JP2003287553A - プローブカード及びそれを製造するための基板 - Google Patents

プローブカード及びそれを製造するための基板

Info

Publication number
JP2003287553A
JP2003287553A JP2002091138A JP2002091138A JP2003287553A JP 2003287553 A JP2003287553 A JP 2003287553A JP 2002091138 A JP2002091138 A JP 2002091138A JP 2002091138 A JP2002091138 A JP 2002091138A JP 2003287553 A JP2003287553 A JP 2003287553A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
probe
contact
contact probe
wirings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002091138A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichi Arisaka
義一 有坂
Kunihiro Itagaki
邦弘 板垣
Shigenobu Ishihara
重信 石原
Sukehiro Giga
資裕 儀賀
Naoyoshi Kikuchi
直良 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2002091138A priority Critical patent/JP2003287553A/ja
Priority to TW092104841A priority patent/TWI224677B/zh
Priority to KR10-2003-0017759A priority patent/KR20030078659A/ko
Priority to US10/395,208 priority patent/US7180312B2/en
Publication of JP2003287553A publication Critical patent/JP2003287553A/ja
Priority to US11/698,036 priority patent/US20070134824A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造コストを低減することができるプローブカ
ードを提供すること。 【解決手段】プローブカード１は、プローブカード基板
２、フレキシブル基板３、コンタクトプローブ４とを備
える。コンタクトプローブ４は、ポリイミド樹脂からな
るフレキシブル基板である。コンタクトプローブ４に
は、複数本の配線がパターニングされ、その配線の先端
がポリイミド樹脂から突出して接触子６とされている。
コンタクトプローブ４の接触子６を試験対象のＬＳＩチ
ップ５に接触させて電気的な試験が行われる。汎用基板
には複数の配線が等間隔で並列にパターニングされてお
り、同汎用基板をＬＳＩチップ５におけるパッド数に応
じた配線数となるよう切断することでコンタクトプロー
ブ４が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
はその他の基板に対し通電試験を行う際に使用するプロ
ーブカード及びそれを製造するための基板に関するもの
である。
【０００２】半導体装置の製造工程中に行われるウェハ
試験では、ウェハ基板上に形成された半導体装置の多数
のパッドにそれぞれプローブを接触させ、あらかじめ設
定されたプログラムに基づいて種々の特性を測定する通
電試験が行われる。その通電試験に用いられるプローブ
カードには、現在複数種類の構造のものが存在し、例え
ばカンチレバータイプやパターニングタイプなどがあ
る。近年、半導体製造技術が進歩し、半導体装置（ＬＳ
Ｉ）における高集積化、挟ピッチ化、高周波化が図られ
ており、そのＬＳＩを試験するプローブカードにおいて
も、挟ピッチ化、高周波化のニーズが高まっている。そ
のニーズに答えるものとして、パターンニングタイプの
プローブカードの開発が進められており、特に、コスト
性に優れたプローブカードが必要となっている。
【０００３】
【従来の技術】図７は、パターンニングタイプのプロー
ブカードに用いられるコンタクトプローブ４１を示す。
同コンタクトプローブ４１は、ポリイミド樹脂からなる
フィルム状の絶縁板４２に、フォトリソグラフ技術を利
用して複数の配線４３がパターニングされて形成されて
いる。
【０００４】コンタクトプローブ４１は、略台形状をな
し、絶縁板４２における配線４３は、その幅広の端部か
ら幅狭の端部に向けて形成されている。そして、幅狭の
端部において、配線４３の先端が絶縁板４２から突出す
ることで、ＬＳＩのパッドに接触する接触子（コンタク
トピン）４４が形成されている。このコンタクトプロー
ブ４１では、各接触子４４の相対的位置精度を保持すべ
く、ＬＳＩの製造プロセスにおける配線の焼付け技術に
相当したレベルで各配線４３を形成している。従って、
コンタクトプローブ４１は、カンチレバータイプのプロ
ーブよりも高位置精度を確保することができ、ＬＳＩの
高集積化、挟ピッチ化に対応して、接触子４４（幅狭の
端部における配線４３）のピッチは、例えば、４４μｍ
となっている。
【０００５】ＬＳＩの高集積化、挟ピッチ化に伴い、コ
ンタクトプローブ４１を用いた通電試験時には、電源電
流の増大や高速動作に伴うノイズが試験、評価に悪影響
を及ぼしてしまう。そのノイズ対策として、コンタクト
プローブ４１は、幅広の端部側ほど配線４３の幅を広く
し、幅広の端部側において所定の配線４３を貫通して図
示しないグランド層に接続するスルーホール４５を形成
している。このスルーホール４５を介して所定の配線４
３をグランド層に接続することで、グランドの強化を図
り、ノイズによる試験、評価への悪影響を防止する。
【０００６】図７のコンタクトプローブ４１は、ＬＳＩ
チップにおける１辺に沿って形成されたパッドに接続す
るためのものである。つまり、ＬＳＩチップを試験する
ためのプローブカードは、ＬＳＩチップの各辺に対応す
る４つのコンタクトプローブを１セットとして備えてい
る。そして、プローブカードの製造時には、図８に示す
ように、４つのコンタクトプローブ用の配線がフィルム
状の絶縁板４７にパターニングされ、その絶縁板４７を
所定形状（略台形状）に切削加工することで、各コンタ
クトプローブ４１が形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、試験対象と
なるＬＳＩにおいてその種類が異なると、パッドの数や
グランドの強化を要するパッドの位置が異なる。この場
合、それに応じてプローブカードの形状を変更する必要
がある。つまり、プローブカードの製造時には、ＬＳＩ
チップの種類に応じてフィルム状の絶縁板における配線
パターン（配線数やスルーホールの形成位置等）を変更
する必要がある。従って、パターニングタイプのプロー
ブカードは、大量生産するのに不向きであり、その製造
コストが他の種類のプローブカードと比較して高価とな
ってしまう。
【０００８】また、ＬＳＩの試験時におけるコンタクト
回数が増加すると、コンタクトプローブ４１は、それに
伴う劣化や、アクシデント等による物理的ダメージ（例
えば先端の欠落）を受けることがある。ここで、コンタ
クトプローブ４１において１本の接触子４４がダメージ
を受けその修理を行う場合、配線４３がパターンニング
してあるフィルム状の絶縁板４２全体に影響を及ぼすの
で、コンタクトプローブ４１自体を交換する必要があ
る。
【０００９】さらに、コンタクトプローブ４１は、図８
に示すように、フィルム状の絶縁板に４辺分の配線がパ
ターニングされ、その絶縁板４７を所定形状に切削加工
することで形成されている。従って、１つのコンタクト
プローブ４１がダメージを受けた場合、絶縁板４７にお
いて４辺のうちの１辺分のみの部位が修理・交換のため
に使用され、残りの３辺分は修理・交換に使用されるこ
となく無駄となってしまい、多大な修理コストを要する
こととなる。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、製造コストを低減する
ことができるプローブカード及びそれを製造するための
基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、複数の配線を等間隔で並列にパターニングして
なる基板が、試験対象のチップにおけるパッド数に応じ
た配線数となるよう切断されることでコンタクトプロー
ブが形成される。この場合、同一基板から配線数が異な
る複数種類のコンタクトプローブを形成することができ
る。つまり、コンタクトプローブを形成するための基板
の汎用化を図ることができ、その製造コストが低減され
る。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、接触子が
ボンディングワイヤを介してグランド層に接続される。
このようにすると、接触子とグランド層との接続が試験
対象のチップ近傍で行われることとなり、プローブカー
ドにおけるグランドの強化が確実に実施される。
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、グランド
層から延びる配線を介して全ての接触子とグランド層と
が予め接続され、所定の信号や高電位の電源を供給する
ための接触子については、同接触子につながる配線が切
断（パターンカット）される。このようにすれば、接触
子とグランド層との接続が試験対象のチップ近傍で行わ
れることとなり、プローブカードにおけるグランドの強
化が確実に実施される。
【００１４】請求項４に記載の発明によれば、接触子が
ボンディングワイヤ介して電源層に接続される。このよ
うにすると、接触子と電源層との接続が試験対象のチッ
プ近傍で行われることとなり、プローブカードにおける
電源の強化が確実に実施される。
【００１５】請求項５に記載の発明によれば、接触子と
グランド層とを接続するための穴が接触子の近傍にてレ
ーザ加工により形成される。このようにしても、請求項
２及び請求項４と同様に、接触子とグランド層との接続
が試験対象のチップ近傍で行われることとなり、プロー
ブカードにおけるグランドの強化が確実に実施される。
【００１６】請求項６に記載の発明によれば、シグナル
層における配線は、写真技術（フォトリソグラフ技術）
を利用してパターニングされ、所定の配線ピッチで並列
して複数形成される。このように、フォトリソグラフ技
術により配線をパターニングする場合、配線の狭ピッチ
化が可能となり、配線とグランド層とを接続するスルー
ホールを、ＬＳＩチップの近傍で形成することが困難と
なる。この場合に、請求項２〜５に記載の発明を適用す
ると、プローブカードにおけるグランド又は電源の強化
を確実に実施することができるので、実用上好ましいも
のとなる。
【００１７】請求項７に記載の発明によれば、基板に
は、複数の配線が等間隔で並列にパターニングされ、同
基板がコンタクトプローブにおける配線数に応じて切り
出されることで、請求項１〜６に記載のプローブカード
が製造される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
の形態を図面に従って説明する。図１は、プローブカー
ドの平面図であり、図２は、プローブカードの断面図で
ある。なお、図１では、説明の便宜上、図２における固
定部材を省略して示している。
【００１９】図１に示すように、プローブカード１は、
プローブカード基板２、フレキシブル基板３、コンタク
トプローブ４等を備えている。試験対象となるＬＳＩチ
ップ５は、プローブカード１の中央に配置されている。
同ＬＳＩチップ５は、正方形状をなし、各辺に沿って複
数のバンプ（図示しない突起電極）が設けられている。
このＬＳＩチップ５における４つの辺に対応して、プロ
ーブカード１にはフレキシブル基板３及びコンタクトプ
ローブ４がそれぞれ４個設けられている。
【００２０】カード基板２は、絶縁性を備えた材質で略
円板状に形成され、その中央部に円形状の開口部２ａが
形成されている。同開口部２ａの周囲には複数の配線
（図示しない）が形成され、その配線は、基板周囲に形
成されたランド（図示しない）を介して試験装置に接続
可能となっている。
【００２１】フレキシブル基板３は、台形形状に形成さ
れ、その幅広の一辺はプローブカード基板２における開
口部２ａの縁部に配置され、幅狭の他の辺は開口部２ａ
内に配置されている。このフレキシブル基板３は、ポリ
イミド樹脂からなり、複数本の配線がフォトリソグラフ
技術を利用してパターニングされている。フレキシブル
基板３における配線は、コンタクトプローブ４とプロー
ブカード基板２とを接続するように幅狭の端部から幅広
の端部に向けて延び、その配線ピッチがカード基板２側
ほど広くなるよう放射線状に形成されている。
【００２２】コンタクトプローブ４も、フレキシブル基
板３と同様に、ポリイミド樹脂（絶縁基材）からなり、
フォトリソグラフ技術を利用して複数本の配線がパター
ニングされている。本実施形態のコンタクトプローブ４
は、長方形状をなし、その長手方向に沿って延びる配線
が並列して複数形成されている。コンタクトプローブ４
における各配線の一方の端部は、フレキシブル基板３の
配線と電気的に接続されており、他方の端部には、その
配線の先端がポリイミド樹脂から突出することで接触子
（コンタクトピン）６が形成されている。
【００２３】図２に示すように、プローブカード基板２
は、上側固定部材７と下側固定部材８との間には挟み込
まれ、ネジ１０により固定されている。また、フレキシ
ブル基板３における幅広の端部は、プローブカード基板
２上に配置され同カード基板２とともに上側固定部材７
と下側固定部材８との間に固定されている。一方、フレ
キシブル基板３における幅狭の端部は、コンタクトプロ
ーブ４と接続され、その接続部が固定部材９の先端面に
固定されている。同固定部材９は、その基端部が上側固
定部材７に固定され、その先端面は所定角度で傾斜した
テーパ面となっている。この固定部材９の先端面に沿っ
てコンタクトプローブ４が固定されることで、コンタク
トプローブ４の接触子６が所定角度でＬＳＩチップ５に
当接される。
【００２４】次に、本実施形態におけるコンタクトプロ
ーブ４の構成を説明する。図３（ａ）は、コンタクトプ
ローブ４の平面図であり、図３（ｂ）は、同コンタクト
プローブ４の断面図である。
【００２５】コンタクトプローブ４は、シグナル層１
１、グランド層１２、電源層１３を有する３層構造のフ
レキシブル基板である。図３において最下位層となるシ
グナル層１１には、複数の配線１１ａが所定の配線ピッ
チ（具体的には、４４μｍ）で並列に形成されている。
そのシグナル層１１の上層には、絶縁層（ポリイミド樹
脂層）１４を介してグランド層１２が形成され、グラン
ド層１２の上層には絶縁層１５を介して電源層１３が形
成されている。また、電源層１３の上層に絶縁層１６が
形成されている。グランド層１２及び電源層１３は、銅
（Ｃｕ）などの金属の薄膜が平面状に配設されてなる。
つまり、コンタクトプローブ４におけるグランド層１２
及び電源層１３は、プレーナ型の電極（グランド電極及
び電源電極）となっている。
【００２６】また、シグナル層１１における配線１１ａ
の先端（図３における左側の端部）は絶縁層１４から突
出し、その部位がＬＳＩチップ５に接触する接触子６と
なる。コンタクトプローブ４において、接触子６側の端
部は、その断面が階段状となっており、グランド層１２
及び電源層１３の一部が外部に露出している。
【００２７】そして、所定の接触子６が、アルミニウム
（Ａｌ）や金（Ａｕ）などの線材（ボンディングワイ
ヤ）１７ａ，１７ｂを介してグランド層１２又は電源層
１３における露出部と電気的に接続される。このよう
に、接触子６がグランド層１２又は電源層１３に接続さ
れることにより、コンタクトプローブ４は、そのグラン
ド及び電源が強化されて、耐ノイズ性が向上される。
【００２８】また、本実施形態におけるコンタクトプロ
ーブ４は、従来技術のようにスルーホールを形成するの
ではなくボンディングワイヤ１７ａにより、接触子６と
グランド層１２とを接続するようにしたので、図４に示
すような汎用基板１８から切り出して製造することが可
能となる。
【００２９】汎用基板１８は、コンタクトプローブ用配
線の長さの略２倍の幅を有し、その幅方向（図の上下方
向）に沿って延びるコンタクトプローブ用の配線が基板
１８の長手方向（図の左右方向）に沿って２列分パター
ニングされたフレキシブル基板である。同汎用基板１８
には、配線が形成されたシグナル層１１に加え、プレー
ナ型のグランド層１２と電源層１３とが絶縁層１４，１
５を介して積層されている。
【００３０】そして、ＬＳＩの設計製造段階で、通電試
験を必要とする１辺あたりのパッドが決定されると、そ
のＬＳＩ専用のコンタクトプローブ４を製造するため
に、ＬＳＩのパッド数に対応する配線数Ｎｘとなるよう
汎用基板１８が切断加工される。なお、この加工は、グ
ラインダー等の工作機械を用いて行われる。そして、切
断加工された基板に対してグランド又は電源の強化が必
要な接触子６にワイヤボンディングを実施することによ
りコンタクトプローブ４が完成する。
【００３１】また、汎用基板１８において、配線数が任
意の本数となるよう切断加工することができるため、別
のＬＳＩ用のコンタクトプローブ（例えば、配線数Ｎｙ
のプローブ）を製造することもできる。
【００３２】以上記述したように、上記実施形態によれ
ば、下記の効果を奏する。 （１）複数の配線を等間隔で並列にパターニングしてな
る汎用基板１８が、試験対象のＬＳＩチップ５における
パッド数に応じた配線数となるよう切断されることでコ
ンタクトプローブ４が形成される。この場合、同一の汎
用基板１８から配線数（接触子６の数）が異なる複数種
類のコンタクトプローブを形成することができる。この
ように、コンタクトプローブ４を製造するための基板１
８の汎用化が図られることにより、同汎用基板１８の生
産性を向上することができ、製造コストを低減すること
ができる。また、コンタクトプローブ４の修理・交換の
ために汎用基板１８の一部を使用した場合、残った汎用
基板１８を別のコンタクトプローブの修理・交換に使用
することができるので、修理・交換のためのコストも低
減することができる。
【００３３】（２）コンタクトプローブ４において、接
触子６がボンディングワイヤ１７ａ，１７ｂを介してグ
ランド層１２及び電源層１３に接続される。このように
すれば、接触子６とグランド層１２との接続、接触子６
と電源層１３との接続が試験対象のＬＳＩチップ５の近
傍で行われることとなり、プローブカード１におけるグ
ランド及び電源の強化を確実に実施することができる。
また、これらグランドの強化及び電源の強化は、試験対
象となるＬＳＩに応じて容易にカスタマイズすることが
できる。さらに、グランド及び電源の強化を実施するこ
とにより、プローブカード１の耐ノイズ性を高めること
ができ、試験、評価の品質を向上できる。
【００３４】上記実施の形態は、次に示すように変更す
ることもできる。 ・プローブカード１において、図３のコンタクトプロー
ブ４に代えて、図５に示すコンタクトプローブ２１や図
６に示すコンタクトプローブ３１を用いることもでき
る。
【００３５】図５のコンタクトプローブ２１は、シグナ
ル層２２、グランド層２３を有するフレキシブル基板で
ある。シグナル層２２には、複数の配線２２ａが所定の
配線ピッチ（具体的には、４４μｍ）で並列に形成され
ており、そのシグナル層２２の上層には、絶縁層（ポリ
イミド樹脂層）２４を介してグランド層２３が形成され
ている。グランド層２３は、銅（Ｃｕ）などの金属の薄
膜が平面状に形成されてなる。また、各配線２２ａの先
端（図５における左側の端部）は絶縁層２４から突出
し、その部位がＬＳＩチップ５に接触する接触子２６と
なっている。
【００３６】このコンタクトプローブ２１におけるグラ
ンドの強化処理は、全接触子２６に対して予め施されて
いる。すなわち、絶縁層２４の上層において、接触子２
６側の端部では、グランド層２３から各接触子２６に向
けて配線２３ａが延設されており、コンタクトプローブ
２１における全ての接触子２６がその配線２３ａを介し
てグランド層２３に接続されている。そして、試験対象
であるＬＳＩチップ５に応じて、所定の信号や高電位の
電源を供給するための接触子２６については、同接触子
２６につながる配線２３ａを切断することにより、コン
タクトプローブ２１が製造される。
【００３７】このコンタクトプローブ２１も、上記実施
形態と同様に、汎用的な基板を用いて製造することがで
きるので、製造コストを低減することができる。また、
接触子２６とグランド層２３との接続がＬＳＩチップ５
の近傍で行われるので、プローブカード１におけるグラ
ンドの強化を確実に実施できる。また、コンタクトプロ
ーブ２１は、接触子２６につながる配線２３ａをレーザ
加工等によって切断することにより、試験対象となるＬ
ＳＩに応じて容易にカスタマイズすることができる。
【００３８】また、図６のコンタクトプローブ３１も、
同様に、シグナル層３２、グランド層３３を有するフレ
キシブル基板である。シグナル層３２には、複数の配線
３２ａが所定の配線ピッチで並列に形成されており、そ
のシグナル層３２の上層には、絶縁層３４を介してグラ
ンド層３３が形成されている。グランド層３３は、銅
（Ｃｕ）などの金属の薄膜が平面状に形成されてなる。
また、各配線３２ａの先端（図６における左側の端部）
は絶縁層３４から突出し、その部位がＬＳＩチップ５に
接触する接触子３６となっている。
【００３９】このコンタクトプローブ３１におけるグラ
ンドの強化処理としては、接触子３６の近傍において、
前記絶縁層３４を通して配線３２ａにつながる穴３７を
レーザで開ける。その後、めっき処理等により、その穴
３７に導電材を充填し、さらに、その穴３７とグランド
層３３とを接続する配線３３ａを形成することで、グラ
ンド強化が必要な接触子３６がグランド層３３に接続さ
れる。
【００４０】このコンタクトプローブ３１も、汎用的な
基板を用いて製造することができるので、製造コストを
低減することができる。また、接触子３６とグランド層
３３との接続がＬＳＩチップ５の近傍で行われるので、
プローブカード１におけるグランドの強化を確実に実施
できる。
【００４１】・図５や図６のコンタクトプローブ２１，
３１において、グランド層２３，３３の上層に、絶縁層
を介して電源層を形成し、図３のコンタクトプローブ４
と同様に、ボンディングワイヤにて、所定の接触子と電
源層とを接続するようにしてもよい。このようにすれ
ば、グランドの強化に加えて、電源の強化も実施できる
ので、耐ノイズ性をより向上することができる。
【００４２】・図４に示すように、コンタクトプローブ
４を製造するための汎用基板１８には、２列分の配線を
形成していたが、これに限定されるものではなく、例え
ば、１列分の配線を汎用基板に形成してもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
プローブカードの製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施の形態におけるプローブカードの概略構
成図である。
【図２】プローブカードの断面図である。
【図３】（ａ）はコンタクトプローブの平面図、（ｂ）
は同コンタクトプローブの断面図である。
【図４】 汎用基板を示す説明図である。
【図５】（ａ）は別のコンタクトプローブの平面図、
（ｂ）は同コンタクトプローブの断面図である。
【図６】（ａ）は別のコンタクトプローブの平面図、
（ｂ）は同コンタクトプローブの断面図である。
【図７】従来のプローブにおける配線を示す説明図であ
る。
【図８】従来のフィルム基板を示す説明図である。
【符号の説明】
１ プローブカード ４ コンタクトプローブ ６ 接触子 １１ シグナル層 １１ａ 配線 １２ グランド層 １３ 電源層 １４，１５ 絶縁層 １８ 汎用基板 ２１ コンタクトプローブ ２２ シグナル層 ２２ａ 配線 ２３ グランド層 ２３ａ 配線 ２４ 絶縁層 ２６ 接触子 ３１ コンタクトプローブ ３２ シグナル層 ３２ａ 配線 ３３ グランド層 ３４ 絶縁層 ３６ 接触子 ３７ 穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 重信 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 儀賀 資裕 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 菊地 直良 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AA10 AB01 AG04 2G011 AA15 AA17 AB04 AB06 AB08 AE03 2G132 AA00 AB01 AD01 AF01 4M106 AA01 AA02 BA01 DD17

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基材に複数の配線がパターニングさ
    れ、その配線の先端が絶縁基材から突出して接触子とさ
    れたコンタクトプローブが備えられ、該コンタクトプロ
    ーブの接触子が電気的な試験を行う試験対象のチップに
    接触されるプローブカードであって、 前記コンタクトプローブは、複数の配線を等間隔で並列
    にパターニングしてなる基板を前記試験対象のチップに
    おけるパッド数に応じた配線数となるよう切断して形成
    されることを特徴とするプローブカード。
  2. 【請求項２】 絶縁基材に複数の配線がパターニングさ
    れ、その配線の先端が絶縁基材から突出して接触子とさ
    れたコンタクトプローブが備えられ、該コンタクトプロ
    ーブの接触子が電気的な試験を行う試験対象のチップに
    接触されるプローブカードであって、 前記コンタクトプローブは、前記複数の配線が形成され
    たシグナル層と、該シグナル層の上層に絶縁層を介して
    形成された平面状のグランド層とを有し、 前記接触子とグランド層とをボンディングワイヤを介し
    て接続したことを特徴とするプローブカード。
  3. 【請求項３】 絶縁基材に複数の配線がパターニングさ
    れ、その配線の先端が絶縁基材から突出して接触子とさ
    れたコンタクトプローブが備えられ、該コンタクトプロ
    ーブの接触子が電気的な試験を行う試験対象のチップに
    接触されるプローブカードであって、 前記コンタクトプローブは、前記複数の配線が形成され
    たシグナル層と、該シグナル層の上層に絶縁層を介して
    形成された平面状のグランド層とを有し、 前記グランド層から延びる配線により全ての前記接触子
    とグランド層とを予め接続しておき、所定の信号や高電
    位の電源を供給するための接触子については、同接触子
    につながる配線を切断したことを特徴とするプローブカ
    ード。
  4. 【請求項４】 前記コンタクトプローブは、前記グラン
    ド層の上層に絶縁層を介して形成された平面状の電源層
    を備え、 前記接触子と前記電源層とをボンディングワイヤを介し
    て接続したことを特徴とする請求項２又は３に記載のプ
    ローブカード。
  5. 【請求項５】 前記コンタクトプローブは、前記複数の
    配線が形成されたシグナル層と、該シグナル層の上層に
    絶縁層を介して形成された平面状のグランド層とを有
    し、 前記接触子と前記グランド層とを接続するための穴を、
    前記接触子の近傍にてレーザ加工により形成したことを
    特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
  6. 【請求項６】 前記シグナル層における配線は、写真技
    術を利用してパターニングされ、所定の配線ピッチで並
    列して複数形成されることを特徴とする請求項２〜５の
    いずれか１項に記載のプローブカード。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載のプ
    ローブカードを製造するための基板であって、複数の配
    線が等間隔で並列にパターニングされ、前記コンタクト
    プローブにおける配線数に応じて切り出されることを特
    徴とする基板。
JP2002091138A 2002-03-28 2002-03-28 プローブカード及びそれを製造するための基板 Pending JP2003287553A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002091138A JP2003287553A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 プローブカード及びそれを製造するための基板
TW092104841A TWI224677B (en) 2002-03-28 2003-03-06 Probe card and method for manufacturing probe card
KR10-2003-0017759A KR20030078659A (ko) 2002-03-28 2003-03-21 프로브 카드 및 그것을 제조하기 위한 기판
US10/395,208 US7180312B2 (en) 2002-03-28 2003-03-25 Probe card and method for manufacturing probe card
US11/698,036 US20070134824A1 (en) 2002-03-28 2007-01-26 Probe card and method for manufacturing probe card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002091138A JP2003287553A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 プローブカード及びそれを製造するための基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003287553A true JP2003287553A (ja) 2003-10-10

Family

ID=28449584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002091138A Pending JP2003287553A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 プローブカード及びそれを製造するための基板

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7180312B2 (ja)
JP (1) JP2003287553A (ja)
KR (1) KR20030078659A (ja)
TW (1) TWI224677B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007248322A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
JP2012519869A (ja) * 2009-03-12 2012-08-30 プロ−２０００・カンパニー・リミテッド フィルム型パッケージをテストするためのプローブカード

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005156365A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電気特性測定用プローブ及びその製造方法
US7989940B2 (en) * 2003-12-19 2011-08-02 Tessera, Inc. System and method for increasing the number of IO-s on a ball grid package by wire bond stacking of same size packages through apertures
JP4850284B2 (ja) * 2007-03-28 2012-01-11 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の試験装置
US8020741B2 (en) * 2008-03-18 2011-09-20 Barosense, Inc. Endoscopic stapling devices and methods
KR101718717B1 (ko) * 2015-08-11 2017-04-04 (주)다원넥스뷰 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법
EP3734304A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-04 Afore Oy Cryogenic probe station
PH12020050134A1 (en) * 2019-06-12 2021-09-01 Jf Microtechnology Sdn Bhd Wedged contact fingers for integrated circuit testing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5221895A (en) * 1991-12-23 1993-06-22 Tektronix, Inc. Probe with microstrip transmission lines
US5414371A (en) * 1993-03-25 1995-05-09 Probes Associates, Inc. Semiconductor device test probe ring apparatus and method of manufacture
US5949245A (en) * 1997-02-01 1999-09-07 Powership Semiconductor Corp. Probe card with ground shield structure to minimize noise coupling effect during multiple-chip testing
JPH1123615A (ja) * 1997-05-09 1999-01-29 Hitachi Ltd 接続装置および検査システム
JPH11125646A (ja) * 1997-10-21 1999-05-11 Mitsubishi Electric Corp 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法
JP3553791B2 (ja) * 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法
US6137297A (en) * 1999-01-06 2000-10-24 Vertest Systemsn Corp. Electronic test probe interface assembly and method of manufacture
JP4667679B2 (ja) * 2001-09-27 2011-04-13 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 プローブカード用基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007248322A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
JP2012519869A (ja) * 2009-03-12 2012-08-30 プロ−２０００・カンパニー・リミテッド フィルム型パッケージをテストするためのプローブカード

Also Published As

Publication number Publication date
TWI224677B (en) 2004-12-01
KR20030078659A (ko) 2003-10-08
TW200306423A (en) 2003-11-16
US20070134824A1 (en) 2007-06-14
US7180312B2 (en) 2007-02-20
US20030184330A1 (en) 2003-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7616015B2 (en) Wafer type probe card, method for fabricating the same, and semiconductor test apparatus having the same
JP2001091543A (ja) 半導体検査装置
JP4343256B1 (ja) 半導体装置の製造方法
US20070134824A1 (en) Probe card and method for manufacturing probe card
JP2006322876A (ja) 半導体装置の検査プローブ及び半導体装置の検査プローブの製造方法
JP2004144742A (ja) プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
TW201303309A (zh) 探針卡及其製作方法
JP2003100820A (ja) プローブカード用基板
JP2001272435A (ja) 半導体チップの電気特性測定用ソケット、及び半導体装置の電気特性評価方法
US6972583B2 (en) Method for testing electrical characteristics of bumps
JP2001118994A (ja) 半導体装置
JP2010225678A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4877465B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ
JP2004361249A (ja) 基板検査装置
JP2000321303A (ja) プローブカード及びコンタクタ
KR100821674B1 (ko) 프로브 어셈블리
US20230408547A1 (en) Probe-card multilayer wiring substrate and probe card
JP2004245671A (ja) プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法
JP2002176082A (ja) 半導体検査装置およびそれを用いた半導体装置の検査方法および半導体装置の製造方法
JPH1117057A (ja) 検査パッド付きｂｇａ型半導体装置
JP4492976B2 (ja) 半導体装置
JP3128200B2 (ja) 電子回路基板の検査方法
JPH11121553A (ja) ウェハ一括型測定検査のためプローブカードおよびそのプローブカードを用いた半導体装置の検査方法
JPH0545398A (ja) 回路基板の試験方法
JPS631097A (ja) 電子部品搭載基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070227

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080408