JP3838381B2 - プローブカード - Google Patents
プローブカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP3838381B2 JP3838381B2 JP32830795A JP32830795A JP3838381B2 JP 3838381 B2 JP3838381 B2 JP 3838381B2 JP 32830795 A JP32830795 A JP 32830795A JP 32830795 A JP32830795 A JP 32830795A JP 3838381 B2 JP3838381 B2 JP 3838381B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- contact pin
- piezoelectric element
- micro contact
- pin structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06744—Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07392—Multiple probes manipulating each probe element or tip individually
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06727—Cantilever beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の属する技術】
この発明は、シリコンウエハ上に形成された半導体集積回路素子の特性を試験するのに用いるプローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
図4及び図5に従来技術によるプローブカードの構成を示す。
【0003】
図4に示すように、従来技術によってシリコンのウェハ1上に形成された被試験素子7(チップ)としての半導体集積回路素子の特性を試験するのに用いられるプローブカードの構造の1例では、コンタクトピン19と、絶縁板17と、同軸線18とで構成されている。
コンタクトピン19は、通常ポゴピンと称される弾性構造のピンとなっており、被試験素子7の電極2(ボンディングパッド)の配置に対向して配列され、その先端が電極2に圧接して電気的導通を得る。絶縁板17は、コンタクトピン19を所定の位置に配列し固定するものである。また同軸線18は、コンタクトピン19の上端に接続し、図7のブロック図に示した試験装置28と被試験素子7との電気的信号の授受を行うためのものである。
【0004】
また図5に示したのは、従来技術による上記プローブカードの構造の他の1例であり、主要部として電極バンプ21と、メンブレン20と、プローブフレーム22と、スクリュウ23と、同軸線18とで構成されている。
電極バンプ21は、シリコンのウェハ1上の被試験素子7の電極の配置に対応して複数設けられ、その電極に圧接して電気的導通を得る。メンブレン20には、電気信号用の配線とそれに接続された電極バンプ21とが設けられる。またプローブフレーム22は、電極バンプ21やメンブレン20を上下させるプランジャ24やスプリング25、圧力センサ26、プローブボード27及び同軸線18などからなる構造物を支える為の枠組みである。そしてスクリュウ23は、ウェハ1上の被試験素子7の電極2に、プランジャ24を左右上下に位置合わせをすることで電極バンプ21をスプリング25を介して接触させ、結果として同軸線18を通じて試験装置28との電気信号の授受を行わせるためのものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
集積回路の高集積化、高速化により、プローブカードには、ますます、高密度のコンタクトピン、接続箇所のより良いインピーダンスマッチングが求められている。また大規模化により、ウェハの平坦度の劣化に対する対応や、あるいは被試験素子がアルミ電極2の場合はプロープカードのコンタクトピンとの接続を確実にするスクラブ動作(酸化皮膜の除去)対応も必要とされている。
【0006】
図4によるコンタクトピン19の場合、ピンの先端はウェハ1上の被試験素子7の電極2に対応すべく細くできても、多数個を配列することや、剛性リード部がある程度の太さを必要とすること、同軸線18を使用せねばならぬことなどで、ピン間距離は1mmピッチ位が限度とされている。
【0007】
また図5のメンブレン20上の電極バンプ21による方法は図4のコンタクトピン19を用いるものよりは、高集積化できても(約0.5mm限度)、ウェハ1の平坦度に対応できる電気的接続を得ることは、電極バンプ21の非独立性から不可能である。また、スクラブ動作も同様の理由により困難である。
【0008】
上記記載のように従来技術におけるピンを用いたプローブカードやメンブレンを用いたプローブカードでは、近年の狭小ピッチの被試験素子7に対応したプローブカードを実現することが、より困難になってきている。
【0009】
そこで、本発明では、マイクロマシニング技術を使用して、各コンタクトピン個別に弾性構造を有した高密度配列可能なコンタクトピン構造を実現することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
第1に、上記課題を解決するために、本発明の構成では、マイクロマシニング技術で形成した上下動可能な梁4の一端に、導電性を付与したマイクロコンタクトピン5を少なくとも1極設け、梁4を上下動させる圧電素子6を形成して設ける構造手段とする。これにより、電気的接触を行う電極2とで、各コンタクトピン個別に弾性構造を有したコンタクトを実現する。
【0011】
第2に、上記課題を解決するために、本発明の構成では、被試験素子電極2の配列に対応して、マイクロマシニング技術で形成した上下動可能な梁4の一端に、被試験素子電極2とコンタクトする導電性を付与したマイクロコンタクトピン5を設け、梁4を上下動させる圧電素子6を形成して設ける構造手段とする。これにより、ウェハ1上の被試験素子電極2との電気的接触を行うコンタクト構造において、各コンタクトピン個別に弾性構造を有した高密度なコンタクト構造が実現でき、従来技術のコンタクトピンや電極バンプによる高密度化の難点やコンタクト不具合が解消可能になった。
また、圧電素子6を駆動する圧電素子駆動回路11とこの間の接続をプローブカード構造内に追加して形成したプローブカード構造がある。
【0012】
第3に、ウェハ1上の全被試験素子電極2の配列に対応して、マイクロマシニング技術で形成した上下動可能な梁4の一端に、被試験素子電極2とコンタクトする導電性を付与したマイクロコンタクトピン5をウェハ1上の全電極個数形成して設け、梁4を上下動させる圧電素子6を形成して設け、ウェハ1上の各被試験素子単位にマイクロコンタクトピン5を切り替えるMPX回路34を形成して設ける構成手段がある。これにより、XYステージを移動すること無くウェハ1上の全被試験素子を順次切り替えた電気的接触を実現できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下にこの発明の実施の形態を実施例と共に詳細に説明する。
【0014】
【実施例】
本発明実施例について図1を示して、以下に説明する。
図1は、本発明の実施例による、コンタクトピンが2列並行配列されている場合の、3層シリコン基板で形成したプローブカードの要部断面構造図である。
【0015】
図1の要部断面構造図において、本プローブカード3は3枚のシリコ基板を使用した3層構造から成る。即ち、マイクロマシニング技術により第1シリコン基板8に上下方向に弾性を持たせた梁4を形成し、この梁4の先端部に被試験素子7の電極2と対向配列するようにマイクロコンタクトピン5を先端部に導電性薄膜処理して形成し、このマイクロコンタクトピン5と第3シリコン基板とをバイアホール9で導通接続させる。
そしてこの梁4にはサンドイッチ状に挟んだ薄膜状の圧電素子6を絶縁して形成し、この圧電素子6の2端子を第3シリコン基板上の圧電素子駆動回路11にバイアホールで導通接続させる。第2シリコン基板は、上記マイクロコンタクトピン5構造部を削除して当たらないようにし、また各種信号の内層配線にも利用する。第3シリコン基板15は、圧電素子6を駆動する圧電素子駆動回路11と、第2シリコン基板と共に外部との各種信号の配線層として使用する。
ここで、圧電素子駆動回路11は、被試験素子毎に設けられ、この昇圧回路により圧電素子6に供給する数十Vの直流電圧を発生して、一括してコンタクトON/OFF制御する。
これらマイクロマシニング技術を使用したコンタクト構造によって、各マイクロコンタクトピン5は個別に弾性構造を有したコンタクトピン構造を実現できることとなる。
【0016】
上記説明のマイクロマシニング技術によるコンタクトピン構造形成について、以下に詳細説明する。
(1)圧電素子6は、梁4部の両面にスパッタ或いは蒸着等により、酸化シリコン(SiO2)ー金ーPLZT(鉛・ランタン・亜鉛・チタン酸化物の組成の圧電素子材)ー金ーPLZTー金の構成からなる薄膜を生成しバイモルフを形成する。梁4部との電気絶縁は、SiO2膜によって保たれる。その膜厚は、10V/1μmの耐圧があるので、3〜5μm程度の成膜で圧電素子6の駆動電圧等に必要な20〜30Vには十分に耐え得る。また図示したように圧電素子6は、バイアホール9によって内部配線30及び圧電素子駆動回路11と接続する。尚マイクロコンタクトピン5は、上下に10μm程度上下動可能になることで被試験素子7の電極2の高低ずれやウエハの湾曲が有っても、個々に安定な電気的接触を実現できることとなる。
【0017】
(2)複数マイクロコンタクトピン5と外部との接続は、図には示されていないが、このコンタクト構造物に隣接して例えばセラミック基板を配置して、これとの間でボンディング接続して使用に供する。
【0018】
次に図6を示して、マイクロコンタクト構造の製造プロセス例を説明する。
1.使用するシリコン基板としては、結晶面(100)面のシリコン材を使用した場合とする。
2.フォトリソグラフによりマスクを形成した後、C2F6(6フッ化炭素)ガスを用いたドライエッチングにより100×100×100ミクロンの直方体を先端に持った厚さ200ミクロン、長さ500ミクロンの梁4を形成する。
3.異方性ウェットエッチングにより、高さ50ミクロンの結晶面(111)面で囲まれたピラミッド状の4角錐の突起であるマイクロコンタクトピン5を形成する。エッチングにはイソプロピルアルコールを混合したKOH(水酸化カリウム)の3N(規定濃度)水溶液を用いて、70度C±1度Cで1時間浸漬する。
4.絶縁体(ポリイミド)31に埋め込み、裏面からふっ硝酸混液にてロストウェハ処理して梁4の厚さを200→50ミクロンに薄くする。
5.梁4部にスパッタにより、酸化シリコンー金ーPLZTー金ーPLZTー金の二重構成からなるバイモルフの圧電素子6を形成する。ここでPLZTは圧電素子形成材であり、鉛・ランタン・亜鉛・チタン酸化物からなる。
6.通常の従来技術のプロセスにて、バイアホール9、マイクロストリップラインを形成し、かつ梁4の裏面に相当する箇所にSiO2(酸化シリコン)からなる犠牲層32を形成した第2シリコン基板10を張り合わせ積層する。その上に圧電素子駆動回路11を形成した第3シリコン基板15を張り合わせ積層して各々のバイアホール間を接続する。
7.最後に犠牲層32を除去して上下動可能な弾性を持たせた梁4を形成して、電極2に対応した100ミクロンピッチの梁4を配列したプローブカード3を形成する。
【0019】
上記プローブカード3構造を使用した応用としては、図2、図3に示すように、ウエハ上の被試験素子7の全個数に対向した複数プローブカード3を3層シリコンウエハで一体形成する一例がある。図2は、この一体形成の複数プローブカードの側断面図であり、図3は、この斜視図である。
この場合では、どの被試験素子を試験するかを選択切り替用のアナログMPX回路34とMPXドライバ29もこの3層シリコンウエハ上に形成する。また外部との信号授受は、これら図には示されていないが、このウエハに隣接して例えばセラミック基板を配置して、これとの間でボンディング接続してデバイス試験用信号の授受を行い試験に供する。このウエハ一体のプローブカード構造では、XYステージを移動が不要になる為、順次MPX回路34で試験用信号を切り替えながら試験可能になる特徴がある。この試験系統図は図7に相当する。
【0020】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので、下記に記載されるような効果を奏する。
マイクロマシニング技術を使用し、先端部にマイクロコンタクトピン5を有し、上下方向に弾性を持たせた梁4を形成し、この梁を上下動させる圧電素子6を形成したことにより、個々のマイクロコンタクトピン5が個別に上下動して被試験素子の電極2に接触する構造が得られることとなり、このことから、安定した被試験素子の電極2との電気的接触が実現できる効果が得られる。
また、圧電素子6駆動回路をプローブカード3に内蔵することで小型にできる。
また、図3に示すように、プローブカード3をウエハ上の被試験素子の全個数に対応して一体形成し、かつMPX回路34も搭載することにより、XYステージを移動すること無く、順次MPX回路34で切り替えながら試験実施可能になる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の、電極が2列並行配列されている場合の、3層シリコン基板で形成したプローブカードの要部断面構造図である。
【図2】本発明の、ウエハ上の被試験素子の全個数に対応して複数プローブカード3をシリコンウエハに形成して試験する側断面図である。
【図3】本発明の、ウエハ上の被試験素子の全個数に対応して複数プローブカード3をシリコンウエハに形成して試験する斜視図である。
【図4】従来技術による構成のプローブカードを示す断面図である。
【図5】従来技術による構成のプローブカードの他の1例を示す断面図である。
【図6】本発明の、マイクロコンタクト構造の製造プロセス例を説明する製造プロセスの工程図である。
【図7】本発明の応用の、順次MPX回路34で切り替えながら試験実施する試験系統図である。
【符号の説明】
1 ウェハ
2 電極
3 プローブカード
4 梁
5 マイクロコンタクトピン
6 圧電素子
7 被試験素子
8 第1シリコン基板
9 バイアホール
10 第2シリコン基板
11 圧電素子駆動回路
15 第3シリコン基板
17 絶縁板
18 同軸線
19 コンタクトピン
20 メンブレン
21 電極バンプ
22 プローブフレーム
23 スクリュウ
24 プランジャ
25 スプリング
26 圧力センサ
27 プローブボード
28 試験装置
30 内部配線
32 犠牲層
34 MPX回路
Claims (2)
- シリコンウエハ上の被試験半導体集積回路素子の電極との電気的接触を行なうプローブカードにおいて、
単結晶シリコンの第1シリコン基板と、
第1シリコン基板の一面に張り合わせ積層され、各種信号の内部配線及びバイアホールが形成された第2シリコン基板と、
第2シリコン基板の第1シリコン基板と反対側の面に張り合わせ積層された、各種信号の配線及びバイアホールが形成された第3シリコン基板とを備え、
上記シリコンウエハ上の被試験半導体集積回路素子と対応して、第1シリコン基板の第2シリコン基板と反対側にマイクロコンタクトピン構造部が形成され、
マイクロコンタクトピン構造部は、一端がそれぞれ第1シリコン基板に一体に固定され、2列に並行配列され、第1シリコン基板の板面と直角な方向(以下、上下方向という)に可動な弾性を持たせた複数の梁が形成され、
これら2列の梁の互いに内側の他端に、それぞれ、第2シリコン基板と反対側に突出し、結晶面(111)面で囲まれたピラミッド状の4角錐のコンタクトがそれぞれ一体に形成されて、梁及びコンタクトよりなるマイクロコンタクトピンが構成され、
上記梁のコンタクトと反対側の面は上記第1及び第2シリコン基板間の境界面と同一面上にあり、
マイクロコンタクトピン構造部と対向して第2シリコン基板には、梁の上記上下方向の可動を許容する凹部が形成され、
各梁の第2シリコン基板側の面に絶縁膜を介して薄膜状のバイモルフ型圧電素子が形成され、
マイクロコンタクトピン構造部の各梁の圧電素子に対し電圧供給により、その構造部のコンタクトを、対向する被試験半導体集積回路素子に対し、一括してON/OFF制御する圧電素子駆動回路が第3シリコン基板の第2シリコン基板と反対側に形成され、
各圧電素子は第2シリコン基板のバイアホール及び内部配線と第3シリコン基板のバイアホール及び配線を通じて圧電素子駆動回路に接続され、
各マイクロコンタクトピンは第2シリコン基板のバイアホール及び内部配線と第3シリコン基板のバイアホールを通じて、デバイス試験用信号授受配線と接続されていることを特徴とするプローブカード。 - 上記シリコンウエハ上には複数の被試験半導体集積回路素子が形成されてあり、
マイクロコンタクトピン構造部は上記シリコンウエハ上の全ての被試験半導体集積回路素子ごとにそれぞれと対応して形成され、
梁の上記上下方向の可動を許容する上記凹部は、各マイクロコンタクトピン構造部ごとにそれぞれ形成され、
圧電素子駆動回路はマイクロコンタクトピン構造部毎に設けられ、
どの被試験半導体集積回路素子を試験するかを選択切替えるMPX回路が第3シリコン基板の第2シリコン基板と反対側に形成され、
各圧電素子と圧電素子駆動回路との接続はマイクロコンタクトピン構造部毎に行なわれ、
各マイクロコンタクトピンとデバイス試験用信号授受配線との接続はマイクロコンタクトピン構造部毎に行われていることを特徴とする請求項1記載のプローブカード。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32830795A JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | プローブカード |
US08/751,851 US6072190A (en) | 1995-11-22 | 1996-11-18 | Micro contact pin structure with a piezoelectric element and probe card using the same |
KR1019960055251A KR970030587A (ko) | 1995-11-22 | 1996-11-19 | 마이크로 콘택트핀의 구조와 이를 이용한 프로브 카드 및 그 제조방법 |
TW085114193A TW310369B (ja) | 1995-11-22 | 1996-11-19 | |
DE19648475A DE19648475B4 (de) | 1995-11-22 | 1996-11-22 | Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren |
US09/538,117 US6174744B1 (en) | 1995-11-22 | 2000-03-29 | Method of producing micro contact structure and contact probe using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32830795A JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | プローブカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09148389A JPH09148389A (ja) | 1997-06-06 |
JP3838381B2 true JP3838381B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=18208776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32830795A Expired - Fee Related JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | プローブカード |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6072190A (ja) |
JP (1) | JP3838381B2 (ja) |
KR (1) | KR970030587A (ja) |
DE (1) | DE19648475B4 (ja) |
TW (1) | TW310369B (ja) |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7064566B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US6525555B1 (en) | 1993-11-16 | 2003-02-25 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US7073254B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
US6741085B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US20020053734A1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US6482013B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
US6232789B1 (en) * | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US20100065963A1 (en) | 1995-05-26 | 2010-03-18 | Formfactor, Inc. | Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US8033838B2 (en) * | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
US5914613A (en) * | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6690185B1 (en) | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
US7063541B2 (en) | 1997-03-17 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Composite microelectronic spring structure and method for making same |
JPH1123615A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | 接続装置および検査システム |
US6034533A (en) * | 1997-06-10 | 2000-03-07 | Tervo; Paul A. | Low-current pogo probe card |
JP4006081B2 (ja) | 1998-03-19 | 2007-11-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
EP0974845A1 (en) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Apparatus for testing electric properties using a multi-point probe |
US7304486B2 (en) * | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
JP4685240B2 (ja) | 1998-07-08 | 2011-05-18 | カプレス エイピーエス | 多探針プローブ |
US6256882B1 (en) * | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
USRE41515E1 (en) | 1998-08-12 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Contactor and production method for contactor |
WO2000016107A1 (fr) * | 1998-09-16 | 2000-03-23 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un substrat d'inspection d'un dispositif a semi-conducteurs |
US6414501B2 (en) | 1998-10-01 | 2002-07-02 | Amst Co., Ltd. | Micro cantilever style contact pin structure for wafer probing |
US6504223B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-01-07 | Advantest Corp. | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
US6672875B1 (en) | 1998-12-02 | 2004-01-06 | Formfactor, Inc. | Spring interconnect structures |
US6491968B1 (en) | 1998-12-02 | 2002-12-10 | Formfactor, Inc. | Methods for making spring interconnect structures |
US6255126B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
US6268015B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-31 | Formfactor | Method of making and using lithographic contact springs |
KR20070087060A (ko) * | 1998-12-02 | 2007-08-27 | 폼팩터, 인크. | 전기 접촉 구조체의 제조 방법 |
AU2348499A (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-18 | Kinetic Probe, Llc | Deflection device |
US6255124B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-07-03 | Advanced Micro Devices | Test arrangement and method for thinned flip chip IC |
US6578264B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
US7435108B1 (en) * | 1999-07-30 | 2008-10-14 | Formfactor, Inc. | Variable width resilient conductive contact structures |
US6713374B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US6939474B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US6361327B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-03-26 | Fci Americas Technology, Inc. | Micromachined silicon beam interconnect |
DE19952943C2 (de) * | 1999-11-03 | 2003-07-03 | Infineon Technologies Ag | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
US6838890B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7262611B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
JP2001356136A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Advantest Corp | 集積化マイクロコンタクトピン及びその製造方法 |
US6343940B1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-02-05 | Advantest Corp | Contact structure and assembly mechanism thereof |
US6455352B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Pin array assembly and method of manufacture |
DE10043731C2 (de) | 2000-09-05 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Meßsonde, deren Verwendung und Herstellung und Meßsystem zum Erfassen von elektrischen Signalen in einer integrierten Halbleiterschaltung |
JP2002110751A (ja) | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の検査装置および製造方法 |
US6828810B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-12-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same |
JP4527267B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタの製造方法 |
DE20114544U1 (de) * | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US7396236B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US6910268B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via |
US6811406B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-11-02 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring with additional protruding member |
WO2003007003A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
US6729019B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6759311B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-07-06 | Formfactor, Inc. | Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer |
US6930497B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-08-16 | Chung Shan Institute Of Science And Technology Armaments Bureau, M.N.D. | Flexible multi-layered probe for measuring a signal from an object |
JP2003215161A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード |
TW565529B (en) * | 2002-01-24 | 2003-12-11 | Scs Hightech Inc | Probe card and method for testing the proceed function or speed of electronic devices |
KR100475468B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2005-03-11 | 주식회사 파이컴 | 전자소자 검사용 전기적 접촉체 |
US6632691B1 (en) | 2002-04-11 | 2003-10-14 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for determining doping concentration of a semiconductor wafer |
US6842029B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-11 | Solid State Measurements, Inc. | Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers |
WO2003100445A2 (en) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US6724205B1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US6835589B2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional integrated CMOS-MEMS device and process for making the same |
US7122760B2 (en) * | 2002-11-25 | 2006-10-17 | Formfactor, Inc. | Using electric discharge machining to manufacture probes |
KR100595373B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2006-07-03 | 주식회사 유니테스트 | 브릿지 형태의 프로브 카드 및 그 제조 방법 |
US6945827B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-09-20 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
KR100523745B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2005-10-25 | 주식회사 유니테스트 | 전자소자 검사용 마이크로 프로브 및 그 제조 방법 |
US7057404B2 (en) * | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
DE10334935B3 (de) * | 2003-07-31 | 2004-12-23 | Harting Electric Gmbh & Co. Kg | Anschlusseinrichtung für ein Solarstrommodul |
US6924655B2 (en) * | 2003-09-03 | 2005-08-02 | Micron Technology, Inc. | Probe card for use with microelectronic components, and methods for making same |
US7619429B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-11-17 | Industrial Technology Research Institute | Integrated probe module for LCD panel light inspection |
JP2005156365A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電気特性測定用プローブ及びその製造方法 |
US7276787B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Silicon chip carrier with conductive through-vias and method for fabricating same |
DE202004021093U1 (de) * | 2003-12-24 | 2006-09-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler |
TWI266057B (en) * | 2004-02-05 | 2006-11-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated probe card and the packaging method |
JP4980903B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2012-07-18 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 膜懸垂プローブを具えるプローブヘッド |
KR20070058522A (ko) * | 2004-09-13 | 2007-06-08 | 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 | 양측 프루빙 구조 |
DE202005021436U1 (de) * | 2004-11-02 | 2008-02-14 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Optisch verbessertes digitales Abbildungssystem |
US7279919B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-10-09 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Systems and methods of allocating device testing resources to sites of a probe card |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7535247B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
CN100446355C (zh) * | 2005-02-03 | 2008-12-24 | 旺矽科技股份有限公司 | 微接触元件 |
CN1821788B (zh) * | 2005-02-16 | 2010-05-26 | 旺矽科技股份有限公司 | 嵌入式微接触元件及其制造方法 |
US7449899B2 (en) * | 2005-06-08 | 2008-11-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for high frequency signals |
JP5080459B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2012-11-21 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 広帯域能動/受動差動信号プローブ |
WO2007017956A1 (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | プローブ組立体 |
US7355422B2 (en) * | 2005-09-17 | 2008-04-08 | Touchdown Technologies, Inc. | Optically enhanced probe alignment |
JP4800007B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカード |
US7443186B2 (en) * | 2006-06-12 | 2008-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | On-wafer test structures for differential signals |
US7403028B2 (en) * | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7723999B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7764072B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
KR100748023B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-08-09 | 주식회사 유니테스트 | 프로브 카드의 프로브 구조물 제조 방법 |
KR100697785B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-03-20 | 주식회사 유니테스트 | 웨이퍼 접합 기술을 이용한 프로브 구조물 제조 방법 |
JP5147227B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2013-02-20 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置の使用方法 |
US7876114B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888955B2 (en) | 2007-09-25 | 2011-02-15 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources |
US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
JP5069542B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2012-11-07 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカード |
US20090224793A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Formfactor, Inc. | Method And Apparatus For Designing A Custom Test System |
US8122309B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-02-21 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing |
US8095841B2 (en) | 2008-08-19 | 2012-01-10 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing semiconductor devices with autonomous expected value generation |
US7944225B2 (en) * | 2008-09-26 | 2011-05-17 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test |
US7888957B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
JP5530191B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-06-25 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的試験用プローブ及びその製造方法、並びに電気的接続装置及びその製造方法 |
US9960312B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-05-01 | Kurt H. Weiner | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US8343327B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-01-01 | Reel Solar, Inc. | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US9038269B2 (en) * | 2013-04-02 | 2015-05-26 | Xerox Corporation | Printhead with nanotips for nanoscale printing and manufacturing |
US10686269B2 (en) * | 2017-09-25 | 2020-06-16 | Johnstech International Corporation | High isolation contactor with test pin and housing for integrated circuit testing |
US11137418B2 (en) | 2019-03-04 | 2021-10-05 | International Business Machines Corporation | Device test pad probe card structure with individual probe manipulation capability |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4811246A (en) * | 1986-03-10 | 1989-03-07 | Fitzgerald Jr William M | Micropositionable piezoelectric contactor |
US4994735A (en) * | 1988-05-16 | 1991-02-19 | Leedy Glenn J | Flexible tester surface for testing integrated circuits |
US5034645A (en) * | 1989-01-13 | 1991-07-23 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
JP3140223B2 (ja) * | 1992-11-11 | 2001-03-05 | キヤノン株式会社 | マイクロアクチュエータおよびその作製方法 |
JP2895694B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1999-05-24 | シャープ株式会社 | 情報記録・再生用スライダー、情報記録・再生用スライダーの製造方法および情報記録・再生装置 |
US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
US5536963A (en) * | 1994-05-11 | 1996-07-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force |
JP3611637B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2005-01-19 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 回路部材の電気接続構造 |
US5994152A (en) * | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP32830795A patent/JP3838381B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-18 US US08/751,851 patent/US6072190A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-19 KR KR1019960055251A patent/KR970030587A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-11-19 TW TW085114193A patent/TW310369B/zh active
- 1996-11-22 DE DE19648475A patent/DE19648475B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-29 US US09/538,117 patent/US6174744B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6174744B1 (en) | 2001-01-16 |
TW310369B (ja) | 1997-07-11 |
KR970030587A (ko) | 1997-06-26 |
US6072190A (en) | 2000-06-06 |
DE19648475B4 (de) | 2007-02-01 |
JPH09148389A (ja) | 1997-06-06 |
DE19648475A1 (de) | 1997-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3838381B2 (ja) | プローブカード | |
US5828226A (en) | Probe card assembly for high density integrated circuits | |
KR100423683B1 (ko) | 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법 | |
KR100733945B1 (ko) | 실리콘 핑거 접촉기를 갖는 접촉 구조체 및 그 제조 방법 | |
US7459795B2 (en) | Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion | |
US7679385B2 (en) | Probe card for inspecting electric properties of an object | |
US6774654B2 (en) | Semiconductor-device inspecting apparatus and a method for manufacturing the same | |
KR20010086060A (ko) | 상승된 접촉 요소를 구비한 웨이퍼를 탐침 검사하기 위한탐침 카드 | |
US20080110019A1 (en) | Probe card and method for constructing same | |
JP2002196019A (ja) | コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを使用したプローブコンタクトアセンブリ | |
TW562945B (en) | Pick and place mechanism for contactor | |
KR20040083726A (ko) | 전자소자 검사용 마이크로 프로브 및 그 제조 방법 | |
JP2002071719A (ja) | プローブカード及びその製造方法 | |
KR20020033526A (ko) | 프로브 구조체 및 그 제조 방법 | |
JP5643477B2 (ja) | コンタクトプローブ | |
KR100403758B1 (ko) | 반도체 프로브 장치 및 이를 이용한 반도체 프로브 칩과 그의 제조방법 | |
JP5276836B2 (ja) | プローブカード | |
KR100339757B1 (ko) | 프로브 카드의 제조 방법 | |
JP5058032B2 (ja) | コンタクトプローブの製造方法 | |
JP3452824B2 (ja) | 弾性電気接点微小プローブ装置及びその製法 | |
JPS61292918A (ja) | 薄板平坦化チヤツク | |
WO1995034000A1 (fr) | Dispositif de connexion et sa fabrication | |
KR100932104B1 (ko) | 사선형 탐침부재를 구비한 프로브 블록 및 상기탐침부재를 제조하는 방법 | |
JP3057999B2 (ja) | 半導体チップ試験装置 | |
JP2014016371A (ja) | コンタクトプローブ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040728 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040818 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040917 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |