JPH03278537A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03278537A JPH03278537A JP7920390A JP7920390A JPH03278537A JP H03278537 A JPH03278537 A JP H03278537A JP 7920390 A JP7920390 A JP 7920390A JP 7920390 A JP7920390 A JP 7920390A JP H03278537 A JPH03278537 A JP H03278537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corner
- semiconductor chip
- interconnection
- width becomes
- thermal stress
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
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- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 2
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 2
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にパッケージの温度変化
による熱応力に起因するパッシベーションクラックや配
線のスライドの発生を防止する配線方式に関する。
による熱応力に起因するパッシベーションクラックや配
線のスライドの発生を防止する配線方式に関する。
従来、半導体チップのコーナー部の配線方式は第５図の
ように同一幅のスリット２を挟んで配線１をいくつかに
分割していた。
ように同一幅のスリット２を挟んで配線１をいくつかに
分割していた。
上述した従来の半導体チップのコーナー部の配線方式は
、同一幅のスリット２を挟んで配線１をいくつかに分割
している構造となっているので、パッケージの温度変化
による熱応力の大きいコーナー部と熱応力の小さい辺央
部においては、スリット２の終端部に応力が集中し、こ
こでカバークラックを起こす。従って、パッシベーショ
ンクラックや配線のスライドにより半導体装置の耐湿性
劣化や配線間絶縁性低下、配線間ショート、断線が引き
起こされるという問題が生じる。
、同一幅のスリット２を挟んで配線１をいくつかに分割
している構造となっているので、パッケージの温度変化
による熱応力の大きいコーナー部と熱応力の小さい辺央
部においては、スリット２の終端部に応力が集中し、こ
こでカバークラックを起こす。従って、パッシベーショ
ンクラックや配線のスライドにより半導体装置の耐湿性
劣化や配線間絶縁性低下、配線間ショート、断線が引き
起こされるという問題が生じる。
本発明の半導体装置における配線は、半導体チップのコ
ーナー部において、コーナーから離りるにつれて幅が狭
くなるスリットを有している。
ーナー部において、コーナーから離りるにつれて幅が狭
くなるスリットを有している。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図はチップコーナー部における配線の一例で、平面
図である。第２図はａｂ、ｃｄ、ｏｆ線で切断した断面
図である。この半導体チップコーナー部の配線１は、半
導体チップのコーナーから離れるにつれて一定の傾斜角
で幅が狭くなイスリット２により分割される。
図である。第２図はａｂ、ｃｄ、ｏｆ線で切断した断面
図である。この半導体チップコーナー部の配線１は、半
導体チップのコーナーから離れるにつれて一定の傾斜角
で幅が狭くなイスリット２により分割される。
第３図は他の実施例であり、チップコーナー笥における
配線の一例で、平面図である。第４図をツａｂ、ｃｄ、
ｅｆ線で切断した断面図である。この半導体チップのコ
ーナー部の配線ｌは、半導僻チップのコーナーから離れ
るにつれて段階をおって幅が狭くなるスリット２で（図
面では６段階）分割される。
配線の一例で、平面図である。第４図をツａｂ、ｃｄ、
ｅｆ線で切断した断面図である。この半導体チップのコ
ーナー部の配線ｌは、半導僻チップのコーナーから離れ
るにつれて段階をおって幅が狭くなるスリット２で（図
面では６段階）分割される。
以上説明したように本発明は、半導体チップのコーナー
部の配線に、コーナーから離れるにつｈて幅が狭くなる
スリットを入れて分割する構造とすることにより、パッ
ケージの温度変化による熱応力が比較的大きいチップコ
ーナー部と比較的小さい辺央部との応力差を連続的に又
は段階的に分散させることが可能となり、パッケージの
温度変化による熱応力に起因するパッシベーションクラ
ックや配線スライドによる配線の劣化や断線又は経済的
な信頼性の低下を防ぐ効果がある。
部の配線に、コーナーから離れるにつｈて幅が狭くなる
スリットを入れて分割する構造とすることにより、パッ
ケージの温度変化による熱応力が比較的大きいチップコ
ーナー部と比較的小さい辺央部との応力差を連続的に又
は段階的に分散させることが可能となり、パッケージの
温度変化による熱応力に起因するパッシベーションクラ
ックや配線スライドによる配線の劣化や断線又は経済的
な信頼性の低下を防ぐ効果がある。
第１図は本発明の一実施例の要部平面図、第２図は第１
図のａｂ、ｃｄ、ｅｆ線断面図、第３図は本発明のもう
１つの実施例の要部平面図、第４図は第３図のａｂ、ｃ
ｄ、ｅｆ線断面図、第５図は従来構成の半導体チップの
コーナー部の平面図、第６図は第５図のａｂ線断面図で
ある。 １・・・・・・配線、２・・・・・・スリット、３・・
・・・・酸化膜。
図のａｂ、ｃｄ、ｅｆ線断面図、第３図は本発明のもう
１つの実施例の要部平面図、第４図は第３図のａｂ、ｃ
ｄ、ｅｆ線断面図、第５図は従来構成の半導体チップの
コーナー部の平面図、第６図は第５図のａｂ線断面図で
ある。 １・・・・・・配線、２・・・・・・スリット、３・・
・・・・酸化膜。
Claims (1)
- 半導体チップのコーナー部の配線において、コーナー
から離れるにつれて幅が狭くなるスリットにより配線を
分離することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7920390A JPH03278537A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7920390A JPH03278537A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278537A true JPH03278537A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13683395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7920390A Pending JPH03278537A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1064901A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-06 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップパッケージ素子 |
| US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
| WO2000070672A1 (de) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Infineon Technologies Ag | Ausgestaltung einer ecke einer in damaszener-technologie auf einem substrat hergestellten elektrischen leiterbahn aus insbesondere kupfer |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP7920390A patent/JPH03278537A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
| US5885857A (en) * | 1995-04-27 | 1999-03-23 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of suppressing cracks in the insulating layer |
| JPH1064901A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-06 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップパッケージ素子 |
| WO2000070672A1 (de) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Infineon Technologies Ag | Ausgestaltung einer ecke einer in damaszener-technologie auf einem substrat hergestellten elektrischen leiterbahn aus insbesondere kupfer |
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