JPH10223702A - Ｔａｂテープ - Google Patents
ＴａｂテープInfo
- Publication number
- JPH10223702A JPH10223702A JP9027154A JP2715497A JPH10223702A JP H10223702 A JPH10223702 A JP H10223702A JP 9027154 A JP9027154 A JP 9027154A JP 2715497 A JP2715497 A JP 2715497A JP H10223702 A JPH10223702 A JP H10223702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test pad
- test
- tab tape
- insulating film
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査効率を向上させると共に、検査時の電気
的特性を改善することのできるＴＡＢテープを提供す
る。 【解決手段】 絶縁膜上に、複数のテストパッド２と、
このテストパッド２と半導体チップ６とを接続するため
の配線パターン３とが形成されたＴＡＢテープ１におい
て、テストパッド２の周囲に絶縁膜２０を形成し、この
テストパッド２の周囲に形成された絶縁膜２０の形状
を、テストパッド２を底面として、この底面から上方に
行くに従って、テストパッド２の周囲の絶縁膜２０によ
る開孔面が広くなる形状とする。
的特性を改善することのできるＴＡＢテープを提供す
る。 【解決手段】 絶縁膜上に、複数のテストパッド２と、
このテストパッド２と半導体チップ６とを接続するため
の配線パターン３とが形成されたＴＡＢテープ１におい
て、テストパッド２の周囲に絶縁膜２０を形成し、この
テストパッド２の周囲に形成された絶縁膜２０の形状
を、テストパッド２を底面として、この底面から上方に
行くに従って、テストパッド２の周囲の絶縁膜２０によ
る開孔面が広くなる形状とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、探針テスト等に用
いられるＴＡＢテープに関する。
いられるＴＡＢテープに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の需要の増加に伴い、
その検査を効率良く行うために様々な方法が提案されて
いる。中でも、ＴＡＢテープを用いる検査方法が有効で
ある。この検査のために用いられている従来のＴＡＢテ
ープの構造を第１の従来技術として図６に示す。
その検査を効率良く行うために様々な方法が提案されて
いる。中でも、ＴＡＢテープを用いる検査方法が有効で
ある。この検査のために用いられている従来のＴＡＢテ
ープの構造を第１の従来技術として図６に示す。
【０００３】このＴＡＢテープ１は、ＴＡＢキャリヤ５
にセットされて用いられ、ＴＡＢテープ１上に形成され
た複数のテストパッド２と、テストパッド２から延びた
配線パターン３と、半導体チップ等をセットするデバイ
スホール４とから構成され、半導体チップ６の接続電極
であるボンディングパット７とテストパッド２から延び
た配線パターン３とはＴＡＢリード８により接続され
る。
にセットされて用いられ、ＴＡＢテープ１上に形成され
た複数のテストパッド２と、テストパッド２から延びた
配線パターン３と、半導体チップ等をセットするデバイ
スホール４とから構成され、半導体チップ６の接続電極
であるボンディングパット７とテストパッド２から延び
た配線パターン３とはＴＡＢリード８により接続され
る。
【０００４】半導体チップ６は、デバイスホール４にセ
ットされ、半導体チップ６上のボンディングパッド７と
ＴＡＢテープ１上のそれぞれのテストパッド２から延び
ている配線パターン３とをＴＡＢリード８により接続す
ることによってＴＡＢテープに実装される。後に説明す
るように、この従来のＴＡＢテープ１上のそれぞれのテ
ストパッド２は、半導体チップ６上のボンディングパッ
ド７よりもそのサイズは大きくなっており、又、半導体
チップ６上のボンディングパッド７のそれぞれの配置間
隔よりも広い配置間隔を有している。これはＴＡＢテー
プ１における探針テストを容易にするためである。
ットされ、半導体チップ６上のボンディングパッド７と
ＴＡＢテープ１上のそれぞれのテストパッド２から延び
ている配線パターン３とをＴＡＢリード８により接続す
ることによってＴＡＢテープに実装される。後に説明す
るように、この従来のＴＡＢテープ１上のそれぞれのテ
ストパッド２は、半導体チップ６上のボンディングパッ
ド７よりもそのサイズは大きくなっており、又、半導体
チップ６上のボンディングパッド７のそれぞれの配置間
隔よりも広い配置間隔を有している。これはＴＡＢテー
プ１における探針テストを容易にするためである。
【０００５】図７は、図６に示すテストパッド部９ａの
構造を示す図であり、（ａ）は図６に示すテストパッド
部９ａの拡大図であり、（ｂ）は（ａ）の破線ｃ−ｃ′
部分の断面図である。ここで、１０は絶縁膜、２は絶縁
膜上に形成されたテストパッドである。
構造を示す図であり、（ａ）は図６に示すテストパッド
部９ａの拡大図であり、（ｂ）は（ａ）の破線ｃ−ｃ′
部分の断面図である。ここで、１０は絶縁膜、２は絶縁
膜上に形成されたテストパッドである。
【０００６】このようなＴＡＢテープ１を用いての実装
された半導体チップ６のテストは、このＴＡＢテープ１
上に形成されたテストパッド２に探針を接触させる探針
テストによって行われる。
された半導体チップ６のテストは、このＴＡＢテープ１
上に形成されたテストパッド２に探針を接触させる探針
テストによって行われる。
【０００７】図８は、上述の探針テストを行う際の探針
とテストパッド２の状態を示したテストパッド部分の断
面図であり、１０は絶縁膜、２は絶縁膜上に形成された
テストパッド、１２は探針である。
とテストパッド２の状態を示したテストパッド部分の断
面図であり、１０は絶縁膜、２は絶縁膜上に形成された
テストパッド、１２は探針である。
【０００８】ここで、テストパッド２相互の間隔１３は
ＴＡＢテープ１の製造上決められる基準間隔である。ま
た、１４は探針時のマージンであり、これは図６で示す
ＴＡＢテープ１とＴＡＢキャリヤ５との組立精度と探針
時の探針精度とを考慮して決められ、その結果テストパ
ッド２のサイズ１５は決定される。
ＴＡＢテープ１の製造上決められる基準間隔である。ま
た、１４は探針時のマージンであり、これは図６で示す
ＴＡＢテープ１とＴＡＢキャリヤ５との組立精度と探針
時の探針精度とを考慮して決められ、その結果テストパ
ッド２のサイズ１５は決定される。
【０００９】従ってこの第１の従来技術では、マージン
１４をテストパッド２に付加しておくことにより、探針
１２の位置ずれによる探針１２のテストパッド１２への
接触ミスを防ぐことができ、探針時の探針精度を向上す
ることができ、その検査時の作業効率を上げることがで
きる。
１４をテストパッド２に付加しておくことにより、探針
１２の位置ずれによる探針１２のテストパッド１２への
接触ミスを防ぐことができ、探針時の探針精度を向上す
ることができ、その検査時の作業効率を上げることがで
きる。
【００１０】次に、図９に、第２の従来技術として、Ｔ
ＡＢテープを用いなくとも、半導体装置を検査する際の
探針精度を向上させ、検査効率を向上させる方法とし
て、特開平４−１５２６３４号公報に開示された半導体
集積回路装置の断面図を示す。
ＡＢテープを用いなくとも、半導体装置を検査する際の
探針精度を向上させ、検査効率を向上させる方法とし
て、特開平４−１５２６３４号公報に開示された半導体
集積回路装置の断面図を示す。
【００１１】この半導体集積回路装置は、電極パッド３
００と、ウエハ基板４００と、パッシベーション膜５０
０とから構成される半導体チップ２００であり、電極パ
ッド３００の表面をすり鉢状にすることによって、電極
パッド３００に針当てする際の精度を向上させている。
００と、ウエハ基板４００と、パッシベーション膜５０
０とから構成される半導体チップ２００であり、電極パ
ッド３００の表面をすり鉢状にすることによって、電極
パッド３００に針当てする際の精度を向上させている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、第１の
従来技術におけるＴＡＢテープ１は、テスト時のテスト
パッド２への探針性を確保するため、探針時のマージン
１４をテストパッド１１に付加することが必要である。
このため、テストパッド２のサイズが大きくなり、テス
トパッド間隔を保ちつつ必要数のテストパッド２をＴＡ
Ｂテープ１上に並べるためには、テストパッド２を半導
体チップ６から遠く離さなければならなかった。
従来技術におけるＴＡＢテープ１は、テスト時のテスト
パッド２への探針性を確保するため、探針時のマージン
１４をテストパッド１１に付加することが必要である。
このため、テストパッド２のサイズが大きくなり、テス
トパッド間隔を保ちつつ必要数のテストパッド２をＴＡ
Ｂテープ１上に並べるためには、テストパッド２を半導
体チップ６から遠く離さなければならなかった。
【００１３】その結果、ＴＡＢテープ１上において、半
導体チップ６のボンディングパッド７とテストパッド２
とを接続する配線パターン３が長くなり、テスト時の電
気的特性を悪化させるという問題点があった。
導体チップ６のボンディングパッド７とテストパッド２
とを接続する配線パターン３が長くなり、テスト時の電
気的特性を悪化させるという問題点があった。
【００１４】また、上述の特開平４−１５２６３４号公
報において開示された第２の従来技術では、探針精度を
向上させるため、半導体チップ２００の電極パッド３０
０の形状を直接すり鉢状にして、ＴＡＢテープを用いず
にその探針精度を向上させているが、この技術では半導
体チップ２００上の全ての電極パッド３００を直接すり
鉢状にする必要があり、その製造に手間がかかるという
問題点が有り、やはりＴＡＢテープを用いて探針精度を
向上させる方が有効である。
報において開示された第２の従来技術では、探針精度を
向上させるため、半導体チップ２００の電極パッド３０
０の形状を直接すり鉢状にして、ＴＡＢテープを用いず
にその探針精度を向上させているが、この技術では半導
体チップ２００上の全ての電極パッド３００を直接すり
鉢状にする必要があり、その製造に手間がかかるという
問題点が有り、やはりＴＡＢテープを用いて探針精度を
向上させる方が有効である。
【００１５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
検査効率を向上させると共に、その電気的特性を改善す
ることのできるＴＡＢテープを提供することを目的とす
る。
検査効率を向上させると共に、その電気的特性を改善す
ることのできるＴＡＢテープを提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
第１の絶縁膜上に、複数のテストパッドと、該テストパ
ッドとＬＳＩパッドとを接続するリードとが形成された
ＴＡＢテープにおいて、前記テストパッドの周囲に第２
の絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
第１の絶縁膜上に、複数のテストパッドと、該テストパ
ッドとＬＳＩパッドとを接続するリードとが形成された
ＴＡＢテープにおいて、前記テストパッドの周囲に第２
の絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
【００１７】従って、この発明によれば、テストパッド
の周囲に形成された絶縁膜により、テストパッドに検査
のための探針を接触させる際に、その絶縁膜によりテス
トパッドに探針の位置ずれが防止されて探針精度が向上
すると共に、絶縁膜の存在によってその探針精度を向上
させているのでテストパッドに探針精度向上のための余
分なマージンは必要とせず、テストパッドの小型化が図
れ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置することが可能
となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを接続するリ
ードを短くすることができるので、テスト時の電気的特
性の悪化を防止することができる。
の周囲に形成された絶縁膜により、テストパッドに検査
のための探針を接触させる際に、その絶縁膜によりテス
トパッドに探針の位置ずれが防止されて探針精度が向上
すると共に、絶縁膜の存在によってその探針精度を向上
させているのでテストパッドに探針精度向上のための余
分なマージンは必要とせず、テストパッドの小型化が図
れ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置することが可能
となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを接続するリ
ードを短くすることができるので、テスト時の電気的特
性の悪化を防止することができる。
【００１８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記テストパッドの周囲に形成された第２
の絶縁膜の形状は、前記テストパッドを底面として、該
底面から上方に行くに従って、前記テストパッドの周囲
の第２の絶縁膜による開孔面が広くなる形状であること
を特徴とする。
明において、前記テストパッドの周囲に形成された第２
の絶縁膜の形状は、前記テストパッドを底面として、該
底面から上方に行くに従って、前記テストパッドの周囲
の第２の絶縁膜による開孔面が広くなる形状であること
を特徴とする。
【００１９】従って、この発明によれば、請求項１記載
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲に
形成された絶縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔
面が広くなっているので、テストパッドに検査のための
探針を接触させる際に、その絶縁膜により探針がテスト
パッドに接触されるようにその位置が補正され、探針精
度が向上すると共に、テストパッドのサイズを小さくす
ることができるのでテストパッドをＬＳＩの近傍に配置
することが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩ
とを接続するリードを短くすることができるので、テス
ト時の電気的特性の悪化を防止することができる。
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲に
形成された絶縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔
面が広くなっているので、テストパッドに検査のための
探針を接触させる際に、その絶縁膜により探針がテスト
パッドに接触されるようにその位置が補正され、探針精
度が向上すると共に、テストパッドのサイズを小さくす
ることができるのでテストパッドをＬＳＩの近傍に配置
することが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩ
とを接続するリードを短くすることができるので、テス
ト時の電気的特性の悪化を防止することができる。
【００２０】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、前記テストパッドの周囲の第２の絶縁膜に
よる開孔面の形状は、すり鉢状の形状、若しくはその頂
角部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形
状であることを特徴とする。
明において、前記テストパッドの周囲の第２の絶縁膜に
よる開孔面の形状は、すり鉢状の形状、若しくはその頂
角部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形
状であることを特徴とする。
【００２１】従って、この発明によれば、請求項２記載
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲の
絶縁膜による開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しく
はその頂角部分が前記テストパッドでカットされた逆四
角錐の形状であることから、検査時に探針がテストパッ
ドに接触せずに、絶縁体に接触していたとしても、この
絶縁体がガイドとなってテストパッドに探針を導くの
で、探針精度をテストパッドのサイズを大きくすること
なく向上することができ、テストパッドをＬＳＩの近傍
に配置することが可能となり、従って、テストパッドと
ＬＳＩとを接続するリードを短くすることができるの
で、テスト時の電気的特性の悪化を防止することができ
る。
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲の
絶縁膜による開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しく
はその頂角部分が前記テストパッドでカットされた逆四
角錐の形状であることから、検査時に探針がテストパッ
ドに接触せずに、絶縁体に接触していたとしても、この
絶縁体がガイドとなってテストパッドに探針を導くの
で、探針精度をテストパッドのサイズを大きくすること
なく向上することができ、テストパッドをＬＳＩの近傍
に配置することが可能となり、従って、テストパッドと
ＬＳＩとを接続するリードを短くすることができるの
で、テスト時の電気的特性の悪化を防止することができ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に本発明に係るＴＡＢテープの
実施形態について図面を参照して説明する。
実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】図１は本発明に係るＴＡＢテープの第１の
実施形態の平面図である。ただし、上述の図６における
第１の従来技術で説明したＴＡＢテープと同様な部材に
は同一の番号を付す。
実施形態の平面図である。ただし、上述の図６における
第１の従来技術で説明したＴＡＢテープと同様な部材に
は同一の番号を付す。
【００２４】この実施形態のＴＡＢテープ１は、絶縁膜
上に複数のテストパッド２が形成され、さらにこのそれ
ぞれのテストパッド２と半導体チップ６の接続電極であ
るボンディングパッド７とを、配線パターン３及びＴＡ
Ｂリード８を用いて接続する構成となっている。
上に複数のテストパッド２が形成され、さらにこのそれ
ぞれのテストパッド２と半導体チップ６の接続電極であ
るボンディングパッド７とを、配線パターン３及びＴＡ
Ｂリード８を用いて接続する構成となっている。
【００２５】この実施形態における配線パターン３は、
図６に示された従来のＴＡＢテープにおける配線パター
ン３よりも短くなっており、テストパッド２はそのサイ
ズが図６に示された従来のＴＡＢテープにおけるテスト
パッド２のサイズよりも小さくなっている。これらは、
ＴＡＢテープ上面に形成されたテストパッド２の周囲に
絶縁膜２０が形成されたことによる。
図６に示された従来のＴＡＢテープにおける配線パター
ン３よりも短くなっており、テストパッド２はそのサイ
ズが図６に示された従来のＴＡＢテープにおけるテスト
パッド２のサイズよりも小さくなっている。これらは、
ＴＡＢテープ上面に形成されたテストパッド２の周囲に
絶縁膜２０が形成されたことによる。
【００２６】上述の周囲の絶縁膜２０は、例えばテスト
パッド２上に絶縁膜２０を形成し、その後に開孔部１６
を設けてテストパッド２を露出させて形づくられる。こ
の絶縁膜２０としては例えば酸化膜でも良いが、本発明
においてのこの絶縁膜２０の役割は、後述するように、
検査時の探針の位置を補正するために形成されているの
で、特に酸化膜に限定されることはなく、適当な絶縁膜
を使用することができる。
パッド２上に絶縁膜２０を形成し、その後に開孔部１６
を設けてテストパッド２を露出させて形づくられる。こ
の絶縁膜２０としては例えば酸化膜でも良いが、本発明
においてのこの絶縁膜２０の役割は、後述するように、
検査時の探針の位置を補正するために形成されているの
で、特に酸化膜に限定されることはなく、適当な絶縁膜
を使用することができる。
【００２７】図２は、図１に示すテストパッド部９ｂの
構造を示す図であり、（ａ）は図１に示すテストパッド
部９ｂの拡大図であり、（ｂ）は図２の（ａ）に示す破
線ｃ−ｃ′部分の断面図である。また、１０は絶縁膜、
２は絶縁膜上に形成されたテストパッド、２０はＴＡＢ
テープ上に形成されたテストパッド２の周囲の絶縁膜、
１６はテストパッド上に開孔された開孔部である。ここ
で開孔部１６は円形の形状を有しており、絶縁膜底面が
狭く上面が広く、いわゆる、すり鉢形状となっている。
構造を示す図であり、（ａ）は図１に示すテストパッド
部９ｂの拡大図であり、（ｂ）は図２の（ａ）に示す破
線ｃ−ｃ′部分の断面図である。また、１０は絶縁膜、
２は絶縁膜上に形成されたテストパッド、２０はＴＡＢ
テープ上に形成されたテストパッド２の周囲の絶縁膜、
１６はテストパッド上に開孔された開孔部である。ここ
で開孔部１６は円形の形状を有しており、絶縁膜底面が
狭く上面が広く、いわゆる、すり鉢形状となっている。
【００２８】図３は、探針１２によりテストパッド２の
探針テストを行う際の状態を示したテストパッド部分の
断面図であり、（ａ）は、探針１２がすり鉢状の開孔部
１６の絶縁膜２０に接触している状態、つまり、探針の
位置が不適切な状態を示す図であり、（ｂ）は開孔部１
６のすり鉢状の絶縁膜２０がガイドとなって位置が補正
され、探針１２がテストパッド２に接触している状態を
示す図である。
探針テストを行う際の状態を示したテストパッド部分の
断面図であり、（ａ）は、探針１２がすり鉢状の開孔部
１６の絶縁膜２０に接触している状態、つまり、探針の
位置が不適切な状態を示す図であり、（ｂ）は開孔部１
６のすり鉢状の絶縁膜２０がガイドとなって位置が補正
され、探針１２がテストパッド２に接触している状態を
示す図である。
【００２９】この図３に示すように、すり鉢状の開孔部
１６がテストパッド２の周囲の絶縁膜２０によって形成
されることにより、絶縁膜２０がガイドとなって探針時
の位置ずれを補正することができる。このため、従来の
技術で説明したような探針時の位置ずれのためのマージ
ンをテストパッドに付与する必要がなくなり、テストパ
ッド２のサイズを小さくでき、その結果テストパッド２
全体の配置位置を半導体チップ６に近づけることができ
る。
１６がテストパッド２の周囲の絶縁膜２０によって形成
されることにより、絶縁膜２０がガイドとなって探針時
の位置ずれを補正することができる。このため、従来の
技術で説明したような探針時の位置ずれのためのマージ
ンをテストパッドに付与する必要がなくなり、テストパ
ッド２のサイズを小さくでき、その結果テストパッド２
全体の配置位置を半導体チップ６に近づけることができ
る。
【００３０】従ってこの第１の実施形態のＴＡＢテープ
によれば、テストパッド２全体の配置位置を半導体チッ
プ６に近づけることができるため、ＴＡＢテープ上の配
線パターン３を短くすることができ、テスト時の電気的
特性を改善することができる。
によれば、テストパッド２全体の配置位置を半導体チッ
プ６に近づけることができるため、ＴＡＢテープ上の配
線パターン３を短くすることができ、テスト時の電気的
特性を改善することができる。
【００３１】次に本発明に係るＴＡＢテープの第２の実
施形態について説明する。図４は本発明に係るＴＡＢテ
ープの第２の実施形態の平面図である。ただし、上述の
図１における第１の実施形態で説明したＴＡＢテープと
同様な部材には同一の番号を付す。
施形態について説明する。図４は本発明に係るＴＡＢテ
ープの第２の実施形態の平面図である。ただし、上述の
図１における第１の実施形態で説明したＴＡＢテープと
同様な部材には同一の番号を付す。
【００３２】図５は、図４に示すテストパッド部９ｃの
構造を示す図であり、（ａ）は図４に示すテストパッド
部９ｃの拡大図であり、（ｂ）は図５の（ａ）に示す破
線ｃ−ｃ′部分の断面図である。また、１０は絶縁膜、
２は絶縁膜上に形成されたテストパッド、２０はＴＡＢ
テープ上に形成されたテストパッド２の周囲の絶縁膜、
１７はテストパッド２上に開孔された開孔部である。こ
の第２の実施形態と図１に示した第１の実施形態とは、
テストパッド２上の絶縁膜に開孔された開孔部１７の形
状が４角形であり、従ってテストパッド２でその頂角部
分がカットされた逆四角錐の形である点が相違してお
り、図５の（ｂ）に示す断面は、図２の（ｂ）に示す断
面と同様な形状を有している。
構造を示す図であり、（ａ）は図４に示すテストパッド
部９ｃの拡大図であり、（ｂ）は図５の（ａ）に示す破
線ｃ−ｃ′部分の断面図である。また、１０は絶縁膜、
２は絶縁膜上に形成されたテストパッド、２０はＴＡＢ
テープ上に形成されたテストパッド２の周囲の絶縁膜、
１７はテストパッド２上に開孔された開孔部である。こ
の第２の実施形態と図１に示した第１の実施形態とは、
テストパッド２上の絶縁膜に開孔された開孔部１７の形
状が４角形であり、従ってテストパッド２でその頂角部
分がカットされた逆四角錐の形である点が相違してお
り、図５の（ｂ）に示す断面は、図２の（ｂ）に示す断
面と同様な形状を有している。
【００３３】この第２の実施形態のＴＡＢテープにおけ
る探針テストを行う際の説明は上述の、図３を用いた第
１の実施形態での説明と同様なので省略する。
る探針テストを行う際の説明は上述の、図３を用いた第
１の実施形態での説明と同様なので省略する。
【００３４】従ってこの第２の実施形態では、図５の
（ｂ）に示す断面のように、絶縁膜２０が探針をカイド
してそのテストパッド２への接触を補助することができ
るので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
（ｂ）に示す断面のように、絶縁膜２０が探針をカイド
してそのテストパッド２への接触を補助することができ
るので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、テストパッドの周囲に形成された絶縁膜によ
り、テストパッドに検査のための探針を接触させる際
に、その絶縁膜によりテストパッドに探針の位置ずれが
防止されて探針精度が向上すると共に、絶縁膜の形状に
よってその探針精度を向上させているのでテストパッド
に探針精度向上のための余分なマージンは必要とせず、
テストパッドの小型化が図れ、テストパッドをＬＳＩの
近傍に配置することが可能となり、従って、テストパッ
ドとＬＳＩとを接続するリードを短くすることができる
ので、テスト時の電気的特性の悪化を防止することが可
能なＴＡＢテープを提供することができる。
によれば、テストパッドの周囲に形成された絶縁膜によ
り、テストパッドに検査のための探針を接触させる際
に、その絶縁膜によりテストパッドに探針の位置ずれが
防止されて探針精度が向上すると共に、絶縁膜の形状に
よってその探針精度を向上させているのでテストパッド
に探針精度向上のための余分なマージンは必要とせず、
テストパッドの小型化が図れ、テストパッドをＬＳＩの
近傍に配置することが可能となり、従って、テストパッ
ドとＬＳＩとを接続するリードを短くすることができる
ので、テスト時の電気的特性の悪化を防止することが可
能なＴＡＢテープを提供することができる。
【００３６】また、テストパッドの周囲に形成された絶
縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔面が広くなっ
ているので、テストパッドに検査のための探針を接触さ
せる際に、その絶縁膜によりテストパッドに探針が接触
させるように探針の位置が補正されて探針精度が向上す
ることができ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置する
ことが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを
接続するリードを短くすることができるので、テスト時
の電気的特性の悪化を防止することが可能なＴＡＢテー
プを提供することができる。
縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔面が広くなっ
ているので、テストパッドに検査のための探針を接触さ
せる際に、その絶縁膜によりテストパッドに探針が接触
させるように探針の位置が補正されて探針精度が向上す
ることができ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置する
ことが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを
接続するリードを短くすることができるので、テスト時
の電気的特性の悪化を防止することが可能なＴＡＢテー
プを提供することができる。
【００３７】さらに、テストパッドの周囲の絶縁膜によ
る開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しくはその頂角
部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形状
であることから、検査時に探針がテストパッドに接触せ
ずに、絶縁体に接触していたとしても、この絶縁体がガ
イドとなってテストパッドに探針を導くので、探針精度
をテストパッドのサイズを大きくすることなく向上する
ことができ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置するこ
とが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを接
続するリードを短くすることができるので、テスト時の
電気的特性の悪化を防止することが可能なＴＡＢテープ
を提供することができる。
る開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しくはその頂角
部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形状
であることから、検査時に探針がテストパッドに接触せ
ずに、絶縁体に接触していたとしても、この絶縁体がガ
イドとなってテストパッドに探針を導くので、探針精度
をテストパッドのサイズを大きくすることなく向上する
ことができ、テストパッドをＬＳＩの近傍に配置するこ
とが可能となり、従って、テストパッドとＬＳＩとを接
続するリードを短くすることができるので、テスト時の
電気的特性の悪化を防止することが可能なＴＡＢテープ
を提供することができる。
【図１】本発明に係るＴＡＢテープの第１の実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢテープの構造を示す図であ
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明に係るＴＡＢテープの探針テストの状態
を示したテストパッド部分の断面図であり、（ａ）は探
針非接触時の状態を示す図であり、（ｂ）は探針接触時
の状態を示す図である。
を示したテストパッド部分の断面図であり、（ａ）は探
針非接触時の状態を示す図であり、（ｂ）は探針接触時
の状態を示す図である。
【図４】本発明に係るＴＡＢテープの第２の実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】図４に示すＴＡＢテープの構造を示す図であ
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
【図６】従来のＴＡＢテープの平面図である。
【図７】図６に示すＴＡＢテープの構造を示す図であ
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は拡大図、（ｂ）は断面図である。
【図８】従来のＴＡＢテープの探針テストの状態を示し
たテストパッド部分の断面図である。
たテストパッド部分の断面図である。
【図９】従来の半導体集積回路装置の断面図である。
１ ＴＡＢテープ ２ テストパッド ３ 配線パターン ４ デバイスホール ５ ＴＡＢキャリヤ ６ 半導体チップ ７ ボンディングパッド ８ ＴＡＢリード ９ａ、９ｂ、９ｃ テストパッド部 １０、２０ 絶縁膜 １２ 探針 １３ テストパッド間隔 １４ マージン １５ テストパッドサイズ １６、１７ 開孔部
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の絶縁膜上に、複数のテストパッド
と、該テストパッドとＬＳＩパッドとを接続するリード
とが形成されたＴＡＢテープにおいて、 前記テストパッドの周囲に第２の絶縁膜が形成されてい
ることを特徴とするＴＡＢテープ。 - 【請求項２】 前記テストパッドの周囲に形成された第
２の絶縁膜の形状は、前記テストパッドを底面として、
該底面から上方に行くに従って、前記テストパッドの周
囲の第２の絶縁膜による開孔面が広くなる形状であるこ
とを特徴とする請求項１記載のＴＡＢテープ。 - 【請求項３】 前記テストパッドの周囲の第２の絶縁膜
による開孔面の形状は、すり鉢状の形状、若しくはその
頂角部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の
形状であることを特徴とする請求項２記載のＴＡＢテー
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027154A JP2842430B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | Ｔａｂテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027154A JP2842430B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | Ｔａｂテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223702A true JPH10223702A (ja) | 1998-08-21 |
| JP2842430B2 JP2842430B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=12213144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9027154A Expired - Lifetime JP2842430B2 (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | Ｔａｂテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842430B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272505A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージキャリア |
| CN103325739A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 南茂科技股份有限公司 | 半导体封装基板 |
-
1997
- 1997-02-12 JP JP9027154A patent/JP2842430B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272505A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージキャリア |
| CN103325739A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 南茂科技股份有限公司 | 半导体封装基板 |
| TWI474458B (zh) * | 2012-03-23 | 2015-02-21 | Chipmos Technologies Inc | 半導體封裝基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2842430B2 (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0138887B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3022819B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR100295637B1 (ko) | 반도체웨이퍼의구조및반도체칩의제조방법 | |
| US8072076B2 (en) | Bond pad structures and integrated circuit chip having the same | |
| KR20040041045A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH06295939A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2016025124A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000164620A (ja) | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の組立方法 | |
| JP3927783B2 (ja) | 半導体部品 | |
| KR100479190B1 (ko) | 반도체장치 및 이의 와이어본딩방법 | |
| JPH11307601A (ja) | 半導体装置 | |
| US8482002B2 (en) | Semiconductor device including bonding pads and semiconductor package including the semiconductor device | |
| JP2842430B2 (ja) | Ｔａｂテープ | |
| JPH07122604A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2001127256A (ja) | 半導体装置 | |
| US7560805B2 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| JP2001060567A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001118994A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002093750A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005032983A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2006013205A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11260992A (ja) | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH0750724B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH11135632A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001060568A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980922 |