JP2000164620A - 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の組立方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の組立方法Info
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Abstract
電極パッドの面積の最適化を図りながら、半導体集積回
路装置の検査及び組立を確実に行なえる方法を提供す
る。 【解決手段】 ボンディング用電極領域110と、検査
用ボンディング領域109をボンディング用電極領域の
中心103と、検査用ボンディング領域の中心104の
間隔が間隔107以上あるように配置したことにより、
生成された電極パッド102を有し、検査と組立を、そ
れぞれの領域の中心103と104を用いて行なうこと
により、検査とボンディングを容易に確実に行なえるこ
とを特徴とした半導体集積回路装置。
Description
置の高密度化、高集積化の実現に関し、特に、高集積化
された半導体集積回路装置の電気特性検査とパッケージ
へのボンディングを確実に実現し、かつ半導体集積回路
装置の面積をできる限り小さくするためのパッド配置
と、前記パッドを用いた半導体集積回路装置の電気的特
性検査及び組立を行なう方法を提供するものである。
の向上に伴って、半導体集積回路装置の内部と、外部と
の電気信号のやりとりを行なうための、信号の方向制御
や、保護回路が搭載されているパッドセルの面積も大幅
に削減され、このパッドセルのピッチも小さなものにな
ってきている。
激なスピードで向上しているが、電極パッドにピンを当
て電気特性を評価する検査技術や、電極パッドを介して
半導体集積回路とパッケージとの接続を実現するボンデ
ィング技術においては、半導体製造技術におけるほどの
微細化を実現することが困難になって来ている。
置における、検査用ピンの太さや、動きのずれの精度よ
り決定される領域を電極パッドが確保する必要がある
し、パッケージへのボンディングにおいても、リード線
の幅などによって定義される領域を電極パッドが確保す
る必要がある。
て、特開平5−206383号公報では、電極パッドと
は別に、電気特性検査用のパッドを設け、これを半導体
ウエハー上で半導体集積回路の領域外のダイシングライ
ン上に配置することで、電気特性検査用パッドの検査を
実行するために必要となる面積を確保し、ICの検査、
測定の容易化を図っている。
5−206383号公報では、電気特性の検査に関して
は、確実に行なうことを可能としているが、従来技術で
述べているように、ボンディングのためにも電極パッド
に一定の幅を持たせる必要があり、この問題を解決する
ことができない。
の向上にともない、ダイシングラインも微細化が進み、
ダイシングラインの幅よりも電気特性検査用パッドの幅
の方が大きくなることがあり、特開平5−206383
号公報の手法を用いても、ICの検査の容易化と半導体
集積回路の面積の最適化を両立することが困難になって
いる。
めに必要最低限の大きさを持った電極パッドを用いて、
電気的特性検査を行ない、この後同一の電極パッドを用
いてボンディングを行なおうとした時に、ボンディング
に失敗することがある。これは、特性検査をする時に当
てた検査ツールのプローブピンが電極パッドにプローブ
痕を残すことが大きな原因となっている。
パッドの大きさに対するプローブ痕の占める割合が大き
くなり、ボンディングの際にこのプローブ痕が、圧着
や、合金形成の妨げとなるからである。
実な電気的特性の検査とボンディングを実現するため
に、電極パッドの面積を拡大して検査後のプローブ痕の
面積割合を削減し、ボンディングを可能とするか、電極
パッドを性能検査用の部分と、ボンディング用の部分に
わけて作成しボンディング用のパッドの部分にはプロー
ブ痕が残らないようにする方法が考えられる。
実現し、さらに面積の最適化を図るために、電極パッド
は、プローブする場所とボンディングする場所を変更す
ることとし、さらに、半導体集積回路装置の面積の最適
化を図るために、検査のルール、ボンディングのルー
ル、パッドピッチといった情報に基づいて電極パッド配
置を決定する。
て、図を用いて説明する。
は、請求項1に係る発明について図を用いて説明する。
用パッド及び、この電極パッドの配置の一例である。1
01は、パッドセル本体であり、保護回路、制御論理が
搭載されている。
域110はボンディング用の電極領域である。ここで、
領域110は、ボンディング装置の精度やボンディング
ワイヤーの物理的な要因から、ボンディングを確実に行
なえるようにするために最小の大きさが規定されてお
り、その幅は105となる。また、領域109は、検査
装置の精度や、検査用のピン物理的特性から、検査が確
実に行なえるように最小の大きさが規定されており、そ
の幅は106となる。
110を隣接あるいは一部を重ね合わせて配置すること
により形成されている。本発明では、電極パッド102
の様に凸型になることが一つの特徴である。
の中心位置であり、104は性能検査用パッド領域10
9の中心位置となっている。
ッド領域110の中心103と、検査用パッド領域10
9の中心104の距離の最小幅を示している。この距離
は、特性検査の際にプローブ用ピンを置いた後のパッド
上にピンのプローブ痕が残っていても、この間隔だけを
維持しておけば確実にボンディングを行なえることを保
証するための距離で、今回の発明にとって最も重要な距
離となる。このように、間隔107を定義することによ
り、領域109と領域110をそれぞれの中心103と
104が間隔107以上の距離を維持したまま重ね合わ
せ配置したとしても検査とボンディングを確実に実現で
きることが保証できるので、電極パッドの削減の効果も
期待できる。
用パッド及び、この電極用パッドの配置の一例である。
図2は、図1においてボンディング用の電極領域の幅1
05と検査用の電極領域の幅106同一の値の時の状態
である。このような状態では、ボンディング用電極領域
の中心203と検査用電極領域の中心204には区別が
なくなるためボンディング及び、検査を行なう際に、ど
ちらを使うかの選択が可能となり、効率の良い検査、ボ
ンディングが可能となる。
は、請求項2に係る発明について図を用いて説明する。
一例を示している。ここで、301は検証のプローブピ
ンであり、これをテスト用電極領域の中心104に接触
させ電気的特性検査を実行する。この時検査用プローブ
ピンのピン間隔の精度、検査装置のプローブピン移動に
関する精度、検査用プローブピンの電極パッドに対する
進入角等の要因により、ピン301の電極パッド102
への接触場所は中心位置104からはずれるが、検査用
電極領域109が幅106を確保しているので確実に検
査を行なうことが可能となっている。
置の組立方法の一例を示している。ここで、401はパ
ッケージの端子であり、402はパッケージと半導体集
積回路装置とを接続するリード線である。403は、図
3の様に検査用のプローブピンが接触したところに生じ
るプローブ痕であり、パッドの表面が大きく傷ついてい
る。
ころで実行した場合には、403のようなプローブ痕が
ある上にリード線等を接続するような形になるので、接
続がうまくいかなくなる。今回の発明では、ボンディン
グは、ボンディング用電極領域の中心103を用いて実
行されるので、接続不良が起こるようなことにはならな
い。また、ボンディング装置の精度や、リード線幅のよ
うな物理的条件から規定される、ボンディング用電極領
域の幅105を電極102が確保しているので、接続不
良や、隣接する電極用パッドとのショート等が起こるこ
ともなく確実な組立を実現できている。今回の図面で
は、ワイヤーボンディングタイプの説明をしているが、
この考え方は、チップサイズパッケージやエリアパッド
のような接続方法に対しても十分有効なものとなる。
が進む半導体集積回路装置において、電極パッドを検査
用の領域と、ボンディング用の領域に分けて考え、これ
らの領域の幅と間隔の最小値を、検査装置、ボンディン
グ装置の精度や、プローブ用ピンの加工精度、等の情報
に基づいて決定しておき、この最小値を確保するように
この電極パッドの設計を実現することで、半導体集積回
路装置の検査と組立を確実に行なえるとともに、面積の
最適化も実現できる。
ドの配置例を示す図
ドの配置例を示す図
回路装置の検査方法の一例を示す図
回路装置の組立方法の一例を示す図
極領域の中心位置の最小間隔 108 パッドセル幅 109 検査用電極領域 110 ボンディング用電極領域
Claims (2)
- 【請求項1】 各外部端子に対して、ボンディング用の
第1の矩形状の電極領域と、 テスト用の第2の矩形状の電極領域とを接して配置する
ことにより形成される電極パッドを備えていることを特
徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体集積回路装置に対
して、 前記の第2の電極パッドに対してテストプローブピンを
接触させて当該半導体集積回路装置の電気特性検査を行
ない、 前記の第1の電極パッドに対して外部信号線のボンディ
ングを行なうことを特徴とする半導体集積回路装置の検
査組立方法。
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---|---|
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003060051A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置及びそれを用いた電子装置 |
US6856022B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2005088702A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置 |
JP2005286266A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその検査方法と製造方法 |
US6992356B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7030503B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2007109746A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN100426497C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-10-15 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
CN100433281C (zh) * | 2004-01-22 | 2008-11-12 | 川崎微电子股份有限公司 | 在有源元件上具有连接焊盘的半导体集成电路 |
CN100435327C (zh) * | 2002-03-13 | 2008-11-19 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有接合焊盘的半导体器件及其制造方法 |
JP2009218264A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP2009260373A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-11-05 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体基板 |
US7687900B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Semiconductor integrated circuit device and fabrication method for the same |
US8013455B2 (en) | 2006-08-22 | 2011-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having pads |
JP2012089904A (ja) * | 2012-02-10 | 2012-05-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012116064A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッド |
CN102529416A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-07-04 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头 |
US8946705B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-02-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
EP2876679A2 (en) | 2013-10-30 | 2015-05-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP33718498A patent/JP3843624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003060051A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置及びそれを用いた電子装置 |
CN100435327C (zh) * | 2002-03-13 | 2008-11-19 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有接合焊盘的半导体器件及其制造方法 |
US8456024B2 (en) | 2003-03-27 | 2013-06-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor device having a pad-disposition restriction area |
US8212366B2 (en) | 2003-03-27 | 2012-07-03 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US7030503B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7847418B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
CN100378979C (zh) * | 2003-03-27 | 2008-04-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件 |
US7397138B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7675184B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-03-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US6992356B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN1311543C (zh) * | 2003-03-28 | 2007-04-18 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件 |
US6856022B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7629689B2 (en) | 2004-01-22 | 2009-12-08 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Semiconductor integrated circuit having connection pads over active elements |
CN100433281C (zh) * | 2004-01-22 | 2008-11-12 | 川崎微电子股份有限公司 | 在有源元件上具有连接焊盘的半导体集成电路 |
WO2005088702A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置 |
US8304857B2 (en) | 2004-03-16 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
CN100449734C (zh) * | 2004-03-16 | 2009-01-07 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件 |
US7777223B2 (en) | 2004-03-16 | 2010-08-17 | Pansonic Corporation | Semiconductor device |
JP2005286266A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその検査方法と製造方法 |
CN100426497C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-10-15 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2007109746A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4744259B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8013455B2 (en) | 2006-08-22 | 2011-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having pads |
US7687900B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Semiconductor integrated circuit device and fabrication method for the same |
JP2009218264A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
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JP2012116064A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッド |
CN102529416A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-07-04 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头 |
JP2012089904A (ja) * | 2012-02-10 | 2012-05-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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