JPH1123615A - 接続装置および検査システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体素子等の被検査対象物の高密度化に対応
可能にした接続装置および検査システムを提供するこ
と。 【解決手段】支持部材４０と、先端を尖らせた接触端子
４７をプロービング側の領域部４４ａに複数並設し、該
各接触端子に電気的につながって引き出される複数の引
き出し用配線４８と絶縁層６６を挾んでグランド層４９
とを有する多層フィルム４４と、多層フィルムにおける
裏側に固定された枠４５と、押さえ部材４３と、各接触
端子の先端を各電極に接触させるための接触圧を前記支
持部材から前記押さえ部材に対して付与する接触圧付与
手段４２と、前記接触端子群の先端面を前記電極群の面
に接触させる際、接触端子群の先端面が電極群の面に倣
って平行出しするコンプライアンス機構４３ｃ、４１
ａ、４１とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対接する電極に接
触した接触端子を通して電極に電気信号を伝送して半導
体素子等の被検査対象物の良否判定を実施する接続装置
および検査システムに関し、特に、半導体素子等の被検
査対象物の狭ピッチ多ピンの電極に対して、半導体素子
等の被検査対象物の損傷を防止した接続装置および検査
システムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ウエハレベルにおけるＶＬＳＩ等の半導
体素子の電気的特性検査を可能とする従来の薄型のプロ
ーブカードとしては、１９８８年度のInternational Te
st Conference（インターナショナル テスト コンフ
ァレンス）の講演論文集(メンブレン プローブ カー
ド テクノロジィ：MEMBRANE PROBE CARD TECHNOLOGY）
の６０１頁から６０７頁に記載された技術（従来技術
１）が知られている。この従来技術１に記載された導体
検査用のプローブは、フレキシブルな誘電体膜の上面に
リソグラフ技術で配線を形成し、被検査対象物の半導体
素子の電極に対応する位置に設けた誘電体膜のスルーホ
ールにめっきにより、半球状のバンプを形成したものを
接触端子として用いるものである。この従来技術１は、
誘電体膜の表面に形成した配線および配線基板を通じて
検査回路に接続されているバンプを、板ばねによって、
検査対象の半導体素子の電極にバンプをこすって接触
し、信号の授受を行って検査する方法である。

【０００３】また従来のプローブ装置としては、特開平
２−１６３６６４号公報（従来技術２）、特開平５−２
４３３４４号公報（従来技術３）、特開平８−８３８２
４号公報（従来技術４）、特開平８−２２０１３８号公
報（従来技術５）、特開平７−２８３２８０号公報（従
来技術６）において知られている。従来技術１および２
および３および４および５には、支持手段に並進手段
（上部伝達段に設けられた枢軸を下部伝達段で受けるよ
うに構成する。）をばねで結合し、平坦な膜プローブと
実質的に平坦な被試験デバイスとの間の実質的な共平面
整列を生起せしめる自動補償機能付きプローブ装置が記
載されている。また従来技術２および３および４および
５には、下部伝達段とメンブレンとの間に緩衝層を備え
ていることが記載されている。

【０００４】また従来技術５には、さらに金属突起を形
成した薄膜の導体パターンの裏面側に金属導体層を設け
て接地することによって、マイクロストリップライン構
造としてインピーダンス整合及び低インダクタンス化を
図ることが記載されている。また従来技術６には、結晶
性の型材を異方性エッチングして得られる先端が尖った
形状の接触端子を、引き出し配線を形成した絶縁フィル
ム上に該引き出し配線と接続して植設し、この絶縁フィ
ルムを、配線基板に対して、緩衝層および基板となるシ
リコンウエハを挟みこんで一体として構成したプロービ
ング装置が記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術１に記載
されているように、平坦あるいは半球状のバンプを形成
したプローブにおいて、接点（突起状電極）を、アルミ
ニウム電極やはんだ電極などの材料表面に酸化物が生成
された被接触材料に対して擦りつけること（スクライブ
動作）により、電極材料表面の酸化物を擦り取り、その
下面の金属導体材料に接触させて良好な接触を確保する
ものである。この結果、電極を接点でスクライブするこ
とにより、電極材料のクズが生じ、配線間のショートお
よび異物発生の原因となり、また、電極にプローブを数
百ｍＮ以上の荷重をかけながら擦りつけて接触を確保す
ることにより、電極に損傷を与えることが多いという課
題を有していた。

【０００６】また従来技術２〜５においては、接点の群
を被検査対象物上の電極群の面に倣って平行出しする機
能は付いているが、板ばねの変位に基いて接触荷重を付
与する構成であるため、荷重均等の点から板ばねを大き
く変位させて接触時における荷重を１ピン当たり数百ｍ
Ｎ以上にする必要が生じ、その結果被検査対象物におけ
る電極およびその直下の能動素子や配線に損傷を与える
おそれが生じるという課題を有していた。また従来技術
６においては、緩衝層のみで接触対象の接触端子および
電極の高さばらつきを吸収したり、プロービング時に被
検査対象物を載置した試料台の駆動系から接触端子が受
ける衝撃力を吸収することが困難で、半導体素子等の被
検査対象物へ損傷を与える恐れがあった。以上説明した
ように、何れの従来技術においても、半導体素子等の被
検査対象物の高密度化に伴う狭ピッチ多ピンへのプロー
ビングを、被検査対象物を損傷させることなく、低荷重
で安定して実現しようとする点について、十分考慮され
ていなかった。

【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
半導体素子等の被検査対象物の高密度化に対応可能な狭
ピッチ多ピンへのプロービングを、被検査対象物を損傷
させることなく、低荷重で安定して実現し、しかも高速
電気信号、即ち高周波電気信号の伝送を可能にした接続
装置および検査システムを提供することにある。また本
発明の他の目的は、尖った先端を有する接触端子を被検
査対象物上の電極に、低荷重で、単に押しつけることに
よって、電極材料等のクズを発生させることなく、低抵
抗で安定した接続を実現した接続装置および検査システ
ムを提供することにある。また本発明の他の目的は、尖
った先端を有する接触端子と、引き出し用配線とを別々
に形成して、両者を接続して接触端子付きの引き出し用
配線を形成することにより、製造時の歩留りを向上し、
製造期間を短縮した安価な接続装置および検査システム
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体素子等の被検査対象物上に配列さ
れた電極と電気的に接触して電気信号の授受を行うため
の接続装置において、前記接続装置を支持する支持部材
と、先端を尖らせた接触端子をプロービング側の領域部
に複数並設し、該各接触端子に電気的につながって周辺
部に引き出される複数の引き出し用配線と該複数の引き
出し用配線に対向するように絶縁層を挾んでグランド層
とを有する多層フィルムと、該多層フィルムにおける前
記領域部の弛みをなくすようにして多層フィルムを取り
付ける押さえ部材と、前記各接触端子の先端を各電極に
接触させるための接触圧を前記支持部材から前記押さえ
部材に対して付与するスプリングプローブ等の接触圧付
与手段とを備えたことを特徴とする接続装置である。ま
た本発明は、半導体素子等の被検査対象物上に配列され
た電極と電気的に接触して電気信号の授受を行うための
接続装置において、前記接続装置を支持する支持部材
と、先端を尖らせた接触端子をプロービング側の領域部
に複数並設し、該各接触端子に電気的につながって周辺
部に引き出される複数の引き出し用配線と該複数の引き
出し用配線に対向するように絶縁層を挾んでグランド層
とを有する多層フィルムと、該多層フィルムにおける前
記領域部の弛みをなくすようにして多層フィルムを取り
付ける押さえ部材と、前記各接触端子の先端を各電極に
接触させるための接触圧を前記支持部材から前記押さえ
部材に対して付与するスプリングプローブ等の接触圧付
与手段と、前記接触端子群の先端面を前記電極群の面に
接触させる際、接触端子群の先端面が電極群の面に倣っ
て平行出しされるように前記押さえ部材を前記支持部材
に対して係合させるコンプライアンス機構とを備えたこ
とを特徴とする接続装置である。

【０００９】また本発明は、半導体素子等の被検査対象
物上に配列された電極と電気的に接触して電気信号の授
受を行うための接続装置において、前記接続装置を支持
する支持部材と、先端を尖らせた接触端子をプロービン
グ側の領域部に複数並設し、該各接触端子に電気的につ
ながって周辺部に引き出される複数の引き出し用配線と
該複数の引き出し用配線に対向するように絶縁層を挾ん
でグランド層とを有する多層フィルムと、該多層フィル
ムにおけるプロービング側と反対の裏側に前記領域部を
囲むように固定された枠と、前記多層フィルムにおける
前記領域部の弛みをなくすように該領域部を張り出させ
る部分を有して前記枠を取付ける押さえ部材と、前記各
接触端子の先端を各電極に接触させるための接触圧を前
記支持部材から前記押さえ部材に対して付与するスプリ
ングプローブ等の接触圧付与手段と、前記接触端子群の
先端面を前記電極群の面に接触させる際、接触端子群の
先端面が電極群の面に倣って平行出しされるように前記
押さえ部材を前記支持部材に対して係合させるコンプラ
イアンス機構とを備えたことを特徴とする接続装置であ
る。

【００１０】また本発明は、前記接続装置において、多
層フィルムの領域部の裏面と押さえ部材との間に緩衝層
を備えたことを特徴とする。また本発明は、前記接続装
置における多層フィルムにおいて、引き出し用配線と接
触端子との間をはんだ等の金属あるいは金属の熱拡散あ
るいは異方性導電シートにより接続したことを特徴とす
る。また本発明は、前記接続装置における多層フィルム
において、引き出し用配線と接触端子に形成した接続用
配線との間をはんだ等の金属あるいは金属の熱拡散ある
いは異方性導電シートにより接続したことを特徴とす
る。また本発明は、前記接続装置において、支持部材の
プロービング側を配線基板に設置し、該配線基板に形成
された電極と多層フィルムの周辺部に引き出された引き
出し配線とを電気的に接続して構成したことを特徴とす
る。

【００１１】また本発明は、被検査対象物を載置して支
持する試料支持系を設け、支持部材と、先端を尖らせた
接触端子をプロービング側の領域部に複数並設し、該各
接触端子に電気的につながって周辺部に引き出される複
数の引き出し用配線と該複数の引き出し用配線に対向す
るように絶縁層を挾んでグランド層とを有する多層フィ
ルムと、該多層フィルムにおける前記領域部の弛みをな
くすようにして多層フィルムを取り付ける押さえ部材
と、前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための
接触圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与
する接触圧付与手段とを有する接続装置を設置し、該接
続装置の多層フィルムの周辺部に引き出された引き出し
用配線と電気的に接続されたテスタを設け、前記接続装
置の多層フィルムに並設された接触端子の群と被検査対
象物に配列された電極の群とを位置合わせする位置合わ
せ手段を設け、該位置合わせ手段で位置合わせされた接
触端子の群と電極の群とを接触させて前記テスタから被
検査対象物に対して電気信号を授受して検査を行うよう
に構成したことを特徴とする検査システムである。

【００１２】また本発明は、被検査対象物を載置して支
持する試料支持系を設け、支持部材と、先端を尖らせた
接触端子をはんだ等の金属あるいは金属の熱拡散あるい
は異方性導電シートを介して電気的に接続してプロービ
ング側の領域部に複数並設し、該各接触端子に前記はん
だ等の金属あるいは金属の熱拡散あるいは異方性導電シ
ートを介して電気的につながって周辺部に引き出される
複数の引き出し用配線と該複数の引き出し用配線に対向
するように絶縁層を挾んでグランド層とを有する多層フ
ィルムと、該多層フィルムにおける前記領域部の弛みを
なくすようにして多層フィルムを取り付ける押さえ部材
と、前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための
接触圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与
する接触圧付与手段とを有する接続装置を設置し、該接
続装置の多層フィルムの周辺部に引き出された引き出し
用配線と電気的に接続されたテスタを設け、前記接続装
置の多層フィルムに並設された接触端子の群と被検査対
象物に配列された電極の群とを位置合わせする位置合わ
せ手段を設け、該位置合わせ手段で位置合わせされた接
触端子の群と電極の群とを接触させて前記テスタから被
検査対象物に対して電気信号を授受して検査を行うよう
に構成したことを特徴とする検査システムである。

【００１３】また本発明は、被検査対象物を載置して支
持する試料支持系を設け、支持部材と、先端を尖らせた
接触端子をプロービング側の領域部に複数並設し、該各
接触端子に電気的につながって周辺部に引き出される複
数の引き出し用配線と該複数の引き出し用配線に対向す
るように絶縁層を挾んでグランド層とを有する多層フィ
ルムと、該多層フィルムにおける前記領域部の弛みをな
くすようにして多層フィルムを取り付ける押さえ部材
と、前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための
接触圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与
する接触圧付与手段とを有する接続装置を設置し、該接
続装置の多層フィルムの周辺部に引き出された引き出し
用配線と電気的に接続されたテスタを設け、前記接続装
置の多層フィルムに並設された接触端子の群と被検査対
象物に配列された電極の群とを位置合わせする位置合わ
せ手段を設け、前記試料支持系を所望の高さまで上昇さ
せて前記位置合わせ手段で位置合わせされた接触端子の
群と電極の群とを接触させて前記テスタから被検査対象
物に対して電気信号を授受して検査を行うように構成し
たことを特徴とする検査システムである。

【００１４】以上説明したように、前記構成によれば、
半導体素子の高密度化に伴う狭ピッチ多ピンへのプロー
ビングを、被検査対象物を損傷させることなく、低荷重
で安定して実現し、しかも高速電気信号、即ち高周波電
気信号（１００ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）
の伝送を可能にすることができる。また前記構成によれ
ば、多層フィルムにおける尖った先端を有する接触端子
を並設した領域部の弛みをなくすと共に平行出しするコ
ンプライアンス機構を設けることによって、尖った先端
を有する接触端子の群を被検査対象物上の電極の群に、
１ピン当たり低荷重（３〜５０ｍＮ程度）で、単に押し
つけることによって、電極材料等のクズを発生させるこ
となく、０．０５Ω〜０．１Ω程度の低抵抗で安定した
接続を実現することができる。

【００１５】また前記構成によれば、ウエハの状態にお
いて、多数並設された半導体素子（チップ）の内、１個
または多数個の半導体素子について同時に、小さな接触
圧（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で表面に酸化物が
形成されたＡｌまたははんだ等の電極３と０．０５Ω〜
０．１Ω程度の安定した低抵抗値で確実に接続させて、
テスタにより各半導体素子について動作試験を行うこと
ができる。即ち、前記構成によれば、電極の高密度化お
よび狭ピッチ化に対応でき、しかも多数個チップ同時プ
ロービングによる検査を可能にし、高速電気信号（１０
０ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）による動作試
験を可能にすることができる。また、前記構成によれ
ば、接触端子と引き出し用配線とを別々に形成して、両
者を接続して接触端子付きの引き出し用配線を形成する
ことにより、製造時の歩留りを向上し、製造期間を短縮
した安価な接続装置および検査システムを実現すること
ができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の半導体素子製造方法に係
る接続装置および検査装置の実施の形態について図を用
いて説明する。被検査対象であるＬＳＩ用の半導体素子
（チップ）２は、図１に示すようにウエハ１に多数並設
されて形成され、その後切り離されて使用に供される。
図１（ａ）はＬＳＩ用の半導体素子（チップ）２が多数
並設されたウエハ１を示す斜視図であり、図１（ｂ）は
１個の半導体素子（チップ）２を拡大して示した斜視図
である。半導体素子（チップ）２の表面には、周辺に沿
って多数の電極３が配列されている。ところで、半導体
素子は高集積化に伴って上記電極３が高密度化および狭
ピッチ化が更に進む状況にある。電極の狭ピッチ化とし
ては、０．２ｍｍ程度以下で、例えば、０．１３ｍｍ、
０．１ｍｍ、それ以下となってきており、電極の高密度
化としては、周辺に沿って、１列から２列へ、更に全面
に配列される傾向となってきている。

【００１７】本発明に係る接続装置（プロービング装
置）は、ウエハの状態において、多数並設された半導体
素子（チップ）の内、１個または多数個の半導体素子に
ついて同時に、小さな接触圧（１ピン当たり３〜５０ｍ
Ｎ程度）で表面に酸化物が形成されたＡｌまたははんだ
等の電極３と０．０５Ω〜０．１Ω程度の安定した低抵
抗値で確実に接続させて、テスタにより各半導体素子に
ついて動作試験を行うものである。即ち、本発明に係る
接続装置（プロービング装置）は、上記電極の高密度化
および狭ピッチ化に対応でき、しかも多数個チップ同時
プロービングによる検査を可能にし、高速電気信号（１
００ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）による動作
試験を可能にするものである。

【００１８】図２は、本発明に係る接続装置の第１の実
施の形態の要部を示す図である。本接続装置の第１の実
施の形態は、支持部材（上部固定板）４０と、それに固
定され、下部に球面４１ａを有する支持軸であるセンタ
ーピボット４１並びに該センターピボット４１を中心に
左右および前後に対称に設置され、上下の変位に対して
常に一定の押付け力を付与する押付け力付与手段である
スプリングプローブ４２と、上記センターピボット４１
に対してテーパ（傾き）４３ｃにより傾動可能に保持さ
れながら上記スプリングプローブ４２により低荷重（１
ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）の押付け力が付与される
（押圧される）押さえ部材（押さえ板）４３と、多層フ
ィルム４４と、該多層フィルム４４に固着した枠４５
と、該多層フィルム４４と押さえ部材４３の間に設けら
れた緩衝層４６と、多層フィルム４４上に設けられた接
触端子４７と、多層フィルム４４に設けられ、該接触端
子４７から引出された引き出し用配線４８と、多層フィ
ルム４４に設けられたグランド層４９とを有する。上記
押さえ部材４３に対する押付け力をスプリングプローブ
４２で付与するように構成したのは、スプリングプロー
ブ４２の先端の変位に対してほぼ一定の低荷重の押付け
力が得られるようにしたためであり、必ずしもスプリン
グプローブ４２を用いる必要はない。支持部材（上部固
定板）４０は、配線基板５０に搭載される。多層フィル
ム４４は、その周縁部が枠４５より外側に延長するよう
に形成され、この延長部を、枠４５の外側で滑らかに折
り曲げて配線基板５０上に固定する。その際、引き出し
用配線４８は、配線基板５０に設けられている電極５０
ａに電気的に接続される。この接続は、例えば、配線基
板５０の電極５０ａと接続するために、多層フィルム４
４に、金属めっきで充填されたビア５１を設けて、ビア
５１と電極５０ａを直接圧力をかけて接触させるか、異
方性導電シート５２あるいは、はんだなどを用いて接続
する。

【００１９】配線基板５０は、例えば、ポリイミド樹
脂、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂材からなり、内部配線
５０ｂおよび接続端子５０ｃを有している。前記電極５
０ａは、例えば、内部配線５０ｂの一部に接続されるビ
ア５０ｄで構成される。配線基板５０と多層フィルム４
４とは、例えば、多層フィルム４４を、多層フィルム押
さえ部材５３と配線基板５０に挟み込んでねじ５４等を
用いて固定される。多層フィルム４４は、可撓性があ
り、好ましくは、耐熱性がある樹脂を主体に形成する。
本実施例では、ポリイミド樹脂が用いられる。緩衝層４
６としては、エラストマ（ゴム状弾性を有する高分子材
料）等の弾性を有する物質で構成される。具体的には、
シリコンゴム等が用いられる。また緩衝層４６として
は、押さえ部材４３を枠４５に対して移動可能にシール
してこのシールされた空間に気体を供給するように構成
しても良い。

【００２０】また、接触端子４７の先端の高さの平坦性
が確保できれば、緩衝層４６を省略した構成にしてもよ
い。また接触端子４７、引き出し用配線４８およびグラ
ンド層４９は、導電性材料で構成される。これらの詳細
については、後述する。また、図２では、接触端子４７
および引き出し用配線４８は、説明の簡単のため、２の
接触端子分のみ示すが、もちろん、実際には、後述する
ように複数個が配置される。

【００２１】まず、本発明に係る接続装置（プロービン
グ装置）は、ウエハの状態において、多数並設された半
導体素子（チップ）の内、１個または多数個の半導体素
子について同時に、且つ低荷重（１ピン当たり３〜５０
ｍＮ程度）で表面に酸化物が形成されたＡｌまたははん
だ等の電極３と０．０５Ω〜０．１Ω程度の安定した低
抵抗値で確実に接続させることにある。これによって、
従来技術のようにスクライブ動作をさせる必要がなく、
スクライブ動作による電極材料のくずを発生を防止する
ことができる。即ち、多層フィルム４４において、電極
３の配列に対応するように並設された接触端子４７の先
端を尖せると共に、枠４５で支持された周辺部４４ｂに
対して、この周辺部４４ｂ内の上記接触端子４７を並設
した領域部４４ａを、押さえ部材４３の下側に形成され
た突出部４３ａにおける高精度の平坦度が確保された下
面４３ｂに倣って緩衝層４６を挾んで張り出させて多層
フィルム自身の弛みをなくし、この張り出された領域部
４４ａに並設された接触端子４７の尖った先端を、Ａｌ
またははんだ等の電極（被接触材）３に垂直に低荷重
（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）でプロービングする
ことによって、電極（被接触材）３の表面に形成された
酸化物を容易につき破ってその下面の電極の金属導体材
料に接触させて０．０５Ω〜０．１Ω程度の安定した低
抵抗値で良好な接触を確保することができる。特に、枠
４５で支持された周辺部４４ｂに対して、この周辺部４
４ｂ内の多数の接触端子４７を並設した領域部４４ａ
を、押さえ部材４３の下側に形成された突出部４３ａに
おける高精度の平坦度が確保された下面４３ｂに倣って
緩衝層４６を挾んで張り出させることによって多層フィ
ルム自身の弛みをなくして、多数の接触端子４７の先端
の平坦度を突出部４３ａの下面４３ｂの平坦度に合わせ
て高精度を確保することにある。なお、領域部４４ａに
おける張り出し量は、押さえ部材（押さえ板）４３にセ
ンターピボット４１を中心に左右および前後に締着され
て調整可能なねじ５７の押さえ部材４３の下面からの突
出し量によって定まることになる。即ち、押さえ部材４
３に突出し量を定めて取り付けられたねじ５７の下端
が、多層フィルム４４における領域部４４ａの周辺部４
４ｂを接着固定した枠４５の上面に接触するまで、セン
ターピボット４１を中心に左右および前後に設けられて
押さえ部材に形成された穴に挿入されたねじ５６を枠４
５に対して締め付けることによって押さえ部材４３の突
出部４３ａを下降させて緩衝層４６を介して多数の接触
端子４７が並設された領域部４４ａを張り出すことによ
って多層フィルム自身のたるみがなくなることになる。
これによって、多数の接触端子４７に亘った接触端子の
尖った先端の平坦度を±２μｍ程度以下の高精度に確保
することができる。

【００２２】また１個または多数個の半導体素子につい
ての電極（被接触材）３の面（被接触材面）３ａと該電
極に対応する多数の接触端子４７との平行出しを、図３
に少し誇張して示すように、押さえ部材（押さえ板）４
３をセンターピボット４１で傾動可能に支持すると共に
センターピボット４１を中心に左右および前後に対称に
設置されたスプリングプローブ４２によって押さえ部材
４３の上下の変位に対して常に一定の押付け力を付与す
ることによって実現することにある。即ち、センターピ
ボット（押さえ部材支持軸）４１と押さえ部材４３との
間の係り合いの関係および対称に設置されたスプリング
プローブ４２によって１ピン当たり低荷重のコンプライ
アンス機構が形成され、このコンプライアンス機構によ
って多数の接触端子４７の先端が１個または多数個の半
導体素子についての電極（被接触材）３の面（被接触材
面）３ａに追従して倣って平行出しが行われる。センタ
ーピボット（押さえ部材支持軸）４１は、図２に示すよ
うに、押さえ部材４３の中心に位置し、押さえ部材４３
の上部に取り付けられたテーパ（傾き）４３ｃとセンタ
ーピボットの下部球面４１ａとの傾動可能な接触状態を
利用して、初期状態ではスプリングプローブ４２による
押付け力のバランスによって初期に規定した一定位置に
位置付けする。次に、センターピボット（押さえ部材支
持軸）４１と押さえ部材４３との間およびスプリングプ
ローブ４２によってコンプライアンス機構が形成されて
いるため、図３に示すように、接触端子４７の尖った先
端を被接触材（電極）３に接触し始めた時点で、センタ
ーピボット４１の軸を中心軸として、押さえ部材のテー
パ（傾き）４３ｃがセンターピボットの下部球面４１ａ
の一部を擦り、その後センターピボットの下部球面４１
ａと押さえ部材のテーパ（傾き）４３ｃとが離れ、押さ
え部材４３が自由に被接触材（電極）３の全体の面３ａ
に追従するように倣って傾動され、多数の接触端子の尖
った先端を結んだ面と被接触材（電極）３の全体の面３
ａとの間において平行出しが行われると共に個々の接触
端子の先端の高さの±２μｍ程度以下のバラツキを緩衝
層４６の局部的な変形によって吸収して半導体ウエハ１
上に配列された各被接触材（電極）３の高さの±０．５
μｍ程度のバラツキに倣って均一な食い込みによる接触
が行われ、低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で
均一なプロービングを実現することができる。

【００２３】以上説明したように、多層フィルム４４に
おける接触端子４７を並設した領域部４４ａについての
押さえ部材４３の突出部４３ａによる緩衝層４６を介し
ての張り出しと、押さえ部材４３をセンターピボット４
１に対して傾動可能に支持することによって多数の接触
端子の尖った先端を結んだ面と被接触材（電極）３の全
体の面３ａとの間において平行出しとを行うことによっ
て、多数個チップ同時に、且つ低荷重（１ピン当たり３
〜５０ｍＮ程度）で均一なプロービングを０．０５Ω〜
０．１Ω程度の安定した低抵抗値で実現することができ
る。当然、１チップにおいても、同様なプロービングを
実現することができる。また、多層フィルム４４におい
て、図４に示す如く、各接触端子４７につながった引き
出し用配線４８に対して絶縁膜６６（７４）を挾んで対
向するグランド層４９を設置し、絶縁膜６６（７４）の
誘電率εrおよび厚さ（引き出し用配線４８とグランド
層４９との間の間隙）ｈ並びに引き出し用配線４８の幅
ｗを適切な値にして、引き出し用配線４８のインピーダ
ンスＺ0を５０ｏｈｍ程度にすることによってテスタの
回路とのマッチングをとることが可能となり、その結果
引き出し用配線４８を伝送する電気信号の乱れ、減衰を
防止して、半導体素子に対してテスタによる高周波数
（１００ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度）まで対応できる高
速電気信号による電気特性検査を実現することが可能と
なる。

【００２４】以上説明したように、多層フィルム４４に
おいて、各接触端子４７につながった引き出し用配線４
８に対して絶縁膜６６（７４）を挾んで対向するグラン
ド層４９を設置してインピーダンスをテスタの回路との
マッチングがとれる５０ｏｈｍ程度にすることができ、
それ以外のプローブ（接触端子）の長さを接触端子部分
（０．０５〜０．５ｍｍ程度）４７のみとなり、によっ
てテスタの回路とのマッチングをとることが可能とな
り、高速電気信号の乱れを少なくして、半導体素子に対
する高速電気信号による電気特性検査を実現することが
可能となる。図５は、本発明に係る接続装置の第２の実
施の形態の要部を示す図である。本接続装置の第２の実
施の形態は、多層フィルム４４の端を配線基板５０の下
面に位置させて引き出し用配線４８の端に上側に出るよ
うに金属めっきで充填して接続したビア５１と配線基板
５０の下側に形成された電極５０ａとを直接圧力をかけ
て接触させるか、異方性導電シート５２あるいは、はん
だなどを用いて接続する。即ち、本第２の実施の形態で
は、多層フィルム４４における引き出し用配線４８の端
をビア５１によって上面に形成し、配線基板５０の下面
に設けられた電極５０ａと接続する。これ以外の構成
は、図２に示す第１の実施の形態と同様である。

【００２５】図６は、本発明に係る接続装置の第３の実
施の形態の要部を示す図である。本接続装置の第３の実
施の形態は、図２で用いるセンターピボット４１に変え
て、押さえ部材４３をノックピン５５を介して僅か傾動
可能に保持する構成した。即ち、押さえ部材４３の中心
を対称にして左右および前後に設けられた４本のノック
ピン５５を、支持部材４０に形成された上方に拡がった
テーパ穴５８に挿入して押さえ部材４３に締着する。こ
れ以外の構成は、図２に示す第１の実施の形態と同様で
ある。即ち、１個または多数個の半導体素子についての
電極（被接触材）３の面（被接触材面）３ａと該電極に
対応する多数の接触端子４７との平行出しを、図７に少
し誇張して示すように、押さえ部材４３に取り付けられ
た各ノックピン５５を支持部材４０に形成された上方に
拡がったテーパ穴５８の下部に傾動可能に支持すると共
に押さえ部材４３の中心に対して左右および前後に対称
に設置されたスプリングプローブ４２によって押さえ部
材４３の上下の変位に対して常に一定の低荷重（１ピン
当たり３〜５０ｍＮ程度）の押付け力を付与することに
よって実現することにある。即ち、押さえ部材４３に取
り付けられた各ノックピン５５と支持部材（上部固定
板）４０に形成された上方に拡がったテーパ穴５８との
間の係りあいの関係および対称に設置されたスプリング
プローブ４２によって１ピン当たり低荷重のコンプライ
アンス機構が形成され、このコンプライアンス機構によ
って多数の接触端子４７の先端が１個または多数個の半
導体素子についての電極（被接触材）３の面（被接触材
面）３ａに追従して倣って平行出しが行われる。まず、
図６に示す如く、スプリングプローブ４２による押さえ
部材４３への押付け力によって押さえ部材４３に取り付
けられた各ノックピン５５の頭が支持部材４０の上面に
当接した状態で位置付けされる。次に、押さえ部材４３
に取り付けられた各ノックピン５５と支持部材４０に形
成されたテーパ穴５８との間およびスプリングプローブ
４２によってコンプライアンス機構が形成されているた
め、図７に示すように、各スプリングプローブ４２によ
る押さえ部材４３への均等な押付け力によって各ノック
ピン５５がテーパ穴５８を滑ったり、傾動することによ
って押さえ部材４３が自由に被接触材（電極）３の全体
の面３ａに追従するように倣って傾動され、多数の接触
端子の尖った先端を結んだ面と被接触材（電極）３の全
体の面３ａとの間において平行出しが行われると共に個
々の接触端子の先端の高さの±２μｍ程度以下のバラツ
キを緩衝層４６の局部的な変形によって吸収して半導体
ウエハ１上に配列された各被接触材（電極）３の高さの
±０．５μｍ程度のバラツキに倣って均一な食い込みに
よる接触が行われ、低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ
程度）で均一なプロービングを実現することができる。

【００２６】図８は、本発明に係る接続装置の第４の実
施の形態の要部を示す図である。本接続装置の第４の実
施の形態は、多層フィルム４４の端を配線基板５０の下
面に位置させて引き出し用配線４８の端に上側に出るよ
うに金属めっきで充填して接続したビア５１と配線基板
５０の下側に形成された電極５０ａとを直接圧力をかけ
て接触させるか、異方性導電シート５２あるいは、はん
だなどを用いて接続する。即ち、本第４の実施の形態で
は、多層フィルム４４における引き出し用配線４８の端
をビア５１によって上面に形成し、配線基板５０の下面
に設けられた電極５０ａと接続する。これ以外の構成
は、図６に示す第３の実施の形態と同様である。図９
は、本発明に係る接続装置の第５の実施の形態の要部を
示す図である。本接続装置の第５の実施の形態は、多層
フィルム４４における接触端子４７と引き出し用配線４
８とを接続する構成部分が異なる他は、上記図２、図
５、図６および図８に示す接続装置の実施の形態と同様
に構成される。すなわち、本第５の実施の形態では、図
９に示すように、被検査対象の電極３が配列された領域
のみに対応するようにポリイミド膜６１を設け、該ポリ
イミド膜６１に電極３に対応するように多数の接触端子
４７を並設し、各接触端子４７に接続してポリイミド膜
６１上に形成した電極６２を、引き出し用配線４８を形
成したポリイミド膜６５の電極６９に異方性導電シート
７０を介して接続させ、ポリイミド膜６５、異方性導電
シート７０およびポリイミド膜６１を接合一体化するこ
とによって、接続端子４７を形成した多層フィルム４４
を構成する。なお、この多層フィルム４４として、例え
ば、ポリイミド膜６５、引き出し用配線４８、中間ポリ
イミド膜６６、グランド層４９およびポリイミド保護膜
６８からなる配線用フィルムをあらかじめ形成すればよ
い。

【００２７】図１０は、本発明に係る接続装置の第６の
実施の形態の要部を示す図である。本接続装置の第６の
実施の形態は、多層フィルム４４における接触端子４７
と引き出し用配線４８とを接続する構成部分が異なる他
は、上記図２、図５、図６および図８に示す接続装置の
実施の形態と同様に構成される。すなわち、本第６の実
施の形態では、図１０に示すように、被検査対象の接触
端子４７を、引き出し用配線４８を形成したポリイミド
膜６５の電極６９に異方性導電性シート７０を介して接
続させることにより、接続端子４７を形成した多層フィ
ルム４４を構成する。なお、この多層フィルム４４とし
て、例えば、ポリイミド膜６５、引き出し用配線４８、
中間ポリイミド膜６６、グランド層４９およびポリイミ
ド保護膜６８からなる配線用フィルムをあらかじめ形成
すればよい。

【００２８】図１９（ａ）は、本発明に係る接続装置の
第７の実施の形態の要部を示す図である。本接続装置の
第７の実施の形態は、多層フィルム４４における接触端
子４７と引き出し用配線４８とを接続する構成部分が異
なる他は、上記図２、図５、図６および図８に示す接続
装置の実施の形態と同様に構成される。すなわち、本第
７の実施の形態では、図１９（ａ）に示すように、被検
査対象の電極３に対応するように、図１７（ｂ）で後述
するシリコンウエハの型材８０に多数の接触端子４７を
並設し、各接触端子４７と一体形成した電極２００を、
引き出し用配線４８を形成したポリイミド膜６５の電極
６９にはんだ２０１を介して接続させ、ポリイミド膜６
５、はんだ２０１および電極２００を接合一体化するこ
とによって、接続端子４７を形成した多層フィルム４４
を構成する。なお、この多層フィルム４４として、例え
ば、ポリイミド膜６５、引き出し用配線４８、中間ポリ
イミド膜６６、グランド層４９およびポリイミド保護膜
６８からなる配線用フィルムをあらかじめ形成すればよ
い。また、接触端子４７と一体形成した電極２００とポ
リイミド膜６５の電極６９を樹脂２０２で覆って、保護
膜として形成する。樹脂２０２としては、例えば、エポ
キシ系あるいはアクリル系の熱硬化性樹脂あるいは熱可
塑性樹脂を使用する。前記保護膜用の樹脂２０２の形成
方法は、例えば、ポリイミド膜６５の電極６９と接続端
子４７の電極２００をはんだ接合した後、ポリイミド膜
６５とシリコンウエハの型材８０との間隙に樹脂２０２
をディスペンサで注入した後、加熱硬化することにより
形成するか、あるいは、はんだ２０１を形成した多層フ
ィルム４４と、接続端子４７を形成したシリコンウエハ
の型材８０との間に樹脂２０２を挟み込んで加圧加熱し
て、電極６９と電極２００の間をはんだ２０１で接続す
ることにより樹脂２０２の層を形成すればよい。はんだ
としては、例えば、錫鉛の共晶はんだあるいは錫銀のは
んだを用いる。なお、樹脂２０２を省略することも可能
である。

【００２９】図１９（ｂ）は、本発明に係る接続装置の
第８の実施の形態の要部を示す図である。本接続装置の
第８の実施の形態は、多層フィルム４４における接触端
子４７と引き出し用配線４８とを接続する構成部分が異
なる他は、上記図２、図５、図６および図８に示す接続
装置の実施の形態と同様に構成される。すなわち、本第
８の実施の形態では、図１９（ｂ）に示すように、被検
査対象の接触端子４７を、引き出し用配線４８を形成し
たポリイミド膜６５の電極６９にはんだ２０１を介して
接続させることにより、接続端子４７を形成した多層フ
ィルム４４を構成する。なお、この多層フィルム４４と
して、例えば、ポリイミド膜６５、引き出し用配線４
８、中間ポリイミド膜６６、グランド層４９およびポリ
イミド保護膜６８からなる配線用フィルムをあらかじめ
形成すればよい。また、接触端子４７とポリイミド膜６
５の電極６９を樹脂２０２で覆って、保護膜として形成
する。樹脂２０２としては、例えば、エポキシ系あるい
はアクリル系の熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を使
用する。はんだとしては、例えば、錫鉛の共晶はんだあ
るいは錫銀のはんだを用いる。なお、樹脂２０２を省略
することも可能である。

【００３０】図２０（ａ）は、本発明に係る接続装置の
第９の実施の形態の要部を示す図である。本接続装置の
第９の実施の形態は、多層フィルム４４における接触端
子４７と引き出し用配線４８とを接続する構成部分が異
なる他は、上記図２、図５、図６および図８に示す接続
装置の実施の形態と同様に構成される。すなわち、本第
９の実施の形態では、図２０（ａ）に示すように、被検
査対象の電極３に対応するように、図１７（ｂ）で後述
するシリコンウエハの型材８０に多数の接触端子４７を
並設し、各接触端子４７と一体形成した電極２００を、
引き出し用配線４８を形成したポリイミド膜６５に形成
したはんだビア電極２０３に接続させ、ポリイミド膜６
５、はんだビア電極２０３および電極２００を接合一体
化することによって、接続端子４７を形成した多層フィ
ルム４４を構成する。なお、この多層フィルム４４の構
成および保護膜用の樹脂２０２は、前記第７の実施の形
態と同様である。はんだビア電極２０３は、引き出し用
配線４８にはんだめっきを形成する。

【００３１】図２０（ｂ）は、本発明に係る接続装置の
第１０の実施の形態の要部を示す図である。本接続装置
の第１０の実施の形態は、多層フィルム４４における接
触端子４７と引き出し用配線４８とを接続する部分が、
接触端子４７の真上で接続することが異なる他は、図２
０（ａ）における第９の形態と同じであり、上記図２、
図５、図６および図８に示す接続装置の実施の形態と同
様に構成される。図２１（ａ）は、本発明に係る接続装
置の第１１の実施の形態の要部を示す図である。本接続
装置の第１１の実施の形態は、多層フィルム４４におけ
る接触端子４７と引き出し用配線４８とを接続する構成
部分が異なる他は、上記図２、図５、図６および図８に
示す接続装置の実施の形態と同様に構成される。すなわ
ち、本第１１の実施の形態では、図２１（ａ）に示すよ
うに、被検査対象の電極３に対応するように、図１７
（ｂ）で後述するシリコンウエハの型材８０に多数の接
触端子４７を並設し、各接触端子４７と一体形成した電
極２００の表面に形成した錫めっき２０４と、引き出し
用配線４８を形成したポリイミド膜６５の電極６９に形
成した金めっき２０５とを熱拡散し、錫金の合金を形成
することにより接続させ、ポリイミド膜６５、電極６９
および電極２００を接合一体化することによって、接続
端子４７を形成した多層フィルム４４を構成する。な
お、この多層フィルム４４として、例えば、ポリイミド
膜６５、引き出し用配線４８、中間ポリイミド膜６６、
グランド層４９およびポリイミド保護膜６８からなる配
線用フィルムをあらかじめ形成すればよい。

【００３２】なお、前記の錫めっき２０４を金めっきと
して、前記の金めっき２０５を錫めっきとして、互いに
材料を置き換えることにより、熱拡散により錫金の合金
を形成して接合してもよい。図２１（ｂ）は、本発明に
係る接続装置の第１２の実施の形態の要部を示す図であ
る。本接続装置の第１２の実施の形態は、多層フィルム
４４における接触端子４７と引き出し用配線４８とを接
続する部分が接触端子４７の真上で接続することが異な
る他は、図２１（ａ）における第１１の形態と同様であ
り、上記図２、図５、図６および図８に示す接続装置の
実施の形態と同様に構成される。上述した第１〜第１２
の実施の形態は、接触端子４７を、導電性材料で構成し
ている。そのため、この部分が多層フィルム（配線用フ
ィルム）４４よりも硬くなるため、測定対象物の電極に
当接させた際に、接触がより良好となる。

【００３３】これらの接続装置における接触端子の配置
および引き出し用配線の配線パターンは、被検査対象
物、例えば、半導体集積回路の電極パターンに対応して
種々構成される。図１１および図１２に、それらの第１
および第２の実施例を示す。図１１（ａ）は、本発明に
係る接続装置における接触端子の配置および引き出し用
配線の第１の実施例を示す平面図である。図１１（ｂ）
は、その配線が設けられている多層フィルムを折り曲げ
た状態を示す斜視図である。また、図１２（ａ）は、本
発明に係る接続装置における接触端子の配置および引き
出し用配線の他の例を示す平面図である。図１２（ｂ）
は、その配線が設けられている多層フィルム４４を折り
曲げた状態を示す斜視図である。なお、これらの図にお
いて、接触端子および引き出し配線は、図示および説明
の簡単のため、数を少なくし、また、密度を低くして表
示してある。実際には、さらに、多数の接触端子を設け
ることができ、また、高密度で配置できることはいうま
でもない。

【００３４】図１１（ａ）、（ｂ）、および図１２
（ａ）、（ｂ）に示すように、接続装置は、例えば、ポ
リイミド膜で構成される多層フィルム４４上に、被検査
対象の電極３に対応する位置に配置された接触端子４７
と、これらの接触端子４７に一端が接続され、他端が多
層フィルム４４の周縁部に設けられるビア５１まで引き
回される引き出し用配線４８とが設けられる。引き出し
用配線４８は、種々の態様で配線できる。例えば、各配
線を一方向に引き出して配線したり、放射状に配線した
りすることができる。具体的にいえば、図１２（ａ）お
よび（ｂ）に示す第１の実施例は、多層フィルム４４を
四角形状に形成し、四角形の各辺に設けられるビア５１
まで引き出し用配線４８が設けられる。また、図１１
（ａ）および（ｂ）に示す第２の実施例は、多層フィル
ム４４を長方形状に形成し、両端部にビア５１を配置し
てある。

【００３５】次に、まずこれらの接続装置を製造するた
めの方法についてその概要を説明する。検査装置本体へ
電気信号を伝送するための接続装置における配線の引き
出し方法として、例えば、被検査対象がウエハに形成さ
れたＬＳＩ表面の電極である場合は、次のように行う。
まず、図１１（ａ）または図１２（ａ）に示したよう
に、該ＬＳＩ形成ウエハの領域１０１よりもひと回り大
きなシリコンウエハなどの接触端子形成用型材１０２を
用いて、該ＬＳＩ形成ウエハと同じ領域１０１に、接触
端子４７を形成するための穴を、二酸化シリコンをマス
クとして、シリコンウエハを異方性エッチングにより形
成して型を製作する。そして、この型を用いて、接触端
子４７を構成するための突起を設ける。さらに、接触端
子形成用型材１０２の表面に、ポリイミド膜および、引
き出し用配線４８を形成して多層フィルム４４を形成す
る。また、必要に応じて、多層フィルム４４に、図１１
（ａ）に示したように、切れ目１０３を入れる。そし
て、多層フィルム４４を、図１１（ｂ）あるいは図１２
（ｂ）に示すように、該ＬＳＩ形成ウエハの検査領域１
０１に対応する、接触端子４７を形成した領域を、多層
フィルム４４の裏面に枠４５を固着して、多角形で囲う
ように折り曲げる。さらに、図２、図５、図６および図
８に示すように、該枠付きの多層フィルム４４と押さえ
部材４３の間に、緩衝層４６を挾みこみ、一体的に取り
付けてから接触端子形成用型材１０２を除去した後、上
部固定基板４０および配線基板５０に載置し、該配線基
板５０の電極５０ａに、引き出し用配線４８のビア５１
を導電シート５２あるいははんだで多層フィルム押さえ
部材５３を配線基板５０にねじ５４で接続する。

【００３６】なお、上記実施例では、被検査対象がウエ
ハに形成された全部の半導体素子の電極を一括して接触
する場合を示したが、本発明は、これに限られない。例
えば、半導体素子を個別に、あるいは任意の個数の半導
体素子を同時に検査するための接続装置として、多層フ
ィルムをウエハサイズよりも小さな領域で製造してもよ
いことはいうまでもない。

【００３７】次に、本発明に係る接続装置の第１の実施
の形態における接触端子部分の構造およびその製造方法
について説明する。図１３に示す接触端子部分は、多層
フィルム４４として下層にポリイミド膜７１を有し、か
つ、突起を構成するためのバンプ７２と、その先端部に
被着されためっき膜７３とで構成される。また、ポリイ
ミド膜７１の一方の面（基板対向面）に、引き出し用配
線４８、ポリイミド膜７４、グランド層４９およびポリ
イミド保護膜７５を構成する。引き出し用配線４８が、
その一端を前記バンプ７２に接触させて設けられてい
る。接触端子４７は、例えば、先端が角錐形状に尖った
バンプ７２と該パンプ７２の先端の表面に形成されため
っき膜７３とによって形成される。バンプ７２は、硬度
が高く、且つめっきをしやすいニッケル等で形成され
る。めっき膜７３は、ニッケル膜より更に硬く、ロジウ
ムで構成される。めっき膜７３として、ロジウムを用い
る理由は、ロジウム膜の硬度がニッケル膜より大きいこ
とによる。

【００３８】図１３には、本発明に係る接続装置の第１
の実施の形態における接触端子部分における代表的な寸
法を示す。即ち、半導体素子における電極の狭ピッチで
ある０．２ｍｍ以下の例えば０．１３ｍｍまたは０．１
ｍｍに対応できるように、グランド層４９およびポリイ
ミド保護膜７５の厚さを約５μｍ、ポリイミド膜７４の
厚さを約５０μｍ、ポリイミド膜７１の厚さを約２０μ
ｍ、接触端子４７の先端部の高さを約２８μｍ、該先端
部の底面の幅を約４０μｍとする。本第１の実施の形態
では、底面の一辺が例えば１０〜６０μｍの四角錐形状
で先端が尖った接触端子４７で構成される。この四角錐
は、型材について、フォトリソグラフィによりパターニ
ングされるので、位置および大きさが高精度に決められ
る。また、異方性エッチングにより形成されるので、形
状がシャープに形成できる。特に、先端を、尖った形状
とすることができる。これらの特徴は、他の実施の形態
においても共通する。本実施の形態によれば、半導体素
子における電極のピッチが０．１ｍｍより狭くなってい
って１０〜２０μｍ程度まで、対応させる接触端子４７
を容易に形成することが可能となる。即ち、接触端子４
７の底面の１辺を５μｍ程度まで容易に形成することが
できる。また多層フィルムの状態において、接触端子４
７を形成した際接触端子４７の高さの精度として、±２
μｍ以内の精度を達成でき、その結果これら多数の接触
端子４７を並設した領域部４４ａを押さえ部材（押さえ
板）４３を用いて緩衝層４６を挾んで張り出して多層フ
ィルム自身の弛みをなくした際も、接触端子４７の高さ
の精度としてほぼ±２μｍ以内の精度を得ることがで
き、低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で安定し
て半導体素子に配列した電極３とプロービングをするこ
とが可能となる。

【００３９】また接触端子４７の先端を尖った形状とす
るのは、次の理由からである。即ち、被検査対象の電極
３がアルミニウム等の場合、表面に酸化膜が形成されて
いて、接触時の抵抗が不安定となる。このような電極３
に対して、接触時の抵抗値の変動が０．５Ω以下の安定
した抵抗値を得るためには、接触端子４７の先端部が、
電極３の表面の酸化膜をつき破って、良好な接触を確保
する必要がある。そのためには、例えば、従来技術に記
載されているように、接触端子の先端が半円形の場合、
１ピン当たり３００ｍＮ以上の接触圧で、各接触端子を
電極に擦りつける必要がある。一方、接触端子の先端部
が、直径１０μｍ〜３０μｍの範囲の平坦部を有する形
状の場合には、１ピン当たり１００ｍＮ以上の接触圧
で、各接触端子を電極に擦りつける必要がある。そのた
め、酸化膜を含めて電極材料のくずが発生することにな
り、配線間のショートおよび異物発生の原因となると共
に接触圧１００ｍＮが１００ｍＮ以上と大きいことによ
り、電極またはその直下にある素子を損傷させることに
なる。

【００４０】一方、本発明に係る先端が尖った接触端子
４７を用いた場合には、１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度
以上の接触圧があれば、電極３に擦り突けることなく、
単に押圧するだけで、０．５Ω以下の安定した接触抵抗
で、通電を行うことができる。その結果、低針圧で電極
に接触すればよいため、電極、または、その直下にある
素子に損傷を与えることが防止できる。また、全接触端
子にピン圧をかけるために必要な力を小さくすることが
できる。その結果、この接続装置を用いる試験装置にお
けるプローバ駆動装置の耐荷重を軽減し、製造コストを
低減することができる。なお、もし１ピン当たり１００
ｍＮ以上の荷重をかけることができる場合には、例え
ば、底面の一辺が４０μｍ程度の四角錐台の突起であっ
て、先端部の一辺を３０μｍより小さくするならば、点
のように尖っていなくともよい。ただし、上述した理由
から、可能な限り先端部の面積を５μｍ以下と小さくし
て尖らせることが必要となる。また、先端を尖らせた接
触端子４７を用いることによって、電極３に擦り突ける
ことなく、低い押圧力（１ピン当たり３〜５０ｍＮ）で
接触すれば良いため、電極材料のくずが発生することを
防止することができる。この結果、プロービング後に、
電極材料のくずを取り除くための洗浄工程が不要とな
り、製造コストを低減することができる。

【００４１】次に、図２、図５、図６および図８に示す
接続装置（プロービング装置）を形成するための製造プ
ロセスについて、図１４および図１５を参照して説明す
る。図１４および図１５は、図２に示す接続装置を形成
するための製造プロセスのうち、特に、型材であるシリ
コンウエハ８０に異方性エッチングで形成した四角錐の
穴を用いて、四角錐の接触端子先端部を形成した薄膜の
押圧状態を、センターピボット３１を介して、緩衝層３
６とスプリングプローブ３２により自在に調整可能な接
続装置を組み上げるための製造プロセスを工程順に示し
たものである。

【００４２】まず図１４（ａ）に示す工程が実行され
る。この工程は、厚さ０．２〜０．６ｍｍのシリコンウ
エハ８０の（１００）面の両面に熱酸化により二酸化シ
リコン膜８１を０．５μｍ程度形成し、次にホトレジス
トマスクにより二酸化シリコン膜８１をエッチングし、
次に該二酸化シリコン膜８１をマスクとして、シリコン
ウエハ８０を異方性エッチングして、（１１１）面に囲
まれた四角錐のエッチング穴８０ａを形成するものであ
る。即ち、二酸化シリコン膜８１をマスクとして、異方
性エッチングにより（１１１）面に囲まれた四角錐のエ
ッチング穴８０ａが形成されることになる。

【００４３】次に、図１４（ｂ）に示す工程が実行され
る。この工程は、異方性エッチングしたシリコンウエハ
８０の（１１１）面を、ウェット酸素中での熱酸化によ
り、二酸化シリコン膜８２を、０．５μｍ程度形成し、
次にその表面に導電性被覆８３を形成し、次に上記導電
性被覆８３の表面に、多層フィルムとなるポリイミド膜
８４（７１）を膜状に形成し、ついで、接触端子４７を
形成すべき位置にあるポリイミド膜８４（７１）を、上
記導電性被覆８３の表面に至るまで除去した後、該ポリ
イミド膜８４の開口部に露出した導電性被覆８３に、該
導電性被覆８３を電極として、ニッケルのような硬度の
高い材料を主成分として電気めっきして、接触端子とす
るバンプ８５（７２）を形成するものである。電気めっ
きして接触端子４７とするバンプ８５（７２）を形成で
きる材料としては、ニッケル以外にＣｕがあるが、硬度
がやわらかく単独では使用不可能である。次に、図１４
（ｃ）に示す工程が実行される。この工程は、上記ポリ
イミド膜８４およびバンプ８５（７２）の表面に、銅
を、スパッタリング法あるいは蒸着法により成膜するこ
とにより、厚さ１μｍ程度の導電膜を形成して、その表
面に配線形成用のホトレジストマスクにより、引き出し
用配線４８を形成し、次に上記ポリイミド膜８４の表面
に、更に中間ポリイミド膜８６（７４）を形成し、次に
その表面にグランド層４９を形成し、更にその表面に保
護用のポリイミド膜８７（７５）を形成するものであ
る。

【００４４】次に、図１４（ｄ）に示す工程が実行され
る。この工程は、上記保護用のポリイミド膜８７（７
５）の表面に、枠４５を位置合わせして接着固定し、次
にシリコーン系のコーティング材を緩衝層４６として枠
４５の中に供給するものである。本実施例では、例え
ば、厚さが０．５〜３ｍｍで、硬さ（ＪＩＳＡ）が１５
〜７０程度のシリコンコーティング材をエラストマとし
て用いている。しかし、エラストマは、これに限定され
ない。また、エラストマは、シ−ト状のエラストマを使
用してもよいし、エラストマ自体を使用しなくてもよ
い。緩衝層４６の役目としては、多数の接触端子４７の
先端が半導体ウエハ１に配列された電極３に接触する際
の全体としての衝撃を緩和すると共に、個々の接触端子
４７の先端の高さの±２μｍ程度以下のバラツキを局部
的な変形によって吸収して半導体ウエハ１上に配列され
た各被接触材（電極）３の高さの±０．５μｍ程度のバ
ラツキに倣って均一な食い込みによる接触を行わせるた
めである。特に本発明に係る実施の形態では、１ピン当
たり低荷重であるため、全体としての衝撃の緩和の役目
は小さい。従って、接触端子４７の先端の高さのバラツ
キが±０．５μｍ程度以下に形成できれば、緩衝層４６
は必ずしも必要としない。接触端子４７の先端の高さの
バラツキを±０．５μｍ程度以下にする方法としては、
例えば、平坦度が確保された例えばシリコン基板に多層
フィルム４４に形成された接触端子の群を一括して均一
に押しつけることによって得ることができる。

【００４５】次に、図１４（ｅ）に示す工程が実行され
る。この工程は、上記枠４５に押さえ部材４３をねじ５
６によりねじ止めするものである。次に、図１５（ａ）
に示す工程が実行される。この工程は、型材であるシリ
コンウエハ８０をエッチングするためのステンレス製の
固定治具８８に、前記押さえ部材４３を枠４５にねじ止
めした多層フィルム４４を形成したシリコンウエハ８０
を、Ｏリング８９を介してステンレス製のふた９０との
間に装着するものである。次に、図１５（ｂ）に示す工
程が実行される。この工程は、シリコンウエハ８０およ
び導電性被覆８３をエッチング除去するものである。

【００４６】次に、図１５（ｃ）に示す工程が実行され
る。この工程は、上記ふた９０、Ｏリング８９および固
定治具８８から、押さえ部材４３を枠４５にねじ止めし
た多層フィルムを取り外し、次にロジウムめっき９１
（７３）を施し、多層フィルムの保護用のポリイミド膜
８７（７５）の周辺に多層フィルム押さえ部材５３を位
置合わせして接着するものである。接触端子４７を構成
するニッケル等で形成されたバンプ８５（７２）の表面
にロジウムめっき９１（７３）を施す理由は、電極３の
材料であるはんだやＡｌ等が付きにくく、バンプ８５
（７２）の材料（ニッケル）より硬度が高く、酸化され
にくく接触抵抗が安定で、めっきがしやすいためであ
る。次に、図１５（ｄ）に示す工程が実行される。この
工程は、多層フィルムを設計外形に切り取り、次に枠４
５と押さえ部材（押さえ板）４３との間隔をねじ５７に
より調整し、ねじ５６によるねじ締めによりねじ５７の
先端が枠４５の上面に当接するように押さえ部材４３を
枠４５に対して進めて緩衝層４６を介して多層フィルム
４４における接触端子４７を並設した領域部４４ａを押
さえ部材４３で押すことにより、多層フィルムを適度に
張って多層フィルム自身の弛みをなくして多数の接触端
子に亘る該接触端子の先端の平坦度を±２μｍ程度以下
の高精度を確保するものである。

【００４７】次に、組み付け工程が実行されて薄膜プロ
ーブカードからなる接続装置（プロービング装置）が完
成する。即ち、図２に示したように、配線基板５０に多
層フィルム４４を取り付ける。次にセンターピボット４
１の下部球面４１ａをテーパ（傾き）４３ｃに係るよう
にした状態でテーパ（傾き）４３ｃを押さえ部材４３の
上面に取り付ける。次にスプリングプローブ４２が取り
付けられた支持部材（上部固定板）４０にセンターピボ
ット４１を取り付けると共に支持部材４０の周辺部に多
層フィルム４４を取り付けた配線基板５０を取り付けて
薄膜プローブカードを構成する。なお、図５に示す接続
装置（プロービング装置）を組み立てる場合は、まず、
センターピボット４１を押さえ部材４３に取り付けた
後、配線基板５０に多層フィルム４４を取り付ければよ
い。

【００４８】図６あるいは図８の薄膜プローブカードを
製造する場合は、センターピボット４１に代えて、ノッ
クピン５５を押さえ部材４３に取り付ける以外は、図１
４および図１５に示す工程と同様な工程で薄膜プローブ
カードを製造すればよい。

【００４９】なお、図１５（ａ）（ｂ）に示すシリコン
ウエハ８０のエッチング除去は、図１４（ｃ）に示す枠
４５を接着固定する前の段階で実施してもよいし、ある
いは、図１４（ｄ）に示す押さえ部材４３を取り付ける
前の段階（図１４（ｃ）に示す枠４５のみを接着固定し
た段階）で実施してもよい。なお、緩衝層４６がなくて
も、接触端子４７の先端高さの平坦性が確保できる場合
には、該緩衝層４６を省略し、枠４５および押さえ部材
４３を一体化した押さえ板２１０を用いることができ
る。

【００５０】図２２には、緩衝層４６を省略し、上記押
さえ板２１０を用いた製造プロセスの一実施例を示し
た。上記押さえ板２１０を用いた製造プロセスは、図１
４（ｃ）に示した製造プロセスを実施した後、図２２
（ａ）に示す工程が実施される。この工程は、上記保護
用のポリイミド膜８７（７５）の表面に、押さえ板２１
０および周辺に多層フィルム押さえ部材５３を位置合わ
せして接着固定するものである。次に、図２２（ｂ）に
示す工程が実行される。この工程は、型材であるシリコ
ンウエハ８０をエッチングするためのステンレス製の固
定治具８８に、前記押さえ板２１０を固着した多層フィ
ルム４４を形成したシリコンウエハ８０を、Ｏリング８
９を介してステンレス製のふた９０との間に装着するも
のである。次に、図２２（ｃ）に示す工程が実行され
る。この工程は、シリコンウエハ８０および導電性被覆
８３をエッチング除去するものである。

【００５１】次に、図２２（ｄ）に示す工程が実行され
る。この工程は、上記ふた９０、Ｏリング８９および固
定治具８８から、押さえ板２１０および多層フィルム押
さえ部材５３を固着した多層フィルムを取り外し、次に
ロジウムめっき９１を施し、多層フィルムを設計外形に
切り取るものである。次に、図１５と同様に、組み付け
工程が実行されて薄膜プローブカードからなる接続装置
（プロービング装置）が完成する。次に、図９に示す接
続装置（プロービング装置）を形成するための製造プロ
セスについて、図１６を参照して説明する。なお、図１
４および図１５に示すプロセスと同じ工程については、
説明を省略する。図１６（ａ）に示す如く、前記図１４
（ｂ）に示す異方性エッチングしたシリコンウエハ８０
の表面の二酸化シリコン膜８２に導電性被覆８３を形成
し、次に該導電性被覆８３の表面の開口部を設けたポリ
イミド膜８４（６１）に電気めっきして接触端子用のバ
ンプ８５を形成した工程の後、上記ポリイミド膜８４
（６１）およびバンプ８５の表面に、銅を、スパッタリ
ング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ
１μｍ程度の導電膜を形成して、その表面に電極形成用
のホトレジストマスクにより、電極６２を形成する。

【００５２】次に、図１６（ｂ）に示す如く、あらかじ
め引き出し用配線４８を形成し設計外形にした多層フィ
ルム４４のビア６９に、電極６２を異方性導電性シート
７０を介して接続する。多層フィルム４４として、例え
ば、ポリイミド膜６５、引き出し用配線４８、中間ポリ
イミド膜６６、グランド層４９およびポリイミド保護膜
６８からなる配線用フィルムをあらかじめ形成すればよ
い。なお、前記ビア６９と電極６２を接続するには、例
えば、異方性導電性シート７０としてアニソルム（日立
化成製）を用いるか、あるいは、はんだを介して接続す
ればよい。

【００５３】次に、図１６（ｃ）に示す如く、シリコン
ウエハ８０を除去することにより接続端子４７を形成し
た多層フィルム４４が得られる。なお、接触端子４７を
形成したシリコンウエハ８０の除去方法としては、シリ
コンおよび二酸化シリコンをエッチング除去する方法
と、導電性被覆８３としてクロムを用いて、クロムを選
択的にエッチング除去することにより、接触端子の型材
であるシリコンウエハの表面を酸化して二酸化シリコン
膜８２を形成したシリコンウエハ８０から直接に接触端
子を形成したポリイミド膜８４を剥離する方法とがあ
り、どちらの方法でも良い。なお、クロムを選択的にエ
ッチング除去する場合には、例えば、塩化アルミニウム
６結晶水と塩酸と水の混合液で、５０℃で４時間程度の
エッチングを実施すればよい。

【００５４】また、接触端子４７を形成したシリコンウ
エハ８０の除去方法としては、導電性被覆８３として、
金、ロジウム等の貴金属膜を用いて、二酸化シリコン膜
の表面に形成して、導電性被覆８３との界面を機械的に
剥離する方法を用いてもよい。

【００５５】次に、図１６（ｄ）に示す如く、上記保護
用のポリイミド膜６８の表面に、枠４５および押さえ部
材５３を位置合わせして接着固定し、接触端子４７にロ
ジウムめっき９１を施す。次に、図１６（ｅ）に示す如
く、シリコーン系のコーティング材を緩衝層４６として
枠４５の中に供給し、枠４５に押さえ部材４３をねじ止
めし、枠４５と押さえ部材４３との間隔を狭くして、多
層フィルム４４における接触端子４７を並設した領域部
４４ａを、押さえ部材４３で緩衝層４６を介して押し出
すことにより、適度に張ることによって多層フィルム自
身の弛みをなくして多数の接触端子に亘る該接触端子の
先端の平坦度を±２μｍ程度以下の高精度を確保するこ
とができる。なお、緩衝層４６は、シ−ト状のエラスト
マであってもよいし、使用しなくてもよい。

【００５６】次に、図２に示したように、配線基板５０
に多層フィルム４４を取り付け、センターピボット４１
を押さえ部材４３に取り付けて、薄膜プローブカードを
完成させる。なお、図５に示す接続装置（プロービング
装置）を組み立てる場合は、まず、センターピボット４
１を押さえ部材４３に取り付けた後、配線基板５０に多
層フィルム４４を取り付ければよい。なお、図１６に示
す製法では、多層フィルム４４のビア６９と、接触端子
用バンプ８５上に形成した電極６２との導通をとるため
に異方性導電性シート７０を使用したが、はんだあるい
はＳｎ−ＡｇあるいはＳｎ−Ａｕ等の金属接合により導
通を確保してもよいことはいうまでもない。

【００５７】次に、図１０に示す接続装置（プロービン
グ装置）を形成するための製造プロセスについて、図１
７を参照して説明する。なお、図１４および図１５に示
すプロセスと同じ工程については、説明を省略する。ま
ず、図１７（ａ）に示す如く、前記図１４（ｂ）に示す
異方性エッチングしたシリコンウエハ８０の表面の二酸
化シリコン膜８２に導電性被覆８３を形成し、該導電性
被覆８３の表面の開口部を設けたポリイミド膜８４に電
気めっきして接触端子用のバンプ８５する。次に、図１
７（ｂ）に示す如く、前記のポリイミド膜８４をエッチ
ング除去する。

【００５８】次に、図１７（ｃ）に示す如く、あらかじ
め引き出し用配線４８を形成し、設計外形にした配線用
フィルム４８のビア６９に、接触端子用のバンプ８５を
異方性導電性シート７０を介して接続する。次に、図１
７（ｄ）に示す如く、シリコンウエハ８０を除去するこ
とにより、配線用フィルム６４に接触端子４７を形成し
た多層フィルム４４を形成する。次に、図１７（ｅ）に
示す如く、前記図１６（ｅ）を用いて説明したプロセス
と同様な工程で、前記図１６（ｅ）に示すのと同様な構
造体を形成する。

【００５９】その後のプロセスは、前記図１６に示した
プロセスと同様な工程であるので、説明を省略する。な
お、図１７に示す製法では、多層フィルム４４のビア６
９と、接触端子用のバンプ８５との導通をとるために異
方性導電性シート７０を使用したが、はんだあるいはＳ
ｎ−ＡｇあるいはＳｎ−Ａｕ等の金属接合により導通を
確保してもよいことはいうまでもない。次に、図１９に
示す接続装置（プロービング装置）を形成するための製
造プロセスについて、図２３を参照して説明する。な
お、図１４および図１５に示すプロセスと同じ工程につ
いては、説明を省略する。

【００６０】まず、図２３（ａ）に示す如く、前記図１
４（ｂ）に示す異方性エッチングしたシリコンウエハ８
０の表面の二酸化シリコン膜８２に導電性被覆８３を形
成し、該導電性被覆８３の表面の開口部を設けたポリイ
ミド膜８４に電気めっきして接触端子用のバンプ８５と
一体となった電極２００を形成し、前記電極２００に金
めっき２１１を形成する。次に、図２３（ｂ）に示す如
く、前記のポリイミド膜８４をエッチング除去する。次
に、図２３（ｃ）に示す如く、あらかじめ引き出し用配
線４８を形成し、設計外形にした多層フィルム４４のビ
ア６９に、接触端子用の電極２００をはんだ２０１を介
して接続し、前記の多層フィルム４４に枠４５を接着固
定し、次に、シリコーン系のコーティング材を緩衝層４
６として枠４５の中に供給する。

【００６１】その後のプロセスは、前記図１４に示した
プロセスと同様な工程で、図２３（ｄ）に示す工程が実
行される。この工程は、上記枠４５に押さえ部材４３を
ねじ５６によりねじ止めし、ステンレス製の固定治具８
８に、前記押さえ部材４３を枠４５にねじ止めした多層
フィルム４４を形成したシリコンウエハ８０を、Ｏリン
グ８９を介してステンレス製のふた９０との間に装着
し、シリコンウエハ８０および導電性被覆８３をエッチ
ング除去するものである。

【００６２】次に、図２３（ｅ）に示す工程が実行され
る。この工程は、上記ふた９０、Ｏリング８９および固
定治具８８から、押さえ部材４３を枠４５にねじ止めし
た多層フィルムを取り外し、次にロジウムめっき９１を
施し、多層フィルムの保護用のポリイミド膜８７の周辺
に多層フィルム押さえ部材５３を位置合わせして接着
し、次に、多層フィルムを設計外形に切り取り、次に枠
４５と押さえ部材（押さえ板）４３との間隔をねじ５７
により調整し、ねじ５６によるねじ締めによりねじ５７
の先端が枠４５の上面に当接するように押さえ部材４３
を枠４５に対して進めて緩衝層４６を介して多層フィル
ム４４における接触端子４７を並設した領域部４４ａを
押さえ部材４３で押すことにより、多層フィルムを適度
に張って多層フィルム自身の弛みをなくして多数の接触
端子に亘る該接触端子の先端の平坦度を確保するもので
ある。次に、組み付け工程が実行されて薄膜プローブカ
ードからなる接続装置（プロービング装置）が完成す
る。なお、図２３に示す製法では、多層フィルム４４の
ビア６９と、接触端子用の電極２００との導通をとるた
めにはんだ２０１を使用したが、図２０（ａ）、図２０
（ｂ）のはんだビア電極２０３あるいは、図２１
（ａ）、図２１（ｂ）のＳｎ−Ａｕ等の金属接合により
導通を確保してもよいことはいうまでもない。

【００６３】なお、図２３は、シリコンウエハ８０をエ
ッチングにより除去する製造プロセスを示したが、前述
のように、図２３（ｃ）の接触端子用の電極２００に多
層フィルム４４をはんだあるいは錫金合金等で接続した
後、導電性被覆８３としてクロムを用いて、クロムを選
択的にエッチング除去することにより、接触端子の型材
であるシリコンウエハの表面を酸化して二酸化シリコン
膜８２を形成したシリコンウエハ８０から直接に接触端
子４７を剥離してもよいことはいうまでもない。

【００６４】次に、以上説明した本発明に係る接続装置
（プロービング装置）を用いて被検査対象である半導体
素子（チップ）に対する電気的特性検査について図１８
を用いて説明する。図１８は、本発明に係る検査装置の
全体構成を示す図である。検査装置は、半導体装置の製
造におけるウエハプローバとして構成されている。この
検査装置は、被検査対象である半導体ウエハ１を支持す
る試料支持系１６０と、被検査対象１の電極３に接触し
て電気信号の授受を行なうプローブ系１２０と、試料支
持系１６０の動作を制御する駆動制御系１５０と、被検
査対象１の温度制御を行なう温度制御系１４０と、半導
体素子（チップ）２の電気的特性の検査を行なうテスタ
１７０とで構成される。この半導体ウエハ１は、多数の
半導体素子（チップ）２が配列され、各半導体素子２の
表面には、半導体素子の高集積化に伴って外部接続電極
としての複数の電極３が高密度で、且つ狭ピッチで配列
されている。試料支持系１６０は、半導体ウエハ１を着
脱自在に載置してほぼ水平に設けられた試料台１６２
と、この試料台１６２を支持するように垂直に配置され
る昇降軸１６４と、この昇降軸１６４を昇降駆動する昇
降駆動部１６５と、この昇降駆動部１６５を支持するＸ
−Ｙステージ１６７とで構成される。Ｘ−Ｙステージ１
６７は、筐体１６６の上に固定される。昇降駆動部１６
５は、例えば、ステッピングモータなどから構成され
る。試料台１６２の水平および垂直方向における位置決
め動作は、Ｘ−Ｙステージ１６７の水平面内における移
動動作と、昇降駆動部１６５による上下動などとを組み
合わせることにより行われる。また、試料台１６２に
は、図示しない回動機構が設けられており、水平面内に
おける試料台１６２の回動変位が可能にされている。

【００６５】試料台１６２の上方には、プローブ系１２
０が配置される。すなわち、図２または図５または図６
または図８または図９または図１０に示す接続装置１２
０ａおよび配線基板５０は、当該試料台１６２に平行に
対向する姿勢で設けられる。この接続装置１２０ａに
は、接触端子４７を有する多層フィルム４４と、緩衝層
４６、枠４５、押さえ部材（押さえ板）４３、センター
ピボット４１、スプリングプローブ４２および支持部材
（上部固定板）４０が一体的に設けられている。各々の
接触端子４７は、該接続装置１２０ａの多層フィルム４
４に設けられた引出し用配線４８を介して、配線基板５
０の電極５０ａおよびビア５０ｄと、内部配線５０ｂと
を通して、該配線基板５０に設けられた接続端子５０ｃ
に接続される。なお、本実施の形態では、接続端子５０
ｃは、同軸コネクタで構成される。この接続端子５０ｃ
に接続されるケーブル１７１を介して、テスタ１７０と
接続される。ここで用いられる接続装置は、図２に示し
た構造のものであるが、これに限定されない。図５、図
６、図８、図９あるいは図１０に示す構造のものを用い
ることができるのはいうまでもない。

【００６６】駆動制御系１５０は、ケーブル１７２を介
してテスタ１７０と接続される。また、駆動制御系１５
０は、試料支持系１６０の各駆動部のアクチュエータに
制御信号を送って、その動作を制御する。すなわち、駆
動制御系１５０は、内部にコンピュータを備え、ケーブ
ル１７２を介して伝達されるテスタ１７０のテスト動作
の進行情報に合わせて、試料支持系１６０の動作を制御
する。また、駆動制御系１５０は、操作部１５１を備
え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例えば、
手動操作の指示を受け付ける。試料台１６２には、半導
体素子２についてバーイン試験を行うために、加熱させ
るためのヒータ１４１が備えられている。温度制御系１
４０は、試料台１６２のヒータ１４１あるいは冷却治具
を制御することにより、試料台１６２に搭載された半導
体ウエハ１の温度を制御する。また、温度制御系１４０
は、操作部１５１を備え、温度制御に関する各種指示の
入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。

【００６７】以下、検査装置の動作について説明する。
まず、被検査対象である半導体ウエハ１は、試料台１６
２の上に位置決めして載置される。次に試料台１６２に
載置された半導体ウエハ１上に離して形成された複数の
基準マークの光学像を、イメージセンサまたはＴＶカメ
ラ等の撮像装置（図示せず）で撮像し、この撮像によっ
て得られる画像信号から複数の基準マークの位置を検出
する。そして、駆動制御系１５０は、上記検出された半
導体ウエハ１上の複数の基準マークの位置情報から、テ
スタ１７０または駆動制御系１５０に格納された半導体
ウエハ１の品種に応じてＣＡＤデータから得られる半導
体ウエハ１上に配列された半導体素子２の配列情報およ
び各半導体素子２上に配列された電極３の配列情報に基
いて、電極群全体としての２次元の位置情報を算出す
る。更に多層フィルム４４上に形成された多数の接触端
子４７の内、特定の接触端子の先端の光学像または多層
フィルム４４上に離して形成された複数の基準マークの
光学像を、イメージセンサまたはＴＶカメラ等の撮像装
置（図示せず）で撮像し、この撮像によって得られる画
像信号から特定の接触端子または複数の基準マークの位
置を検出する。そして、駆動制御系１５０は、上記検出
された多層フィルム４４上の特定の接触端子または複数
の基準マークの位置情報から、操作部１５１によって入
力されて格納されたプローブの品種に応じた接触端子の
配列情報や高さ情報等のプローブ情報に基いて、接触端
子群全体としての２次元の位置情報を算出する。駆動制
御系１５０は、算出された接触端子群全体としての２次
元の位置情報に対する電極群全体としての２次元の位置
情報のずれ量を算出し、この算出された２次元のずれ量
に基いて、Ｘ−Ｙステージ１６７および回動機構を駆動
制御し、半導体ウエハ１上に配列された複数個の半導体
素子上に形成された電極３の群を、接続装置１２０ａに
並設された多数の接触端子４７の群の直下に位置決めす
る。その後、駆動制御系１５０は、例えば、試料台１６
２上に設置されたギャップセンサ（図示せず）によって
測定された多層フィルム４４における領域部４４ａの面
との間の間隙に基いて昇降駆動部１６５を作動させて、
多数の電極（被接触材）３の全体の面３ａが接触端子の
先端に接触した時点から８〜２０μｍ程度押し上げる状
態になるまで試料台１６２を上昇させることによって、
多層フィルム４４において多数の接触端子４７が並設さ
れた領域部４４ａを張り出させて平坦度を高精度に確保
された多数の接触端子４７の群における各々の先端を、
図３または図７に示すように、コンプライアンス機構に
より目的の複数の半導体素子に亘っての各半導体素子に
配列された多数の電極３の群（全体）の面３ａに追従す
るように倣って平行出しすると共に、個々の接触端子の
先端の高さの±２μｍ程度以下のバラツキを緩衝層４６
の局部的な変形によって吸収して半導体ウエハ１上に配
列された各被接触材（電極）３に倣って均一な低荷重
（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）に基づく食い込みに
よる接触が行われ、各接触端子４７と各電極３との間に
おいて低抵抗（０．０１Ω〜０．１Ω）で接続されるこ
とになる。

【００６８】駆動制御系１５０によるステージ１６７お
よび回動機構並びに昇降駆動部１６５に対する駆動制御
は、操作部１５１からの操作指示に従って実行される。
特に試料台１６２は、電極（被接触材）３の全体の面３
ａが接触端子の先端に接触した時点から８〜１００μｍ
程度押し上げる状態になるまで昇降駆動部１６によって
上昇されて、多数の接触端子４７の全体が多数の電極
（被接触材）３の全体の面３ａに追従して平行出しされ
ると共に、個々の接触端子の先端の高さのバラツキを緩
衝層４６によって吸収して均一な低荷重（１ピン当たり
３〜５０ｍＮ程度）に基づく食い込みによる接触が行わ
れ、各接触端子４７と各電極３との間において低抵抗
（０．０１Ω〜０．１Ω）で接続されることになる。こ
の状態で、半導体素子２についてバーイン試験を行うと
きには、試料台１６２に搭載された半導体ウエハ１の温
度を制御すべく、温度制御系１４０によって試料台１６
２のヒータ１４１あるいは冷却治具を制御することによ
り実行される。

【００６９】さらに、ケーブル１７１、配線基板５０、
多層フィルム４４、および接触端子４７を介して、半導
体ウエハ１に形成された半導体素子とテスタ１７０との
間で、動作電力や動作試験信号などの授受を行い、当該
半導体素子の動作特性の可否などを判別する。この際、
多層フィルム４４において、図４に示す如く、各接触端
子４７につながった引き出し用配線４８に対して絶縁膜
６６（７４）を挾んで対向するグランド層４９を設置
し、引き出し用配線４８のインピーダンスＺ０を５０ｏ
ｈｍ程度にしてテスタの回路とのマッチングをとること
により、引き出し用配線４８を伝送する電気信号の乱
れ、減衰を防止して、半導体素子に対してテスタによる
高周波数（１００ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度）まで対応
できる高速電気信号による電気特性検査を実現すること
が可能となる。

【００７０】さらに、上記の一連の試験動作が、半導体
ウエハ１に形成された複数の半導体素子の各々について
実施され、動作特性の可否などが判別される。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の高密度化
に伴う狭ピッチ多ピンへのプロービングを、被検査対象
物を損傷させることなく、低荷重で安定して実現し、し
かも高速電気信号、即ち高周波電気信号（１００ＭＨｚ
〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）の伝送を可能にするこ
とができる効果を奏する。また本発明によれば、多層フ
ィルムにおける尖った先端を有する接触端子を並設した
領域部の弛みをなくすと共に平行出しするコンプライア
ンス機構を設けることによって、尖った先端を有する接
触端子の群を被検査対象物上の電極の群に、１ピン当た
り低荷重（３〜５０ｍＮ程度）で、単に押しつけること
によって、電極材料等のクズを発生させることなく、
０．０５Ω〜０．１Ω程度の低抵抗で安定した接続を実
現することができる効果を奏する。

【００７２】また本発明によれば、ウエハの状態におい
て、多数並設された半導体素子（チップ）の内、１個ま
たは多数個の半導体素子について同時に、小さな接触圧
（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で表面に酸化物が形
成されたＡｌまたははんだ等の電極３と０．０５Ω〜
０．１Ω程度の安定した低抵抗値で確実に接続させて、
テスタにより各半導体素子について動作試験を行うこと
ができる効果を奏する。即ち、本発明によれば、電極の
高密度化および狭ピッチ化に対応でき、しかも多数個チ
ップ同時プロービングによる検査を可能にし、高速電気
信号（１００ＭＨｚ〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）に
よる動作試験を可能にすることができる。また本発明に
よれば、多層フィルム（絶縁フィルム）の材料として、
ポリイミドのような高温で使用できる材料を用いること
により、バーイン試験のような高温での動作試験が可能
となる。また本発明によれば、先の尖った接続端子を異
方性導電シートあるいは金属接合を介して多層フィルム
の引き出し用配線と接続することによって、容易に多層
フィルム上に多数の先の尖った接続端子を並設すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体素子（チップ）が配列された被検査対象
物であるウエハを示す斜視図および半導体素子（チッ
プ）を示す斜視図である。

【図２】本発明に係る接続装置の第１の実施の形態の要
部を示す断面図である。

【図３】図２に示す接続装置の第１の実施の形態におい
て多層フィルムに並設された接触端子の先端を被検査対
象物上の電極の面に接触させた状態を示す断面図であ
る。

【図４】多層フィルムにおいて、絶縁膜を挾んで引き出
し用配線とグランド層とを対向して配設された部分断面
を示す図である。

【図５】本発明に係る接続装置の第２の実施の形態の要
部を示す断面図である。

【図６】本発明に係る接続装置の第３の実施の形態の要
部を示す断面図である。

【図７】図６に示す接続装置の第３の実施の形態におい
て多層フィルムに並設された接触端子の先端を被検査対
象物上の電極の面に接触させた状態を示す断面図であ
る。

【図８】本発明に係る接続装置の第４の実施の形態の要
部を示す断面図である。

【図９】本発明に係る接続装置の第５の実施の形態にお
ける多層フィルム上に接触端子が並設された部分を示す
断面図である。

【図１０】本発明に係る接続装置の第６の実施の形態に
おける多層フィルム上に接触端子が並設された部分を示
す断面図である。

【図１１】（ａ）は、本発明に係る接続装置における接
触端子および引き出し用配線を形成したポリイミド膜の
一実施例を示す平面図、（ｂ）はその斜視図である。

【図１２】（ａ）は、本発明に係る接続装置における接
触端子および引き出し用配線を形成したポリイミド膜の
他の一実施例を示す平面図、（ｂ）はその斜視図であ
る。

【図１３】本発明に係る接続装置における接触端子およ
び該接触端子を並設した多層フィルムについての寸法お
よび形状を示す断面図である。

【図１４】本発明に係る接続装置の第１〜４の実施の形
態における押さえ部材および枠を含めて多層フィルムを
製造する製造プロセスの前半を示す断面図である。

【図１５】本発明に係る接続装置の第１〜４の実施の形
態における押さえ部材および枠を含めて多層フィルムを
製造する製造プロセスの後半を示す断面図である。

【図１６】本発明に係る接続装置の第５の実施の形態に
おける押さえ部材および枠を含めて多層フィルムを製造
する製造プロセスを示す断面図である。

【図１７】本発明に係る接続装置の第６の実施の形態に
おける押さえ部材および枠を含めて多層フィルムを製造
する製造プロセスを示す断面図である。

【図１８】本発明に係る検査システムの一実施の形態を
示す全体概略構成を示す図である。

【図１９】（ａ）は、本発明に係る接続装置の第７の実
施の形態における多層フィルム上に接触端子が並設され
た部分を示す断面図、（ｂ）は、本発明に係る接続装置
の第８の実施の形態における多層フィルム上に接触端子
が並設された部分を示す断面図である。

【図２０】（ａ）は、本発明に係る接続装置の第９の実
施の形態における多層フィルム上に接触端子が並設され
た部分を示す断面図、（ｂ）は、本発明に係る接続装置
の第１０の実施の形態における多層フィルム上に接触端
子が並設された部分を示す断面図である。

【図２１】（ａ）は、本発明に係る接続装置の第１１の
実施の形態における多層フィルム上に接触端子が並設さ
れた部分を示す断面図、（ｂ）は、本発明に係る接続装
置の第１２の実施の形態における多層フィルム上に接触
端子が並設された部分を示す断面図である。

【図２２】本発明に係る接続装置の第１〜４の実施の形
態における押さえ板を含めて多層フィルムを製造する製
造プロセスを示す断面図である。

【図２３】本発明に係る接続装置の第５〜１２の実施の
形態における押さえ部材および枠を含めて多層フィルム
を製造する製造プロセスを示す断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ、２…半導体素子（チップ）、３…電極（被
接触材）、４０…支持部材（上部固定板）、４１…セン
ターピボット、４１ａ…下部球面、４２…スプリングプ
ローブ、４３…押さえ部材（押さえ板）、４３ａ…突出
部、４３ｂ…下面、４３ｃ…テーパ（傾き）、４４…多
層フィルム、４４ａ…領域部、４４ｂ…周辺部、４５…
枠、４６…緩衝層、４７…接触端子、４８…引き出し用
配線、４９…グランド層、５０…配線基板、５０ａ…電
極、５０ｃ…接続端子、５０ｄ…ビア、５１…ビア、５
２…異方性導電シート、５５…ノックピン、６１…ポリ
イミド膜、６２…電極、６５…ポリイミド膜、６６…中
間ポリイミド膜、６８…ポリイミド保護膜、６９…ビ
ア、７０…異方性導電シート、７１…ポリイミド膜、７
２…バンプ、７３…めっき膜、７４…ポリイミド膜、７
５…ポリイミド保護膜、９１…ロジウムめっき、１０１
…ＬＳＩ形成ウエハの領域、１０２…接触端子形成用型
材、１０３…切れ目、１２０…プロ−ブ系、１２０ａ…
接続装置、１４０…温度制御系、１４１…ヒータ、１５
０…駆動制御系、１５１…操作部、１６０…試料支持
系、１６２…試料台、１６４…昇降軸、１６５…昇降駆
動部、１６７…Ｘ−Ｙステージ、１７０…テスタ、２０
０…電極、２０１…はんだ、２０２…樹脂、２０３…は
んだビア電極、２０４…錫めっき、２０５…金めっき、
２１０…押さえ板、２１１…金めっき

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志儀 英孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 渡部 隆好 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 河野 竜治 茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立 製作所機械研究所内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被検査対象物上に配列された電極と電気的
   に接触して電気信号の授受を行うための接続装置におい
   て、 前記接続装置を支持する支持部材と、 先端を尖らせた接触端子をプロービング側の領域部に複
   数並設し、該各接触端子に電気的につながって周辺部に
   引き出される複数の引き出し用配線と該複数の引き出し
   用配線に対向するように絶縁層を挾んでグランド層とを
   有する多層フィルムと、 該多層フィルムにおける前記領域部の弛みをなくすよう
   にして多層フィルムを取り付ける押さえ部材と、 前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための接触
   圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与する
   接触圧付与手段とを備えたことを特徴とする接続装置。
2. 【請求項２】被検査対象物上に配列された電極と電気的
   に接触して電気信号の授受を行うための接続装置におい
   て、 前記接続装置を支持する支持部材と、 先端を尖らせた接触端子をプロービング側の領域部に複
   数並設し、該各接触端子に電気的につながって周辺部に
   引き出される複数の引き出し用配線と該複数の引き出し
   用配線に対向するように絶縁層を挾んでグランド層とを
   有する多層フィルムと、 該多層フィルムにおける前記領域部の弛みをなくすよう
   にして多層フィルムを取り付ける押さえ部材と、 前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための接触
   圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与する
   接触圧付与手段と、 前記接触端子群の先端面を前記電極群の面に接触させる
   際、接触端子群の先端面が電極群の面に倣って平行出し
   されるように前記押さえ部材を前記支持部材に対して係
   合させるコンプライアンス機構とを備えたことを特徴と
   する接続装置。
3. 【請求項３】被検査対象物上に配列された電極と電気的
   に接触して電気信号の授受を行うための接続装置におい
   て、 前記接続装置を支持する支持部材と、 先端を尖らせた接触端子をプロービング側の領域部に複
   数並設し、該各接触端子に電気的につながって周辺部に
   引き出される複数の引き出し用配線と該複数の引き出し
   用配線に対向するように絶縁層を挾んでグランド層とを
   有する多層フィルムと、 該多層フィルムにおけるプロービング側と反対の裏側に
   前記領域部を囲むように固定された枠と、 前記多層フィルムにおける前記領域部の弛みをなくすよ
   うに該領域部を張り出させる部分を有して前記枠を取付
   ける押さえ部材と、 前記各接触端子の先端を各電極に接触させるための接触
   圧を前記支持部材から前記押さえ部材に対して付与する
   接触圧付与手段と、 前記接触端子群の先端面を前記電極群の面に接触させる
   際、接触端子群の先端面が電極群の面に倣って平行出し
   されるように前記押さえ部材を前記支持部材に対して係
   合させるコンプライアンス機構とを備えたことを特徴と
   する接続装置。
4. 【請求項４】請求項１または２または３記載の接続装置
   において、多層フィルムの領域部の裏面と押さえ部材と
   の間に緩衝層を備えたことを特徴とする接続装置。
5. 【請求項５】請求項１または２または３または４記載の
   接続装置における多層フィルムにおいて、引き出し用配
   線と接触端子とを個別に形成し、その両者を接続して前
   記多層フィルムを構成することを特徴とする接続装置。
6. 【請求項６】請求項５記載の接続装置において、引き出
   し用配線と接触端子との間を異方性導電シートあるいは
   はんだあるいは金属の熱拡散により接続したことを特徴
   とする接続装置。
7. 【請求項７】請求項５記載の接続装置において、引き出
   し用配線と接触端子との間をはんだあるいは金属の熱拡
   散により接続し、前記引き出し用配線と該接触端子との
   接続部を絶縁樹脂で覆うことを特徴とする接続装置。
8. 【請求項８】請求項１または２または３または４記載の
   接続装置における多層フィルムにおいて、引き出し用配
   線と接触端子に形成した接続用配線とを個別に形成し、
   その両者を接続して前記多層フィルムを構成することを
   特徴とする接続装置。
9. 【請求項９】請求項８記載の接続装置において、引き出
   し用配線と接触端子に形成した接続用配線との間を異方
   性導電シートあるいははんだあるいは金属の熱拡散によ
   り接続したことを特徴とする接続装置。
10. 【請求項１０】請求項８記載の接続装置において、引き
    出し用配線と接触端子に形成した接続用配線との間をは
    んだあるいは金属の熱拡散により接続し、前記引き出し
    用配線と前記接触端子に形成した接続用配線との接続部
    を絶縁樹脂で覆うことを特徴とする接続装置。
11. 【請求項１１】請求項１または２または３記載の接続装
    置において、支持部材のプロービング側を配線基板に設
    置し、該配線基板に形成された電極と多層フィルムの周
    辺部に引き出された引き出し配線とを電気的に接続して
    構成したことを特徴とする接続装置。
12. 【請求項１２】被検査対象物を載置して支持する試料支
    持系を設け、 支持部材と、先端を尖らせた接触端子をプロービング側
    の領域部に複数並設し、該各接触端子に電気的につなが
    って周辺部に引き出される複数の引き出し用配線と該複
    数の引き出し用配線に対向するように絶縁層を挾んでグ
    ランド層とを有する多層フィルムと、該多層フィルムに
    おける前記領域部の弛みをなくすようにして多層フィル
    ムを取り付ける押さえ部材と、前記各接触端子の先端を
    各電極に接触させるための接触圧を前記支持部材から前
    記押さえ部材に対して付与する接触圧付与手段とを有す
    る接続装置を設置し、 該接続装置の多層フィルムの周辺部に引き出された引き
    出し用配線と電気的に接続されたテスタを設け、 前記接続装置の多層フィルムに並設された接触端子の群
    と被検査対象物に配列された電極の群とを位置合わせす
    る位置合わせ手段を設け、 該位置合わせ手段で位置合わせされた接触端子の群と電
    極の群とを接触させて前記テスタから被検査対象物に対
    して電気信号を授受して検査を行うように構成したこと
    を特徴とする検査システム。
13. 【請求項１３】被検査対象物を載置して支持する試料支
    持系を設け、 支持部材と、先端を尖らせた接触端子を異方性導電シー
    トあるいははんだ材料を介して電気的に接続してプロー
    ビング側の領域部に複数並設し、該各接触端子に前記異
    方性導電シートあるいははんだ材料を介して電気的につ
    ながって周辺部に引き出される複数の引き出し用配線と
    該複数の引き出し用配線に対向するように絶縁層を挾ん
    でグランド層とを有する多層フィルムと、該多層フィル
    ムにおける前記領域部の弛みをなくすようにして多層フ
    ィルムを取り付ける押さえ部材と、前記各接触端子の先
    端を各電極に接触させるための接触圧を前記支持部材か
    ら前記押さえ部材に対して付与する接触圧付与手段とを
    有する接続装置を設置し、該接続装置の多層フィルムの
    周辺部に引き出された引き出し用配線と電気的に接続さ
    れたテスタを設け、 前記接続装置の多層フィルムに並設された接触端子の群
    と被検査対象物に配列された電極の群とを位置合わせす
    る位置合わせ手段を設け、 該位置合わせ手段で位置合わせされた接触端子の群と電
    極の群とを接触させて前記テスタから被検査対象物に対
    して電気信号を授受して検査を行うように構成したこと
    を特徴とする検査システム。
14. 【請求項１４】被検査対象物を載置して支持する試料支
    持系を設け、 支持部材と、先端を尖らせた接触端子をプロービング側
    の領域部に複数並設し、該各接触端子に電気的につなが
    って周辺部に引き出される複数の引き出し用配線と該複
    数の引き出し用配線に対向するように絶縁層を挾んでグ
    ランド層とを有する多層フィルムと、該多層フィルムに
    おける前記領域部の弛みをなくすようにして多層フィル
    ムを取り付ける押さえ部材と、前記各接触端子の先端を
    各電極に接触させるための接触圧を前記支持部材から前
    記押さえ部材に対して付与する接触圧付与手段とを有す
    る接続装置を設置し、 該接続装置の多層フィルムの周辺部に引き出された引き
    出し用配線と電気的に接続されたテスタを設け、 前記接続装置の多層フィルムに並設された接触端子の群
    と被検査対象物に配列された電極の群とを位置合わせす
    る位置合わせ手段を設け、 前記試料支持系を所望の高さまで上昇させて前記位置合
    わせ手段で位置合わせされた接触端子の群と電極の群と
    を接触させて前記テスタから被検査対象物に対して電気
    信号を授受して検査を行うように構成したことを特徴と
    する検査システム。