JPS62268146A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体ウェハに多数設けられた半導体チップのボンディ
ングパッドと、該チップを駆動させるための配線パター
ンとの接続構造であって、前記チップ上の絶縁膜上に前
記チップのボンディングパッドと対応する中継用配線パ
ターンを予め設け、該中継用配線パターンを介してボン
ディングパッドと素子駆動用配線パターンとを接続する
補助配線パターンを設け、不良チップが発生した場合は
、不良チップのボンディングパ・７ドに対応する中継用
配線パターンを切断するようにして、チップと素子駆動
用配線パターンの間に於ける配線の自由度を向上させる
。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体装置に係り、特に半導体チップのボンデ
ィングパッドと、チップ内の半導体装置を駆動させる半
導体素子駆動用配線パターンとの接続構造に関する。

ｒｃ等の半導体装置は、益々高密度に集積化して製造す
ることが要求されており、それに従って半導体ウェハに
形成され、素子が形成されている半導体チップに於ける
ボンディングパッドと、該素子を駆動させるための配線
パターンとの接続が複雑になっている。

〔従来の技術〕

第３図は従来の半導体装置の平面図で、第４図は第３図
のＩＶ−ＩＶ　’線に沿って切断した断面図である。

第３図および第４図に示すように、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）のような半導体ウェハ１には、ダイオード、トラン
ジスタ等の半導体素子を多数設けて、電子回路を形成し
た半導体チップ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ・・・・・・が多数設
けられている。

そしてこの半導体チップ２の周辺部には、多数のボンデ
ィングパッド３が規則的に配設され、このボンディング
パッド３と、該チップ２Ａ内に設けられた半導体素子を
駆ａＪさせ、かつチップ２Ａを被覆している絶縁膜４＾
、４Ｂ上に形成されている素子駆動用配線パターン５Ａ
が、！１！！縁１１４Ａ上に形成された補助配線パター
ン６と絶縁膜４Ａ、４Ｂに形成されている開口部を介し
て接続されている。

ところで、従来このような半導体チップの内、例えばチ
ップ２Ｂが不良であることが検査の結果、判明すると、
チップ２八とチップ２Ｂの中間の箇所、即ち点線Ａで示
す箇所と、とチップ２Ｂとチップ２Ｃの中間の箇所、叩
ち点線Ｂで示す箇所に於いて素子駆動用配線パターン５
Ａ、５Ｂ、５Ｃを切断するようにしていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、このようにするとチップ２Ａとチップ２Ｃと
を配線接続する必要が生じても不可能となり、そのため
、配線接続する際の自由度が大幅に減少する問題がある
。

本発明は上記した問題点を解決し、素子駆動用配線パタ
ーンを途中で切断しな（とも、不良チップのみ、素子駆
り１用配線バクーンより非接続の状態になるようにして
、チップの配線の自由度が向上するようにした半導体装
置の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段］ 本発明の半導体装置はチップ上に設けた絶縁膜上に前記
チップのバ・７ドに対応して中継用配線パターンを、前
記素子駆動用配線パターンと同一面上となるように予め
設け、前記絶縁膜上に形成された素子駆動用配線パター
ンと、補助配線パターンが、前記絶縁膜上に形成された
中継用配線パターンを介して接続されるような構造とす
る。

〔作用〕

本発明の半導体装置は、絶縁膜上に設けられ、素子駆動
用配線パターンに対して、同一の面上に存在するように
絶縁膜上に中継用配線パターンを予め設ｇ、この中継用
配線パターンを介して、チップのボンディングパッドか
ら導出される補助配線パターンと、半導体素子駆動用配
線パターンと接続する補助配線パターンとを接続する。

そして不良チップが発生した場合には、このチップのボ
ンデイングパノドに対応する中継用配線パターンを切断
して、不良チップのみ半導体素子駆動用配線パターンよ
り非接続の状態になるようにすると共に、不良チップを
除いた良品チップ間は、素子駆動用配線パターンを介し
て接続されるようにし、チ・ノブ間の配線の自由度を向
上させるようにして形成される半導体装置の設計を容易
にする。

〔実施例〕

以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。

第１図は本発明の半導体装置の配線構造を示す平面図で
、第２図は第１図のｎ−ｎ’線に沿って切断した断面図
である。

図示するようにＳｉウェハ上に形成された半導体チップ
ＩＬ１．　１１Ｂ、　１１Ｃの周辺部には、アルミラム
（〜）等の金属を蒸着後、所定のパターンにホトリソグ
ラフィ法等を用いて形成されたボンディングパッド１２
が形成され、このチップ１１の表面を被覆するようにＳ
ｉＯ２膜等の絶縁膜１３Ａが形成されている。

この絶縁ＮＭ１３Ａのボンディングパッド１２上は開口
され、更にこの開口部を介してボンディングパッド１２
と接続されるような補助配線パターン１４Ａと１４Ｂと
が絶縁膜１３Ａ上に形成されている。

更に絶縁膜１３Ａ上に絶縁膜１３Ｂが積層形成された後
、後の工程で形成する中継用配線パターン１５Ａ。

１５８、１５Ｃや、素子駆動用配線パターン１６Ａ、　
１６Ｂ、　１６Ｃとの接続箇所が窓開きされている。

更に該絶縁膜１３Ｂに中継用配線パターン１５八　と、
素子駆動用配線パターン１６４．１６Ｂ、１６Ｃが、絶
縁膜１３Ｂ上に〜金属を蒸着後、ホトリソグラフィ法、
ドライエツチング法等を用いて線条のパターンに形成さ
れている。

このようにして半導体チップ１１Ｂのボンディングパッ
ド１２と素子駆動用配線パターン１６八　とが、中継用
配線パターン１５４を介して、補助配線パターン１４八
と、１４Ｂを用いて接続されている。

このような半導体装置に於いて、検査の結果、若し半導
体チップ１１Ｂが不良であると判明された時には、中継
用配線パターン１５Ａ、　１５Ｂ、　１５Ｃのいずれか
の中央部を、レーザ光等を用いて焼き切ることで、この
チップ１１Ｂは配線パターン１６Ａ、　１６Ｂ、　１６
Ｃの何れかに対して非接続の状態となるため、チップ１
１Ｂに形成された半導体素子は動作しなくなる。

このようにすれば、このチップ１１８を挟むようにして
紙面の上下方向に隣接する他のチップ１１Ａ。

１１Ｃがあった場合でも、中継配線パターン１県の中央
部が切断されているのみであるので、この上下のチップ
１１Ａ、１１Ｃの配線パターン１６へ、　１６Ｂ、　１
６Ｃに接続される状態は妨げられず、上下のチップ１１
Ａ。

１１Ｃ間の接続に支障をきたすことがないため、チップ
間の配線の自由度が向上する。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明の半導体装置によれば、素子駆
動用配線パターンとチップのボンディングパッドに対応
する中継用配線パターンが、同一面上にあるため、チッ
プが不良と判定された時には、チップのボンディングパ
ッドに対応する中継用配線パターンを切断するのみで、
不良チップを、他の良品チップ間の配線を妨げない状態
で、素子駆動用配線パターンと切り離すことが出来るた
め、チップ間を接続する配線の自由度が向上し、半導体
装置の設計が容易になる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体装置の配線構造を示す平面図、 第２図は第１図の■−■“線に沿った断面図、第３図は
従来の半導体装置の配線構造を示す平面図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ　’線に沿った断面図であ
る。 図に於いて、 １１Ａ、　１１Ｂ、　１１Ｃは半場体千ノブ、１２はボ
ンディングパッド、１３Ａ、１３Ｂは絶縁膜、１４Ａ、
１４Ｂは補助配線パターン、１５Ａ、　１５Ｂ、　１５
Ｃは中継用配線パターン、１６Ａ、　１６Ｂ、　１６Ｃ
は素子駆動用配線パターンを示す。 ８８８評導４羊５イ「の西とＪ芋λ箕よ距９ネＴ平ｉｉ
刀第１図 才［図４トＩ′課１：３１汗酢面口 第２図 従上ｑｔｌｊ駒ｔ１をオＴモ全回 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハに複数個設けられた半導体チップの（１１
   Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）ボンディングパッド（１２）と、
   該チップ（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を被覆する絶縁膜
   （１３Ａ、１３Ｂ）上に設けられ、かつ前記チップ（１
   １Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）内の半導体素子を駆動させる半
   導体素子駆動用配線パターン（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ
   ）とが、補助配線パターン（１４Ａ、１４Ｂ）を介して
   接続されて成る構成に於いて、前記絶縁膜（１３Ａ、１
   ３Ｂ）上に、前記チップ（１１Ａ、１１Ｂ１１Ｃ）のボ
   ンディングパッド（１２）に対応して中継用配線パター
   ン（１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ）を予め設け、前記絶縁膜
   （１３Ａ、１３Ｂ）上に形成された半導体素子駆動用配
   線パターン（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）と、前記補助配
   線パターン（１４Ａ、１４Ｂ）が、前記絶縁膜（１３Ａ
   、１３Ｂ）上に形成された中継用配線パターン（１５Ａ
   、１５Ｂ、１５Ｃ）を介して接続されて成ることを特徴
   とする半導体装置。