JPS6378554A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6378554A
JPS6378554A JP61223355A JP22335586A JPS6378554A JP S6378554 A JPS6378554 A JP S6378554A JP 61223355 A JP61223355 A JP 61223355A JP 22335586 A JP22335586 A JP 22335586A JP S6378554 A JPS6378554 A JP S6378554A
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JP
Japan
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aluminum
aluminum wiring
moisture
bonding
semiconductor device
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JP61223355A
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English (en)
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Junichi Mihashi
三橋　順一
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＩＣやＬＳＩなどの半導体装置に係り、特に
樹脂封止型半導体装置のボンディングパッド構造に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来、樹脂封止型半導体装置において用いられているボ
ンディングパッド構造の平面図を第３図に示す。第３図
において、１は拡散層あるいは多結晶シリコン、２はこ
の拡散層あるいは多結晶シリコン１上に設けられたコン
タクトホール、３はアルミニウム〔以下、アルミと略称
する〕配線で、前記フンタクトホール２を介して牛導体
内部回路へ接続されている。また、４はボンディング開
口部で、これを介して外部取出し電極６にボンディング
される。５は前記ボンディング開口部端での保護膜とア
ルミ配線３との重ね合せ領域であシ、この領域５は、便
宜上斜線を付しである。
ところで、通常、樹脂封止型半導体装置において、外部
取出し電極６としては金線を用い、ボンディング開口部
４でアルミ配線３と共晶反応を起こさせて接続し、当該
アルミ配線３によって内部回路へ信号を伝えるものとな
っている。ここで、内部回路の初段は通常入力保護回路
であり、拡散Ｎあるいは多結晶シリコン１にコンタクト
ホール２を介して接続されている。また、ボンディング
開口部端での保護膜とアルミ配線３とが重なシ合う領域
５は開口部４のどの方向に対しても同一である。すなわ
ち、第３図において、前記開口部端での保ｍ膜とアルミ
配線３との重ね合せ領域５における各部５１〜５４の幅
の長さをそれぞれＬＨＤｒ　Ｌｎｕ　　ｒ　ＬＹＲｇ　
ＬｙＬ　　とすると、Ｌ！１Ｄ＝ＬＩＩｕ＝。
Ｌ　ｖ　ｎ　”　Ｌｖ　Ｌであシ、通常この値はｌＯｐ
ｍ前後である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、従来のこのようなボンディングパッド構造に
おいては、保護膜とアルミ配線３との重ね合せ領域５が
狭いため、耐湿性試験において水分の侵入による不良を
起こしやすい。この耐湿性不良は、第４図に例示するよ
うに、まずボンディング開口部４の各コーナーの保護膜
７ａとアルミ配線３との界面９から侵入した水分によっ
てその間のアルミニウムが腐食され、内部回路への配線
が断線状態に到るという問題点があった。
なお、第４図は第３図のＩ−Ｉ線相当の断面を示し、同
図中、７はアルミ配線３を保護する保護膜、８は半導体
基板上の酸化膜、１０は前記界面９への水分の侵入方向
を示している。
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
その目的は、水分侵入による耐湿性寿命の向上を図った
半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ボンディング開口部端で
の保護膜とアルミ配線との重ね合せ領域を、少なくとも
前記アルミ配線の装置内部への導入方向が他方向より拡
くなるように形成したものである。
〔作　用〕
この発明においては、上記重ね合せ領域のうち、回路断
線を起こしやすいアルミ配線の装置内部への導入方向つ
まシ配線の引出し側に充分な面積を持たせることにより
、この領域は水分の侵入によるアルミ腐食に対して断線
に到るまでの時間を充分に長くすることとなる。これに
よって、そのアルミ腐食に対する余裕度を大きくとるこ
とができる０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による半導体装置のボンディン
グパッド構造の平面図である。第１図において、１は拡
散層あるいは多結晶シリコン、２はコンタクトホール、
３はアルミ配線で、前記コンタクトホール２を介して半
導体内部回路へ接続されている。４はこのアルミ配線３
上に形成された保護膜７（第４図参照）に設けられたボ
ンディング開口部である。また、５は前記保護膜とアル
ミ配線３との重なシ合わせ領域（斜線部分）であシ、こ
の領域５は、前記ボンディング開口部端でのアルミ配線
３の内部回路への引出し方向に対応する重ね合せ領域部
５１１が拡くとっであるのに対し、他の重ね合せ領域部
５２〜５４は従来例と同様のパターンを有している。
すなわち、この実施例が第３図に示した従来例のものと
異なる点は、アルミ配線３とその上層の保護膜に設けら
れたボンディング開口部４を有するボンディングパッド
構造において、前記アルミ配線引出し側へのボンディン
グ開口部端でのアルミ配線３と保護膜との重ね合せ領域
５１１を充分拡くして形成したことである。ここで、前
記アルミ配線３の引出し側の重ね合せ領域部５１１にの
幅の長さをＬ　ＨＤ　Ｉ　とすると、これは、ＬＩＤＩ
　＞　Ｌ＊ｕ＝　Ｌｙｌ＝　Ｌ　ｖＬの関係に設定され
ている。なお、図中、同一符号は同一または相当部分を
示す。
このように上記実施例の構成によると、ボンディング開
口部４のコーナー等から侵入した水分は例えば第２図の
符号＆〜Ｃ（斜線のハツチング部分）で示すように保護
腰下のアルミニウムを腐食させるが、アルミ配線３の引
出し側のボンディング開口部端において重ね合せ領域部
５ｔａが他の領域部分５２〜５４よりも充分に拡くとっ
であるので、この領域部５１．は、水分の侵入によるア
ルミ腐食に対して断線に到るまでの時間が充分に長くか
かる。これにより、従来のパッド構造（第２図では一点
鎖線で示す〕では、第２図程度のアルミ腐食（符号ａの
部分）により内部回路への配線が完全に断線となるが、
本発明によるパッド構造では、いわゆる腐食化として充
分な重ね合せ領域部５１１を有しているため、第２図に
示す程度のアルミ腐食では断線には到らないことになる
。この場合、上記重ね合せ領域部５１ａは、ボンディン
グ開口部幅の１１５以上の長さが好適である。
なお、上記実施例では、内部回路への引出し用アルミニ
ウムの配線を用いているが、特に引出し用配線を使用せ
ず、ボンディングパッド幅のままでアルミニウム材料を
コンタクトまで導いてきてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ボンディングパッド
構造でのアルミ腐食に対する余裕度を充分大きくとるこ
とができるので、耐湿性の高い樹脂封止半導体装置が得
られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置のボンデ
ィングパッド構造を示す平面図、第２図はこの発明の効
果を示す平面図、第３図は従来の半導体装置のボンディ
ングパッド構造を示す平面図、第４図は従来の半導体装
置における問題点を示す第３図Ｉ−Ｉ線相当の断面図で
ある。 １・・・・拡散層または多結晶シリコン、２＃・−・コ
ンタクトホール、３・・・・アルミ配線、４−・・・ポ
ンディング開口部、５・・・・アルミ配線と保護膜との
重ね合せ領域。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アルミニウム配線とその上層の保護膜に設けられ
    たボンディング開口部を有するボンディングパッド構造
    を備えた半導体装置において、前記ボンディング開口部
    端からの保護膜下へのアルミニウム配線の重ね合せ領域
    を、少なくとも前記アルミニウム配線の装置内部への導
    入方向が他方向より拡くなるように形成してなることを
    特徴とする半導体装置。
  2. （２）前記重ね合せ領域は、そのアルミニウム配線の装
    置内部への導入側がボンディング開口部幅の１／５以上
    の長さを有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
    記載の半導体装置。
JP61223355A 1986-09-20 1986-09-20 半導体装置 Pending JPS6378554A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126819A (en) * 1989-11-10 1992-06-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Wiring pattern of semiconductor integrated circuit device

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