JPH0224541U - - Google Patents
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- JPH0224541U JPH0224541U JP10147188U JP10147188U JPH0224541U JP H0224541 U JPH0224541 U JP H0224541U JP 10147188 U JP10147188 U JP 10147188U JP 10147188 U JP10147188 U JP 10147188U JP H0224541 U JPH0224541 U JP H0224541U
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- JP
- Japan
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- silicon
- melting point
- high melting
- point metal
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
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Description
第１図は本考案の構成を概略的に示す構成図、
第２図は本実施例に係る半導体装置の形成過程を
示す工程図、第３図は従来例の構成を示す構成図
である。 １はシリコン半導体基板、２はＳｉＯ２絶縁膜
、３は多結晶シリコン層、４はＴｉを含む層、５
は高融点金属のシリサイド層、６は配線である。
第２図は本実施例に係る半導体装置の形成過程を
示す工程図、第３図は従来例の構成を示す構成図
である。 １はシリコン半導体基板、２はＳｉＯ２絶縁膜
、３は多結晶シリコン層、４はＴｉを含む層、５
は高融点金属のシリサイド層、６は配線である。
Claims (1)
- シリコン半導体層上にＴｉを含む層を介してＴ
ｉ以外の高融点金属のシリコン化合物が形成され
た多層構造の配線を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10147188U JPH0224541U (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10147188U JPH0224541U (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224541U true JPH0224541U (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=31330498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10147188U Pending JPH0224541U (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224541U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255911A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-01 | Siliconix Inc | 分布抵抗を低減する厚い金属レイヤを有する縦形パワーｍｏｓｆｅｔ及びその製作方法 |
| JPH08264785A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-11 | Siliconix Inc | 集積回路ダイ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP10147188U patent/JPH0224541U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255911A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-01 | Siliconix Inc | 分布抵抗を低減する厚い金属レイヤを有する縦形パワーｍｏｓｆｅｔ及びその製作方法 |
| JPH08264785A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-11 | Siliconix Inc | 集積回路ダイ及びその製造方法 |