JPS5898938A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS5898938A JPS5898938A JP56197828A JP19782881A JPS5898938A JP S5898938 A JPS5898938 A JP S5898938A JP 56197828 A JP56197828 A JP 56197828A JP 19782881 A JP19782881 A JP 19782881A JP S5898938 A JPS5898938 A JP S5898938A
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- JP
- Japan
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- pad
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- insulator
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に半導体集積回路装置におけるポンディン
グパッド部の構造に関する。
グパッド部の構造に関する。
最近、半導体集積回路は、益々その集積度を増している
が、ボンディング用のパッドの大きさ、ノくラド間隔、
パッドと内部素子との距離が、半導体集積回路のチーノ
ブサイズに大きな影響をおよぼしている。
が、ボンディング用のパッドの大きさ、ノくラド間隔、
パッドと内部素子との距離が、半導体集積回路のチーノ
ブサイズに大きな影響をおよぼしている。
本発明は、パッドの面からチップナイズの縮少化につな
がる方法を提供するものである。
がる方法を提供するものである。
以下、図面により本発明の詳細な説明する。
第1図は、通常の半導体集積回動の部分平面図であり、
lはシリコン基板、2は金属パッド、3は内部素子が形
成査れる境界又は内部配線、4はパッドから内部素子ま
での距離を示す。このパ。
lはシリコン基板、2は金属パッド、3は内部素子が形
成査れる境界又は内部配線、4はパッドから内部素子ま
での距離を示す。このパ。
ド2と内部素子3までの距離は一定間隔離さねばならな
い。そこで、本発明はこの距離をより短くするものであ
る。すなわち、第2,3図のようにパッドを二重構造に
することで、内部素子とパッド5の距離を最少にするこ
とが可能である。第3図の5を第1パツド、21を第2
パツドとすると、絶縁物カバーの形成時に、第1パツド
5の上に穴があくように絶縁物6でカバーし、次に第2
パ。
い。そこで、本発明はこの距離をより短くするものであ
る。すなわち、第2,3図のようにパッドを二重構造に
することで、内部素子とパッド5の距離を最少にするこ
とが可能である。第3図の5を第1パツド、21を第2
パツドとすると、絶縁物カバーの形成時に、第1パツド
5の上に穴があくように絶縁物6でカバーし、次に第2
パ。
ドな蒸着させて再び絶縁物6でカバーする。このようK
することで、第1パツド5と内部素子3との距離7を最
小で設計できるため、集積度な上げることが可能である
。また、ボンディングに必要な面積はパッド2′で得て
いる。第3図かられかるようにパッド21と素子3との
距離は平面的にみてほとんどない。
することで、第1パツド5と内部素子3との距離7を最
小で設計できるため、集積度な上げることが可能である
。また、ボンディングに必要な面積はパッド2′で得て
いる。第3図かられかるようにパッド21と素子3との
距離は平面的にみてほとんどない。
このように内部素子との入出力を行うパッドと外部との
接続を行うパッドを有する構造のものはすべて含まれる
。
接続を行うパッドを有する構造のものはすべて含まれる
。
第1図は、従来の半導体集積回路のチップの部分平面図
であり、第2図は、本発明の一実施例の部分平面図であ
り、第3図は第2図の断面図である。
であり、第2図は、本発明の一実施例の部分平面図であ
り、第3図は第2図の断面図である。
Claims (1)
- 半導体装置のボンディング用のパッドにおいて内部素子
との入出力をやりとりするパッドと、ボンディング用の
パッドを有し二重構造を成す半導体集積回動。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56197828A JPS5898938A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56197828A JPS5898938A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5898938A true JPS5898938A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16381010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56197828A Pending JPS5898938A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5898938A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4688070A (en) * | 1983-05-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device |
EP0693782A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-01-24 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing process antenna effect |
US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197828A patent/JPS5898938A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4688070A (en) * | 1983-05-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device |
EP0693782A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-01-24 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing process antenna effect |
US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
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