JPS61284930A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止の半導体装
置の樹脂応力のため信頼性劣化の防止に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置は、第２図に示すように表面
保護膜として、酸化膜２５のみ又は酸化膜２５およびチ
ッ化膜２６を半導体基板２１上の活性領域２３を含む半
導体層２２の全面にアルミニウム配線２４をおおって形
成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

かかる従来の表面保護膜として酸化膜（ＣＶＤ。

５ｉ０２など）２５のみを有する場合には、封止樹脂と
半導体装置の基板２１であるシリコンの熱膨張係数の差
による応力が半導体装置表面、特に外周部に加わシ、保
護膜の破壊を引き起す。また、より緻密な膜としての、
チッ化膜２６を更に有する場合には、機械的強度も強く
、上述した樹脂応力でも破壊しないが、しかし、このチ
ッ化膜２６も半導体装置の基板２１であるシリコンとの
熱膨張係数の差による応力などによって、半導体装置の
電気的特性が変動するという、欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、従来の欠点を解消するもので、
半導体装置のトランジスタ部、抵抗部。

など素子が拡散されている領域（以下活性領域という）
を除いた外周部だけに、応力などの機械的ストレスによ
シ強い保護膜としてチッ化膜を有し、活性領域上にはチ
ッ化膜を有していない。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である半導体素子等
が形成された活性領域１３を有する半導体層１２がシリ
コンの半導体基板１１上に有し、この活性領域１３には
アルミニウムの配線１４が形成されておシ、表面保護膜
としての酸化膜１５でおおわルている。活性領域１３の
外周部には表面保護膜としてチツ化膜１６を有している
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の構造では、樹脂応力によ
る表面保護膜の破壊は、外周部はどストレスが大きいが
、この応力を機械的強度の強いチッ化膜を有することで
防ぎ、特に耐湿性においてアルミニウム電極の腐蝕を防
止し、全面チッ化膜化のための構造の変更を行なわずに
信頼度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の半導体装置を示す断面図である。 １１．２１・・・・・・半導体基板、１２．２２・・・
・・・半導体層、１３．２３・川・・活性領域、１４．
２４・・・・・・配線、１５，２５・・・・・・酸化膜
、１６．２６・・・・・・チッ化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置の外周部だけに表面保護膜としてのチッ化膜
   を有することを特徴とする半導体装置。