JP2006318988A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。
【解決手段】 半導体装置は、基板におけるチップ領域に形成された素子と、基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成された配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成され、且つ素子と配線とを接続するか又は配線同士を接続するプラグと、複数の層間絶縁膜の上に形成された表面保護膜とを備えている。さらに、チップ領域のコーナー部に存在している表面保護膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置に関するものである。

近年、デジタル社会が進展するに従って、半導体装置の微細化、高機能化、及び高速動作化の要望が強まっており、半導体装置は大規模高集積化してきている。このため、配線の多層化、さらには配線の微細化が進んでいる。近年、配線の微細化によって生じる寄生容量を抑制する目的で、層間絶縁膜として、従来のシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などの誘電体材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率誘電体材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）が用いられるようになってきた（例えば、特許文献１参照）。

以下に、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ膜を用いた多層配線構造を有する従来の半導体装置について、図９を参照しながら説明する。なお、図９は、従来の半導体装置１００Ａの構造を示す要部断面図である。

図９に示すように、シリコンなどの半導体よりなる基板１００の上には、第１の層間絶縁膜１０１が形成されている。第１の層間絶縁膜１０１における上部には、ダマシン配線工程によって、銅よりなる第１の配線層１０２が形成されている。第１の層間絶縁膜１０１及び第１の配線層１０２の上には、例えばＳｉＣＮ膜よりなる銅の拡散を防止する第１のストッパー材１０３が形成されている。第１のストッパー材１０３の上には、第２の層間絶縁膜１０４として、例えばＳｉＯＣ膜よりなるＬｏｗ−ｋ膜が形成されている。第１のストッパー材１０３及び第２の層間絶縁膜１０４中には、該第１のストッパー材１０３及び第２の層間絶縁膜１０４を貫通し、且つ下端が第１の配線層１０２に接続するコンタクト用のビア１０５が形成されている。また、第２の層間絶縁膜１０４における上部には、ダマシン配線工程によって、ビア１０５の上端と接続する第２の配線層１０６が形成されている。第２の層間絶縁膜１０４及び第２の配線層１０６の上には、例えばＳｉＣＮ膜よりなる銅の拡散を防止する第２のストッパー材１０７が形成されている。第２のストッパー材１０７の上には、例えばＳｉＮ膜よりなる表面保護膜１０８が形成されている。このように、図９に示す従来の半導体装置１００Ａは、二層のダマシン配線構造を有している。
特開２００４−１７２１６９号公報

ところで、前述したＬｏｗ−ｋ膜を用いた従来の半導体装置１００Ａでは、該半導体装置１００Ａのコーナー部において、第２の層間絶縁膜１０４が下地の第１のストッパー材１０３に対して膜剥がれを起こしたり、この膜剥がれに起因してクラックが発生するなどの問題がある。以下に、その問題発生のメカニズムについて具体的に説明する。

一般的に、Ｌｏｗ−ｋ膜は、ヤング率が低い、硬度が低い、熱膨張率が高い、膜密度が低いなどの物理的特性を有しているので、他の膜に対する密着性が低い。このため、Ｌｏｗ−ｋ膜よりなる第２の層間絶縁膜１０４は、下地の第１のストッパー材１０３に対する密着性が低い。したがって、Ｌｏｗ−ｋ膜よりなる第２の層間絶縁膜１０４は、前述した物理的特性の点で、第１のストッパー材１０３に対して膜剥がれを発生させやすい。

さらに、半導体装置１００Ａを封止するために形成されるモールド樹脂（図示せず）が、第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれを促進させる大きな要因となっている。すなわち、封止樹脂の硬化収縮応力が、第２の層間絶縁膜１０４における膜剥がれを発生させてしまうのである。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、Ｌｏｗ−ｋ膜よりなる第２の層間絶縁膜１０４における膜剥がれの発生を説明するための要部断面図及び平面図である。図１０（ａ）に示すように、Ｌｏｗ−ｋ膜よりなる第２の層間絶縁膜１０４と第１のストッパー材１０３との界面であって、且つ、図１０（ｂ）に示すように、半導体装置１００Ａのコーナー部１１０において、第２の層間絶縁膜１０４は、第１のストッパー材１０３に対して膜剥がれを起こしている。このような膜剥がれが生じる理由は、前述した通りであり、また、半導体装置１００Ａのコーナー部１１０において、第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれが生じる理由は、以下の通りである。すなわち、半導体装置１００Ａの端部におけるダイシングによってダメージを受けた部分１１１が、膜剥がれの基点となり、さらに、モールド樹脂の硬化収縮応力が半導体装置１００Ａのコーナー部１１０において最も大きいために、第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれは、半導体装置１００Ａのコーナー部１１０から選択的に発生するのである。

以上のようなメカニズムによって発生する第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれは、半導体装置１００Ａの内部における配線構造に断線を生じさせる。これにより、配線不良が発生すると共に、歩留りが低下する。また、第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれが組み立て工程直後において軽微であっても、その後の半導体装置１００Ａの使用によって加わる熱的なストレスに起因して、第２の層間絶縁膜１０４の膜剥がれが進行する。したがって、この場合にも、将来的に半導体装置１００Ａの故障に繋がる可能性があるので、半導体装置１００Ａの信頼性に問題が生じる。

前記に鑑み、本発明の目的は、モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止できる半導体装置を提供することである。

前記の目的を達成するために、本発明の一側面に係る半導体装置は、基板におけるチップ領域に形成された素子と、基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成された配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成され、且つ素子と配線とを接続するか又は配線同士を接続するプラグと、複数の層間絶縁膜の上に形成された絶縁膜と、チップ領域のコーナー部に存在している絶縁膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えている。

本発明の一側面に係る半導体装置によると、絶縁膜の上に樹脂保護膜が形成されていることにより、該樹脂保護膜を覆うように後に堆積されるモールド樹脂の収縮による応力を緩和することができる。このため、モールド樹脂の収縮による応力に起因する層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止し、クラックの発生を抑制することができる。その結果、長年の使用における故障の発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、絶縁膜は、表面保護膜である。

本発明の一側面に係る半導体装置において、絶縁膜は、少なくとも窒素を含む絶縁膜である。
本発明の一側面に係る半導体装置において、樹脂保護膜は、絶縁膜の上面にのみ形成されている。

このようにすると、層間絶縁膜の上面にかかるモールド樹脂の収縮による応力を樹脂保護膜によって確実に緩和することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、樹脂保護膜は、絶縁膜の上面における周縁部を露出させていることが好ましい。

このようにすると、絶縁膜の上面に樹脂保護膜を形成する際、容易にパターニングによって形成することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、樹脂保護膜は、絶縁膜の上面、並びに絶縁膜の側面及び層間絶縁膜の側面に形成されていることが好ましい。

このようにすると、層間絶縁膜の上面及び側面にかかるモールド樹脂の収縮による応力を樹脂保護膜によって確実に緩和することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、チップ領域の周縁部に存在している複数の層間絶縁膜中に形成され、チップ領域における素子形成領域を取り囲むシールリングをさらに備え、樹脂保護膜は、シールリングの上部と平面的配置にて重ならない位置に形成されていることが好ましい。

このようにすると、シールリング構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。また、シールリングと樹脂保護膜とが重ならない構成とすることにより、ダイシングの際に生じる応力の影響がシールリングを介して素子形成領域に及ぶことを防止することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、シールリングは、素子形成領域の周囲を連続的に取り囲んでいることが好ましい。

このようにすると、ダイシングの際に生じるクラックの素子形成領域への入り込みを防止することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、シールリングは、素子形成領域の周囲を不連続的に取り囲んでいることが好ましい。

このようにすると、シールリングを構成している配線などの応力が低減するため、素子形成領域への応力を緩和させることができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、樹脂保護膜は、チップ領域におけるコーナー部におけるシールリングの外側に形成されていることが好ましい。

このようにすると、モールド樹脂の収縮による応力が集中するチップ領域のコーナー部における層間絶縁膜の膜剥がれを効果的に防止することができる。

本発明の一側面に係る第１の半導体装置において、樹脂保護膜は、チップ領域におけるコーナー部におけるシールリングの内側にさらに形成されていることが好ましい。

このようにすると、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を強化することができる。

本発明の一側面に係る半導体装置において、樹脂保護膜は、該樹脂保護膜にかかる応力を緩和する材料よりなることが好ましい。

本発明の一側面に係る半導体装置において、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つは、低誘電率材料よりなることが好ましい。

本発明の半導体装置によると、絶縁膜の上に樹脂保護膜が形成されていることにより、該樹脂保護膜を覆うように後に堆積されるモールド樹脂の収縮による応力を緩和することができる。このため、モールド樹脂の収縮による応力に起因する層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止し、クラックの発生を抑制することができる。その結果、長年の使用における故障の発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

以下に、本発明の一実施形態について説明するが、その前提として、本願で用いる用語の定義を説明するために、図１並びに図２（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。

一般的に、半導体装置は、例えばシリコンなどの半導体ウエハ上に、複数の素子から構成され且つ所定の機能を有する多数のＩＣ回路をマトリックス状に配置することによって作られる。

図１は、一般的な半導体ウエハ１１の平面図を示している。

図１に示すように、半導体ウェハ１１上における多数の半導体チップ（チップ領域）１２は、格子状に設けられたスクライブライン１３によって互いに隔てられている。半導体製造工程を経て１枚の半導体ウエハ１１上に多数の半導体チップ１２を形成した後、該半導体ウエハ１１はスクライブライン１３に沿って個々のチップにダイシングされ、それによって半導体装置が形成される。

図２（ａ）及び（ｂ）は、半導体チップ１２の要部拡大平面図を示している。

図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体チップ１２の周縁部のうちコーナー部２１を除く領域には、通常、１列又は２列（図上では１列）に電極パッド２２が配置されており、電極パッド２２で取り囲まれた領域が素子形成領域２３となっている。

このように、本願において用いる半導体チップ（チップ領域）のコーナー部とは、例えば図２（ａ）又は（ｂ）に示すように、半導体チップ１２の周縁部のうちパッド２２が形成されていない角領域のことを言う。

（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について説明する。

図３（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置（半導体チップ１２）における平面図を示している。

図３（ａ）に示すように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置では、多層配線構造（後述の図３（ｂ）参照）の上部に、シリコン窒化膜からなる表面保護膜４０が形成されている。さらに、表面保護膜４０の上であって且つ半導体チップ１２におけるコーナー部上には、応力緩和剤として樹脂保護膜４８が形成されている。

図３（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す要部断面図であって、前述の図３（ａ）に示した半導体チップ１２の要部を拡大した図が示されている。

図３（ｂ）に示すように、シリコンなどの半導体ウエハ１１よりなる基板３０の上には、複数の層間絶縁膜３１、３２、３４、３５、３７、３８の積層構造が形成されており、層間絶縁膜３２と層間絶縁膜３４との間には、ストッパー材３３が形成されており、層間絶縁膜３５と層間絶縁膜３７との間には、ストッパー材３６が形成されており、層間絶縁膜３８の上には、ストッパー材３９が形成されており、ストッパー材３９の上には、表面保護膜４０が形成されている。ここで、例えば、層間絶縁膜３１、３２、３４、３５、３７、３８としてＳｉＯＣ膜などの低い誘電率（比誘電率３．９以下）を有するＬｏｗ−ｋ膜を形成し、ストッパー材３３、３６、３９としてＳｉＣＮ膜を形成し、表面保護膜４０としてシリコン窒化膜を形成する。

また、層間絶縁膜３１には、基板３０の素子形成領域に形成されている拡散層などの活性領域（図示せず）と接続するプラグ４１が形成されており、層間絶縁膜３２には、プラグ４１と接続する配線４２が形成されており、ストッパー材３３及び層間絶縁膜３４には、配線４２と接続するプラグ４３が形成されており、層間絶縁膜３５には、プラグ４３と接続する配線４４が形成されており、ストッパー材３６及び層間絶縁膜３７には、配線４４と接続するプラグ４５が形成されており、層間絶縁膜３８には、プラグ４５と接続する配線４６が形成されている。プラグ４１、４３、４５及び配線４２、４４、４６の材料として、例えば銅を用いる。また、配線４６の上には、ストッパー材３９及び表面保護膜４０における開口部を介して、配線４６と接続する電極パッド４７が形成されている。電極パッド４７として、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金を用いる。

さらに、表面保護膜４０の上であって且つ半導体チップ１２のコーナー部の上面上には、応力緩和剤として樹脂保護膜４８が形成されている。この樹脂保護膜４８の側面位置は、層間絶縁膜３１、３２、３４、３５、３７、３８とストッパー材３３、３６、３９と表面保護膜４０とからなる多層配線構造の側面位置と一致するように形成されている。

このように、半導体チップ１２のコーナー部に、応力緩和材として樹脂保護膜４８を備えている点が、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の特徴である。ここで、樹脂保護膜４８としては、弾力性がある樹脂を用いることが好ましく、具体的には、ポリイミド又はＰＢＯを用いることが好ましい。また、樹脂保護膜４８の厚さは、５μｍ〜５０μｍ程度であることが好ましく、さらに、樹脂保護膜４８によってチップ領域のコーナー部を被覆する領域は、０．１ｍｍ×０．１ｍｍ〜１ｍｍ×１ｍｍ程度あることが好ましい。

また、以上の構成を有する半導体チップ１２は、例えば図４に示すようにパッケージングされる。すなわち、半導体チップ１２は、実装基板５０の上にマウント材５２を用いてマウントされる。その後、半導体チップ１２における各電極パッド４７（図３（ｂ）参照）が、ボンディングワイヤ５３によって実装基板５０上におけるバンプ電極５１と個々に接続され、半導体チップ１２の周囲がモールド樹脂５４によって封止される。前述したように、この封止樹脂５４が硬化収縮することによって生じる応力が、層間絶縁膜（例えば３４、３７など）の膜剥がれを引き起こす大きな要因となっている。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置によると、半導体チップ１２のコーナー部に集中するモールド樹脂５４による応力、又は使用環境下における熱が起因となる応力などが、樹脂保護膜４８によって緩和されるので、層間絶縁膜（例えば３４、３７など）の膜剥がれを防止し、クラックの発生を抑制することができる。その結果、長年の使用による故障の発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

したがって、層間絶縁膜として、Ｌｏｗ−ｋ膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置にとって、一層効果的である。すなわち、前述したように、Ｌｏｗ−ｋ膜は、その物理的性質ゆえに、そもそも膜剥がれを引き起こし易いが、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成により、Ｌｏｗ−ｋ膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において特に有効である。

なお、本実施形態では、各配線間の層間絶縁膜として、層間絶縁膜３１と層間絶縁膜３２、層間絶縁膜３４と層間絶縁膜３５、層間絶縁膜３７と層間絶縁膜３８のように積層構造にしているが、単層の層間絶縁膜であってもよい。また、プラグ４１、４３、４５と配線４２、４４、４６は別構造としているが、デュアルダマシン法によってプラグ４１と配線４２、プラグ４３と配線４４、プラグ４５と配線４６をそれぞれ一体化構造としてもよい。また、本実施形態では、樹脂保護膜４８を表面保護膜４０上に形成したが、必ずしも表面保護膜４０を形成する必要はなく、ストッパー材３９上、あるいは、層間絶縁膜３８上（この場合、ストッパー材３９も形成しない）に樹脂保護膜４８を形成してもよい。

＜変形例１＞
図５は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（１）の断面図を示している。

図５に示すように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（１）では、樹脂保護膜４８が、半導体チップ１２のコーナー部の上面上であって且つ半導体チップ１２の周縁部を露出させるように形成されている。すなわち、樹脂保護膜４８の側面位置が、半導体チップ１２のコーナー部の上面上において、多層配線構造の側面位置から離間して形成されている。この点で、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（１）は、図３（ｂ）に示した構造と異なっている。図３（ｂ）に示す構造を形成する場合、半導体チップ１２のコーナー部の上面上に、樹脂保護膜４８の側面位置が多層配線構造の側面位置と一致するように形成されるので、マスク合わせ精度及びエッチング精度を高める必要がある。これに対して、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（１）の構造では、樹脂保護膜４８の側面位置が多層配線構造の側面位置から離間して設けられるので、第１の実施形態に比べて容易に形成することができる。

＜変形例２＞
図６は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）の断面図を示している。

図６に示すように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）では、樹脂保護膜４８が、半導体チップ１２におけるコーナー部の上面上に加えて、半導体チップ１２におけるコーナー部の側面上にも形成されている。すなわち、樹脂保護膜４８は、半導体チップ１２のコーナー部に、多層配線構造の上面及び側面を覆うように形成されている。この点で、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）は、図３（ｂ）に示した構造と異なっている。このようにすると、半導体チップ１２の側面に存在している樹脂保護膜４８の収縮応力の影響によって生じる層間絶縁膜（例えば３４、３７など）の膜剥がれを防止することができる。

以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）についての製造方法を説明する。

図７（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）の製造方法を示す要部断面図を示している。

まず、半導体ウエハ１１の上には、層間絶縁膜３１、３２が順に形成されており、該層間絶縁膜３２の上には、ストッパー材３３が形成されており、ストッパー材３３の上には、層間絶縁膜３４、３５が順に形成されており、該層間絶縁膜３５の上には、ストッパー材３６が形成されており、該ストッパー材３６の上には、層間絶縁膜３７、３８が順に形成されており、該層間絶縁膜３８の上には、ストッパー材３９及び表面保護膜４０が形成されている。なお、説明の簡略化のために図示していないが、前述した図６と同様に、配線、プラグ及び電極パッドが形成されている。このような状態で、例えば、図１に示したスクライブライン１３上に存在している層間絶縁膜、ストッパー材及び表面保護膜からなる積層構造と半導体ウエハ１１の一部とをドライエッチングによって除去することにより、図７（ａ）に示すように、半導体チップの主面上に溝部７１を形成する。なお、ここでは、ドライエッチングにより溝部７１を形成したが、例えばダイシングプレートを用いて形成することも可能である。

次に、図７（ｂ）に示すように、溝部７１の底部及び壁部を含む積層構造を有する半導体ウエハ１１上の全面に、樹脂保護膜４８を形成する。

次に、図７（ｃ）に示すように、エッチングにより、積層構造上に存在している樹脂保護膜４８における所望の部分を除去した後に、図７（ｄ）に示すように、溝部７１の底部に存在している樹脂保護膜４８を除去する。このとき、積層構造のうち、溝部７１に隣接する一部領域上を覆い、溝部７１から離間した積層構造上及び溝部７１内の底部上に開口を有するマスクを用いて、１回のドライエッチングにより樹脂保護膜４８を除去することによって図７（ｄ）に示すように樹脂保護膜４８をパターニングしてもよい。

次に、図７（ｅ）に示すように、例えば２０μｍ幅の太いダイシングブレード７２を用いて、半導体ウエハ１１におけるスクライブライン１３上に存在している部分を切断することにより、各半導体チップ１２が個片化されてなる半導体装置（図６に示した半導体装置）が形成される。

以上のようにして、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）の製造方法は実施される。

（その他の実施形態）
以上に説明したように、本発明に係る半導体装置は、半導体チップのコーナー部に樹脂保護膜を形成することにより、応力を緩和して層間絶縁膜の膜剥がれを防止することが特徴であるが、以下では、シールリング構造を備えた半導体装置に、本発明を適用した場合の例をその他の実施形態として説明する。

図８（ａ）及び（ｂ）は、本発明のその他の実施形態に係る半導体装置の平面図を示している。

図８（ａ）では、半導体チップ１２のコーナー部であって、且つ、シールリング構造８０と重ならないように、該シールリング構造８０の外側にのみ樹脂保護膜８１が形成されている。このようにすると、樹脂保護膜８１は、層間絶縁膜の膜剥がれが最も生じやすい半導体チップ１２のコーナー部を少なくとも覆っているので、層間絶縁膜の膜剥がれを防止することができる。

また、図８（ｂ）では、半導体チップ１２のコーナー部であって、且つ、シールリング構造８０と重ならないように、該シールリング構造８０の外側と内側とに樹脂保護膜８１、８２がそれぞれ形成されている。このようにすると、層間絶縁膜の膜剥がれを強化することができる。また、シールリング構造８０と重ならないように樹脂保護膜８１、８２を形成しているのは、ダイシングの際に生じる応力の影響がシールリング構造８０を介して素子形成領域２３にまで及ばないようにするためである。ここで、シールリング構造８０は、素子形成領域２３の周囲を連続的（シールリングが切れ目なく完全に繋がっている）または一部が不連続的（シールリングの一部に切れ目があり完全には繋がっていない）に取り囲んでいる。なお、一部が不連続的になっているシールリングでは、シールリングを構成している配線などの応力が低減するため、素子形成領域への応力を緩和させることができる。

なお、前述のシールリング構造８０の断面形状は図示しなかったが、ビア構造又は配線構造により、層間絶縁膜中を貫通して基板３０に到達するように形成されている。

本発明は、樹脂封止型の半導体装置に有用であり、特に、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ膜を含んだ半導体装置に有用である。

半導体ウエハの一般的な構成を示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態で使用する用語の定義に用いる半導体チップのコーナー部を示す要部平面図である。 （ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す要部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のパッケージングの一例を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（１）の構成を示す要部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）の構成を示す要部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の変形例（２）の製造方法を示す要部工程断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明のその他の実施形態に係る半導体装置の構成を示す要部断面図である。 従来の半導体装置の構成を示す要部断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ従来の半導体装置における層間絶縁膜の膜剥がれの発生を説明するための要部断面図及び平面図である。

符号の説明

１１ 半導体ウェハ
１２ 半導体チップ
１３ スクライブライン
２１ コーナー部
２２ 電極パッド
２３ 素子形成領域
３１、３２、３４、３５、３７、３８ 層間絶縁膜
３３、３６、３９ ストッパー材
４０ 表面保護膜
４１、４３、４５ プラグ
４２、４４、４６ 配線
４７ 電極パッド
４８ 樹脂保護膜
５０ 実装基板
５１ バンプ電極
５２ マウント材
５３ ボンディングワイヤ
５４ モールド樹脂
７１ 溝部
７２ ダイシングブレード
８０ シールリング構造
８１、８２ 樹脂保護膜

Claims (13)

1. 基板におけるチップ領域に形成された素子と、
   前記基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、
   前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成された配線と、
   前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに形成され、且つ前記素子と前記配線とを接続するか又は前記配線同士を接続するプラグと、
   前記複数の層間絶縁膜の上に形成された絶縁膜と、
   前記チップ領域のコーナー部に存在している前記絶縁膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記絶縁膜は、表面保護膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記絶縁膜は、少なくとも窒素を含む絶縁膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記樹脂保護膜は、前記絶縁膜の上面にのみ形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記樹脂保護膜は、前記絶縁膜の上面における周縁部を露出させていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記樹脂保護膜は、前記絶縁膜の上面、並びに前記絶縁膜の側面及び前記複数の層間絶縁膜の側面に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記チップ領域の周縁部に存在している前記複数の層間絶縁膜中に形成され、前記チップ領域における素子形成領域を取り囲むシールリングをさらに備え、
   前記樹脂保護膜は、前記シールリングの上部と平面的配置にて重ならない位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記シールリングは、前記素子形成領域の周囲を連続的に取り囲んでいることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記シールリングは、前記素子形成領域の周囲を不連続的に取り囲んでいることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
10. 前記樹脂保護膜は、前記チップ領域のコーナー部における前記シールリングの外側に形成されていることを特徴とする請求項７〜９のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
11. 前記樹脂保護膜は、前記チップ領域のコーナー部における前記シールリングの内側にさらに形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記樹脂保護膜は、該樹脂保護膜にかかる応力を緩和する材料よりなることを特徴とする請求項１〜１１のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
13. 前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つは、シリコン酸化膜よりも誘電率の低い低誘電率材料よりなることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか１項に記載の半導体装置。

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