・・・・・プラズマ
窒化膜。 牟７ ノ Ｉｉ÷１１ 率２図 第３ 図
Claims (1)
- アルミ配線上をプラズマ電化膜で被ってなる半導体装置
において、前記半導体装置のチップの端部で、前記プラ
ズマ窒化膿下の少くとも一層の薄膜の端部を前記プラズ
マ窒化膜で被ったことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094082A JPS58197856A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094082A JPS58197856A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197856A true JPS58197856A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13732468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8094082A Pending JPS58197856A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237167A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 2003-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8094082A patent/JPS58197856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 2003-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
| JPH02237167A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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